RTT1235R7FTP

文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 1/20 1 適用範圍: 本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTT系列厚膜晶片電阻器。 2 型別名稱: （例） RTT 型別 03 100 TP 電阻值 尺寸 01(0201) 02(0402) 03(0603) 05(0805) 06(1206) 12(1210) 20(2010) 25(2512) 無鉛厚膜 晶片電阻器 J 3 -碼 4 -碼 容差 E24系列 EX. 10Ω =100 4.7Ω =4R7 E96系列 EX. 10.2Ω =10R2 10KΩ =1002 JUMPER B=± D=± F=± G=± J=± 000 0.1% 0.5% 1% 2% 5% 包裝型式 TH:2 mm Pitch紙帶(卷裝) 10000 pcs TP:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 5000 pcs P2:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 10000 pcs P3:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 15000 pcs P4:4 mm Pitch紙帶(卷裝) 20000 pcs TE:4 mm Pitch膠帶(卷裝) 4000 pcs BA:散裝(盒裝) 3 規格表: 3.1 阻值範圍:≧1Ω 型別 額定 功率 RTT01 1 w (0201) 20 T.C.R 最高 最高額 過負荷 (ppm/℃ ) 定電壓 電壓 溫度係數 25V 50V JUMPER (0Ω) 額定電流 阻值範圍 B(± 0.1%) E-24、E-96 ± 600 ------ ± 250 ------ D(± 0.5%) E-24、E-96 F(± 1%) E-24、E-96 1Ω≦R＜25Ω 1Ω≦R＜25Ω G(± 2%) J(± 5%) E-24 1Ω≦R＜25Ω 25Ω≦R≦10MΩ 25Ω≦R≦10MΩ 25Ω≦R≦10MΩ JUMPER (0Ω) 阻值 J F J (± 5%) (± 1%) (± 5%) F (± 1%) 0.5A 0.5A 50mΩ MAX. 35mΩ MAX. 1A 1.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 1A 2A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 2.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 3.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 4A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 7A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ RTT02 (0402) 1 w 16 RTT03 1 w (0603) 10 RTT05 (0805) 1 w 8 RTT06 (1206) 1 w 4 RTT12 (1210) 1 w 2 50V 100V ± 200 ------ 10Ω≦R＜100Ω +500 -200 ------ ------ 10Ω≦R＜100Ω 10Ω≦R＜100Ω 1M＜R≦10MΩ 1M＜R≦20MΩ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 75V 150V 150V 300V ± 200 ------ 1Ω≦R＜100Ω ------ 1Ω≦R＜33Ω 1Ω≦R≦20MΩ 1M＜R≦10MΩ ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ ± 200 ------ 1Ω≦R＜100Ω ------ 1Ω≦R＜33Ω 1Ω≦R≦20MΩ 1M＜R≦10MΩ ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 200V 400V ± 200 ------ 1Ω≦R＜100Ω ------ 1Ω≦R＜33Ω 1Ω≦R≦20MΩ 1M＜R≦10MΩ ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 200V 400V ± 200 ------ ------ ± 400 ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ RTT20 (2010) 3 w 4 200V RTT25 (2512) 1W 200V 400V ------ ± 200 ------ ------ ------ 10Ω≦R≦10MΩ ± 400 ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω ± 100 100Ω≦R≦1MΩ 33Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 400V ± 200 ------ ± 400 ------ 審查 ------ ------ ------ 10Ω≦R≦10MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω －55℃ ~ ＋155℃ (0201:－55℃ ~ ＋125℃) 使用溫度範圍 核准 ------ 10Ω≦R＜33Ω 10Ω≦R≦20MΩ 1M＜R≦10MΩ 制定 備註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 2/20 3.2 阻值範圍:＜1Ω 型別 額定 功率 最高 額定電流 最高 過負荷電流 RTT02 (0402) 1/16W 0.88A 2.2A RTT03 (0603) 1/10W 1.29A 3.22A RTT05 (0805) 1/8W 3.53A 8.82A RTT06 (1206) 1/3W 5.77A 14.42A RTT12 (1210) 1/2W 7.07A 17.67A RTT20 (2010) 3/4W 8.66A 21.65A RTT25 (2512) 1W 10A 25A T.C.R ( ppm / ℃ ) 溫度係數 ± 600 ± 300 ± 250 ± 200 ± 600 ± 300 ± 600 ± 400 ± 1500 ± 1200 ± 800 ± 600 ± 200 ± 1500 ± 1200 ± 1000 ± 600 ± 200 ± 1500 ± 1000 ± 700 ± 400 ± 200 ± 1500 ± 1200 ± 900 ± 500 ± 200 ± 1500 ± 1200 ± 900 ± 500 ± 200 使用溫度範圍 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 阻值範圍 F(± 1%)、G(± 2%)、J((± 5%) E-24、E-96 80 ≦R＜200 mΩ 200≦R＜400 mΩ 400 ≦R＜600 mΩ 600≦R＜1000 mΩ 60≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜200 mΩ 200 ≦R＜500 mΩ 500 ≦R＜1000 mΩ 10 ≦R＜19 mΩ 19 ≦R＜33 mΩ 33 ≦R＜50 mΩ 50 ≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜1000 mΩ 10 ≦R＜19 mΩ 19 ≦R＜25 mΩ 25 ≦R＜50 mΩ 50 ≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜1000 mΩ 10 ≦R＜19 mΩ 19 ≦R＜25 mΩ 25 ≦R＜50 mΩ 50 ≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜1000 mΩ 10 ≦R＜19 mΩ 19 ≦R＜25 mΩ 25 ≦R＜50 mΩ 50 ≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜1000 mΩ 10 ≦R＜19 mΩ 19 ≦R＜25 mΩ 25 ≦R＜50 mΩ 50 ≦R＜100 mΩ 100 ≦R＜1000 mΩ －55℃ ~ ＋155℃ 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 3/20 3.3 功率衰減曲線: 型別 使用 溫度範圍 說明 RTT01 (0201) 其它 －55℃ ~ ＋125℃ －55℃ ~ ＋155℃ 周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照 下圖曲線予以修定之。 下圖曲線予以修定之。 70 100 功 率 衰 減 曲 線 圖 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 125 20 負 載 功 率 比 (%) 0 -55 20 40 70 100 80 60 40 155 20 0 60 80 100 120 140 160 環境溫度(℃) -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環境溫度(℃) 3.4 額定電壓或額定電流: 3.4.1 阻值範圍:≧1Ω 額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時， 則以最高額定電壓為 其額定電壓。 E=額定電壓(V) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 3.4.2 阻值範圍:＜1Ω 額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電流時， 則以最高額定電流為其額定電流。 I = 額定電流(A) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 4/20 Unit : mm 4 尺寸: Dimensions L W H L1 L2 TYPE Size Code RTT01 0201 0.60± 0.03 0.30± 0.03 0.23± 0.03 0.15± 0.05 0.15± 0.05 RTT02 0402 1.00± 0.10 0.50± 0.05 0.30± 0.05 0.20± 0.10 0.25± 0.10 RTT03 0603 1.60± 0.10 0.80± 0.10 0.45± 0.10 0.30± 0.15 0.30± 0.15 RTT05 0805 2.00± 0.10 1.25± 0.10 0.50± 0.10 0.35± 0.20 0.35± 0.15 RTT06 1206 3.05± 0.10 1.55± 0.10 RTT12 1210 3.05± 0.10 2.55± 0.10 0.55± 0.10 0.50± 0.20 0.50± 0.20 RTT20 2010 5.00± 0.20 2.50± 0.20 0.55± 0.10 0.60± 0.20 0.60± 0.20 RTT25 2512 6.30± 0.20 3.20± 0.20 0.55± 0.10 0.60± 0.20 0.60± 0.20 0.55 +0.10 -0.05 0.45± 0.20 0.35± 0.15 5 結構圖: 備 註 1 陶瓷基板 Ceramic substrate 6 2nd 保護層 2nd Protective coating 2 3 背面內部電極 正面內部電極 Bottom inner electrode Top inner electrode 7 8 字碼 側面內部電極 Marking Terminal inner electrode 4 電阻層 Resistive layer 9 Ni 層電鍍 Ni plating 5 1st 保護層 1st Protective coating 10 Sn 層電鍍 Sn plating 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 RALEC 旺 詮 文件編號 厚膜晶片電阻器規格標準書 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 5/20 6 信賴性試驗項目: 6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Conditions 條件 ITEM 項目 Specifications規格 Resistors Jumper （ R2－ R1） Temperature 參考3.規格表 6 Coefficient of TCR（ppm / ℃）＝ R1（ T2－ T1） × 10 Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω) 溫度係數 R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω) T1:室溫之溫度(℃) T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。 依據 JIS-C5201-1 4.8 Short Time 施加2.5倍的額定電壓5秒，靜置30分鐘以上再量測 1.阻值範圍:≧1Ω 0.1%、0.5%、1%:± Overload 阻值變化率。(額定電壓值請參考 3.規格表) 2%、5%:± 短時間過負荷 Jumper:施加最高過負荷電流: 2.阻值範圍:＜1Ω 型別 Jumper 額定電流 ± 5% ± 1% RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT20 RTT25 (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (2010) (2512) 1.25A 2.5A 1.25A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A NA (1.0%＋0.05Ω) (2.0%＋0.10Ω) 參考3.規格表 1%、 2%、5% :± (2.0%＋0.001Ω) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 5A 5A 12.5A 17.5A 依據 JIS-C5201-1 4.13 將晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC一分鐘後 ≧109Ω Insulation Resistance 測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。 絕緣電阻試驗 依據 JIS-C5201-1 4.6 絕緣材質 A 測試點 B 測試點 電阻背面 晶片電阻 印刷保護層面 壓力彈簧 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加VAC (參考下列) RTT05、06、12、20、25 用500 VAC－分鐘 RTT01、02、03用300 VAC－分鐘 依據 JIS-C5201-1 4.7 Intermittent 置於恆溫箱中，施加2.5倍額定電壓，1秒ON， Overload 25秒OFF，計 10,000 +400 次取出靜置60分鐘後量 -0 斷續過負荷 測阻值變化量。 Jumper:施加最高過負荷電流: 型別 Jumper 額定電流 ± 5% ± 1% 註 1.阻值範圍:≧1Ω ± (5.0%＋0.10Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω ± (5.0%＋0.001Ω) 參考3.規格表 RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT20 RTT25 (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (2010) (2512) 1.25A 2.5A 1.25A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A 5A 5A 12.5A 17.5A 依據 JIS-C5201-1 4.13 Noise Level 依據 JIS-C5201-1 4.12 測試方法。 雜音測驗 備 無短路或燒毀現象。 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 電阻(Resistance) R 100Ω 1KΩ 10KΩ 100KΩ 1MΩ ＜100Ω ≦R＜1KΩ ≦R＜10KΩ ≦R＜100KΩ ≦R＜1MΩ ≦R 雜音(Noise) ≦-10db(0.32 uV/V) ≦ 0db(1.0 uV/V) ≦ 10db(3.2 uV/V) ≦ 15db(5.6 uV/V) ≦ 20db(10 uV/V) ≦ 30db(32 uV/V) NA 發行管制章 DATA Center. 序號：60 RALEC 旺 詮 文件編號 厚膜晶片電阻器規格標準書 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 6/20 6.2 機械性能試驗(Mechanical Performance Test) ITEM 項目 Conditions 條件 Specifications規格 Resistors Jumper Core body strength 本體強度 使用R0.5的測試探針在本體中央向下施加10N｛1.02 1.阻值範圍:≧1Ω kgf｝的負載持續10 sec.。 ± (1.0%+0.05Ω) 參考3.規格表 1.RTT02、RTT03測試探針R0.2 2.阻值範圍:＜1Ω 2.RTT05、06、12、20、25測試探針R0.5 ± (1.0%+0.001Ω) 依據 JIS-C5201-1 4.15 外觀無損傷，側導無裂痕 Terminal 測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面施以 項目一:外觀無損傷，無側導脫落及本體斷裂發 Strength 5N的力量持續10 sec後，檢查側導體外觀 生。 端電極拉力測 。(RTT01:3N) 項目二:RTT01≧3N 試 測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸施加力量於電 其它≧5N 阻背面，測試端電極最大剝離強度。 依據 JIS-C5201-1 4.16 Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5± 0.5分鐘後，取出靜置 1.阻值範圍:≧1Ω 參考3.規格表 型別 RTT01 其它 Solvent 48 hr以上，再量測阻值變化率。 △R% ± (1.0%+0.05Ω) ± (0.5%+0.05Ω) 耐溶劑性試驗 依據 JIS-C5201-1 4.29 2.阻值範圍:＜1Ω ± (1.0%+0.001Ω) 外觀無損傷，無G2保護層及錫層被 Leaching現象。 1.試驗項目一: Solderability 前處理 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕 導體吃錫面積應大於95%。 焊錫性 度100%及氣壓1.22× 105 pa的飽和條件下進行4小時 2.試驗項目二: Zero Cross Time在3秒內完成。 的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 測試方法 ◎測試項目一(焊錫爐測試): 將電阻浸於235± 5℃之爐中2± 0.5秒後取出置於顯 微鏡下觀察焊錫面積。 ◎測試項目二(小球平衡法): 將浸漬助焊劑後的電阻置放於Wetting Balance測試 機，依下列條件做設定，並記錄晶片電阻焊錫潤濕 時間。 焊錫槽平衡法測試條件 焊錫溫度 浸漬速度 浸漬高度 浸漬角度 條件 235± 2℃ 1~5mm/S 0.10mm 水平 5mg →0201 錫球重量 25mg →0402、0603 200mg→0805、1206、1210、2010、2512 依據 SONY (SS-00254-2) 依據 JIS-C5201-1 4.17 Resistance to ◎測試方法一(Reflow測試): 1.阻值範圍:≧1Ω 參考3.規格表 Soldering △R%=± (1.0%+0.05Ω) 晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗 Heat ，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或 2.阻值範圍:＜1Ω 抗焊錫熱 △R%=± (1.0%+0.001Ω) 較低的條件下2小時以上。 電極外觀無異常，無側導脫落。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 ITEM 項目 Conditions 條件 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 7/20 Specifications規格 Resistors Jumper 步驟 1 2 3 製程名稱 阻值量測 烘乾 濕潤 試驗環境條件 室溫 125℃， 24小時 85℃，85%，168小時 4 Reflow(1) Reflow溫度曲線及元件表面溫 度 Table1 5 濕潤 85℃，65%，24小時 6 Reflow溫度曲線及元件表面溫 Reflow(2) 度 Table2 7 阻值量測 室溫 1.Reflow溫度曲線 2.元件表面溫度 Table 1規格文件說明(1) 溫度保留時間:高 測試元件表面溫度 尖峰溫度 於或等於230℃ 在前製程 30秒 240℃ 150 至160℃ Table 2規格文件說明(2) 溫度保留 測試元件表面溫度 溫度 時間 在前製程 高於或等於220℃ 90秒 150至160℃ 高於或等於230℃ 60秒 高於或等於240℃ 5秒 尖峰溫度 245℃ ◎測試方法二(焊錫爐測試): 晶片電阻於取出後，應依順序完成下列步驟之試驗 ，並於每一步驟間元件應置於30℃和濕度70%，或 較低的條件下2小時以上。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 ITEM 項目 Conditions 條件 步驟 1 2 3 4 5 6 7 製程名稱 阻值量測 烘乾 濕潤 焊錫爐 測試 靜置 焊錫爐 測試 阻值量測 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 8/20 Specifications規格 Resistors Jumper 試驗環境條件 室溫 125℃， 24小時 85℃，85%RH ，168小時 260± 3℃,10秒 室溫 260± 3℃,10秒 室溫 ◎測試方法三(電烙鐵試驗): 加熱溫度:350± 10℃ 電烙鐵加熱時間:3+1/-0 sec. 取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜置60分鐘以上 ，再量測阻值變化率。 依據 SONY (SS-00254-5) 依據 JIS-C5201-1 4.18 Joint Strength 前處理 of Solder 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕 焊錫粘合強度 度100%及氣壓1.22× 105 pa的飽和條件下進行4小時 的老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 ◎測試項目一(固著性測試): 將晶片電阻焊於固著性測試板中，置於端電極測試 機上，以半徑R0.5 (0201:R0.1)之測試探針朝施力 方向施加力量，並保持10 sec，於負荷下量測阻值 變化率。 力量：1.RTT02=10N 2.其它型別=20N 3.RTT01:5N 試驗項目一: (一).阻值變化率 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=± (1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω △R%=± (1.0%+0.001Ω) 參考3.規格表 (二).外觀無損傷、無側導脫落。 試驗項目二: (一).阻值變化率 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=± (1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω △R%=± (1.0%+0.001Ω) (二).外觀無損傷、無側導脫落及 本體斷裂發生。 試驗項目三: 1.固著性測試: 經溫度循環後其固著性強度 須為初期強度50%以上。 2.彎折性測試: 經溫度循環後其彎折性強度 須為初期強度50%以上。 依據JIS-C5201-1 4.32 ◎測試項目二(彎折性測試): 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上 ，在測試板中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率 。 下壓深度(D):RTT02、03、05=5mm RTT01、06、12=3mm RTT20、25=2mm 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 RALEC 旺 詮 ITEM 項目 文件編號 厚膜晶片電阻器規格標準書 Conditions 條件 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 9/20 Specifications規格 Resistors Jumper 依據JIS-C5201-1 4.33 ◎測試項目三(耐久性測試): 將晶片電阻經Table 1條件之溫度循環試驗1000± 4次後，再分別根據測試項目一及測試項目二之方 法以50%條件作測試，量測阻值變化率並計算前後 變化率的誤差。 Table 1 溫度循環測試條件 測試條件 最低溫度 -35± 5℃ 最高溫度 105± 5℃ 溫度保留時間 15 分鐘 依據 SONY (SS-00254-7) Leaching 將晶片電阻浸於助焊劑中，再將晶片電阻完全浸置於 1.導體吃錫面積應大於95%。 試驗 焊錫槽內，溫度設定260± 5℃、時間30+1/-0秒，取 2.在電極邊緣處不應見到下層的物質(例如白基 出後洗淨。置於顯微鏡下觀察焊錫面積。 板)。 依據SONY (SS-00254-9) 1.阻值範圍:≧1 Ω Vibration 將晶片電阻焊於測試板上施加一振動波 參考3.規格表 0.1%、0.5%、1%:± (0.5%+0.05Ω) 耐振性試驗 震動頻率:10 Hz ~ 55 Hz ~ 10 Hz/分 2%、5%:± (1.0%＋0.05Ω) 振幅:1.5 mm 2. 阻值範圍: 0.1 ~ 0.7N ( 10.2 ~ 71.4 gf ) 0402 => 0.07 ~ 0.5N ( 7.1 ~ 51 gf ) 0603、0805、1206、1210、2010 、2512 => 0.07 ~ 0.7 N ( 7.1 ~ 71.4 gf ) 上膠帶 紙帶 拉力速度(300mm/min) 拉力角度 10° 紙帶動作方向 11.4包裝數量(Packaging QTY): Packaging QTY (pcs / reel) TYPE Paper Tape Width Plastic 2 mm Pitch TH H0 RTT01 8 mm 10,000 15,000 RTT02 8 mm 10,000 -- H2 -- H3 -- 4 mm Pitch 4 mm Pitch H4 -- H5 -- 20,000 30,000 40,000 50,000 TP -- P2 -- P3 -- P4 -- TE -- E2 -- E3 -- E4 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- RTT03 8 mm RTT05 8 mm RTT06 8 mm -- -- -- -- -- -- 5,000 10,000 15,000 20,000 -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 7” 7” 10” 13” 13” 13” 7” 10” 13” 13” RTT12 8 mm RTT20 12 mm RTT25 12 mm Reel Type 4,000 8,000 12,000 16,000 7” 10” TYPE Tape Width RTT02 8 mm 50,000 RTT03 8 mm 25,000 RTT05 8 mm 10,000 RTT06 8 mm 5,000 RTT12 8 mm RTT20 12 mm RTT25 12 mm 13” 13” Bulk Case (pcs / case) -- 11.4.1典型包裝型式:TH、TP 、TE 11.4.2其他包裝型式應客戶之需求而包裝 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 IE-SP-007 2009/06/08 18/20 版本日期 頁 次 Unit : mm 11.5塑膠圓盤尺寸(Reel Dimensions): Reel Type/ Tape Wa M 7” reel for 8 mm tape 9.0 ± 0.5 178 ± 2.0 60.0 ± 1.0 7” reel for 12 mm tape ± 0.5 13.8 178 ± 2.0 80.0 ± 1.0 10.0 ± 0.5 254 ± 2.0 10.0 330 ± 2.0 10” reel for 8 mm tape 13” reel for 8 mm tape ± 0.5 A 2.0 ± 0.5 B C 13.5 ± 0.5 D 21.0 ± 0.5 100.0 ± 1.0 100.0 ± 1.0 11.6標籤表示(Label): 電 腦 料 號 型 別 容許差 阻 值 0805T 5% 10K 504J103 5000 PCS 001 R09010001 RTT05103JTP 成 品 批 號 數 量 R 0 9 0 1 流 水 號 成 品 料 號 0 0 週 0 1 流 水 號 西 元 年 最 後 二 碼 RALEC Pb-free 11.7內盒尺寸 備 註 180 180 D 尺寸(mm) 12 24 36 48 60 72 84 96 108 120 D 卷數 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 文件編號 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺 詮 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 19/20 11.8外箱尺寸 10R內盒個數 長(mm) 寬(mm) 厚(mm) 2 272 205 210 4 375 280 210 8 544 380 210 EC RAL 11.9外銷中國大陸外箱尺寸 10R內盒個數 長(mm) 寬(mm) 厚(mm) 2 272 205 210 4 375 280 210 8 544 380 210 EC RAL 12 阻值測試包裝標準量測位置 Unit : mm 背面電極量測 DIM A B RTT01 0.44± 0.05 0.22 ± 0.05 RTT02 0.80± 0.05 0.24 ± 0.05 RTT03 1.35± 0.05 0.35 ± 0.05 RTT05 1.80 ± 0.05 0.35 ± 0.05 RTT06 2.90 ± 0.05 0.35 ± 0.05 RTT12 2.90 ± 0.05 0.35 ± 0.05 RTT20 4.50 ± 0.05 1.15 ± 0.05 RTT25 5.90 ± 0.05 1.60 ± 0.05 TYPE 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60 RALEC 旺 詮 文件編號 厚膜晶片電阻器規格標準書 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2009/06/08 20/20 13 儲存期限 13.1在儲存環境25± 5℃、60± 15%之條件下可儲存二年。 14 電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸) 電子信息產品污染控制標誌 包裝回收標誌 15 此部份中規定，產品不使用含有RoHS指定中限制使用之有害物質的材料， 詳細內容可參考RoHS (2002/95/EC 指令)之禁用物質部份 15.1鎘及鎘化合物 (允許含量＜100ppm) 15.2鉛及鉛化合物 (允許含量＜1000ppm) 15.2.1排除條款: 15.2.1.1陰極射線管，電子零件及螢光燈管之玻璃中的鉛。 15.2.1.2電子部件中使用的玻璃材料包括電阻，導電漿，粘著劑，玻璃料，密封料等。 15.3汞及汞化合物 (允許含量＜100ppm) 15.4六價鉻化合物 (允許含量＜100ppm) 15.5聚溴聯苯 (PBB) (允許含量＜100ppm) 15.6聚溴二苯謎 (PBDE) (允許含量＜100ppm) 16 附件 16.1文件修訂記錄表 備 註 (QA-QR-027) 非 發 行 管 制 文 件 自行注意版本更新 非 經 允 許 ，禁 止 自 行 影 印 文 件 。 發行管制章 DATA Center. 序號：60