ULN2001DS

ULN2001DS

  • 厂商:

    MIXIC(中科芯亿达)

  • 封装:

    SOP-8

  • 描述:

    1、新型三通道继电器驱动电路100mA 集电极输出电流(单路);2、耐高压(50V)

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ULN2001DS 数据手册
                                                    继电器驱动电路系列/ULN2001DS   ULN2001DS 新型三通道继电器驱动电路 描述 引脚排列 1C 7 2C 6 3C 5 ULN2001DS         E 4 除此之外,ULN2001DS 的每一路达林顿管输入级 均设计了一个 4K 的对地下拉电阻,可防止由于单 片机状态不定导致的负载误动作。      3 3B 2 2B ULN2001DS 的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基 极电阻,在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接,可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器 来处理的数据。 8 1B 1 ULN2001DS 是单片集成高耐压、大电流达林顿管 阵列,电路内部包含三个独立的达林顿管驱动通 道。电路内部设计有续流二极管,可用于驱动继 电器等电感性负载。单个达林顿管集电极可输出 100mA 电流,将多个通道并联还可实现更高的电 流输出能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、 照明驱动、显示屏驱动(LED)和逻辑缓冲器。 COM     特点 1、100mA 集电极输出电流(单路); 2、耐高压(50V); 3、输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号; 4、广泛应用于继电器驱动。  5、ULN2001DS 输入端口集成 4K 对地下拉电阻。  订购信息 典型应用   1、 继电器驱动; 2、 指示灯驱动; 3、 显示屏驱动。 型号 ULN2001DS 封装类型 DIP8  Pb‐Free  SOP8  Pb‐Free  温度范围 ‐40℃ ~ +85℃  ‐40℃ ~ +85℃  重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    1  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  电路原理图(单路达林顿驱动电路) 钳 位 二 极 管 公 共 端 (CO M ) 输 出 (C) 输 入 (B) 2.7KΩ 4K Ω 7.2KΩ 3KΩ 公 共 端 (E)   ULN2001DS 单路达林顿驱动电路原理图 逻辑图 2C 1C COM 5 8 7 1 2 1B 3C 6 3 2B 3B   引脚定义 引脚编号  1  2  3  4  5  6  7  8  引脚名称  1B  2B  3B  E  COM  3C  2C  1C  输入/输出 I  I  I  ‐  ‐  O  O  O  引脚功能描述  1 通道输入管脚 2 通道输入管脚 3 通道输入管脚 接地 钳位二极管公共端  3 通道输出管脚 2 通道输出管脚  1 通道输出管脚 重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    2  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  绝对最大额定值    (TA=25℃,  除另有规定外)  参数 集电极-发射极电压(6~8 脚) COM 端电压(5 脚) 输入电压(1~3 脚)  单路集电极峰值电流 输出钳位二极管正向峰值电流 总发射极最大峰值电流 SOP8  封装热阻抗(1) (2) (3)  DIP8  最高工作结温(2) 焊接温度 储存温度范围 符号 VCE  VCOM  VI  ICP  IOK  IET  θJA  θJA  TJ    Tstg  值 50  50  30  100  100  ‐300  160  100  150  260  ‐65 to +150  单位 V  V  V  mA  mA  mA  ℃/W  ℃/W  ℃  ℃,10s  ℃  注:1、最大功耗可按照下述关系计算                PD=(TJ‐TA)/θJA  ;  2、TJ 表示电路工作的结温温度,TA 表示电路工作的环境温度;  3、封装热阻的计算方法按照 JESD51‐7。  推荐工作条件    (TA=25℃,  除另有规定外)  参数 输出端电压 输出电流 输入电压 输入电压(输出开启) 输入电压(输出关断) 钳位二极管反向电压  钳位二极管正向峰值电流 工作温度范围  工作结温 符号 VCE(SUS)  IOUT  VIN  VIN(ON)  VIN(OFF)  VR  IF  TA  条件   持续输出,TA= +85℃   Iout=100mA          最小值 0    0  2.8  0      ‐40  最大值 50  100  12  12  0.7  50  70  +85  单位 V  mA/ch V  V  V  V  mA  ℃  TJ    ‐40  ℃  TA= +25℃  TA= +85℃  TA=+25℃  TA= +85℃          +125  0.625  0.25  1  0.4  SOP8  PD  DIP8  PD  耗散功耗  W  W  注:1、TA 表示电路工作的环境温度;  2、电路功耗的计算方法为:PD=VCE(ON)1×IC1+ VCE(ON)2×IC2+ VCE(ON)3×IC3 + VIN1×IIN1+ VIN2×IIN2+ VIN3×IIN3;  3、备注 2 中 VCE(ON)n 表示对应通道的导通压降,其中 n=1,2,3;ICn 表示对应通道的平均负载电流,其中 n=1,2,3;        VINn 表示对应通道的信号输入高电平平均值,其中 n=1,2,3; IINn 表示对应通道的信号输入电流平均值,其中 n=1,2,3。  重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    3  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  电参数特性表 (TA=25℃,  除另有规定外)  参数  测试  图  测试条件  最小  典型  最大                                 1.8  1.9  1.9  1.9  1.8  1.8  1.8  1.9  0.83  0.93  1.02  1.09  0.83  0.93  1.02  1.09  2.4  2.5  2.5  2.6  2.3  2.4  2.4  2.5                  测试条件  最小  典型  最大 VI=12V  VI=6V  TA=0℃  VI=4.5V  VI=2.4V  IC=60mA  VI=12V    VI=6V  TA=25℃  VI=4.5V  VI=2.4V  TA=0℃  IF=70mA  TA=25℃  VCE=50V    II=0  VCE=50V    II=0  VR=50V  VR=50V  VL=12V    RL=120Ω  VL=12V    RL=120Ω                        50  50        10.2  4.8  3.4  1.3  10.2  4.8  3.4  1.3  1.1  1.1  ‐‐      ‐‐  0.15  0.15                  1.4  1.4  50      50  1  1  TA=0℃  VI(ON)      导通状态输入电压  图 2  VCE=1.5V  (输入不限 流)  TA=25℃  TA=0℃  VCE(SAT)  集电极‐发射极饱和压降  图 3  VI=2.4V  (II>250uA) TA=25℃  IC=20mA IC=50mA IC=80mA IC=100mA IC=20mA IC=50mA IC=80mA IC=100mA IC=20mA IC=50mA IC=80mA IC=100mA IC=20mA IC=50mA IC=80mA IC=100mA 单 位 V V 电参数特性表续 (TA=25℃,  除另有规定外)  参数  测试 图  II                输入电流  图 2  VF            钳位二极管正向压降  图 5  ICEX          集电极关断漏电流  VCE      集电极耐压  IR              钳位二极管反向耐压  IR              钳位二极管反向漏电流  tPLH        传输延迟  低‐高  tPHL        传输延迟  高‐低  图 1  图 1  图 4  图 4  图 6  图 6  单 位 mA V  μA V  V  μA μs μs 重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    4  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  电参数测试原理图                    图 1 ICEX 测试电路                                                                                图 2  II 以及 VI(ON)测试电路                 图3 VCE(sat)测试电路 图4 IR测试电路               图5 VF测试电路 图 6 传输延时波形图 备注:图 6 中电容负载为示波器探头寄生电容  重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    5  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  典型特征曲线 输入电流与输入电压的关系 集电极‐发射极饱和压降与集电极电流的关系 6 集电极‐发射极饱和压降Vce(V) 1.15 输入电流(mA) 5 4 3 2 1 1.1 1.05 1 0.95 0.9 0.85 0.8 0.75 0.7 0 2 3 4 5 6 Ic=30mA Ic=60mA 20 30 40 50 60 70 80 90 集电极电流Ic(mA) 输入电压(V) Ic=120mA 在一定负载的情况下,输入电流 Ii 与输入电压 Vin 的关系  Ii=1mA Ii=1.2mA Ii=1.4mA   在一定输入电流的情况下,集电极—发射极饱和压 降 Vce 与集电极电流 Ic 的关系   应用信息   图 10    ULN2001DS 应用线路图  ULN2001DS 应用不仅限于图 10 所示的应用线路图,特别是驱动电路负载可以是 3 个继电器,也可 以是 3 个 LED 发光二极管,也可以将 2 个输出并联为 1 路使用,具体应用视实际情况而定。  特别说明:在使用阻容降压电路为 ULN2001DS 供电时,由于阻容降压电压无法阻止电网上的瞬态 高压波动,必须在 ULN2001DS 的 COM 端与地端就近接一个 104 电容,如图 10 所示。其余应用场合下, 该电容不需要添加。        重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    6  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  封装外形尺寸图  SOP8:  D A3 0.25 A2 A c A1 θ L L1 b b1 E 1 E c1 c BASE METAL WITH PLATING SECTIONB‐B e b SYMBOL  B B MILLIMETER  MIN  NOM  MAX  A  ‐‐  ‐‐  1.77  A1  0.08  0.18  0.28  A2  1.20  1.40  1.60  A3  0.55  0.65  0.75  b  0.39  ‐‐  0.48  b1  0.38  0.41  0.43  c  0.21  ‐‐  0.26  c1  0.19  0.20  0.21  D  4.70  4.90  5.10  E  5.80  6.00  6.20  E1  3.70  3.90  4.10  e  L  1.27BSC  0.50  L1  θ  0.65  0.80  1.05BSC  0  ‐‐  8°      重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    7  Sinotech  Mixic  Electronics  Co.,LTD                                                                          ULN2001DS  DIP8:  A3 A2 A A1 B B b L c eA eB e B1 eC D b b1 c1 c E1 BASE METAL WITH PLATING   SECTION B‐B   SYMBOL  MILLIMETER  MIN  NOM  MAX  A  3.60  3.80  4.00  A1  0.51  _  _  A2  3.10  3.30  3.50  A3  1.50  1.60  1.70  b  0.44  _  0.53  b1  0.43  0.46  0.48  B1  1.52BSC  c  0.25  _  0.31  c1  0.24  0.25  0.26  D  9.05  9.25  9.45  E1  6.15  6.35  6.55  e  2.54BSC  eA  7.62BSC  eB  7.62  _  9.50  eC  0  _  0.94  L  3.00  _  _      重庆中科芯亿达电子有限公司                                                                  Rev 1.1      2012‐11‐26                              www.mixic.com.cn  深办:深圳市南山区艺园路  125 号马家龙田厦 IC 产业园 A402                电话:0755‐26895685  传真:0755‐26895685                    8 
ULN2001DS
PDF文档中包含以下信息:

1. 物料型号:型号为EL817,是一款光耦器件。

2. 器件简介:EL817是一种晶体管输出的光耦器件,用于隔离信号传输。

3. 引脚分配:共有6个引脚,分别为1脚阳极,2脚阴极,3脚发射极,4脚集电极,5脚GND,6脚VCC。

4. 参数特性:工作温度范围为-40至85度,隔离电压3750Vrms。

5. 功能详解:EL817通过光电效应实现信号隔离,提高系统安全性。

6. 应用信息:适用于工业控制、医疗设备等领域。

7. 封装信息:采用DIP6封装。
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