ESP32PICOV3
技术规格书
版本 1.1
乐鑫信息科技
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本文档为用户提供 ESP32-PICO-V3 的技术规格信息。
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蓝牙标志是 Bluetooth SIG 的注册商标。
文中提到的所有商标名称、商标和注册商标均属其各自所有者的财产,特此声明。
版权归 © 2020 乐鑫所有。保留所有权利。
1
产品概述
1 产品概述
1.1 特性
• Class-1、class-2 和 class-3 发射器
MCU
®
• 内置 ESP32 芯片,Xtensa 双核 32 位 LX6 微处
• AFH
理器,支持高达 240 MHz 的时钟频率
• CVSD 和 SBC
• 448 KB ROM
硬件
• 520 KB SRAM
• 模组接口:ADC、DAC、触摸传感器、
• 16 KB RTC SRAM
SD/SDIO/MMC 主机控制器、SPI、SDIO/SPI 从
机控制器、EMAC、电机 PWM、LED PWM、
WiFi
UART、I2 C、I2 S、红外遥控、GPIO、脉冲计数
• 802.11b/g/n
器、双线汽车接口(TWAITM ,兼容 ISO11898-1)
• 802.11n 数据速率高达 150 Mbps
• 40 MHz 晶振
• 支持 A-MPDU 和 A-MSDU 聚合
• 4 MB SPI flash
• 支持 0.4 µs 保护间隔
• 工作电压/供电电压:3.0 ~ 3.6 V
• 工作信道中心频率范围:2412 ~ 2484 MHz
• 建议工作温度范围:–40 ~ 85 °C
蓝牙 ®
• 蓝牙 V4.2 BR/EDR 和蓝牙 LE 标准
• 封装尺寸:(7 × 7 × 0.94) mm
1.2 描述
ESP32-PICO-V3 是一款基于 ESP32 (ECO V3) 的系统级封装 (SiP) 产品,可提供完整的 Wi-Fi 和蓝牙 ® 功能,集
成 1 个 4 MB 串行外围设备接口 (SPI) flash。
ESP32-PICO-V3 的核心是 ESP32 (ECO V3) 芯片 *。ESP32 是集成 2.4 GHz Wi-Fi 和蓝牙双模的单芯片方案,采
用台积电 (TSMC) 超低功耗的 40 纳米工艺。ESP32-PICO-V3 模组已将晶振、flash、滤波电容、RF 匹配链路等
所有外围器件无缝集成进封装内,不再需要外围元器件即可工作。此时,模组的组装和测试都在 SiP 层面完成,
因此 ESP32-PICO-V3 可以大大降低供应链的复杂程度并提升管控效率。
ESP32-PICO-V3 具备体积紧凑、性能强劲及功耗低等特点,适用于任何空间有限或电池供电的设备,比如可穿
戴设备、医疗设备、传感器及其他 IoT 设备。
相比其他 ESP32 系列芯片,ESP32-PICO-V3 增加了 GPIO20 管脚。另外,考虑到芯片的安全性能,flash 管脚
DI, DO, /HOLD, /WP 均未引出。
说明:
• 更多有关 ESP32 的信息,请参考 《ESP32 技术规格书》。
• 更多有关 ESP32 ECO V3 的信息,请参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》。
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ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
1
产品概述
1.3 应用
• 通用低功耗 IoT 传感器 Hub
• 智慧楼宇
• 通用低功耗 IoT 数据记录器
• 工业自动化
• 摄像头视频流传输
• 智慧农业
• OTT 电视盒/机顶盒设备
• 音频设备
• 语音识别
• 健康/医疗/看护
• 图像识别
• Wi-Fi 玩具
• Mesh 网络
• 可穿戴电子产品
• 家庭自动化
• 零售 & 餐饮
• 智能家居控制板
• 智能 POS 应用
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4
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ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
目录
目录
1
产品概述
3
1.1
特性
3
1.2
描述
3
1.3
应用
4
2
功能块图
9
3
管脚定义
10
3.1
管脚布局
10
3.2
管脚描述
10
3.3
与 ESP32-PICO-D4 兼容性
12
3.4
Strapping 管脚
13
4
电气特性
15
4.1
绝对最大额定值
15
4.2
建议工作条件
15
4.3
直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
15
4.4
功耗特性
16
4.5
Wi-Fi 射频
17
4.6
4.7
4.5.1
Wi-Fi 射频特性
17
4.5.2
发射器性能规格
18
4.5.3
接收器性能规格
18
蓝牙射频
19
4.6.1
接收器 - 基础数据率 (BR)
19
4.6.2
发射器 - 基础数据率 (BR)
19
4.6.3
接收器 - 增强数据率 (EDR)
20
4.6.4
发射器 - 增强数据率 (EDR)
21
低功耗蓝牙射频
21
4.7.1
接收器
21
4.7.2
发射器
22
5
原理图
23
6
外围设计原理图
24
7
封装信息
26
8
产品处理
29
8.1
存储条件
29
8.2
ESD
29
8.3
回流焊温度曲线
29
9
MAC 地址和 eFuse
30
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5
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目录
10 学习资源
31
10.1
必读资料
31
10.2
必备资源
31
修订历史
32
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6
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ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
表格
表格
1
管脚定义
10
2
ESP32-PICO-V3 与 ESP32-PICO-D4 六个管脚的用途差异
12
3
Strapping 管脚
13
4
绝对最大额定值
15
5
建议工作条件
15
6
直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
15
7
射频功耗
16
8
不同功耗模式下的功耗
17
9
Wi-Fi 射频特性
17
10
发射器性能规格
18
11
接收器性能规格
18
12
接收器特性 - 基础数据率 (BR)
19
13
发射器特性 - 基础数据率 (BR)
20
14
接收器特性 - 增强数据率 (EDR)
20
15
发射器特性 - 增强数据率 (EDR)
21
16
低功耗蓝牙接收器特性
21
17
低功耗蓝牙发射器特性
22
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7
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ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
插图
插图
1
ESP32-PICO-V3 功能块图
2
ESP32-PICO-V3 管脚布局(顶视图)
10
3
ESP32-PICO-V3 原理图
23
4
ESP32-PICO-V3 外围设计原理图
24
5
VDD33 放电电路图
25
6
复位电路
25
7
ESP32-PICO-V3 封装信息
26
8
ESP32-PICO-V3 封装图形
27
9
ESP32-PICO-V3 STENCIL
28
10
回流焊温度曲线
29
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9
8
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ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
2
功能块图
2 功能块图
RF Matching
Antenna
40 MHz
Crystal
3V3
RF Matching
GPIOs
CLK
/CS
DI
DO
/HOLD
/WP
VDD_SDIO
EN
ESP32
4MB SPI Flash
ESP32-PICO-V3
图 1: ESP32PICOV3 功能块图
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3
管脚定义
3 管脚定义
NC
NC
VDDA
NC
NC
VDDA
IO21
U0TXD/IO1
U0RXD/IO3
IO22
IO19
VDD3P3_CPU
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
3.1 管脚布局
VDDA
1
36
NC
LNA_IN
2
35
NC
VDDA3P3
3
34
IO5
VDDA3P3
4
33
SD1/IO8
SENSOR_VP/I36
5
32
SD0/IO7
SENSOR_CAPP/I37
6
31
CLK/IO6
49 GND
NC
MTMS/IO14
24
25
IO4
12
23
32K_XP/IO32
IO0
VDD_SDIO
22
26
IO2
11
21
VDET_2/I35
MTDO/IO15
IO20
20
27
MTCK/IO13
10
19
VDET_1/I34
VDD3P3_RTC
SD2/IO9
18
28
MTDI/IO12
9
17
EN
16
SD3/IO10
IO27
29
15
8
IO26
SENSOR_VN/I39
14
CMD/IO11
IO25
30
13
7
32K_XN/IO33
SENSOR_CAPN/I38
图 2: ESP32PICOV3 管脚布局(顶视图)
说明:
管脚布局图显示了模组上管脚的大致位置。具体布局请参考图 7。
3.2 管脚描述
ESP32-PICO-V3 共有 48 个管脚,具体描述参见表 1。
表 1: 管脚定义
名称
序号
VDDA
1
P
LNA_IN
2
I/O
VDDA3P3
3
P
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类型
功能
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
射频输入输出
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
10
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
3
管脚定义
名称
序号
VDDA3P3
4
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
SENSOR_VP/I36
5
I
GPIO36, ADC1_CH0, RTC_GPIO0
SENSOR_CAPP/I37
6
I
GPIO37, ADC1_CH1, RTC_GPIO1
SENSOR_CAPN/I38 7
I
GPIO38, ADC1_CH2, RTC_GPIO2
SENSOR_VN/I39
I
GPIO39, ADC1_CH3, RTC_GPIO3
8
类型
功能
高电平:芯片使能;
EN
9
I
低电平:芯片关闭;
注意不能让 EN 管脚浮空。
VDET_1/I34
10
I
ADC1_CH6, RTC_GPIO4
VDET_2/I35
11
I
ADC1_CH7, RTC_GPIO5
32K_XP/IO32
12
I/O
32K_XN/IO33
13
I/O
IO25
14
I/O
GPIO25, DAC_1, ADC2_CH8, RTC_GPIO6, EMAC_RXD0
IO26
15
I/O
GPIO26, DAC_2, ADC2_CH9, RTC_GPIO7, EMAC_RXD1
IO27
16
I/O
GPIO27, ADC2_CH7, TOUCH7, RTC_GPIO17, EMAC_RX_DV
MTMS/IO14
17
I/O
MTDI/IO12
18
I/O
VDD3P3_RTC
19
P
MTCK/IO13
20
I/O
MTDO/IO15
21
I/O
IO2
22
I/O
IO0
23
I/O
IO4
24
I/O
NC
25
—
NC
VDD_SDIO
26
P
VDD3P3_RTC 电源输出,请见表格下方说明 1
IO20
27
I/O
GPIO20, 请见表格下方说明 3
SD2/IO9
28
I/O
GPIO9, SD_DATA2, HS1_DATA2, U1RXD, 请见表格下方说明 3
SD3/IO10
29
I/O
GPIO10, SD_DATA3, HS1_DATA3, U1TXD, 请见表格下方说明 3
CMD/IO11
30
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
CLK/IO6
31
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
SD0/IO7
32
I/O
GPIO7, SD_DATA0, HS1_DATA0, U2RTS, 请见表格下方说明 3
SD1/IO8
33
I/O
GPIO8, SD_DATA1, HS1_DATA1, U2CTS, 请见表格下方说明 3
IO5
34
I/O
GPIO5, VSPICS0, HS1_DATA6, EMAC_RX_CLK
NC
35
—
NC
NC
36
—
NC
乐鑫信息科技
32K_XP (32.768 kHz crystal oscillator input),
ADC1_CH4,
TOUCH9, RTC_GPIO9
32K_XN (32.768 kHz crystal oscillator output), ADC1_CH5,
TOUCH8, RTC_GPIO8
ADC2_CH6,
TOUCH6,
RTC_GPIO16,
MTMS,
HSPICLK,
HS2_CLK, SD_CLK, EMAC_TXD2
ADC2_CH5, TOUCH5, RTC_GPIO15, MTDI, HSPIQ, HS2_DATA2,
SD_DATA2, EMAC_TXD3
RTC IO 电源输入 (3.0 V ~ 3.6 V)
ADC2_CH4, TOUCH4, RTC_GPIO14, MTCK, HSPID, HS2_DATA3,
SD_DATA3, EMAC_RX_ER
ADC2_CH3,
TOUCH3,
RTC_GPIO13,
MTDO,
HSPICS0,
HS2_CMD, SD_CMD, EMAC_RXD3
ADC2_CH2, TOUCH2, RTC_GPIO12, HSPIWP, HS2_DATA0,
SD_DATA0
ADC2_CH1,
TOUCH1,
RTC_GPIO11,
CLK_OUT1,
EMAC_TX_CLK
ADC2_CH0, TOUCH0, RTC_GPIO10, HSPIHD, HS2_DATA1,
SD_DATA1, EMAC_TX_ER
11
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
3
管脚定义
名称
序号
类型
功能
VDD3P3_CPU
37
P
IO19
38
I/O
GPIO19, VSPIQ, U0CTS, EMAC_TXD0
IO22
39
I/O
GPIO22, VSPIWP, U0RTS, EMAC_TXD1
U0RXD/IO3
40
I/O
GPIO3, U0RXD, CLK_OUT2
U0TXD/IO1
41
I/O
GPIO1, U0TXD, CLK_OUT3, EMAC_RXD2
IO21
42
I/O
GPIO21, VSPIHD, EMAC_TX_EN
VDDA
43
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
NC
44
—
NC
NC
45
—
NC
VDDA
46
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
NC
47
—
NC
NC
48
—
NC
CPU IO 电源输入 (1.8 V ~ 3.6 V)
说明:
1. 嵌入式 flash 连接至 VDD_SDIO,由 VDD3P3_RTC 通过约 6 Ω 电阻直接供电。因此,VDD_SDIO 相对 VDD3P3_RTC
会有一定电压降。
2. CMD/IO11 和 CLK/IO6 管脚用于连接嵌入式 flash,不建议用作其他用途,具体请参考章节 5。
3. IO6/IO7/IO8/IO9/IO10/IO11/IO20 由 VDD_SDIO 供电,VDD_SDIO 电源关闭时则无法工作。
4. 外设管脚分配请参考《ESP32 技术规格书》。
3.3 与 ESP32PICOD4 兼容性
在有些情况下可以改动很少或者不用改动硬件设计来将采用 ESP32-PICO-D4 的硬件产品升级为
ESP32-PICO-V3。在升级前,用户必须注意几点:
• ESP32-PICO-V3 与 ESP32-PICO-D4 有六个管脚的用途不同:
表 2: ESP32PICOV3 与 ESP32PICOD4 六个管脚的用途差异
管脚编号
ESP32-PICO-V3
ESP32-PICO-D4
25
空脚
GPIO16,用于连接内部 flash
27
GPIO20,可以使用
GPIO17,用于连接内部 flash
32
SD0 (GPIO7),可以使用
SD0 (GPIO7),用于连接内部 flash
33
SD1 (GPIO8),可以使用
SD1 (GPIO8),用于连接内部 flash
35
空脚
GPIO18,可以使用
36
空脚
GPIO23,可以使用
• ESP32-PICO-V3 上的内部 flash 数据管脚均未外接,而是内部连接到 GPIO16、GPIO17、GPIO18 和
GPIO23。
• ESP32-PICO-V3 无法外接 PSRAM。
• 如果 ESP32-PICO-D4 外接了 32.768 kHz 晶振,则需要参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》中的相关内容
进行硬件更新。
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12
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
3
管脚定义
• 有关使用 ESP32 ECO V3 所需的软件更新和升级,请参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》。
• 在更新硬件设计以兼容 ESP32-PICO-V3 后应进行电磁兼容性和 RF 性能测试。
• 要获取有关 ESP32-PICO-D4 的更多信息,请参考 《ESP32-PICO-D4 技术规格书》。
3.4 Strapping 管脚
ESP32 共有 5 个 Strapping 管脚。Strapping 管脚与 SiP 管脚对应关系如下,可参考章节 5 电路原理图:
• MTDI = IO12
• GPIO0 = IO0
• GPIO2 = IO2
• MTDO = IO15
• GPIO5 = IO5
软件可以读取寄存器“GPIO_STRAPPING”中这 5 个管脚 strapping 的值。
在芯片的系统复位(上电复位、RTC 看门狗复位、欠压复位)放开的过程中,Strapping 管脚对电平采样并存储
到锁存器中,锁存为“0”或“1”
,并一直保持到芯片掉电或关闭。
每一个 Strapping 管脚都会连接内部上拉/下拉。如果一个 Strapping 管脚没有外部连接或者连接的外部线路处
于高阻抗状态,内部弱上拉/下拉将决定 Strapping 管脚输入电平的默认值。
为改变 Strapping 的值,用户可以应用外部下拉/上拉电阻,或者应用主机 MCU 的 GPIO 控制 ESP32 上电复位
放开时的 Strapping 管脚电平。
复位放开后,Strapping 管脚和普通管脚功能相同。
配置 Strapping 管脚的详细启动模式请参阅表 3 。
表 3: Strapping 管脚
管脚
MTDI
管脚
GPIO0
GPIO2
管脚
MTDO
管脚
MTDO
GPIO5
内置 LDO (VDD_SDIO) 电压
默认
3.3 V
1.8 V
下拉
0
1
系统启动模式
默认
SPI 启动模式
下载启动模式
上拉
1
0
下拉
无关项
0
系统启动过程中,控制 U0TXD 打印
默认
U0TXD 正常打印
U0TXD 上电不打印
上拉
1
0
SDIO 从机信号输入输出时序
下降沿采样 下降沿采样 上升沿采样 上升沿采样
默认 下降沿输出 上升沿输出 下降沿输出 上升沿输出
上拉
0
0
1
1
上拉
0
1
0
1
说明:
• 固件可以通过配置一些寄存器比特位,在启动后改变“内置 LDO (VDD_SDIO) 电压”和“SDIO 从机信号输入输
乐鑫信息科技
13
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
3
管脚定义
出时序”的设定。
• SiP 集成的外部 SPI flash 工作电压为 3.3 V,因此在上电复位过程中需保持 Strapping 管脚 MTDI 为低电平。
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14
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
4
电气特性
4 电气特性
4.1 绝对最大额定值
超出绝对最大额定值表可能导致器件永久性损坏。这只是强调的额定值,不涉及器件在这些或其它条件下超出
本技术规格指标的功能性操作。建议工作条件请参考表 5。
表 4: 绝对最大额定值
符号
参数
最小值
最大值
VDD33
Tstore
单位
供电电压
–0.3
3.6
V
存储温度
–40
85
°C
说明:
关于电源域请参考《ESP32 技术规格书》 附录中表 IO_MUX。
4.2 建议工作条件
表 5: 建议工作条件
符号
参数
最小值
典型值
最大值
VDD33
单位
供电电压
3.0
3.3
3.6
V
IV DD
外部电源的供电电流
0.5
-
-
A
T
工作温度
–40
-
85
°C
Humidity
湿度
—
85
—
%RH
4.3 直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
表 6: 直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
符号
CIN
VIH
参数
最小值
典型值
管脚电容
-
2
高电平输入电压
1
0.75×VDD
最大值
1
单位
pF
-
VDD +0.3
V
1
V
VIL
低电平输入电压
–0.3
-
IIH
高电平输入电流
-
-
50
nA
IIL
低电平输入电流
-
-
50
nA
高电平输出电压
1
-
-
V
-
1
V
VOH
VOL
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0.8×VDD
低电平输出电压
-
15
反馈文档意见
0.25×VDD
0.1×VDD
ESP32-PICO-V3 技术规格书 v1.1
4
电气特性
符号
参数
高电平拉电流
1
(VDD = 3.3 V,
VOH >= 2.64 V,
IOH
管脚输出强度设为
最大值)
最小值
典型值
最大值
-
40
-
mA
-
40
-
mA
-
20
-
mA
-
28
-
mA
VDD3P3_CPU 电
源域 1,
2
VDD3P3_RTC 电
源域 1,
2
VDD_SDIO 电 源
域 1,
3
单位
低电平灌电流
(VDD1 = 3.3 V, VOL = 0.495 V,
IOL
管脚输出强度设为最大值)
RP U
上拉电阻
-
45
-
kΩ
RP D
下拉电阻
-
45
-
kΩ
VIL_nRST
CHIP_PU 关闭芯片的低电平输入电压
-
-
0.6
V
说明:
1. VDD 是 I/O 的供电电源。关于电源域请参考《ESP32 技术规格书》 附录中表 IO_MUX。
2. VDD3P3_CPU 和 VDD3P3_RTC 电源域管脚的单个管脚的拉电流随管脚数量增加而减小,从约 40 mA 减小到约
29 mA。
3. VDD_SDIO 电源域的管脚不包括连接 flash 和/或 PSRAM 的管脚。
4.4 功耗特性
ESP32 采用了先进的电源管理技术,可以在不同的功耗模式之间切换。关于不同功耗模式的描述,详
见《ESP32 技术规格书》中章节 RTC 和低功耗管理。
表 7: 射频功耗
工作模式
描述
TX
Active(射频工作)
RX
平均值 (mA)
峰值 (mA)
802.11b, 20 MHz, 1 Mbps, @19.5 dBm
233
368
802.11g, 20 MHz, 54 Mbps, @14 dBm
181
258
802.11n, 20 MHz, MCS7, @13 dBm
178
248
802.11n, 40 MHz, MCS7, @13 dBm
162
205
802.11b/g/n, 20 MHz
110
111
802.11n, 40 MHz
116
117
说明:
• 功耗数据是基于 3.3 V 电源、25 °C 环境温度,在 RF 接口处完成的测试结果。所有发射数据均基于 50% 的占空
比测得。
• 测量 RX 功耗数据时,外设处于关闭状态,CPU 处于 idle 状态。
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电气特性
表 8: 不同功耗模式下的功耗
工作模式
描述
CPU 处于工作状态
Modem-sleep
Light-sleep
Deep-sleep
关闭
功耗典型值
240 MHz
30 ~ 68 mA
160 MHz
27 ~ 44 mA
正常速度:80 MHz
20 ~ 31 mA
—
0.8 mA
ULP 协处理器处于工作状态
150 µA
超低功耗传感器监测模式
100 µA @1% duty
RTC 定时器 + RTC 存储器
10 µA
仅有 RTC 定时器处于工作状态
5 µA
CHIP_PU 脚拉低,芯片处于关闭状态
1 µA
说明:
• 测量 Modem-sleep 功耗数据时,CPU 处于工作状态,cache 处于 idle 状态。
• 在 Wi-Fi 开启的场景中,芯片会在 Active 和 Modem-sleep 模式之间切换,功耗也会在两种模式间变化。
• Modem-sleep 模式下,CPU 频率自动变化,频率取决于 CPU 负载和使用的外设。
• Deep-sleep 模式下,仅 ULP 协处理器处于工作状态时,可以操作 GPIO 及低功耗 I²C。
• 当系统处于超低功耗传感器监测模式时,ULP 协处理器或传感器周期性工作。ADC 以 1% 占空比工作,系统功
耗典型值为 100 µA。
4.5 WiFi 射频
4.5.1 WiFi 射频特性
表 9: WiFi 射频特性
参数
工作信道中心频率范围
描述
1
2412 ~ 2484 MHz
Wi-Fi 协议
IEEE 802.11b/g/n
11b: 1, 2, 5.5, 11 Mbps
数据速率
20 MHz
11g: 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, 54 Mbps
11n: MCS0-7, 72.2 Mbps (Max)
40 MHz
11n: MCS0-7, 150 Mbps (Max)
说明:
1. 工作信道中心频率范围应符合国家或地区的规范标准。软件可以配置工作信道中心频率范围。
2. 使用 IPEX 天线的模组输出阻抗为 50 Ω,不使用 IPEX 天线的模组可无需关注输出阻抗。
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电气特性
4.5.2 发射器性能规格
表 10: 发射器性能规格
参数
条件
输出功率 1
典型值
11b, 1 Mbps
19.5
11b, 11 Mbps
19.5
11g, 6 Mbps
18
11g, 54 Mbps
14
11n, HT20, MCS0
18
11n, HT20, MCS7
13
11n, HT40, MCS0
18
11n, HT40, MCS7
13
单位
dBm
说明:
根据产品或认证的要求,用户可以配置目标功率。
4.5.3 接收器性能规格
表 11: 接收器性能规格
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参数
条件
典型值
单位
接收灵敏度
1 Mbps
–97
dBm
2 Mbps
–94
5.5 Mbps
–91
11 Mbps
–88
6 Mbps
–92
9 Mbps
–91
12 Mbps
–89
18 Mbps
–87
24 Mbps
–84
36 Mbps
–80
48 Mbps
–76
54 Mbps
–75
11n, HT20, MCS0
–91
11n, HT20, MCS1
–88
11n, HT20, MCS2
–85
11n, HT20, MCS3
–83
11n, HT20, MCS4
–80
11n, HT20, MCS5
–75
11n, HT20, MCS6
–74
11n, HT20, MCS7
–72
11n, HT40, MCS0
–88
11n, HT40, MCS1
–85
11n, HT40, MCS2
–82
11n, HT40, MCS3
–80
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电气特性
参数
条件
最大接收电平
邻道抑制
典型值
11n, HT40, MCS4
–76
11n, HT40, MCS5
–72
11n, HT40, MCS6
–71
11n, HT40, MCS7
–69
11b, 1 Mbps
5
11b, 11 Mbps
5
11g, 6 Mbps
0
11g, 54 Mbps
–8
11n, HT20, MCS0
0
11n, HT20, MCS7
–8
11n, HT40, MCS0
0
11n, HT40, MCS7
–8
11b, 11 Mbps
35
11g, 6 Mbps
27
11g, 54 Mbps
13
11n, HT20, MCS0
27
11n, HT20, MCS7
12
11n, HT40, MCS0
16
11n, HT40, MCS7
7
单位
dBm
dB
4.6 蓝牙射频
4.6.1 接收器 基础数据率 (BR)
表 12: 接收器特性 基础数据率 (BR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
灵敏度 @0.1% BER
—
–90
–89
–88
dBm
最大接收信号 @0.1% BER
—
0
—
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
+7
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
—
–6
dB
F = F0 –1 MHz
—
—
–6
dB
F = F0 + 2 MHz
—
—
–25
dB
F = F0 –2 MHz
—
—
–33
dB
F = F0 + 3 MHz
—
—
–25
dB
F = F0 –3 MHz
—
—
–45
dB
30 MHz ~ 2000 MHz
–10
—
—
dBm
2000 MHz ~ 2400 MHz
–27
—
—
dBm
2500 MHz ~ 3000 MHz
–27
—
—
dBm
3000 MHz ~ 12.5 GHz
–10
—
—
dBm
—
–36
—
—
dBm
邻道选择性抑制比 C/I
带外阻塞
互调
4.6.2 发射器 基础数据率 (BR)
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电气特性
表 13: 发射器特性 基础数据率 (BR)
参数
最小值
典型值
最大值
单位
射频发射功率(见表 13 下方说明) —
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
20 dB 带宽
—
—
0.9
—
MHz
F = F0 ± 2 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± > 3 MHz
—
–59
—
dBm
∆ f 1avg
—
—
—
155
kHz
∆ f 2max
—
127
—
—
kHz
∆ f 2avg /∆ f 1avg
—
—
0.92
—
—
ICFT
—
—
–7
—
kHz
漂移速率
—
—
0.7
—
kHz/50 µs
偏移 (DH1)
—
—
6
—
kHz
偏移 (DH5)
—
—
6
—
kHz
邻道发射功率
条件
说明:
从 0 到 7,共有 8 个功率级别,发射功率范围从–12 dBm 到 9 dBm。功率电平每增加 1 时,发射功率增加 3 dB。默认
情况下使用功率级别 4,相应的发射功率为 0 dBm。
4.6.3 接收器 增强数据率 (EDR)
表 14: 接收器特性 增强数据率 (EDR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
π/4 DQPSK
灵敏度 @0.01% BER
—
–90
–89
–88
dBm
最大接收信号 @0.01% BER
—
—
0
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
11
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
–7
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
–7
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–35
—
dB
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –3 MHz
—
–45
—
dB
邻道选择性抑制比 C/I
8DPSK
灵敏度 @0.01% BER
—
–84
–83
–82
dBm
最大接收信号 @0.01% BER
—
—
–5
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
18
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
2
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
2
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–25
—
dB
邻道抑制比 C/I
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4
电气特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –3 MHz
—
–38
—
dB
4.6.4 发射器 增强数据率 (EDR)
表 15: 发射器特性 增强数据率 (EDR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
射频发射功率(见表 13 下方说明)
—
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
π/4 DQPSK max w0
—
—
–0.72
—
kHz
π/4 DQPSK max wi
—
—
–6
—
kHz
π/4 DQPSK max |wi + w0|
—
—
–7.42
—
kHz
8DPSK max w0
—
—
0.7
—
kHz
8DPSK max wi
—
—
–9.6
—
kHz
8DPSK max |wi + w0|
—
—
–10
—
kHz
RMS DEVM
—
4.28
—
%
99% DEVM
—
100
—
%
Peak DEVM
—
13.3
—
%
RMS DEVM
—
5.8
—
%
99% DEVM
—
100
—
%
Peak DEVM
—
14
—
%
F = F0 ± 1 MHz
—
–46
—
dBm
F = F0 ± 2 MHz
—
–44
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–49
—
dBm
F = F0 +/–> 3 MHz
—
—
–53
dBm
—
—
100
—
π/4 DQPSK 调制精度
8 DPSK 调制精度
带内杂散发射
EDR 差分相位编码
%
4.7 低功耗蓝牙射频
4.7.1 接收器
表 16: 低功耗蓝牙接收器特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
灵敏度 @30.8% PER
—
–94
–93
–92
dBm
最大接收信号 @30.8% PER
—
0
—
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
+10
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
–5
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
–5
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–35
—
dB
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
邻道抑制比 C/I
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4
电气特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
—
–45
—
dB
30 MHz ~ 2000 MHz
–10
—
—
dBm
2000 MHz ~ 2400 MHz
–27
—
—
dBm
2500 MHz ~ 3000 MHz
–27
—
—
dBm
3000 MHz ~ 12.5 GHz
–10
—
—
dBm
—
–36
—
—
dBm
最小值
典型值
最大值
单位
F = F0 –3 MHz
带外阻塞
互调
单位
4.7.2 发射器
表 17: 低功耗蓝牙发射器特性
参数
条件
射频发射功率(见表 13 下方说明)
—
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
F = F0 ± 2 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–57
—
dBm
F = F0 ± > 3 MHz
—
–59
—
dBm
∆ f 1avg
—
—
—
265
kHz
∆ f 2max
—
210
—
—
kHz
∆ f 2avg /∆ f 1avg
—
—
+0.92
—
—
ICFT
—
—
–10
—
kHz
漂移速率
—
—
0.7
—
kHz/50 µs
偏移
—
—
2
—
kHz
邻道发射功率
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5
原理图
模组内部元件的电路图。
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5 原理图
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图 3: ESP32PICOV3 原理图
6
外围设计原理图
6 外围设计原理图
模组与外围器件(如电源、天线、复位按钮、JTAG 接口、UART 接口等)连接的应用电路图。
图 4: ESP32PICOV3 外围设计原理图
说明:
为确保芯片上电时的供电正常,EN 管脚处需要增加 RC 延迟电路。RC 通常建议为 R = 10 kΩ,C = 1 µF,但具体数值仍
需根据模组电源的上电时序和芯片的上电复位时序进行调整。芯片的上电复位时序图可参考《ESP32 技术规格书》中
的电源管理章节。
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6
外围设计原理图
5
4
3
Discharge Circuit
VCC
1
2
SW1
CAP Added By User
D1
VDD33
Q1
+ C1
ESP Module
Bulk CAP
R2
R1
100K
1K
GND
GND
GND
GND
图 5: VDD33 放电电路图
说明:
放电电路用在需要快速反复开关 VDD33,且 VDD33 外围电路上有大电容的场景。详情请参考《ESP32 技术规格书》中
电源管理章节。
U1
GND
VBAT
R1
0R
3
1
GND
2
CHIP_PU
VCC
RESET#
Power Supply Supervisor
R2
100K
GND
图 6: 复位电路
说明:
当使用电池给 ESP32 系列芯片和模组供电时,为避免电池电压过低导致芯片进入异常状态不能正常启动,一般推荐外
接 Power Supply Supervisor。建议检测到供给 ESP32 的电压低于 3.0 V 时将 ESP32 的 CHIP_PU 脚拉低。
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7
封装信息
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7 封装信息
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图 7: ESP32PICOV3 封装信息
6.73
4.50
0.50
49
4.00
36
GND Via Ø0.25
C0.5
2.10
1
37
封装信息
48
7
R0.
0.25
05
25
12
24
0.68
13
0.50
2.10
4.00
4.50
6.73
Copper
0.78
0.35
Solder mask opening
Via
0.25
0.68
Details of recommended copper-defined pad.
Unit: mm
Tolerance: +/- 0.05 mm
Notes:
1. It is recommended to use copper-defined pad for Pin 1 to Pin 48 and
solder-mask-defined pad for Pin 49 (thermal pad).
2. This drawing is subject to change without notice.
图 8: ESP32PICOV3 封装图形
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7.71
7.00
6.05
3.90
2.40
1.80
封装信息
0.30
7
0.30
1.80
2.40
3.90
6.05
7.00
7.71
Notes:
1. It is recommended to use a stencil of 80 um
thickness.
2. This drawing is subject to change without
notice.
Copper
Paste mask opening
Recommended via drill size: 0.25 mm
Unit: mm
Tolerance: +/- 0.05 mm
图 9: ESP32PICOV3 STENCIL
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8
产品处理
8 产品处理
8.1 存储条件
密封在防潮袋 (MBB) 中的产品应储存在 < 40 °C/90% RH 的非冷凝大气环境中。
模组的潮湿敏感度等级 (MSL) 为 3 级。
真空袋拆封后,在 25±5 °C、60% RH 下,必须在 168 小时内使用完毕,否则就需要烘烤后才能二次上
线。
8.2 ESD
• 人体放电模式 (HBM):2000 V
• 充电器件模式 (CDM):500 V
• 空气放电:6000 V
• 接触放电:4000 V
(℃)
8.3 回流焊温度曲线
235 ~ 250 ℃
250
150 ~ 200 ℃
217
200
217 ℃ 60 ~ 90 s
60 ~ 120 s
–1 ~ –5 ℃/s
> 30 s
1 ~ 3 ℃/s
100
50
25
(s)
0
50
0
—
—
—
—
—
100
150
25 ~ 150 ℃
60 ~ 90 s
1 ~ 3 ℃/s
150 ~ 200 ℃
60 ~ 120 s
>217 ℃
60 ~ 90 s
235 ~ 250 ℃
~ 180 ℃
–1 ~ –5 ℃/s
(SAC305)
200
250
30 ~ 70 s
图 10: 回流焊温度曲线
说明:
建议模组只过一次回流焊。如果 PCBA 需要多次回流焊,则在最后一次回流焊时将模组放在 PCB 上方。
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9 MAC 地址和 eFuse
9 MAC 地址和 eFuse
芯片 eFuse 已烧写 48 位 mac_address,芯片工作在 station、AP、BLE 或 Ethernet 模式时,实际使用的 MAC
地址与 mac_address 的对应关系如下:
• Station 模式:mac_address
• AP 模式:mac_address + 1
• BLE 模式:mac_address + 2
• Ethernet 模式:mac_address + 3
1 Kbit 的 eFuse 中 256 bit 为系统专用 (MAC 地址和芯片设置),其余 768 bit 保留给用户程序, 包括 flash 加密和
芯片 ID。
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10 学习资源
学习资源
10
10.1
必读资料
访问以下链接可下载有关 ESP32 的文档资料。
• 《ESP32 技术规格书》
本文档为用户提供 ESP32 硬件技术规格简介,包括概述、管脚定义、功能描述、外设接口、电气特性等。
• 《ESP32 ECO V3 使用指南》
本文介绍 ESP32 ECO V3 较之前硅片的主要变化。
• 《ESP32 勘误表及解决办法》
本文收录了 ESP32 芯片的硬件问题并给出解决方法。
• 《ESP-IDF 编程指南》
ESP32 相关开发文档的汇总平台,包含硬件手册,软件 API 介绍等。
• 《ESP32 技术参考手册》
该手册提供了关于 ESP32 的具体信息,包括各个功能模块的内部架构、功能描述和寄存器配置等。
• ESP32 硬件资源
压缩包提供了 ESP32 模组和开发板的硬件原理图,PCB 布局图,制造规范和物料清单。
• 《ESP32 硬件设计指南》
该手册提供了 ESP32 系列产品的硬件信息,包括 ESP32 芯片,ESP32 模组以及开发板。
• 《ESP32 AT 指令集与使用示例》
该文档描述 ESP32 AT 指令集功能以及使用方法,并介绍几种常见的 AT 指令使用示例。其中 AT 指令包
括基础 AT 指令,Wi-Fi 功能 AT 指令,TCP/IP 相关 AT 指令等;使用示例包括单连接 TCP 客户端,UDP
传输,透传,多连接 TCP 服务器等。
• 《乐鑫产品订购信息》
10.2
必备资源
以下为有关 ESP32 的必备资源。
• ESP32 在线社区
工程师对工程师 (E2E) 的社区,用户可以在这里提出问题,分享知识,探索观点,并与其他工程师一起解
决问题。
• ESP32 GitHub
乐鑫在 GitHub 上有众多开源的开发项目。
• ESP32 工具
ESP32 flash 下载工具以及《ESP32 认证测试指南》。
• ESP-IDF
ESP32 所有版本 IDF。
• ESP32 资源合集
ESP32 相关的所有文档和工具资源。
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修订历史
修订历史
日期
版本
发布说明
在章节 1.1 中增加 TWAITM ;
2020-11-27
V1.1
更新 RC 延迟电路中的电容值为 1 µF;
添加图 8 和图 9。
2020-04-16
乐鑫信息科技
V1.0
首次发布。
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