MEM2302XG

1. 物料型号：MEM2302M3，是一款使用高密度DMOS沟槽技术生产的N沟道增强型场效应晶体管。 2. 器件简介：该器件特别适合低电压应用和在非常小的表面贴装封装中低功耗使用。 3. 引脚分配：文档中提供了引脚配置图，包括漏极(D)、源极(S)和栅极(G)。 4. 参数特性：包括绝对最大额定值，如漏源电压(Vpss)为20V，栅源电压(VGsS)为+8V等。 5. 功能详解：文档详细介绍了器件的热特性、电气特性，包括静态特性、动态特性和开关特性。 6. 应用信息：MEM2302适用于电池管理、高速开关和低功耗DC到DC转换器等应用。 7. 封装信息：提供了SOT23-3L封装的详细信息。 8. 其他信息：包括重复额定值、脉冲宽度限制、热阻、输入电容、输出电容、反向传输电容等。