ME2187
高效 10A 同步整流升压转换器
概述
特点
ME2187 是一款高功率密度的同步整流升压转换
●
输入电压范围:2.7 ~ 12 V
器,集成两个低导通电阻的功率开关来减低导通功率损
●
输出电压范围:4.5 ~ 12.6 V
耗,为便携设备提供高效率、小型化的供电方案。
●
较低的关断电流:1 ~ 3 uA
ME2187 具有 2.7 ~ 12 V 的宽输入电压范围,输出电压
●
较低RDS(ON)的内部开关 (低侧/高侧):
13 mΩ / 16 mΩ
最高至 12.6 V,具备 10 A 开关电流能力,可提供 30 W
●
效率可达90% @ VIN = 3.3 V, VOUT = 9 V, IOUT = 3 A
●
可调开关频率:200 kHz ~ 2.2 MHz
重载时工作在 PWM 模式,轻载时可通过 MODE pin 在
●
轻载时可选择工作模式:PFM / FPWM
PFM 模式和 FPWM 模式之间选择,避免较低的开关频
●
可调峰值电流限流
率 引 起 的 应 用 问 题 , 同 时 可 通 过 外 部 电 阻 在 200
●
可调软启动时间
kHz~2.2 MHz 之间设定 FPWM 模式开关频率。ME2187
●
输出过压保护13.4 V
还具有可编程的峰值限流和软启动时间。除此之外,
●
过温保护150 °C
功率输出。
ME2187 采用电流模 COT 控制架构调整输出电压,
ME2187 包含有 UVLO、OVP 和 OTP 等保护功能。
应用场合
封装形式
●
快充移动电源
●
●
电子烟
●
蓝牙扬声器
●
便携POS终端
V01
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DFN20L(4.5 × 3.5×0.9-0.5)
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ME2187
典型应用图
C6
0.2 uF
L1
BOOT
VIN
SW
2.2 uH
R3
240 kΩ
10 uF
R1
330 kΩ
FSW
VIN
C2
0.1 uF
2.2 uF
ON
OFF
R2 51 kΩ
C4
60 uF
FB
VCC
C3
VOUT = 9 V
VOUT
COMP
EN
ILIM
PGND
SS
AGND
MODE
C5
10 nF
R5
3 kΩ
R4 100 kΩ
C7 47 nF
图 1. ME2187典型应用原理图
选购指南
ME 21 87 X XX G
环保标识
封装形式
N20B:DFN20L
系列或功能
产品品种号
产品类别号
公司标志
产品型号
ME2187AN20BG
V01
产品说明
封装形式:DFN20L(4.5 × 3.5×0.9-0 .5)
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ME2187
产品脚位图
VCC
AGND
1
20
EN
2
19
ILIM
FSW
3
18
COMP
SW
4
17
FB
SW
5
16
VOUT
SW
6
15
VOUT
SW
7
14
VOUT
BOOT
8
13
MODE
VIN
9
12
NC
PGND
10
11
SS
NC
脚位功能说明
PIN 脚位
功能说明
符号名
编号
VCC
1
内部LDO输出,需要在VCC和地之间接至少1 uF稳压电容
EN
2
芯片使能逻辑输入,逻辑高电平使能芯片,逻辑低电平关断芯片
FSW
3
在 FSW 和 SW 之间外接电阻设定开关频率
SW
4, 5, 6, 7
BOOT
8
高侧开关驱动的电源,需要在SW和BOOT之间接0.2 uF稳压电容
VIN
9
芯片的电源
SS
10
在SS和地之间外接电容设定软启动时间
NC
11, 12
MODE
13
VOUT
14, 15, 16
FB
17
电压反馈,接反馈电阻分压器抽头
COMP
18
误差放大器输出,在COMP和AGND之间外接环路补偿网络
ILIM
19
在ILIM和AGND之间外接电阻设定开关峰值电流限流值
AGND
20
模拟信号地
升压转换器开关节点,内部接低侧开关漏端和高侧开关源端
芯片内部未连接,建议接地助散热
轻载时选择工作模式,逻辑高电平或者悬空时,工作在PFM,逻辑低电平时,
工作在PWM
升压转换器输出
PGND
功率地,接低侧开关的源端
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ME2187
功能框图
VIN
FSW
COT
Timer
Internal
LDO
BOOT
SW
Current
Sense
VCC
VOUT
PWM
Control logic
MODE
Shutdown
Control
EN
VOUT
OVP
VIN
UVLO
PGND
Current
Sense
ILIM
V2I
OTP
EA
+
FB
SS
Control
Vref
SS
AGND
COMP
绝对最大额定值(注释 1)
符号
描述
BOOT
VIN, SW, FSW, VOUT
VPIN
芯片管脚对地电压
EN, VCC, SS, COMP,
MODE, ILIM, FB
极限值
单位
-0.3 ~ SW + 6.6
V
-0.3 ~ 14
V
-0.3 ~ 6.6
V
TJ
结温
-40 ~ 150
ºC
Tstg
储存温度
-55 ~150
ºC
Tlead
焊接温度
260
ºC
PD
封装功耗
2.4
W
θJA
封装热阻
52
ºC/W
注释 1:“绝对最大额定值”是本产品能够承受的最大物理伤害极限值,请在任何情况下勿超出该额定值。
V01
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ME2187
静电保护等级
等效模型
等级
单位
人体模型,所有脚位
±2000
V
带电器件模型,所有脚位
±500
V
推荐工作条件
符号
描述
最小值
典型值
最大值
单位
VIN
输入电压
2.7
12
V
VOUT
输出电压
4.5
12.6
V
电感值
0.6
2.2
10
uH
CO
输出电容
10
60
1000
uF
TA
工作环境温度
-40
85
ºC
L
电气参数
(TA = 25 ºC,VIN = 3.6 V,VOUT = 9 V,L = 2.2 uH,RILIM= 100 kΩ,RFREQ = 240 kΩ,除非另行标注)
符号
描述
测试条件
输入电压范围
VIN
VUVLO
VUVLO_HYS
输入 UVLO 阈值电压
最小值
典型值
2.7
输入电压上升
UVLO 迟滞
最大值
单位
12
V
2.7
V
0.2
V
ISD
IC 关断时流入 VIN 管脚电流
关断 IC,VOUT 管脚不接反馈电阻
和负载
1
3
uA
IQ
IC 在 PFM 模式空载工作时输
入静态电流
使能 IC,VOUT 管脚不接负载,
MODE 管脚悬空
600
1200
uA
VCC
内部 LDO 输出电压
VIN = 8 V,IVCC = 10 mA
5
6
V
VENH
EN 逻辑高阈值电压
VCC = 5 V
1.2
V
VENH
EN 逻辑低阈值电压
VCC = 5 V
REN
EN 内部下拉电阻
VCC = 5 V
VMODEH
MODE 逻辑高阈值电压
VCC = 5 V
VMODEL
MODE 逻辑低阈值电压
VCC = 5 V
RMODE
MODE 上拉电阻
VCC = 5 V
4
0.4
V
kΩ
800
4.0
1.5
V
V
kΩ
800
VOUT
输出电压范围
4.5
VREF
反馈参考电压
1.188
IFB
FB 管脚漏电流
ISS
软启动充电电流
5
RDS(ON)1
低侧 MOSFET 导通电阻
13
17
mΩ
RDS(ON)2
高侧 MOSFET 导通电阻
16
21
mΩ
ILIM_PFM
PFM 模式低侧 MOSFET 峰值
电流限流
V01
1.206
VFB = 1.5 V
RILIM = 100 kΩ,MODE 管脚悬空
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12.6
V
1.224
V
100
nA
uA
12.2
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A
ME2187
ILIM_FPWM
FSW
FPWM 模式低侧 MOSFET 峰
值电流限流
RILIM = 100 kΩ,MODE 管脚接地
10.6
A
开关频率
RFREQ = 240 kΩ,MODE 管脚接地
550
kHz
tmin_ON
最小导通时间
110
200
ns
tmin_OFF
最小关断时间
100
200
ns
VOVP
VOVP_HYS
输出过压保护阈值电压
输出过压保护迟滞
热关断阈值温度
TSD
TSD_HYS
输出电压上升
芯片内部温度上升
热关断迟滞
13.4
V
0.3
V
150
°C
20
°C
典型性能参数
图 2. 效率 vs 输出电流 @ VIN=3.6 V, VOUT = 5 V
图 3. 效率 vs 输出电流 @ VIN=3.6 V, VOUT = 9 V
EN
SS
Inductor current
VOUT
图 4. 效率 vs 输出电流 @ VIN=3.6 V, VOUT = 12 V
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图 5. 启动波形
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图 6. CCM 开关波形
图 7. PFM 开关波形
图 8. 参考电压 vs 温度
图 9. 开关频率 vs 设定电阻
工作方式
ME2187 是一款同步整流 boost 转换器,内部集成较低的导通电阻的功率开关,采用电流模 COT 控制方式,在重
载时,
每次开关周期,
低侧 MOSFET 会在电流上升至误差放大器控制的峰值电流后被关断,电感电流通过高侧 MOSFET
体二极管,高侧 MOSFET 在自适应恒定关断时间来临之前保持开启。在轻载时,可通过 MODE 管脚设置工作模式。
MODE 管脚悬空或者接逻辑高时,ME2187 工作在 PFM 模式,通过延长关断时间减小功率传输。MODE 管脚接地时,
ME2187 工作在 FPWM 模式,效率较低,但是开关频率和重载时相同,避免了轻载时较低的开关频率引起的音频噪声
和其它问题。
应用指导
ME2187 具备输出电压 12.6 V、10 A 开关电流、传输超过 30 W 功率的能力,在轻载时可通过 MODE 管脚在 PFM
模式和 FPWM 之间选择,还支持外部设定软启动时间、工作频率、峰值限流。
设定软启动时间
当 EN 管脚被拉高时,SS 管脚上的软启动电容 CSS(典型应用电路中的 C7)会被一个 5 uA 恒流源充电,SS 管
脚电压和内部反馈参考电压 VREF(1.206 V)之间较小的电压值作为误差放大器正端输入,随着 SS 管脚电压上升,FB
管脚电压也缓慢地升高,当 SS 管脚电压超过 VREF 后软启动过程完成。当 EN 管脚被拉低时,CSS 上电压被放电至地。
V01
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软启动时间 tSS 公式如下所示。
VREF CSS
ISS
t SS
设定输出电压
通过外部反馈电阻分压器(典型应用电路中的 R1、R2)来设定输出电压,为了减小空载时的静态功耗,建议为
R1、R2 选择 10 kΩ 和 1 MΩ 之间的电阻值。R1 电阻值计算公式如下所示。
R1
(VOUT VREF ) R2
VREF
设定开关频率
ME2187 支持通过 FSW 管脚和 SW 管脚之间的电阻 RFREQ(典型应用电路中的 R3)设定开关频率。RFREQ 和所
需要的开关频率 fSW 之间关系如下所示。
4(
RFREQ
1
fSW
t min_ OFF
VOUT
)
VIN
CFREQ
这里,VIN 是输入电压,VOUT 是输出电压,fSW 是开关频率,CFREQ 等于 25 pF,tmin_OFF 是最小关断时间 100 ns。
设定峰值电流限流
通过外部电阻设置峰值电流限流值,需要注意,FPWM 模式限流值比 PFM 模式的低 1.6 A,为了保证 boost 转换
器正常工作,需要让峰值电流限流大于实际工作时需要的最大电感峰值电流。PFM 模式峰值电流限流公式如下所示。
ILIM
1220000
RILIM
外部元器件
1) 用外部自举电容为内置高侧 MOSFET 驱动电路供电,建议在 SW 管脚和 BOOT 管脚之间加 200 nF 陶瓷电容。
2) 陶瓷电容的偏置电压会减小电容实际容值,因此需要留出余量来保证足够的有效电容值。
3) 电感电流接近饱和电流时电感值会比 0 A 时低约 30%,因此要保证电感的饱和电流大于工作的最大电感电流。
PCB 布局建议
1) 为了降低非理想干扰,外部元件如电感、CIN、COUT、反馈分压电阻等尽可能靠近芯片。
2) 为了减小高频开关引起的 EMI,PCB 上连到 SW 管脚的走线尽可能短,最好在 PCB 背面覆盖接地层减小信号
耦合。
3) 为了增加散热、提高效率,建议将 DFN20L 封装上的散热垫焊接到接地层,多打散热孔,采用较厚的 PCB 铜
箔。
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封装信息
封装类型: DFN20L(4.5 × 3.5×0.9-0.5)
尺寸(mm)
参数
A
尺寸(Inch)
最小值
最大值
最小值
最大值
0.85
0.95
0.0335
0.0374
A1
0.05
0.0020
b
0.18
0.3
0.0071
0.0118
c
0.18
0.25
0.0071
0.0098
D
4.4
4.6
0.1732
0.1811
D2
3.1
3.3
0.1220
0.1299
D3
3.85(REF)
0.1516REF
e
0.5(BSC)
0.0197(TYP)
e1
0.75(BSC)
0.0295(BSC)
e2
0.25(BSC)
0.0098(BSC)
Nd
3.5(BSC)
0.1378(BSC)
E
3.4
3.6
0.1339
0.1417
E2
2.1
2.3
0.0827
0.0906
E3
0.35(BSC)
0.0138(BSC)
E4
0.75(BSC)
0.0295(BSC)
L
0.35
0.45
0.0138
0.0177
h
0.2
0.3
0.0079
0.0118
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应用电路示例为产品之代表性应用说明,非保证批量生产之设计。
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斯关联器械、车辆器械、航空器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使用。
尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性,但是半导体产品有可能按照某种概率发生故障或
错误工作。为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等,请充分留
心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。
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