TM1629C

TM1629C

  • 厂商:

    TM(天微)

  • 封装:

    SOP-32

  • 描述:

    带键盘扫描接口(8×1bit)的LED驱动IC

  • 数据手册
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TM1629C 数据手册
LED 驱动控制专用电路 TM1629C 一、 概述 TM1629C是带键盘扫描接口的LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,内部集成有MCU 数字接口、 数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。主要应用于冰箱、空调 、家庭影院等产品的高段位显示屏驱 动。 二、 特性说明         采用功率CMOS 工艺 显示模式 15 段×8 位 键扫描(8×1bit) 辉度调节电路(占空比8 级可调) 串行接口(CLK,STB,DIO) 振荡方式:RC 振荡 内置上电复位电路 采用SOP32封装 三、管脚定义 GRID4 GRID3 GND GRID2 GRID1 GND DIO CLK STB K0 VDD SEG1/KS1 SEG2/KS2 SEG3/KS3 SEG4/KS4 SEG5/KS5 1 32 2 31 3 30 4 29 5 28 6 27 7 TM1629C 26 8 (TOP VIEW) 25 9 24 10 23 11 22 12 21 13 20 14 19 15 18 16 17 GRID5 GRID6 GND GRID7 GR1D8 VDD SEG15 SEG14 SEG13 SEG12 SEG11 SEG10 SEG9 KS8/SEG8 KS7/SEG7 KS6/SEG6 1 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 四、管脚功能说明 符号 管脚名称 说明 DIO 数据输入/输出 STB 片选 CLK 时钟输入 K0 键扫数据输入 输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存 SEG1/KS1~SEG8/KS8 输出(段) 段输出(也用作键扫描),P管开漏输出。 SEG9~SEG15 输出(段) 段输出,P管开漏输出。 GRID1~GRID8 输出(位) 位输出,N管开漏输出。 VDD 逻辑电源 接电源正 GND 逻辑地 接系统地 在时钟上升沿输入/输出串行数据,从低位开始。 在上升或下降沿初始化串行接口,随后等待接收指令。 STB 为低后的第一个字节作为指令,当处理指令时,当 前其它处理被终止。当STB 为高时,CLK 被忽略 时钟上升沿输入/输出串行数据。 ▲ 注意:DIO口输出数据时为N管开漏输出,在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公司推荐10K的上 拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动作,此时读数时不稳定,你可以参考图(6),在时钟的上升沿 读数才时稳定。 VCC 芯片内部电路 10K DIO CT GND 图(1) 2 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 五、 指令说明 指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。 在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高B7、B6两位比特位以区别不同 的指令。 B7 B6 指令 0 1 1 1 0 1 数据命令设置 显示控制命令设置 地址命令设置 如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据无效(之前传 送的指令或数据保持有效) 5.1 数据命令设置: 该指令用来设置数据写和读,B1和B0位不允许设置01或11。 MSB LSB B7 B6 0 B5 B4 B3 B2 B1 B0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0 无关项,填 0 功能 说明 数据读写模式设置 写数据到显示寄存器 读键扫数据 自动地址增加 地址增加模式设置 1 固定地址 普通模式 测试模式设置(内 部使用) 5.2 地址命令设设置: MSB 测试模式 LSB B7 B6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 B5 B4 无关项, 填0 B3 B2 B1 B0 显示地址 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 0 1 C0H C1H C2H C3H C4H C5H C6H C7H C8H C9H CAH CBH CCH CDH CEH CFH 3 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 该指令用来设置显示寄存器的地址;如果地址设为D0H 或更高,数据被忽略,直到有效地址被设定, 上电时,地址默认设为00H。 5.3 显示控制: MSB B7 B6 1 LSB B5 B4 B3 B2 B1 B0 0 0 0 0 设置脉冲宽度为 1/16 1 0 0 0 1 设置脉冲宽度为 2/16 1 0 0 1 0 设置脉冲宽度为 4/16 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 设置脉冲宽度为 12/16 1 0 1 1 0 设置脉冲宽度为 13/16 1 0 1 1 1 设置脉冲宽度为 14/16 1 0 0 1 0 1 无关项,填 0 功能 说明 设置脉冲宽度为 10/16 消光数量设置 设置脉冲宽度为 11/16 显示关 显示开关设置 显示开 六、 显示寄存器地址 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1629C的数据,地址从C0H-CFH共16字节单元,分别与 芯片SGE和GRID管脚所接的LED灯对应,分配如下图: 写LED显示数据的时候,按照从显示地址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。 B7 B0 B1 B2 C1HL C3HL C5HL C7HL C9HL CBHL CDHL CFHL SEG15 B6 C0HU C2HU C4HU C6HU C8HU CAHU CCHU CEHU SEG14 B5 xxHL(低四位) SEG13 B4 SEG12 B3 C0HL C2HL C4HL C6HL C8HL CAHL CCHL CEHL SEG11 xxHU(高四位) SEG10 SEG9 B2 SEG8 B1 SEG7 B0 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 xxHL(低四位) X xxHU(高四位) B3 B4 B5 C1HU C3HU C5HU C7HU C9HU CBHU CDHU CFHU B6 B7 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 图(2) 写LED显示数据的时候,按照从低位地址到高位地址,从字节的低位到高位操作;在运用中没有使用到的SEG 输出口,在对应的BIT地址位写0。 4 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 七、 键扫描和键扫数据寄存器: 键扫矩阵为8×1bit,如图(3)所示: KS8 KS7 KS6 KS5 KS4 KS3 KS2 KS1 K0 图(3) 键扫数据储存地址如图(4)所示,先发读键命令后,开始读取按键数据BYTE1—BYTE4字节,读数据从低 位开始输出,芯片K和KS引脚对应的按键按下时,相对应的字节内的 BIT位为1。 B0 X B1 X B2 X B3 K0 B4 X B5 X KS1 KS3 KS5 KS7 B6 X B7 K0 KS2 KS4 KS6 KS8 BYTE1 BYTE2 BYTE3 BYTE4 图(4) ▲注意:1、TM1629C最多可以读4个字节,不允许多读。 2、读数据字节只能按顺序从BYTE1-BYTE4读取,不可跨字节读。例如:硬件上的K0与KS8对应按键按 下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第4个字节的第7BIT位,才可读出数据。 八、 显示 1、驱动共阴数码管: SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 1 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 1 1 1 GRID1 1 1 DPY A a B f b C g D c Ee d F G [LEDgn] GRID1 1 图(7) 图7给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0” ,那你需要在GRID1为低电平的时候让 SEG1,SEG2,SEG3,SEG4,SEG5,SEG6为高电平,SEG7为低电平, 查看图(2)显示地址表格,只需在00H地址单元里面写数据3FH就可以让数码管显示“0” 。 5 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 0 B7 0 B6 1 B5 1 B4 1 B3 1 B2 1 B1 1 B0 00H 2、驱动共阳数码管: GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 1 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 1 1 1 SEG1 1 1 DPY A a B C f g b D c Ee d F G [LEDgn] SEG1 1 图(8) 图8给出共阳数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0” ,那你需要在GRID1,GRID2,GRID3, GRID4,GRID5,GRID6为低电平的时候让SEG1为高电平,在GRID7为低电平的时候让SEG1为低电平。要向 地址单元C0H,C2H,C4H,C6H,C8H,CAH里面分别写数据01H,其余的地址单元全部写数据00H。 SEG8 0 0 0 0 0 0 0 B7 SEG7 0 0 0 0 0 0 0 B6 SEG6 0 0 0 0 0 0 0 B5 SEG5 0 0 0 0 0 0 0 B4 SEG4 0 0 0 0 0 0 0 B3 SEG3 0 0 0 0 0 0 0 B2 SEG2 0 0 0 0 0 0 0 B1 SEG1 1 1 1 1 1 1 0 B0 C0H C2H C4H C6H C8H CAH CCH ▲注意:SEG1-15为P管开漏输出,GRID1-8为N管开漏输出,在使用时候,SEG1-15只能接LED的阳极,GRID 只能接LED的阴极,不可反接。 6 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 九、串行数据传输格式 读取和接收1个BIT都在时钟的上升沿操作 数据接收(写数据) CLK DIO B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 STB 图(5) 数据读取(读数据) CLK DIO B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B1 B2 B3 B4 STB 发读按键命令 Twait 读取按键数据 图(6) ▲注意:1、读取数据时,从串行时钟CLK 的第8个上升沿开始设置指令到CLK下降沿读数据之间需要一个等 待时间Twait(最小2μ S)。具体参数见时序特性表。 。 十、 应用时串行数据的传输: (1) 地址增加模式 使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令字发送完毕, “STB”不需要置高紧跟着传数据,最多16BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。 CLK DIO Command1 Command2 Data1 Data2 ``````` Data n Command3 STB Command1: Command2: Data1~n: Command3: 设置数据命令 设置显示地址 传输显示数据至Command3地址和后面的地址内(最多16bytes) 显示控制命令 (2) 固定地址模式 使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发送完毕,“STB”不 需要置高,紧跟着传1BYTE数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第2个数据需要存放的地址,最多 16BYTE数据传送完毕,“STB”置高。 7 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C CLK DIO Command1 Command2 Data1 Command3 Data2 ``````` Command4 STB Command1: 设置数据命令 Command2: 设置显示地址1 Data1: 传输显示数据1至Command3地址内 Command3: 设置显示地址2 Data2: 传输显示数据2至Command4地址内 Command4: 显示控制命令 (3)读按键时序 CLK DIO Command1 Data1 Data2 Data3 Data4 STB Command1: 设置读按键命令 Data1~4:读取按键数据 8 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C (4)采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图: 采用地址自动加一程序设计流程图: 开始 设置读键数据 命 令 ( 42H) No 初始化 读 1BTYE内 容 设置写显存的数据命令, 采 用 地 址 自 动 加 1( 40H) 将按键值存放在 MCU的 寄 存 器 中 设置起始地 址 ( 0C0H) No 读 完 4BYTE 吗? 传送数据 Yes 有按键被按 下吗? 16BYTE数 据 传送完毕了? No Yes Yes 按键处理程 序 传显示控制命令设置 最 高 亮 度 ( 8FH) 结束 9 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 采用固定地址的程序设计流 开始 传显示控制命令设置 最 高 亮 度 ( 8FH) 初始化 设置读键数据 命 令 ( 42H) No 设置写显存的数据命令 采 用 固 定 地 址 ( 44H) 读 1BTYE内 容 设置地址 ( 0C0H) 将按键值存放在 MCU的 寄 存 器 中 传 送 1BYTE 数据 读 完 4BYTE 吗? Yes 重新设置地 址 ( 0C1H) 有按键被按 下吗? No 传 送 1BYTE 数据 Yes 按键处理程 序 ……传 完 所 有的数据 结束 10 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 十一、应用电路: TM1629C驱动共阳数码屏硬件电路 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp a g b SEG1 c d dp a g b SEG5 c d dp a g b SEG9 c d dp a g d b SEG13 c dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp a b g SEG2 c d dp a b g SEG6 c d dp a b g SEG10 c d dp a b g SEG14 c d dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp a g b SEG3 c d dp a g b SEG7 c d dp a g b SEG11 c d dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 a b c f d ee f g dp a g b SEG4 c d dp a g b SEG8 c d dp a g d b SEG12 c dp a g d b SEG15 c dp VCC DIO CLK STB C3 C4 C5 101 101 101 VCC 1 2 3 GND MCU接口 10K 10K 10K VCC GND + C1 100uF GRID4 GRID4 GRID5 GRID3 GRID3 GRID6 GND GND GRID2 GRID2 GRID7 GRID1 GRID1 GRID8 GND VDD DIO SEG15 CLK TM1629C SEG14 STB SEG13 K0 SEG12 VDD SEG11 SEG1 SEG1/KS1 SEG10 SEG2 SEG2/KS2 SEG9 SEG3 SEG3/KS3 SEG8/KS8 SEG4 SEG4/KS4 SEG7/KS7 SEG5 SEG5/KS5 SEG6/KS6 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 GND R2 R3 GND R1 VCC SEG15 SEG14 SEG13 SEG12 SEG11 SEG10 SEG9 SEG8 SEG7 SEG6 C2 104 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 11 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C TM1629C驱动共阴数码屏硬件电路 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp a g b GRID1 c d dp a g b GRID5 c d dp g GRID1 c d dp g d SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp a b a b c f d ee f g dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp a b SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 GRID5 c dp a g b GRID2 c d dp a g b GRID6 c d dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp a g b GRID2 c d dp SEG9 a SEG10 b SEG11 c f SEG12 d SEG13 e e SEG14 f SEG15 g dp a g d b GRID6 c dp a g b GRID3 c d dp a g b GRID7 c d dp a g b GRID3 c d dp SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 a b c f d ee f g SEG9 SEG10 SEG11 SEG12 SEG13 SEG14 SEG15 a b c f d ee f g a g b GRID4 c d dp dp a g b GRID8 c d dp dp a g b GRID5 c d dp dp a g d b GRID7 c dp SEG9 SEG10 SEG11 SEG12 SEG13 SEG14 SEG15 a b c f d ee f g a g d b GRID8 c dp dp VCC GRID4 GRID3 DIO CLK STB C3 C4 C5 101 101 101 VCC 1 2 3 VCC GND + C1 100uF GRID2 GRID1 GND MCU接口 10K 10K 10K SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 GRID5 GRID4 GRID3 GRID6 GND GND GRID2 GRID7 GRID1 GRID8 GND VDD DIO SEG15 CLK TM1629C SEG14 STB SEG13 K0 SEG12 VDD SEG11 SEG1/KS1 SEG10 SEG2/KS2 SEG9 SEG3/KS3 SEG8/KS8 SEG4/KS4 SEG7/KS7 SEG6/KS6 SEG5/KS5 GRID5 GRID6 GRID7 GRID8 GND R2 R3 GND R1 VCC SEG15 SEG14 SEG13 SEG12 SEG11 SEG10 SEG9 SEG8 SEG7 SEG6 C2 104 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG7 SEG8 12 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 ▲注意: TM1629C 1、VDD、GND之间滤波电容在PCB板布线应尽量靠近TM1629C芯片放置,加强滤波效果。 2、连接在DIO、CLK、STB通讯口上三个100P电容可以降低对通讯口的干扰。 3、因蓝光数码管的导通压降压约为3V,因此TM1629C供电应选用5V。 十二、 电气参数: 极限参数(Ta = 25℃, Vss = 0 V) 参数 符号 范围 单位 逻辑电源电压 VDD -0.5 ~+7.0 V 逻辑输入电压 VI1 -0.5 ~ VDD + 0.5 V LED Seg 驱动输出电流 IO1 -50 mA LED Grid 驱动输出电流 IO2 +200 mA 功率损耗 PD 400 mW 工作温度 Topt -40 ~ +80 ℃ 储存温度 Tstg -65 ~+150 ℃ 正常工作范围(Ta = -20 ~ +70℃,Vss = 0 V) 参数 符号 最小 典型 逻辑电源电压 VDD 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD - 低电平输入电压 VIL 0 - 最大 单位 测试条件 V - VDD V - 0.3 VDD V - 5 电气特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V, Vss = 0 V 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 Ioh1 -20 -25 -40 mA Seg1~Seg15, Vo = vdd-2V Ioh2 -20 -30 -50 mA Seg1~Seg15, Vo = vdd-3V 高电平输出电流 13 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 低电平输出电流 IOL1 80 140 - mA Grid1~Grid8 Vo=0.3V 低电平输出电流 Idout 4 - - mA VO = 0.4V,dout 高电平输出电流容许量 Itolsg - - 5 % VO = VDD – 3V, Seg1~Seg15 输出下拉电阻 RL KΩ K0 输入电流 II - - μA VI = VDD / VSS 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD - V CLK,DIO,STB 低电平输入电压 VIL - - 0.3 VDD V CLK,DIO,STB 滞后电压 VH - 0.35 - V CLK,DIO,STB 动态电流损耗 IDDdyn - - 5 mA 无负载,显示关 10 ±1 开关特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 振荡频率 fosc - 500 - KHz R = 16.5 KΩ tPLZ - - 300 ns CLK → DIO tPZL - - 100 ns CL = 15pF, RL = 10K Ω TTZH 1 - - 1 μs 传输延迟时间 上升时间 CL = 300p F Seg1~Seg15 下降时间 TTHZ - - 1 μs 最大时钟频率 Fmax 1 - - MHz 占空比50% 输入电容 CI - - 15 pF - 14 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C 时序特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 时钟脉冲宽度 PWCLK 400 - - ns - 选通脉冲宽度 PWSTB 1 - - μs - 数据建立时间 tSETUP 100 - - ns - 数据保持时间 tHOLD 100 - - ns - CLK →STB 时间 tCLK STB 1 - - μs CLK↑→STB↑ 等待时间 tWAIT 1 - - μs CLK↑→CLK↓ 时序波形图: 15 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2 LED 驱动控制专用电路 TM1629C C A A2 十三、 封装尺寸(SOP32) θ A1 L D b 符号 A A1 A2 b c D 单位(mm) 最小(Min) 最大(Max) 2.24 2.59 0.1 0.25 2.14 2.34 0.3 0.5 0.17 0.25 20.88 21.08 符号 E E1 e L θ E1 E e 单位(mm) 最小(Min) 最大(Max) 7.42 7.62 10.2 10.6 1.27(BSC) 0.4 1.27 0° 7°  All specs and applications shown above subject to change without prior notice. (以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。) 16 w w w . ti ta nm ec.c o m © T i ta n M icro E lec tr onic s V1.2
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