物料型号:SD103AWS、SD103BWS、SD103CWS
器件简介:这些二极管是金属-硅肖特基势垒器件,由PN结保护环保护,适用于一般用途。低正向电压降和快速开关特性使其非常适合保护MOS设备、转向、偏置以及用于快速开关和低逻辑电平应用的耦合二极管。
引脚分配:文档中未提供引脚分配信息。
参数特性:
- 重复峰值反向电压:SD103AWS为40V,SD103BWS为30V,SD103CWS为20V。
- 最大单周期10微秒方波浪涌电流:2A。
- 功率耗散(无限热沉):150mW。
- 热阻(结到环境空气):650°C/W。
- 结温:125°C。
- 存储温度范围:-55°C至+150°C。
功能详解:文档中未提供详细的功能详解。
应用信息:适用于保护MOS设备、转向、偏置以及快速开关和低逻辑电平应用的耦合二极管。
封装信息:这些二极管还提供MiniMELF封装,型号为LL103A至LL103C。
电气特性:
- 反向电流:在30V、20V和10V反向电压下,最大值为5mA。
- 正向电压降:在20mA和200mA正向电流下,分别为0.37V和0.60V。
- 结电容:在0V反向电压和1MHz频率下,为50pF。
- 反向恢复时间:从50mA到200mA恢复到0.1μA时,为10ns。