LED 驱动控制专用电路
TM1629C
一、 概述
TM1629C是带键盘扫描接口的LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,内部集成有MCU 数字接口、
数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。主要应用于冰箱、空调 、家庭影院等产品的高段位显示屏驱
动。
二、 特性说明
采用功率CMOS 工艺
显示模式 15 段×8 位
键扫描(8×1bit)
辉度调节电路(占空比8 级可调)
串行接口(CLK,STB,DIO)
振荡方式:RC 振荡
内置上电复位电路
采用SOP32封装
三、管脚定义
GRID4
GRID3
GND
GRID2
GRID1
GND
DIO
CLK
STB
K0
VDD
SEG1/KS1
SEG2/KS2
SEG3/KS3
SEG4/KS4
SEG5/KS5
1
32
2
31
3
30
4
29
5
28
6
27
7 TM1629C 26
8 (TOP VIEW) 25
9
24
10
23
11
22
12
21
13
20
14
19
15
18
16
17
GRID5
GRID6
GND
GRID7
GR1D8
VDD
SEG15
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
KS8/SEG8
KS7/SEG7
KS6/SEG6
1
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四、管脚功能说明
符号
管脚名称
说明
DIO
数据输入/输出
STB
片选
CLK
时钟输入
K0
键扫数据输入
输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存
SEG1/KS1~SEG8/KS8
输出(段)
段输出(也用作键扫描),P管开漏输出。
SEG9~SEG15
输出(段)
段输出,P管开漏输出。
GRID1~GRID8
输出(位)
位输出,N管开漏输出。
VDD
逻辑电源
接电源正
GND
逻辑地
接系统地
在时钟上升沿输入/输出串行数据,从低位开始。
在上升或下降沿初始化串行接口,随后等待接收指令。
STB 为低后的第一个字节作为指令,当处理指令时,当
前其它处理被终止。当STB 为高时,CLK 被忽略
时钟上升沿输入/输出串行数据。
▲ 注意:DIO口输出数据时为N管开漏输出,在读键的时候需要外接1K-10K的上拉电阻。本公司推荐10K的上
拉电阻。DIO在时钟的下降沿控制N管的动作,此时读数时不稳定,你可以参考图(6),在时钟的上升沿
读数才时稳定。
VCC
芯片内部电路
10K
DIO
CT
GND
图(1)
2
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五、 指令说明
指令用来设置显示模式和LED 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高B7、B6两位比特位以区别不同
的指令。
B7
B6
指令
0
1
1
1
0
1
数据命令设置
显示控制命令设置
地址命令设置
如果在指令或数据传输时STB被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据无效(之前传
送的指令或数据保持有效)
5.1 数据命令设置:
该指令用来设置数据写和读,B1和B0位不允许设置01或11。
MSB
LSB
B7
B6
0
B5
B4
B3
B2
B1
B0
1
0
0
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
无关项,填
0
功能
说明
数据读写模式设置
写数据到显示寄存器
读键扫数据
自动地址增加
地址增加模式设置
1
固定地址
普通模式
测试模式设置(内
部使用)
5.2 地址命令设设置:
MSB
测试模式
LSB
B7
B6
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
B5
B4
无关项,
填0
B3
B2
B1
B0
显示地址
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
C0H
C1H
C2H
C3H
C4H
C5H
C6H
C7H
C8H
C9H
CAH
CBH
CCH
CDH
CEH
CFH
3
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该指令用来设置显示寄存器的地址;如果地址设为D0H 或更高,数据被忽略,直到有效地址被设定,
上电时,地址默认设为00H。
5.3 显示控制:
MSB
B7
B6
1
LSB
B5
B4
B3
B2
B1
B0
0
0
0
0
设置脉冲宽度为 1/16
1
0
0
0
1
设置脉冲宽度为 2/16
1
0
0
1
0
设置脉冲宽度为 4/16
1
0
0
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
设置脉冲宽度为 12/16
1
0
1
1
0
设置脉冲宽度为 13/16
1
0
1
1
1
设置脉冲宽度为 14/16
1
0
0
1
0
1
无关项,填
0
功能
说明
设置脉冲宽度为 10/16
消光数量设置
设置脉冲宽度为 11/16
显示关
显示开关设置
显示开
六、 显示寄存器地址
该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1629C的数据,地址从C0H-CFH共16字节单元,分别与
芯片SGE和GRID管脚所接的LED灯对应,分配如下图:
写LED显示数据的时候,按照从显示地址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。
B7
B0
B1
B2
C1HL
C3HL
C5HL
C7HL
C9HL
CBHL
CDHL
CFHL
SEG15
B6
C0HU
C2HU
C4HU
C6HU
C8HU
CAHU
CCHU
CEHU
SEG14
B5
xxHL(低四位)
SEG13
B4
SEG12
B3
C0HL
C2HL
C4HL
C6HL
C8HL
CAHL
CCHL
CEHL
SEG11
xxHU(高四位)
SEG10
SEG9
B2
SEG8
B1
SEG7
B0
SEG6
SEG5
SEG4
SEG3
SEG2
SEG1
xxHL(低四位)
X
xxHU(高四位)
B3
B4
B5
C1HU
C3HU
C5HU
C7HU
C9HU
CBHU
CDHU
CFHU
B6
B7
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
图(2)
写LED显示数据的时候,按照从低位地址到高位地址,从字节的低位到高位操作;在运用中没有使用到的SEG
输出口,在对应的BIT地址位写0。
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七、 键扫描和键扫数据寄存器:
键扫矩阵为8×1bit,如图(3)所示:
KS8
KS7
KS6
KS5
KS4
KS3
KS2
KS1
K0
图(3)
键扫数据储存地址如图(4)所示,先发读键命令后,开始读取按键数据BYTE1—BYTE4字节,读数据从低
位开始输出,芯片K和KS引脚对应的按键按下时,相对应的字节内的 BIT位为1。
B0
X
B1
X
B2
X
B3
K0
B4
X
B5
X
KS1
KS3
KS5
KS7
B6
X
B7
K0
KS2
KS4
KS6
KS8
BYTE1
BYTE2
BYTE3
BYTE4
图(4)
▲注意:1、TM1629C最多可以读4个字节,不允许多读。
2、读数据字节只能按顺序从BYTE1-BYTE4读取,不可跨字节读。例如:硬件上的K0与KS8对应按键按
下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第4个字节的第7BIT位,才可读出数据。
八、 显示
1、驱动共阴数码管:
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
1
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
1
1
1
GRID1
1
1
DPY
A
a
B
f
b
C
g
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
GRID1
1
图(7)
图7给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”
,那你需要在GRID1为低电平的时候让
SEG1,SEG2,SEG3,SEG4,SEG5,SEG6为高电平,SEG7为低电平,
查看图(2)显示地址表格,只需在00H地址单元里面写数据3FH就可以让数码管显示“0”
。
5
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SEG8
SEG7
SEG6
SEG5
SEG4
SEG3
SEG2
SEG1
0
B7
0
B6
1
B5
1
B4
1
B3
1
B2
1
B1
1
B0
00H
2、驱动共阳数码管:
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
1
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
1
1
1
SEG1
1
1
DPY
A
a
B
C f g b
D
c
Ee
d
F
G [LEDgn]
SEG1
1
图(8)
图8给出共阳数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”
,那你需要在GRID1,GRID2,GRID3,
GRID4,GRID5,GRID6为低电平的时候让SEG1为高电平,在GRID7为低电平的时候让SEG1为低电平。要向
地址单元C0H,C2H,C4H,C6H,C8H,CAH里面分别写数据01H,其余的地址单元全部写数据00H。
SEG8
0
0
0
0
0
0
0
B7
SEG7
0
0
0
0
0
0
0
B6
SEG6
0
0
0
0
0
0
0
B5
SEG5
0
0
0
0
0
0
0
B4
SEG4
0
0
0
0
0
0
0
B3
SEG3
0
0
0
0
0
0
0
B2
SEG2
0
0
0
0
0
0
0
B1
SEG1
1
1
1
1
1
1
0
B0
C0H
C2H
C4H
C6H
C8H
CAH
CCH
▲注意:SEG1-15为P管开漏输出,GRID1-8为N管开漏输出,在使用时候,SEG1-15只能接LED的阳极,GRID
只能接LED的阴极,不可反接。
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九、串行数据传输格式
读取和接收1个BIT都在时钟的上升沿操作
数据接收(写数据)
CLK
DIO
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
STB
图(5)
数据读取(读数据)
CLK
DIO
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
B0
B1
B2
B3
B4
STB
发读按键命令
Twait
读取按键数据
图(6)
▲注意:1、读取数据时,从串行时钟CLK 的第8个上升沿开始设置指令到CLK下降沿读数据之间需要一个等
待时间Twait(最小2μ S)。具体参数见时序特性表。
。
十、 应用时串行数据的传输:
(1) 地址增加模式
使用地址自动加1模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令字发送完毕,
“STB”不需要置高紧跟着传数据,最多16BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。
CLK
DIO
Command1
Command2
Data1
Data2
```````
Data n
Command3
STB
Command1:
Command2:
Data1~n:
Command3:
设置数据命令
设置显示地址
传输显示数据至Command3地址和后面的地址内(最多16bytes)
显示控制命令
(2) 固定地址模式
使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的1BYTE数据存放的地址。地址发送完毕,“STB”不
需要置高,紧跟着传1BYTE数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第2个数据需要存放的地址,最多
16BYTE数据传送完毕,“STB”置高。
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CLK
DIO
Command1
Command2
Data1
Command3
Data2
```````
Command4
STB
Command1: 设置数据命令
Command2: 设置显示地址1
Data1: 传输显示数据1至Command3地址内
Command3: 设置显示地址2
Data2: 传输显示数据2至Command4地址内
Command4: 显示控制命令
(3)读按键时序
CLK
DIO
Command1
Data1
Data2
Data3
Data4
STB
Command1: 设置读按键命令
Data1~4:读取按键数据
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(4)采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图:
采用地址自动加一程序设计流程图:
开始
设置读键数据
命 令 ( 42H)
No
初始化
读 1BTYE内
容
设置写显存的数据命令,
采 用 地 址 自 动 加 1( 40H)
将按键值存放在
MCU的 寄 存 器 中
设置起始地
址 ( 0C0H)
No
读 完 4BYTE
吗?
传送数据
Yes
有按键被按
下吗?
16BYTE数 据
传送完毕了?
No
Yes
Yes
按键处理程
序
传显示控制命令设置
最 高 亮 度 ( 8FH)
结束
9
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采用固定地址的程序设计流
开始
传显示控制命令设置
最 高 亮 度 ( 8FH)
初始化
设置读键数据
命 令 ( 42H)
No
设置写显存的数据命令
采 用 固 定 地 址 ( 44H)
读 1BTYE内
容
设置地址
( 0C0H)
将按键值存放在
MCU的 寄 存 器 中
传 送 1BYTE
数据
读 完 4BYTE
吗?
Yes
重新设置地
址 ( 0C1H)
有按键被按
下吗?
No
传 送 1BYTE
数据
Yes
按键处理程
序
……传 完 所
有的数据
结束
10
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十一、应用电路:
TM1629C驱动共阳数码屏硬件电路
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
a
g
b
SEG1
c
d
dp
a
g
b
SEG5
c
d
dp
a
g
b
SEG9
c
d
dp
a
g
d
b
SEG13
c
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
a
b
g
SEG2
c
d
dp
a
b
g
SEG6
c
d
dp
a
b
g
SEG10
c
d
dp
a
b
g
SEG14
c
d
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
a
g
b
SEG3
c
d
dp
a
g
b
SEG7
c
d
dp
a
g
b
SEG11
c
d
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
GRID1
GRID2
GRID3
GRID4
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
a
g
b
SEG4
c
d
dp
a
g
b
SEG8
c
d
dp
a
g
d
b
SEG12
c
dp
a
g
d
b
SEG15
c
dp
VCC
DIO
CLK
STB
C3 C4 C5
101 101 101
VCC
1
2
3
GND
MCU接口
10K 10K 10K
VCC
GND
+ C1
100uF
GRID4 GRID4
GRID5
GRID3 GRID3
GRID6
GND
GND
GRID2 GRID2
GRID7
GRID1 GRID1
GRID8
GND
VDD
DIO
SEG15
CLK
TM1629C SEG14
STB
SEG13
K0
SEG12
VDD
SEG11
SEG1 SEG1/KS1
SEG10
SEG2 SEG2/KS2
SEG9
SEG3 SEG3/KS3
SEG8/KS8
SEG4 SEG4/KS4
SEG7/KS7
SEG5 SEG5/KS5
SEG6/KS6
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
GND
R2 R3
GND
R1
VCC
SEG15
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8
SEG7
SEG6
C2
104
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
11
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V1.2
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TM1629C
TM1629C驱动共阴数码屏硬件电路
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
a
g
b
GRID1
c
d
dp
a
g
b
GRID5
c
d
dp
g
GRID1
c
d
dp
g
d
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
a
b
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
a
b
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
GRID5
c
dp
a
g
b
GRID2
c
d
dp
a
g
b
GRID6
c
d
dp
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
a
g
b
GRID2
c
d
dp
SEG9 a
SEG10 b
SEG11 c f
SEG12 d
SEG13 e e
SEG14 f
SEG15 g
dp
a
g
d
b
GRID6
c
dp
a
g
b
GRID3
c
d
dp
a
g
b
GRID7
c
d
dp
a
g
b
GRID3
c
d
dp
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
a
b
c f
d
ee
f
g
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
a
b
c f
d
ee
f
g
a
g
b
GRID4
c
d
dp
dp
a
g
b
GRID8
c
d
dp
dp
a
g
b
GRID5
c
d
dp
dp
a
g
d
b
GRID7
c
dp
SEG9
SEG10
SEG11
SEG12
SEG13
SEG14
SEG15
a
b
c f
d
ee
f
g
a
g
d
b
GRID8
c
dp
dp
VCC
GRID4
GRID3
DIO
CLK
STB
C3 C4 C5
101 101 101
VCC
1
2
3
VCC
GND
+ C1
100uF
GRID2
GRID1
GND
MCU接口
10K 10K 10K
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
GRID5
GRID4
GRID3
GRID6
GND
GND
GRID2
GRID7
GRID1
GRID8
GND
VDD
DIO
SEG15
CLK
TM1629C SEG14
STB
SEG13
K0
SEG12
VDD
SEG11
SEG1/KS1
SEG10
SEG2/KS2
SEG9
SEG3/KS3
SEG8/KS8
SEG4/KS4
SEG7/KS7
SEG6/KS6
SEG5/KS5
GRID5
GRID6
GRID7
GRID8
GND
R2 R3
GND
R1
VCC
SEG15
SEG14
SEG13
SEG12
SEG11
SEG10
SEG9
SEG8
SEG7
SEG6
C2
104
SEG1
SEG2
SEG3
SEG4
SEG5
SEG6
SEG7
SEG8
12
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LED 驱动控制专用电路
▲注意:
TM1629C
1、VDD、GND之间滤波电容在PCB板布线应尽量靠近TM1629C芯片放置,加强滤波效果。
2、连接在DIO、CLK、STB通讯口上三个100P电容可以降低对通讯口的干扰。
3、因蓝光数码管的导通压降压约为3V,因此TM1629C供电应选用5V。
十二、 电气参数:
极限参数(Ta = 25℃, Vss = 0 V)
参数
符号
范围
单位
逻辑电源电压
VDD
-0.5 ~+7.0
V
逻辑输入电压
VI1
-0.5 ~ VDD + 0.5
V
LED Seg 驱动输出电流
IO1
-50
mA
LED Grid 驱动输出电流
IO2
+200
mA
功率损耗
PD
400
mW
工作温度
Topt
-40 ~ +80
℃
储存温度
Tstg
-65 ~+150
℃
正常工作范围(Ta = -20 ~ +70℃,Vss = 0 V)
参数
符号
最小
典型
逻辑电源电压
VDD
高电平输入电压
VIH
0.7 VDD
-
低电平输入电压
VIL
0
-
最大
单位
测试条件
V
-
VDD
V
-
0.3 VDD
V
-
5
电气特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V, Vss = 0 V
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
Ioh1
-20
-25
-40
mA
Seg1~Seg15,
Vo = vdd-2V
Ioh2
-20
-30
-50
mA
Seg1~Seg15,
Vo = vdd-3V
高电平输出电流
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TM1629C
低电平输出电流
IOL1
80
140
-
mA
Grid1~Grid8
Vo=0.3V
低电平输出电流
Idout
4
-
-
mA
VO = 0.4V,dout
高电平输出电流容许量
Itolsg
-
-
5
%
VO = VDD – 3V,
Seg1~Seg15
输出下拉电阻
RL
KΩ
K0
输入电流
II
-
-
μA
VI = VDD / VSS
高电平输入电压
VIH
0.7
VDD
-
V
CLK,DIO,STB
低电平输入电压
VIL
-
-
0.3
VDD
V
CLK,DIO,STB
滞后电压
VH
-
0.35
-
V
CLK,DIO,STB
动态电流损耗
IDDdyn
-
-
5
mA
无负载,显示关
10
±1
开关特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
振荡频率
fosc
-
500
-
KHz
R = 16.5 KΩ
tPLZ
-
-
300
ns
CLK → DIO
tPZL
-
-
100
ns
CL = 15pF, RL = 10K Ω
TTZH 1
-
-
1
μs
传输延迟时间
上升时间
CL = 300p F
Seg1~Seg15
下降时间
TTHZ
-
-
1
μs
最大时钟频率
Fmax
1
-
-
MHz
占空比50%
输入电容
CI
-
-
15
pF
-
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TM1629C
时序特性(Ta = -20 ~ +70℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V)
参数
符号
最小
典型
最大
单位
测试条件
时钟脉冲宽度
PWCLK
400
-
-
ns
-
选通脉冲宽度
PWSTB
1
-
-
μs
-
数据建立时间
tSETUP
100
-
-
ns
-
数据保持时间
tHOLD
100
-
-
ns
-
CLK →STB 时间
tCLK
STB
1
-
-
μs
CLK↑→STB↑
等待时间
tWAIT
1
-
-
μs
CLK↑→CLK↓
时序波形图:
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C
A
A2
十三、 封装尺寸(SOP32)
θ
A1
L
D
b
符号
A
A1
A2
b
c
D
单位(mm)
最小(Min) 最大(Max)
2.24
2.59
0.1
0.25
2.14
2.34
0.3
0.5
0.17
0.25
20.88
21.08
符号
E
E1
e
L
θ
E1
E
e
单位(mm)
最小(Min) 最大(Max)
7.42
7.62
10.2
10.6
1.27(BSC)
0.4
1.27
0°
7°
All specs and applications shown above subject to change without prior notice.
(以上电路及规格仅供参考,如本公司进行修正,恕不另行通知。)
16
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很抱歉,暂时无法提供与“TM1629C”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货
免费人工找货- 国内价格
- 1+1.20001
- 30+1.16251
- 100+1.08751
- 500+1.01251
- 1000+0.97501
- 国内价格
- 11+2.41910
- 110+1.97554
- 330+1.75976