MMBT5401

MMBT5401 MMBT5401 TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complimentary to MMBT5551 MARKING:2L MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号） （参数名称） （额定值） （单位） VCBO Collector-Base Voltage （集电极-基极电压） -160 V VCEO Collector-Emitter Voltage （集电极-发射极电压） -150 V VEBO Emitter-Base Voltage （发射极-基极电压） -5 V IC Collector Current -Continuous （集电极电流） -0.6 A PC Collector Power Dissipation （耗散功率） 0.3 W Tj Junction Temperature （结温） 150 ℃ Tstg Storage Temperature （储存温度） -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃unless otherwise specified) Parameter （参数名称） Symbol （符号） Test conditions （测试条件） MIN TYP MAX （最小值） （典型值） （最大值） UNIT （单位） Collector-base breakdown voltage 集电极-基极击穿电压 V(BR)CBO IC= -100μA, IE=0 -160 V Collector-emitter breakdown voltage 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -150 V Emitter-base breakdown voltage 发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current 集电极-基极截止电流 ICBO VCB=-120 V , IE=0 -1 μA Collector cut-off current 集电极-发射极截止电流 ICEO VCE=-120V , -10 μA Emitter cut-off current 发射极-基极截止电流 IEBO VEB=-5V , IC=0 -1 μA DC current gain 直流电流增益 hFE VCE=-5V, IC= -10mA IB=0 100 400 Collector-emitter saturation voltage 集电极-发射极饱和压降 VCE(sat) IC=-50mA, IB= -5mA -0.5 V Base-emitter saturation voltage 发射极-基极饱和压降 VBE(sat) IC=-50mA, IB= -5mA -1 V CLASSIFICATION OF Range www.yongyutai.com 100-200 hFE 200-300 300-400 PAGE 1 MMBT5401 Typical Characteristics www.yongyutai.com PAGE 2