ME8329AD7G-N

ME8329-N 原边反馈恒压恒流控制器 ME8329-N 概述 特点 ME8329-N 是一款满足六级能效标准原边反馈准谐  效率满足六级能效要求 振模式的小功率 AC/DC 电源控制芯片。内部集成高压功  原边反馈(PSR)准谐振（QR）控制技术实现高效率， 率 MOS 管，用于充电器，适配器和 LED 驱动领域。实 无需光耦和ME431 现±5%的恒压恒流精度和小于 60mW 的待机功耗。在恒  ±5%恒压恒流精度 压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控制，实现  待机功耗小于60mW 高效率和良好的 EMI 性能，满足六级能效标准要求。  内置650V高压MOSFET功率管  恒压模式下内置线压降补偿 该芯片集成了诸多保护功能，包括：VDD 欠压保护 (UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过流保护，所 (Cable drop compensation) 有管脚浮空保护，内置前沿消隐，VDD 电压钳位保护，  内置软启动 过温保护，等等。  所有管脚浮空保护  输出过压保护  逐周期电流限制  内置前沿消隐(Leading edge blanking)  VDD欠压保护(UVLO)，过压保护及钳位  过温保护 应用场合 封装形式  充电器   适配器  LED照明 V06 7-pin DIP7、SOP7 www.microne.com.cn Page 1 of 10 ME8329-N 典型应用图 Vo+ D1 D2 Vo- AC IN C1 EMI Filter D3 C2 D4 ME8329-N GND DRAIN R2 DRAIN COMP CS Cc VDD INV Rs R1 图.1 5V/3A充电器系统应用图 V06 www.microne.com.cn Page 2 of 10 ME8329-N 选购指南 ME 83 29 X X G-N 新版本 环保标识 封装形式 D7：DIP7 S7：SOP7 功能 产品品种号 产品类别号 公司标志 产品型号 产品说明 ME8329AD7G-N 内置 650V 高压 MOSFET 功率管，最大功率 18W，封装形式：DIP7 ME8329AS7G-N 内置 650V 高压 MOSFET 功率管，最大功率 16W，封装形式：SOP7 ME8329BD7G-N 内置 650V 高压 COOLMOS 功率管，最大功率 30W，封装形式：DIP7 产品脚位图 VDD 1 INV 2 COMP CS 7 GND 3 6 DRAIN 4 5 DRAIN VDD 1 INV 2 COMP 3 CS DIP7 4 7 GND 6 DRAIN 5 DRAIN SOP7 脚位功能说明 PIN 脚位 （DIP7、SOP7） 符号名 功能说明 1 VDD 芯片电源 2 INV 输出电压反馈输入端 3 COMP 变压器原边电流采样端外接电容，用于恒流电路 4 CS 变压器原边电流采样端 5,6 DRAIN 高压MOSFET的漏极引脚，该引脚连接到变压器原边 7 GND 芯片地 V06 www.microne.com.cn Page 3 of 10 ME8329-N 芯片功能示意图 VDD 1 DRAIN DRAIN 5 6 Internal supply UVLO OVP POR DEM INV 2 QR/PSR & logic Drop Comp Sample Soft gate drive LEB EA CV Controller (on/off) Constant current regulation 4 CS Vref 3 COMP GND 7 图.2 模块功能示意图 极限参数 参数 参数范围 单位 芯片电源电压 35 V 芯片VDD钳位电流 10 mA COMP, CS输入电压 -0.3 ~ 7 V INV输入电压 -0.7 ~ 7 V 储存温度范围 -55~+150 ℃ 结温范围 -40~+150 ℃ 工作环境温度范围 -40~+85 ℃ 焊接温度(焊锡) 260℃,10 秒 ESD 人体模型 2 KV ESD 机器模型 250 V DIP7 74 ℃/W SOP7 86 ℃/W DIP7 1.7 W SOP7 1.45 W 封装热阻 θJA 封装功耗 PD 注释: 超出极限参数可能损毁器件。不建议器件工作在推荐条件以外的情况。长时间运行在绝对最大额定条件下可能 会影响器件的可靠性。 V06 www.microne.com.cn Page 4 of 10 ME8329-N 推荐工作条件 电气参数 参数 最小值 典型值 最大值 单位 芯片电源电压VDD 10 - 30 V 工作环境温度 -40 - 85 ℃ 最大开关频率 - 120 - KHz (无特别说明，环境温度= 25℃，VDD输入电压=16V) 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 - 2 20 μA 芯片电源部分(VDD管脚) VDD=UVLO(ON)-1V ISTART 启动电流 IDD 工作电流 VINV=1V, CL=0.5nF VDD=20V - 0.9 1.5 mA UVLO(off) VDD欠压保护 VDD 电压下降 7.8 8.8 9.8 V UVLO(on) VDD启动电压 VDD 电压上升 19.5 20.5 21.5 V OVP VDD过压保护 32 34 36 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 - 39 - V 测试 VDD 端电流 IVDD=7mA 反馈输入部分(INV管脚) VINV_EA_Ref 反馈参考电压 1.98 2.0 2.02 V Tmin_off 最小关断时间 - 2 - μS Tmax_off 最大关断时间 - 3.2 - mS Icable_max 最大线损补偿电流 - 65 - μA 电流检测部分 (CS管脚) LEB CS前沿消隐时间 - 500 - nS TD_OC 芯片关断延迟 - 100 - nS 0.98 1.0 1.02 V - 150 - °C 650 - - V 恒流控制部分 (COMP管脚) V_COMP _REF 内部COMP压 保护部分 过热保护温度 TP MOS功率管部分 BVdss MOS的漏源击穿电压 Ron 导通电阻 V06 Vgs=0 VGS=10V, Id=1.0A ME8329A-N - 2 3 Ω VGS=10V, Id=2.5A ME8329B-N - - 1.2 Ω www.microne.com.cn Page 5 of 10 ME8329-N 应用信息 功能概述 ME8329-N 是一款原边反馈准谐振模式的 AC/DC 电源控制芯片，内部集成了 650V 的高压功率 MOS 管，用于充 电器，适配器和 LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于 60mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补 偿功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的 EMI 性能，满足六级能效标准要求。 启动 ME8329-N 的启动电流非常低，所以 VDD 端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的 电阻，在满足启动要求的同时，减小工作时的损耗。 工作电流 ME8329-N 的工作电流低至 1mA(典型值)，所以 VDD 启动电容可以取更小值，同时可以提高系统转换效率。 原边准谐振控制 ME8329-N 采用原边反馈准谐振工作模式，大大降低系统成本，实现高效率和良好的 EMI 性能。芯片在恒压和恒 流工作时，采用谷底导通，减小开关损耗，最大限度利用占空比，极大的提高了系统效率，满足六级能效标准要求。 恒流控制 ME8329-N 具有精确的恒流/恒压控制能力，电池充电器应用中通常具有两种运作模式，恒压充电和恒流充电。当 电池电压过低时，充电器是恒流充电，这是对电池充电的最主要的方式，大部分的能量进入电池。当电池电压达到电 池饱和电压时，充电电流逐渐变小，充电器进入恒压模式。最后，充电电流继续减小直到达到 0。工作在恒流模式下： ICC (mA) = N 500(mV)  2 Rcs(Ω) 其中：ICC 为系统输出端的输出电流。 RCS 为 CS 与 GND 之间的电阻。 N 为变压器初级和次级线圈的匝数比。 恒压控制 ME8329-N 的 INV 通过电阻 Ra 和 Rb 的分压检测辅助绕组反馈电压，INV 电压与参考电压间的差值通过误差放 大器放大来控制开关信号的频率。为了提高输出电压的精确度，变压器的漏感应尽可能的降低。输出电压可由下式得 出： VOUT  2  1  Ra / Rb  （NS / NA） V 其中：Ra 和 Rb 为顶端和低端反馈电阻值。 NS 和 NA 为变压器次级和辅助线圈的匝数。 ΔV 表示输出整流二极管的压降 V06 www.microne.com.cn Page 6 of 10 ME8329-N 电流检测和前沿消隐 ME8329-N 提供了逐周期电流限制，功率管电流由连接在 CS 脚上的取样电阻检测。在功率开关导通时，采样电 阻上会出现开启尖峰，为避免由开启尖峰所引起的误操作，在 CS 脚上设置有 500nS 的前沿消隐时间，因此 CS 脚的 外部无需 RC 滤波网络。 输出线压降补偿 常规芯片在恒压模式下，通过改变功率管导通时间来调节反馈电压，其不包括在电线上的压降。这样导致了由于 采用不同规格不同长度的电线，会产生不同的输出电压。ME8329-N 内建了线压降补偿电路，以此取得更好的负载调 整率。 ME8329-N 具有线损补偿功能，可补偿输出电压在电线上的压降。通过内置电流流入电阻分压器在 INV 脚位产生 补偿电压。随着转换器负载从空载增大至峰值功率点（恒压与恒流之间的切换点），将通过增大反馈引脚参考电压对 输出电缆上的压降进行补偿。控制器根据状态调节器的输出来决定输出负载以及相应补偿的程度。最大补偿比例可由 下式得出 I  (Ra / /Rb )  10 6 V  comp  100% VOUT 2 其中，ΔV 是补偿电压，VOUT 是输出电压，Ra 和 Rb 为与 INV 脚相连的分压电阻。 控制保护 ME8329-N 集成了完善的保护功能，包括 VDD 欠压保护(UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过流保护，所 有管脚浮空保护，VDD 电压钳位保护，过温保护等等。 V06 www.microne.com.cn Page 7 of 10 ME8329-N 封装信息  封装类型: DIP7 参数 A 尺寸（mm） 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 3.6 4.31 0.1417 0.1697 A1 0.5(TYP) 0.0197(TYP) A2 3.2 3.6 0.1260 0.1417 A3 1.47 1.65 0.0579 0.0650 b 0.38 0.57 0.0150 0.0224 B1 1.52(TYP) 0.0598(TYP) C 0.2 0.36 0.0079 0.0142 D 9 9.4 0.3543 0.3700 E1 6.1 6.6 0.2402 0.2598 eA eB 7.62(TYP) 7.62 e 0.3(TYP) 9.3 0.3000 2.54(TYP) 0.3661 0.1(TYP) eC 0 0.84 0.0000 0.0331 L 3 3.6 0.1181 0.1417 V06 www.microne.com.cn Page 8 of 10 ME8329-N  封装类型: SOP7 参数 尺寸（mm） 尺寸（Inch） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 1.35 1.75 0.0531 0.0689 A1 0.05 0.25 0.0020 0.0098 A2 1.25 1.65 0.0492 0.0650 A3 0.5 0.7 0.0197 0.0276 b 0.33 0.51 0.0130 0.0201 c 0.17 0.25 0.0067 0.0098 D 4.7 5.1 0.1850 0.2008 E 5.8 6.2 0.2283 0.2441 E1 3.8 4 0.1496 0.1575 e 1.27(TYP) 0.05(TYP) h 0.25 0.5 0.0098 0.0197 L 0.4 1.27 0.0157 0.0500 L1 1.04(TYP) θ 0 c1 0.0409(TYP) 8° 0.25(TYP) V06 0.0000 8° 0.0098(TYP) www.microne.com.cn Page 9 of 10 ME8329-N  本资料内容，随产品的改进，会进行相应更新，恕不另行通知。使用本资料前请咨询我司销售人 员，以保证本资料内容为最新版本。  本资料所记载的应用电路示例仅用作表示产品的代表性用途，并非是保证批量生产的设计。  请在本资料所记载的极限范围内使用本产品，因使用不当造成的损失，我司不承担其责任。  本资料所记载的产品，未经本公司书面许可，不得用于会对人体产生影响的器械或装置，包括但 不限于：健康器械、医疗器械、防灾器械、燃料控制器械、车辆器械、航空器械及车载器械等。  尽管本公司一向致力于提高产品质量与可靠性，但是半导体产品本身有一定的概率发生故障或错 误工作，为防止因此类事故而造成的人身伤害或财产损失，请在使用过程中充分留心备用设计、 防火设计、防止错误动作设计等安全设计。  将本产品或者本资料出口海外时，应当遵守适用的进出口管制法律法规。  未经本公司许可，严禁以任何形式复制或转载本资料的部分或全部内容。  V06 www.microne.com.cn Page 10 of 10