EG41

ELECTRONIC GIANT EG41芯片用户手册 双极锁存型霍尔芯片 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 REV 1.0 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 版本变更记录 版本号 V1.0 日期 描述 2011 年 09 月 21 日 EG41 用户手册初稿 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 2 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 目录 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 特点 ..................................................................................................................................................................... 4 描述 ..................................................................................................................................................................... 4 应用领域 ............................................................................................................................................................. 4 引脚 ..................................................................................................................................................................... 5 4.1. 引脚定义 ............................................................................................................................................. 5 4.2. 引脚描述 ............................................................................................................................................. 5 结构框图 ............................................................................................................................................................. 6 典型应用电路 ..................................................................................................................................................... 6 电气特性 ............................................................................................................................................................. 7 7.1 极限参数 ............................................................................................................................................. 7 7.2 典型参数 ............................................................................................................................................. 7 7.3 测试电路 ...................................................................................................................................................... 8 7.4 磁电参数 ...................................................................................................................................................... 8 7.5 磁场方向工作参数 ...................................................................................................................................... 9 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 10 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 3 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 EG41 芯片用户手册 V1.0 1. 特点        电源电压范围宽:4V～35V 灵敏度高 内带反接电源电压保护 集电极开路输出 输出最大灌电流能力：40mA 工作频率范围宽：0～100KHz 工作温度范围：-40℃～150℃ 2. 描述 EG41 双极锁存型霍尔效应传感器内部集成了霍尔感应器、稳压单元、差分放大器、施密特触发器以及 集电极开路输出级等电路，其输入是磁感应强度，输出是一个数字电压信号。 EG41 是专为直流无刷电机设计的双极霍尔开关电路，响应速度快，灵敏度高，具有较高的工作温度及 可靠性。工作温度范围为-40℃～150℃，电源电压工作范围从+4V 到+35V，负载电流能力最高可达 40mA， 可适用于各种机电一体化领域。 3. 应用领域    无刷直流电机 位置控制 无触点开关    电流传感器 安全报警装置 转速检测 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 4 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 4. 引脚 4.1. 引脚定义 EG41 VCC GND OUT 1 2 3 图 4-1. EG41 管脚定义 4.2. 引脚描述 引脚序号 引脚名称 I/O 1 Vcc Power 2 GND GND 3 OUT O 描述 电源电压输入端，输入电压范围是 4V-35V。 芯片的地端。 驱动输出，当磁场 N 极穿入 EG41 芯片的 Marking 面时，并且磁通量密度 B 小 于翻转点 Brp 时，OUT 就关断为高电平。 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 5 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 5. 结构框图 Vcc 1 稳压电源 3 OUT Hall传 感器 放大器 2 GND 图 5-1. EG41 结构框图 6. 典型应用电路 EG41 VCC VCC GND OUT 1 2 3 C OUTPUT RL 图 6-1. EG41 典型应用电路图 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 6 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明，在 TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 Vcc 电源输入端 -25 40 V B 磁通密度 - VCE 输出管击穿电压 - - 40 V IOL 输出最大灌电流 - - 40 mA TA 环境温度 - -45 150 ℃ Tstr 储存温度 - -65 125 ℃ TL 焊接温度 T≤10S - 300 ℃ Ptot 功率消耗 - - 550 mW Vcc 引脚相对 GND 的 电压 无限制 G 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 7.2 典型参数 无另外说明，在 TA=25℃,Vin=12V 符号 参数名称 测试条件 最小 Vcc 工作电压 Vcc 端输入电压 4 Icc 静态电流 负载开路 - Iout=25mA Vce(sat) 输出低电平电压 典型 最大 单位 35 V 9 mA 100 250 mV Iout=40mA 250 600 mV 5.5 Icex 输出高电平漏电流 Vcc=12V，Vce=12V - 0.1 10 uA tr 输出上升时间 Vcc=12V,RL=820Ω ,CL=20pF - 0.2 - uS tf 输出下降时间 Vcc=12V,RL=820Ω ,CL=20pF - 0.5 - uS 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 7 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 7.3 测试电路 EG41 VCC +12V RL1 GND OUT 820ohm OUTPUT CL2 20pF 图 7-3. EG41 测试线路图 7.4 磁电参数 A级 符号 参数名称 Bop 翻转点 Brp 释放点 Bhys 磁滞宽度 符号 参数名称 测试条件 使用高斯计测量 S 极穿出 Marking 面 的磁通量密度 B 使用高斯计测量 S 极穿入 Marking 面 的磁通量密度 B 使用高斯计测量穿入和穿出的磁通量 密度 B 最小 典型 最大 单位 - - 80 Gauss -80 - - Gauss - 80 100 Gauss 最小 典型 最大 单位 - - 120 Gauss -120 - - Gauss - 80 100 Gauss B级 Bop 翻转点 Brp 释放点 Bhys 磁滞宽度 测试条件 使用高斯计测量 S 极穿出 Marking 面 的磁通量密度 B 使用高斯计测量 S 极穿入 Marking 面 的磁通量密度 B 使用高斯计测量穿入和穿出的磁通量 密度 B 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 8 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 7.5 磁场方向工作参数 S OUT VCC EG41 IC N (Output Voltage) Marking side Bhys Turn off Turn on Vsat N Brp 0 Bop S (Magnetic flux density B) （SIP3） 图 7-5a. 磁场 S 极穿出 EG41 Marking 面 图 7-5b. EG41 的 3 脚 OUT 输出磁电翻转特性 当磁场 S 极穿出 EG41 芯片的 Marking 面或磁场 N 极穿入 EG41 的背面时如图 7-5a，并且磁通量密度 B 大于翻转点 Bop 时，OUT 就开启为低电平如图 7-5b；当磁场 N 极穿入 EG41 芯片的 Marking 面时，并且磁通 量密度 B 小于翻转点 Brp 时，OUT 就关断为高电平如图 7-5b。 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 9 / 10 屹晶微电子有限公司 EG41 用户手册 V1.0 双极锁存型霍尔芯片 8. 封装尺寸 TO-92S Unit:mm(inch) 2011 © 屹晶微电子有限公司 版权所有 www.EGmicro.com 10 / 10