XMC8P53S6

富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 1 概述  XMC8P53 为一颗低功耗高速 CMOS 工艺设计的 8 位 MCU， 采用 RISC 指令集， 共有 57 条指令，内部有一个 1K x 13 位一 次性可编程只读存储器（OTP-ROM），并 提供了额外的 8 x 13 位代码信息位以满足 工作电压范围  2.0V~5.5V@0℃~70℃（商业级）  2.0V~5.5V@-40℃~85℃（工业 级）  工作频率范围（仅支持内部 RC 振 荡模式） 用户的差异化需求。 偏移率 2 特性 IRC 频率  16 MHz  MCU 配置  温度 电压 制程 总计 ±1% ±1.5% ±0.5% ±2.5% 外围配置  57 条指令，13-bit 指令位宽  1K x 13 位片内 ROM  48 x 8 位片内 RAM  5 级堆栈用于子程序嵌套  电流小于 3.5mA@5V/16MHz 编程选择其信号源、触发边沿，溢  电流小于 2mA@5V/8MHz 出产生中断  电流小于 1.5mA@5V/4MHz  可编程看门狗定时器（WDT）  电流小于 1mA@5V/1MHz  上电复位和 6 档可编程低电压复位  典型值 1uA@休眠模式  指令周期：2 时钟周期  程序保护位  可编程预分频器（同一时刻只能分 配给 TCC/WDT 其中之一）  I/O 端口配置  8 位实时时钟/计数器（TCC），可 3 个可用中断源  1 组双向 I/O 端口：P6  6 个 I/O 引脚  TCC 溢出中断  可配置唤醒端口：P6  外部中断  可配置外部中断：P60  输入端口状态改变中断  可配置外部低电平复位：P63  3 个可编程下拉 I/O 引脚  6 个可编程上拉 I/O 引脚  6 个可编程开漏极 I/O 引脚 Version 1.5 第 1 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 3 引脚定义及应用图 3.1 脚位图 SOP-8 SOT23-6 3.2 脚位说明 序号 名称 1 5 VDD 2 NC P65 3 NC P64 4 4 P63/RESET_N/VPP 5 3 P62/TCC/CLK_OUT/CLK_TEST 6 1 P61/SCL 7 6 P60/INT/SDA 8 2 VSS Version 1.5 功能描述 电源正极 通用 I/O 引脚 可编程上拉/漏极开路 引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 通用 I/O 引脚 可编程上拉/漏极开路 引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 通用 I/O 引脚 可复用为外部复位引脚，低电平复位 测试模式下复用为 OTP_VPP 输入引脚 可编程上拉/漏极开路（测试模式下，屏蔽该端口上拉控制信号；复用为外部 复位引脚时，强制开启该端口上拉控制信号；当配置为输出引脚时固定为漏极 开路输出） 作为通用 I/O 引脚时，引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 通用 I/O 引脚 可复用为外部 TCC 信号输入引脚 可复用为内部 RC 时钟输出引脚（两分频输出） 测试模式下可复用为时钟测试引脚，可选择内部低功耗时钟两分频输出，或内 部 RC 时钟两分频输出 可编程上拉/下拉/漏极开路 作为通用 I/O 引脚时，引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 通用 I/O 引脚 测试模式下强制复用为 SCL 引脚 可编程上拉/下拉/漏极开路 作为通用 I/O 引脚时，引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 通用 I/O 引脚 可复用为外部中断引脚，可配置上升沿/下降沿触发中断 测试模式下强制复用为 SDA 引脚 可编程上拉/下拉/漏极开路 作为通用 I/O 引脚时，引脚状态改变可使单片机从休眠模式唤醒 电源负极 第 2 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 4 订购信息 型号 ROM RAM 堆栈 1K*13 48*8 5 XMC8P53S8 XMC8P53S6 I/O 唤醒功能引脚数目 封装 6 6 SOP-8 4 4 SOT23-6 印字说明： 第一行，XMC8P53：芯片型号； 第二行，XXXXX：Lot Number，XX：保留信息。 Version 1.5 第 3 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 5 电器规格 5.1 极限工作参数(1) 参数 最小值 最大值 单位 结温 TJ -40 125 ℃ 存储温度 TSTG -65 150 ℃ 输入电压 VSS-0.3 VDD V 输出电压 VSS-0.3 VDD V 2 5.5 V DC 16 MHz 工作电压 VDD 工作频率 (1)超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏。长期工作在极限额定值下可能会影响器件 的可靠性 5.2 ESD 性能 符号 参数 值 单位 VESDHBM 人体模型 (HBM) ±2500 V 5.3 推荐工作条件 参数 最小值 典型值 最大值 单位 结温 TJ -40 85 ℃ 工作电压(2) VDD 2 5 V DC 16 MHz 工作频率 (2)VDD 电容用 0.1uF，当输入 4V 以上工作时，VDD 串联一个 100R 电阻到芯片 VDD；另外 避免芯片 VDD 超过 5.5V 的电压出现，否则可能会对芯片造成不确定的影响。 Version 1.5 第 4 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 5.4 电气特性 没有特别注明情况下，以下参数为（VDD=5V, VSS=0V,TA=25℃）测得 Parameters 内部高频 RC 振荡 器频率范围 输入引脚输入漏 电流 Symbo l Condition FIRC IILKG 输入高电压 VIH2 输入低电压 VIL2 IOH1 输出 source 电流 IOH2 IOL1 输出 sink 电流 IOL2 输入上拉电流 IPH 输入下拉电流 IPL ISB1 Min Typ 0.455 VIN=VDD/VSS Max Unit 16 MHz ±1 uA V 施密特触发，VDD=3V 1.2 VDD 施密特触发，VDD=5V 1.5 VDD 施密特触发，VDD=3V VSS 0.6 施密特触发，VDD=5V VSS 1 V Vop=VDD-0.6V，VDD=3V 8 mA Vop=VDD-0.6V，VDD=5V 12 mA Vop=VDD-0.6V，VDD=3V 4 mA Vop=VDD-0.6V，VDD=5V 6 mA Vop=VSS+0.6V，VDD=3V 18 mA Vop=VSS+0.6V，VDD=5V 28 mA Vop=VSS+0.6V，VDD=3V 9 mA Vop=VSS+0.6V，VDD=5V 14 mA Input pin ,VDD=3V 80 uA Input pin ,VDD=5V 130 uA Input pin, VDD=3V 50 uA Input pin, VDD=5V 90 uA 所有输入引脚接 VDD，输出引脚悬 1 空，WDT/LVR/IRC 禁止 uA 所有输入引脚接 VDD，输出引脚悬 空，LVR 使能，WDT /IRC 禁 省电电流 uA 2.5 uA 止,VDD=3V ISB2 所有输入引脚接 VDD，输出引脚悬 空，LVR 使能，WDT /IRC 禁 止,VDD=5V Version 1.5 1 第 5 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) Parameters Symbo 8 位 OTP MCU 微控制器 Condition l Min Typ Max Unit 所有输入引脚接 VDD，输出引脚悬 空，WDT/LVR 使能，IRC 禁止， ISB3 2.5 uA 4.5 uA VDD=3V 所有输入引脚接 VDD，输出引脚悬 空，WDT/LVR 使能，IRC 禁止， VDD=5V 6 功能描述 6.1 操作寄存器 6.1.1 MCU 寄存器架构及定义 地址 R PAGE 寄存器 IOC PAGE 寄存器 00 R0（间接寻址寄存器） 保留 01 R1（定时计数器） CONT（控制寄存器） 02 R2（程序计数器） 保留 03 R3（状态寄存器） 保留 04 R4（RAM 选择寄存器） 保留 05 保留 保留 06 R6（Port 6） IOC6（I/O 端口控制寄存器） 07 保留 保留 08 保留 保留 09 保留 保留 0A 保留 保留 0B 保留 IOCB（I/O 端口下拉控制寄存器） 0C 保留 IOCC（I/O 端口漏极开路控制寄存器） 0D 保留 IOCD（I/O 端口上拉控制寄存器） 0E 保留 IOCE（看门狗定时器控制寄存器） 0F RF（中断状态寄存器） IOCF（中断屏蔽寄存器） 10~3F 通用寄存器 保留 Version 1.5 第 6 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 6.1.2 R0（间接寻址寄存器，INDF）  R0 并非实际存期的寄存器，它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以 R0 作为指针的指 令实际上都是对 RAM 选择寄存器（R4）所指的数据进行操作。 6.1.3 R1（定时器/计数器，TCC）  TCC 引脚的外部信号边沿或内部指令周期时钟触发（由 CONT 寄存器的 TE 位设定），会 使 TCC 寄存器加 1。  通过复位 PAB 位（CONT[3]设定）。  如 PAB 位被复位，预分频器分配给 TCC。  只有当给 TCC 寄存器赋值时，预分频计数器的内容将被清零。  像其它寄存器一样可读/写。 6.1.4 R2（程序计数器，PC）  R2 和堆栈（5 级）均为 10 位位宽，一个程序页为 1024 字长。  “JMP”指令直接加载 PC[9:0]， 因此”JMP”指令允许 PC 跳转到一个程序页的任意位置。  “CALL”指令首先加载 PC[9:0]，然后将 PC+1 推入堆栈，因此子程序的入口地址可位于 一个程序页的任意位置。  任何向 R2 写入的指令（如”ADD R2,A”，”MOV R2,A”等）将会使 PC[9:8]清零，因 此经计算后的跳转地址只能位于一个程序页的头 256 地址空间中。  所有指令均是单指令周期指令(fclK/2)，但会改变 R2 寄存器内容的指令除外，这些指令的 执行需要一个或多个指令周期。 图 5-1 程序计数器结构图 Version 1.5 第 7 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 6.1.5 R（状态寄存器，STATUS） Bit 7 RST Bit 6 GP1 Bit 5 GP0 Bit 4 T Bit 3 P Bit 2 Z Bit 1 DC Bit 0 C RST：复位类型标志位 0：其他复位类型引发唤醒复位（上电复位、低电压复位、WDT 溢出复位、RESET 引脚低电平复位） 1：引脚状态改变引发控制器从休眠模式唤醒方式（P6 引脚状态改变触发唤醒中断） GP1/GP0：通用读/写位 T：时间溢出标志位 执行"SLEP"和"WDTC"指令或上电时置 1，WDT 溢出时复位为 0 P：省电标志位 上电或执行"WDTC"指令时置 1，执行"SLEP"指令时复位为 0 Z：零标志位 当算术或逻辑运算结果为 0 时置 1 DC：辅助进位标志位 C：进位标志位 6.1.6 R4（RAM 选择寄存器，RSR）  Bit[7:6]为 R4_GP[1：0]，可读写  Bit[5:0]在间接寻址模式下，用于选择寄存器（地址： 0x10~0x2F） 6.1.7 R6（Port 6）  R6 为 I/O 寄存器  R6 仅低 6 位可用，高 2 位固定为”0” 6.1.8 RF（中断状态寄存器） Bit 7 - Bit 6 - Bit 5 - Bit 4 - Bit 3 - Bit 2 EXIF Bit 1 ICIF Bit 0 TCIF EXIF：外部中断标志位，由 INT 引脚信号的边沿触发置 1，由软件清零 ICIF：Port 6 输入状态改变中断标志位，Port 6 输入状态改变时触发置 1，由软件清零 TCIF：TCC 溢出中断标志位，TCC 溢出时置 1，由软件清零  RF 寄存器可由指令清零，但不由指令置 1  从 RF 寄存器中的读取值为 RF 值和 IOCF 值的“逻辑与”的结果  当有中断请求时，不管其相应中断屏蔽位的状态如何或者是否执行了 ENI 指令使能全局中 断，中断状态寄存器中相应标志位（ICIF 除外）都将置 1 6.1.9 CONT（控制寄存器） Bit 7 GP Bit 6 INT Version 1.5 Bit 5 TS Bit 4 TE Bit 3 PAB Bit 2 PSR2 Bit 1 PSR1 第 8 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 Bit 0 PSR0 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 GP：通用寄存器 INT：中断使能标志位 0：被 DISI 或硬件中断（即不包括 INT 指令中断）屏蔽 1：被 ENI/RETI 指令使能 TS：TCC 信号源选择位 0：内部指令周期时钟，P62 为双向 I/O 引脚 1：TCC 引脚的跳变信号，P62 复用为 TCC 引脚 TE：TCC 信号边沿选择位 0：TCC 引脚上升沿 TCC 计数器加 1 1：TCC 引脚下降沿 TCC 计数器加 1 PAB：预分频器分配位 0：TCC 1：WDT PSR：TCC/WDT 预分频比选择位 PSR2 PSR1 PSR0 0 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 6.1.10 Bit 7 - 0 1 0 1 0 1 0 1 TCC 预分频比 1:2 1:4 1:8 1:16 1:32 1:64 1:128 1:256 WDT 预分频比 1:1 1:2 1:4 1:8 1:16 1:32 1:64 1:128 IOC6（I/O 端口控制寄存器） Bit 6 - Bit 5 P6_IO5 Bit 4 P6_IO4 Bit 3 P6_IO3 Bit 2 P6_IO2 Bit 1 P6_IO1 Bit 3 - Bit 2 - Bit 1 - Bit 0 P6_IO0 0：相关 I/O 引脚置为输出 1：相关 I/O 引脚置为高阻态（输入） 6.1.11 Bit 7 - IOCB（I/O 端口下拉控制寄存器） Bit 6 P6_PD2 Bit 5 P6_PD1 Bit 4 P6_PD0 Bit 0 - 0：相关 I/O 引脚使能内部下拉功能 1：禁止相关 I/O 引脚内部下拉功能 6.1.12 IOCC（I/O 端口漏极开路控制寄存器） Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - P6_OD5 P6_OD4 - P6_OD2 P6_OD1 P6_OD0 0：禁止相关 I/O 引脚漏极开路功能 Version 1.5 第 9 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 1：相关 I/O 引脚使能漏极开路功能 P63 输出模式固定为漏极开路输出  6.1.13 Bit 7 - IOCD（I/O 端口上拉控制寄存器） Bit 6 - Bit 5 P6_PU5 Bit 4 P6_PU4 Bit 3 P6_PU3 Bit 2 P6_PU2 Bit 1 P6_PU1 Bit 0 P6_PU0 Bit 2 - Bit 1 - Bit 0 - Bit 1 ICIE Bit 0 TCIE 0：相关 I/O 引脚使能内部上拉功能 1：禁止相关 I/O 引脚内部上拉功能 P63 复用为 RESET 引脚时，强制使能内部上拉功能  6.1.14 Bit 7 WDT_EN IOCE（看门狗定时器控制寄存器） Bit 6 EIS Bit 5 EIE Bit 4 - Bit 3 - WDT_EN：看门狗定时器使能控制位 0：禁止 WDT 1：使能 WDT EIS：P60 复用功能控制位 0：禁止复用，P60 为双向 I/O 引脚 1：使能复用，P60 复用为外部中断输入引脚 EIE：外部中断边沿选择位 0：上升沿触发外部中断 1：下降沿触发外部中断 6.1.15 Bit 7 - IOCF（中断屏蔽寄存器） Bit 6 - Bit 5 - Bit 4 - Bit 3 - Bit 2 EXIE EXIE：EXIF 中断使能位 0：禁止 EXIF 中断 1：使能 EXIF 中断 ICIE：ICIF 中断使能位 0：禁止 ICIF 中断 1：使能 ICIF 中断 TCIE：TCIF 中断使能位 0：禁止 TCIF 中断 1：使能 TCIF 中断 6.2 TCC/WDT 预分频器 TCC 和 WDT 共用一个由 8 位计数器构成的预分频器。在某一时刻，预分频器只能分配给 WTD 和 TCC 两者之一。由 CONT 寄存器的 PAB 位设置预分频器的分配情况，PSR0~PSR2 Version 1.5 第 10 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 设置预分频比。在 TCC 模式下，每次向 TCC 寄存器写入值都会刷新 TCC 计数器。在 WDT 模 式下，看门狗定时器由“WDTC”指令清零。图 5 是了 TCC/WDT 模块示意图 图 5 TCC 及 WDT 模块示意图  R1 (TCC) 为 8 位定时器/计数器。TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟（由 TCC 引脚输 入，触发沿可选择）。如果是内部时钟，每个指令周期 TCC 加 1（无预分频器）;如果是外 部时钟，则 TCC 由外部信号边沿触发  WDT 是一个自由运行的片内 RC 振荡器。当振荡驱动器关闭后，WDT 依然运行，如在休 眠模式下即如此。WDT 溢出将引起复位（若 WDT 使能）。在正常工作下，WDT 可由软 件设置 IOCE 寄存器的 WDTE 位来使能或禁止。在没有预分频情况下，WDT 溢出周期约 为 18ms 6.3 I/O 端口 I/O 端口 P 6 均为双向 I/O 口。P6 口都可由软件设置为内部上拉或漏极开路输出，都具有 输入状态变化中断（或唤醒）功能，表 1 为 P6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法。P60~P62 可由软件设置为下拉。P6 口各 I/O 引脚可由 I/O 控制寄存器设置为输入或输出。I/O 寄存器和 I/O 控制寄存器均可读写。 表 1 P6 输入状态改变唤醒/中断功能的用法 （Ⅰ）P6 输入状态改变触发唤醒 (a) 休眠前 Version 1.5 （Ⅱ）P6 输入状态改变中断 1.读 Port 6 第 11 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 1.禁止 WDT 2.执行“ENI” 2.读 Port 6 3.使能中断（置 1，ICIF 置 1） 3.执行“ENI”或“DISI”指令 4.如果 Port 6 输入状态改变（中断） 4.使能中断（置 1 ,ICIF 置 1） →中断向量（008H） 5.执行“SLEEP”指令 (b)唤醒后 1.如果“ENI”→中断向量（008H） 2.如果“DISI”→下一条指令 6.4 复位与唤醒 6.4.1 复位与唤醒功能 复位可由下面情况引发：  上电复位  RESET 引脚输入为低  WDT 溢出（若 WDT 使能） 检测到复位状态后，器件将保持在周期为大约 18ms（振荡器起振时间周期）的复位状态 下。一旦发生复位，以下操作将被执行，  振荡器运行或起振（休眠模式下）。  程序计 (R2) 所有位都设置为“0”。  所有 I/O 端口引脚被配置为输入模式(高阻态)。  看门狗定时器和预分频器清零。  上电后，R3 寄存器的高 3 位清零。  CONT 寄存器中，除 Bit 6 (INT 标志位)外，其它所有位都置为“1”。  IOCB 寄存器的所有位置为“1”。  IOCC 除 Bit4 外，其他位寄存器清零。  IOCD 寄存器的所有位置为“1”。  IOCE 寄存器的 Bit6 清零，Bit7 和 Bit 5 置为“1”。  RF 寄存器的 Bits 0~2 和 IOCF 寄存器的 bits 0~2 清零。 执行 SLEP 指令可进入休眠模式（省电模式）。进入休眠模式时，WDT（若使能）清 0 但继续 运行微控制器可被如下情况唤醒：  RESET 引脚的外部复位信号输入。  WDT 溢出（若使能）。  PORT6 端口输入状态改变（若使能）。 Version 1.5 第 12 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 前两种情况引起 XMC8P53 复位。R3 的 T、P 标志可用于确定复位源。第 3 种情况下唤醒 后程序继续执行，由中断状态来决定程序是否装入中断处理程序。如果在 SLEP 指令执行前执 行 ENI 指令，程序将从地址 0X08 处执行中断处理。如果在执行 SLEP 指令前执行 DISI 指令， 程序将从 SLEP 指令后继续执行  如果休眠前 PORT6 输入唤醒使能，则 WDT 应由软件禁止（代码选择寄存器中 WDT 仍为使能）。因此，XMC8P53 可被 A、C 两种情况唤醒。  如果 WDT 使能，则 PORT6 输入唤醒应禁止。因此，XMC8P53 可被 A、B 两种情况 唤醒。 如果 PORT6 输入编号中断呗用于唤醒单片机，则如下指令在 SLEP 指令前执行： MOV A, @0BXX000110 ；选择 TCC 内部时钟 CLR R1 ； TCC 和预分频器清 0 MOV A, @0BXXXX1110 ；选择 WDT 预分频 CONTW CONTW WDTC ；清 WDT 和预分频器 MOV A, @0B0XXXXXXX ；WDT 禁止 IOW RE MOV R6, R6 ； 读 PORT6 端口 MOV A, @0B00000X1X ； 使能 PORT6 输入变化中断 IOW RF ENI (OR DISI ) ; 使能（或禁止）全局中断 SLEP 注意：  从休眠模式唤醒后，WDT 被自动使能。所以在从休眠模式唤醒后，应该在程序中合理的 定义 WDT 使能/禁止操作  为防止在 Port 6 输入状态改变中断进入中断向量或被用作唤醒 MCU 时产生复位，WDT 预分频比必须设置为大于 1:1。 6.4.2 Addre ss N/A 寄存器初值总结 Name IOC6 Version 1.5 Reset Type Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed X 1 X 1 X 1 C64 1 C63 1 C62 1 C61 1 C60 1 1 1 1 1 1 1 1 1 P P P P P P P P 第 13 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 0x06 P6 Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit N/A 0x00 0x01 0x02 0x03 0x04 0x0F CONT R0 (IAR) R1 (TCC) R2 (PC) R3 (SR) R4 (RSR) RF (ISR) Version 1.5 Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed 8 位 OTP MCU 微控制器 X 0 X 0 P65 0 P64 0 P63 0 P62 0 P61 0 P60 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 P P P P P P P U U U U U U U U P P P P P P P P P P P P P P P P 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 *P *P *P *P *P *P *P *P RST 0 GP1 1 GP0 1 T 1 P 1 Z 1 DC 1 C 1 0 1 1 1/0 1 1 1 1 1 P P 1 0 P P P GP2 1 GP1 1 RSR5 0 RSR4 0 RSR3 0 RSR2 0 RSR1 0 RSR0 0 1 1 0 0 0 0 0 0 P P P P P P P P X 0 X 0 X 0 X 0 X 0 EXIF 0 ICIF 0 TCIF 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P CONT _GP 0 第 14 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 0x0B 0x0C 0x0D IOCB IOCC IOCD Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit 0x0E 0x0F 0x10 ~ 0x2F IOCE IOCF R10~ R2F Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed Bit Name Power-on /RESET and WDT Wake-up from Pin Changed 8 位 OTP MCU 微控制器 X 1 PD2 1 PD1 1 PD0 1 X 1 X 1 X 1 X 1 1 1 1 1 1 1 1 1 P P P P 1 1 1 1 X 0 X 0 OD5 0 OD4 0 X 0 OD2 0 OD1 0 OD0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 P P P P P P X 1 X 1 /PU5 1 /PU4 1 /PU3 1 /PH2 1 /PU1 1 /PU0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 P P P P P P EIS EIE X X X X X 0 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 P 1 1 1 1 1 1 X 1 X 1 X 1 X 1 X 1 EXIE 0 ICIE 0 TCIE 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 P P P U U U U U U U U P P P P P P P P P P P P P P P P WDT EN 1 惯例: X: 未使用。 U: 未知或不用关心。-: 未定义。 P: 复位前的值 6.4.3 状态寄存器的 RST，T 和 P 的状态 复位可由以下事件引发：  上电  RESET 引脚上的高-低-高信号脉冲  看门狗定时器溢出 Version 1.5 第 15 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 可用表 2 中的 RST、T 和 P 标志位的取值判断唤醒处理器的事件源 。 表 3 显示了可能会影响 RST、T 和 P 标志位状态的事件。 表 2 复位后 RST、T 和 P 标志位的值 复位类型 RST T P 上电 0 1 1 正常模式下的/RESET 引脚信号引发复位 0 1 1 休眠模式下/RESET 引脚信号触发唤醒 0 1 0 正常模式下的 WDT 溢出复位 0 0 1 休眠模式下的 WDT 溢出唤醒 0 0 1 休眠模式下的引脚输入状态改变触发唤醒 1 1 0 事件 RST T P 上电 0 1 1 WDTC 指令 *P 1 1 WDT 溢出 0 0 1 SLEP 指令 *P 1 0 休眠模式下引脚状态改变触发唤醒 1 1 0 *P: 复位前的值 表 3 事件发生后 RST、T 和 P 的状态 *P: 复位前的值 6.5 中断 XMC8P53 有如下三种下降沿触发中断源：  TCC 溢出中断  Port 6 输入状态改变中断  外部中断 [(P60, /INT) 引脚] 当引脚状态改变时，Port 6 的每个引脚均具有此特性。但当引脚被配置为输出或 P60 引 脚配置为/INT 时，相应引脚则失去此功能特性，P62 配置为 TCC 输入时，P63 配置为外部复 位时，失去该特性。当通过执行 SLEP 指令使控制器进入休眠模式前，配置为输入的 Port 6 端 口输入状态改变功能被使能，则 Port 6 输入状态改变中断可使 XMC8P53 从休眠模式唤醒。 器件唤醒后，如果全局中断被禁止，控制器将从 SLEP 指令的下一条指令处开始执行；如果全 局中断被使能，控制器将跳转到中断向量 008H 处开始执行。 Version 1.5 第 16 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 RF 寄存器是中断状态寄存器，它的相应标志位记录对应的中断请求。IOCF 寄存器是中断 屏蔽寄存器。全局中断可通过执行 ENI 指令使能，通过执行 DISI 指令禁止。当产生某个中断 （若使能），程序计数器将跳转到地址 008H 处。在中断服务子程序中，可通过查询 RF 寄存 器的标志位的状态判断中断源。在离开中断服务子程序前，必须通过指令清除中断标志位，这 样可避免中断嵌套。 当有中断请求时，不管其相应中断屏蔽位的状态如何或者是否执行了 ENI 指令使能全局中 断，中断状态寄存器（RF）中的相应标志位（ICIF 位除外）都将被置 1。注意，从 RF 寄存器 读取的值是 RF 和 IOCF 的逻辑与的结果（参考图 6-1）。RETI 指令结束中断服务子程序并使 能全局中断（执行 ENI）。 图 6-1 中断输入电路 6.6 内部 RC 震荡 XMC8P53 提供了种通用的内部 RC 模式其默认频率为 4MHz。内部 RC 振荡模式还有其 它频率值:16 MHz、8MHz、2MHz、1MHz 和 455KHz，可通过编程设置代码选项位 IRC 选 Version 1.5 第 17 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 择内部 RC 振荡模式的六个频率值。这六个主频均可通过编程代码选项位 CLK_IRC_TRIM 进行 校准。 6.7 指令集 指令集中的每条指令均是 13 位。指令分为一个操作码和一个或多个操作。一般情况下，除非 指令的执行改变了程序计数器的值("MOV R2,A", "ADD R2,A")或者对 R2 的算术或逻辑操作 (例如. "SUB R2,A", "BS (C) R2,6", "CLR R2",……)，否则执行所有的指令都只占用单个指令周期（一个指 令周期包含 2 个振荡周期）。对于特殊的指令，执行指令需要两个指令周期。 如：在执行"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI"或条件测试结果为“真”的条件转移指令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA")和向程序计数器写入的指令的执行均占用两个指令周期 另外，指令集具有如下特性： (1) 任何寄存器的每个位都可被置 1、清零或直接测试。 (2) I/O 寄存器可被当作通用寄存器。也就是，相同的指令可操作 I/O 寄存器。 符号“R”表示一个寄存器指示符，用来指定指令操作哪个寄存器（包括操作寄存器和通用寄存器）。 “b”表示一个位指示符，指定位于 R 寄存器中会影响操作的位。 “K”代表一个 8 位或 10 位常数或立即数。 助记符 NOP DAA CONTW SLEP WDTC IOW R ENI DISI RET RETI CONTR IOR R MOV R,A CLRA CLR R SUB A,R SUB R, A DECA R DEC R OR A,R OR R,A AND A,R AND R,A XOR A,R Version 1.5 操作 空操作 A 累加器十进制调整 A→CONT 0→WDT, 振荡器停振 0→WDT A→IOCR 使能全局中断 禁止全局中断 子程序跳出指令，[栈顶] →PC 中断处理程序跳出指令，[栈顶] →PC, 使能全局中断 CONT→A IOCR→A A→R 0→A 0→R R-A→A R-A→R R-1→A R-1→R A|R→A A|R→R A & R→A A & R→R A⊕R→A 受影响标志位 无 C 无 T,P T,P 无1 无 无 无 无 无 无1 无 Z Z Z,C,DC Z,C,DC Z Z Z Z Z Z 第 18 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 A⊕R→R XOR R,A ADD A,R A + R→A ADD R,A A + R→R MOV A,R R→A MOV R,R R→R COMA R ~R→A COM R ~R→R INCA R R+1→A INC R R+1→R R-1→A, 如执行结果为 0，跳过下一指令 DJZA R R-1→R, 如执行结果为 0，跳过下一指令 DJZ R RRCA R R(n) →A(n-1),R(0) →C, C→A(7) RRC R R(n) →R(n-1),R(0) →C, C→R(7) RLCA R R(n) →A(n+1),R(7) →C, C→A(0) RLC R R(n) →R(n+1),R(7) →C, C→R(0) R(3:0) → A(7:4)，R(7:4) → A(3:0) SWAPA R R(3:0) ￩￫ R(7:4) SWAP R R + 1 → A，如加 1 后结果为 0，跳过下一指令 JZA R R + 1 → R，如加 1 后结果为 0，跳过下一指令 JZ R BC R,b 0→R(b) BS R,b 1→R(b) JBC R,b 如果 R(b)=0, 跳过下条指令 JBS R,b 如果 R(b)=1, 跳过下条指令 CALL K PC+1→[堆栈],K→PC JMP K K →PC MOV A,K K→A OR A,K A|K→A AND A,K A &K→A A⊕K→A XOR A,K K→A,[栈顶] →PC RETL K SUB A,K K-A→A INT PC + 1 → 堆栈，0x001 → PC ADD A,K K+A→A 1 注: 此指令仅适用于 IOC6, IOCB ~ IOCF 2 指令不建议用于操作 3 此指令不能操作 Version 1.5 Z Z.C,DC Z,C,DC Z Z Z Z Z Z 无 无 C C C C 无 无 无 无 无2 无3 无 无 无 无 无 Z Z Z 无 Z.C,DC 无 Z.C,DC RF 寄存器 RF 寄存器 第 19 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满 电子集团股份有限公司 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MAD MICROELECTRONICS ELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 7 波形图 TCC 输入时序（CLKS=“0” S=“0”） 内部 16MHz RC vs 供电电压（Ta=25℃） 供电电压 内部 16MHz RC vs 温度（Ta=25℃） 温度 Version 1.5 第 20 页共 22 页 Copyright©2020, 20, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 8 封装尺寸 SOP-8 Symbol A A1 A2 A3 b b1 c c1 D E E1 e L L1  Version 1.5 MIN 0.08 1.20 0.55 0.39 0.38 0.21 0.19 4.7 5.80 3.70 0.50 0° Dimensions In Millimeters NOM 0.18 1.4 0.65 0.41 0.2 4.9 6 3.9 1.27BSC 0.65 1.05BSC - MAX 1.77 0.28 1.60 0.75 0.48 0.43 0.26 0.21 5.1 6.20 4.10 0.80 8° 第 21 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体 富满微电子集团股份有限公司 FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD. XMC8P53(文件编号：S&CIC1899) 8 位 OTP MCU 微控制器 SOT23-6 Symbol A A1 A2 b c D E E1 e e1 L  Version 1.5 Dimensions In Millimeters Min Max 1.050 1.250 0.000 0.100 1.050 1.150 0.300 0.500 0.100 0.200 2.820 3.020 1.500 1.700 2.650 2.950 0.950 1.800 2.000 0.300 0.600 0° 8° Dimensions In Inches Min Max 0.041 0.049 0.000 0.004 0.041 0.045 0.012 0.020 0.004 0.008 0.111 0.119 0.059 0.067 0.104 0.116 0.037 0.071 0.079 0.012 0.024 0° 8° 第 22 页共 22 页 Copyright©2020, 云矽半导体