BDR6122T-S

BDR6122T 1.8A 低压 H 桥驱动 IC 产品概述 特征  H 桥马达驱动 - 驱动直流有刷马达或电感或其它负载 - 超低内阻：上臂+下臂： 280mΩ  最大 1.8A 直流输出驱动电流  马达电压和逻辑电压独立供电 - 马达电源 VM： 0 to 12V - 逻辑电源 VCC： 1.8V to 5.5V  低功耗休眠模式 - IVM 和 IVCC 的静态电流 10nA  小封装 - DFN8 (2.0 X 2.0 mm) - SOP-8  保护特征 - VCC 欠压锁定 - 过流保护 - 过热保护 BDR6122T 是一款直流有刷电机驱动 IC，适用于电子 锁、无线充电、玩具、消费类产品以及其它低压或者 电池供电的运动控制产品。 BDR6122T 输出 DC 电流达到 1.8A。有两组工作电 压：VM 工作范围是 0~12V，VCC 工作范围是 1.8~ 5.5V。 BDR6122T 有一组 PWM（IN1-IN2）输入，超低输出 内阻，采用 DFN8 和 SOP8 两种封装。内部集成过流 保护、欠压保护和过温保护。 应用      电子锁 玩具 无线充电 机器人 消费类产品 框图 VM (0V to 11V) VM VM VCC (1.8V to 5V) VCC IN1 Gate Driver OCP OUT1 UVLO Logic VM M IN2 Gate Driver OCP OUT2 nSLEEP Over Temp GND 图一. 主要模块框图 Tel: 0755-23505821 Web: http://www.bdasic.com BDR6122T 应用电路 VM VCC *C3 0.1uF 1 VM C1 VCC 8 0.1uF 2 7 OUT1 nSLEEP Thermal Pad 3 M 4 OUT2 IN1 GND IN2 C2 6 5 图 2. 应用原理图 *C3 可选，细节请参见“电源电容推荐”章节 V1.0 2 2017 BDR6122T 订单资料 产品编号 封装类型 标记 BDR6122T-S 8-Pin, SOP, 150 MIL - BDR6122T 8-Pin, DFN - 脚位定义 DFN-8 VM 1 OUT1 2 SOP-8 8 VCC VM 1 8 VCC 7 nSLEEP OUT1 2 7 nSLEEP Thermal Pad OUT2 3 6 IN1 OUT2 3 6 IN1 GND 4 5 IN2 GND 4 5 IN2 引脚名称 VM OUT1 OUT2 GND IN2 IN1 nSLEEP VCC V1.0 输入/输出 电源 输出 输出 电源 输入 输入 输入 电源 描述 功率电源 全桥输出 1 全桥输出 2 地 逻辑输入 2 逻辑输入 1 休眠模式输入端口 逻辑供电电源 3 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 2017 BDR6122T 功能描述 全桥控制方式 BDR6122T 是由一组 PWM 输入信号控制的（也叫 IN-IN 控制），每一路输出都是由一个输入脚控制。 功能 (DC Motor) nSLEEP IN1 IN2 OUT1 OUT2 0 X X Z Z Off 1 0 0 Z Z Off 1 0 1 L H Reverse 1 1 0 H L Forward 1 1 1 L L Brake 表 1. 逻辑控制 保护模式 BDR6122T 有三种保护模式：VCC 欠压保护、过流和过温保护。 故障 条件 H桥 特性恢复点 VCC < 1.7V 关断 VCC>1.8V 过流保护 IOUT > 1.9A (MIN) 关断 tRETRY 过温保护 TJ > 150℃ (MIN) 关断 TJ < 150℃ VCC 欠压保护 表 2. 故障模式 功能 TBDR6122T 在 nSLEEP 为低电平时进入休眠模式，输出 H 桥被关断。如果 nSLEEP 为高电平时，BDR6122T 进入正 常工作模式。 模式 条件 H桥 正常工作 nSLEEP pin=1 工作 休眠模式 nSLEEP pin=0 关断 任意一种故障出现 关断 故障 表 3. 工作模式 V1.0 4 2017 BDR6122T 电源电容推荐 在马达驱动系统设计中，电源电容是非常重要的，一般而言，容值大一些效果更好一些。 电源电容值选取由以下几个因素决定：  马达系统需要很高的电流能力  电源电容要求提供电流能力  在电源和马达直接寄生的电感数量  可接受的电压纹波  马达类型（有刷直流马达，无刷直流马达，步进马达）  马达刹车方式 电源和马达驱动系统之间的电感限制了电源的额定电流值。如果电源电容值太小，系统需要额外的电流提供或者马 达电压会有跳变。当电源电容值足够大的时候，马达电压就会很稳定，并且在大电流切换时也能快速响应。 电源电容的额定电压应该比工作电压高，当马达传输给电源能量时能够提供足够的裕度。 Parasitic Wire Inductance Power Supply Motor Driver System VM Motor Driver GND Local Bulk Capacitor IC Bypass Capacitor 图 2. 外部电源供电的马达驱动系统 PCB 布局 VM 和 VCC 应该使用低 ESR 陶瓷电容旁路到地，建议数值是 0.1uF。这些电容应该尽可能的放在 VM 和 VCC 脚位 旁边，并用粗线与地相连。 0.1uF 0.1uF VM 1 8 VCC OUT1 2 7 nSLEEP OUT2 3 6 IN1 GND 4 5 IN2 图 4. 简化的 PCB 布局 V1.0 5 2017 BDR6122T 绝对最大额定值 参数 最小 -0.3 -0.3 -40 -40 20 20 ±4 ±0.4 ±1.5 马达供电电压 , VM 逻辑电源供电电压, VCC 工作温度 存储温度, Tstg 工作湿度 存储湿度 HBM 静电等级 所有脚位 MM CDM* *CDM 测试是基于 ANSI/ESDA/JECEC JS-002-2014 最大 13.5 6.5 150 150 85 90 单位 V V °C °C % % KV KV KV 推荐工作条件 VM VCC IOUT fPWM VLOGIC TA V1.0 参数 马达工作电压 逻辑工作电压 马达直流电流 PWM 输入频率 逻辑输入电压 环境工作温度 最小 0 1.8 0 0 0 -40 6 最大 12 5.5 1.8 250 5 85 单位 V V A KHz V °C 2017 BDR6122T 电特性参数 如无特殊规定，TA=25℃ 符号 参数 电源电压(VM,VCC) VM 电流 IVM1 关断模式下 VM 电流 IVM2 正/反转模式下 VM 电流 IVM3 刹车模式下 VM 电流 IVM4 PWM 输入时 VM 电流 IVMQ VCC 电流 休眠模式下 VM 电流 IVCC1 关断模式下 VCC 电流 IVCC2 正/反转模式下 VCC 电流 IVCC3 刹车模式下 VCC 电流 IVCC4 PWM 输入时 VCC 电流 IVCCQ 休眠模式下 VCC 电流 测试条件 最小 VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM 关断模式 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 正/反转模式 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 刹车模式 VM=5V ; VCC=3V PWM=50KHz VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0 典型 最大 单位 65 90 µA 300 500 µA 65 90 µA 240 400 µA 5 VM=5V ; VCC=3V; 无 PWM 关断模式 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 正/反转模式 VM=5V ; VCC=3V ; 无 PWM 刹车模式 VM=5V ; VCC=3V PWM=50KHz VM=5V ; VCC=3V nSLEEP=0 nA 380 500 µA 450 650 µA 480 650 µA 450 650 µA 2 nA 逻辑输入 (IN1, IN2, nSLEEP) 输入逻辑低电平 输入逻辑高电平 逻辑低电平输入的电流 逻辑高电平输入的电流 下拉电阻 马达驱动输出 (OUT1, OUT2) VIL VIH IIL IIH RPD rDS(ON) IOFF 保护功能 上臂+下臂 MOS 阻抗 关断状态下漏电流 VUVLO VCC 欠压锁定 IOCP tRETRY TTSD 过流保护触发点 过流保护恢复时间 过温保护温度点 V1.0 0.3*VCC 100 V V µA µA KΩ 280 mΩ 5 nA 0.5*VCC VIN=0V VIN=3.3V IN1 IN2 nSLEEP 5 50 VM=5V ; VCC=3V ; Io=800mA ; Tj=25℃ VOUT=0V VCC 下降 VCC 上升 1.7 1.8 1.9 3.5 1 160 芯片温度 7 V V A mS ℃ 2017 BDR6122T 时序要求 TA=25℃, VM=5V, VCC=3V, RL=20Ω 时间 参数 最小 单位 t1 输出开启时间 0.8 µS t2 输出关断时间 0.8 µS t3 延迟时间, INx high to OUTx high 0.7 µS t4 延迟时间, INx low to OUTx low 0.7 µS t5 输出上升时间 0.5 µS t6 输出下降时间 0.5 µS 5 µS twake 唤醒时间 , nSLEEP 上升沿到输入开启 IN1 IN2 t1 Z OUT1 t2 t4 Z t3 Z OUTx Z OUT2 80% 80% 20% 20% t5 t6 图 5. 输入输出时序图 V1.0 8 2017 BDR6122T 典型工作特性 12 VCC Sleep Current (nA) VM Sleep Current (nA) (如无特殊规定，VM=5V, VCC=3V) 10 8 6 4 2 0 -40 -20 0 20 40 60 80 6 5 4 3 2 1 0 -40 -20 VCC Operating Current (mA) VM Operating Current (mA) 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0 0 20 40 60 80 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -40 -20 350 HS + LS rDS(ON) (mΩ) HS + LS rds(ON) (mΩ) 350 300 250 200 40 60 80 40 60 80 VCC=2V VCC=3V VCC=5V 300 250 200 0 Ambient Temperature (℃) 图 10. HS + LS rDS-on vs TA V1.0 20 图 9. IVCC vs TA(50KHz PWM) 400 20 0 Ambient Temperature (℃) 400 0 80 0.5 图 8. IVM vs TA(50KHz PWM) -20 60 0.6 Ambient Temperature (℃) -40 40 图 7. IVCCQ vs TA 图 6. IVMQ vs TA -20 20 Ambient Temperature (℃) Ambient Temperature (℃) -40 0 1 2 3 4 5 6 7 VM (V) 8 9 10 11 12 图 11. HS + LS rDS-on vs VM 9 2017 BDR6122T V1.0 图 12. 50% 占空比 , 正转 图 13. 20% 占空比 , 正转 图 14. 50%占空比 , 反转 图 15. 20%占空比 , 反转 10 2017 BDR6122T 封装资料 8-PIN, DFN Symbol A A1 A3 b D E e D2 E2 L Dimensions Nom. 0.75 0.02 0.20 REF 0.25 2.00 BSC 2.00 BSC 0.50 BSC 1.60 0.90 0.30 Min. 0.70 0 0.18 1.50 0.80 0.25 Max. 0.80 0.05 0.30 1.65 0.95 0.35 Note: Refer to JEDEC MO-229 V1.0 11 2017 BDR6122T 8 PINS, SOP, 150MIL Symbol A A1 A2 b c D E E1 e L  Millimeter Nom. 4.90 BSC 6.00 BSC 3.90 BSC 1.27BSC - Min. 0.10 1.25 0.31 0.10 0.40 0 Max. 1.75 0.25 0.51 0.25 1.27 8 Notes: 1. Refer to JEDEC MS-012AA 2. All dimensions are in millimeter V1.0 12 2017 BDR6122T IMPORTANT NOTICE Shenzhen Bardeen Microelectronics(BDM) CO.,LTD reserves the right to make corrections, modifications, enhancements, improvements, and other changes to its products and to discontinue any product without notice at any time. BDM cannot assume responsibility for use of any circuitry other than circuitry entirely embodied in a BDM product. No circuit patent licenses are implied. Shenzhen Bardeen Microelectronics(BDM) CO.,LTD. 208-209,Building No.1 Yoho Space QunHui Road No.1,Xin’an Street, Bao’an District ,ShenZhen Tel: 86-755-23505821 http://www.bdasic.com V1.0 13 2017