RTX062CR200FKTP

RALEC RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 1 1 適用範圍: 1.1 本規範適用於RTX系列低阻無鉛、無鹵素符合RoHS條款的金屬膜晶片電阻器。 1.2 該產品應用於一般電子用途。 2 型別名稱:(例) RTX 型別 金屬膜 晶片 電阻器 Written 06 尺寸 2 端電 極數 03(0603) 05(0805) 2:2個 06(1206) 25(2512) IE Checked G R470 額定功率 ● J=1/10W ● I=1/8W ● G=1/4W ● H=1/5W ● F=1/3W ● C=1/2W ● 1=1.0W ● 2=2.0W ● 3=3.0W 電阻值 F 容差 G 溫度係數 E=± 50ppm/℃ D=±0.5% F=± 100ppm/℃ EX. F=± 1% 4-碼 0.05Ω=R050 G=± 200ppm/℃ G=± 2% 0.47Ω=R470 J=± 5% H=± 300ppm/℃ K= ±75ppm/℃ Approved QA Signing TP 包裝型式(請參閱 IE-SP-054) TE：4 mm Pitch Carrier Tape 4000 pcs TP：4 mm Pitch Carrier Tape 5000 pcs P2：4 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs P3：4 mm Pitch Carrier Tape 15000 pcs P4：4 mm Pitch Carrier Tape 20000 pcs BA：散裝(盒裝) Remark Issue Dep.DATA Center. IT'S NOT UNDER CONTROL FOR PDF FILE PLS NOTE THE VERSION STATED.. Do not copy without permission Series No.60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 2 3 規格表: 型別 RTX03 (0603) 額定 功率 (at 70℃) 額定電流 (Ir) 過負荷電流 (Io) 1 W 10 1 W 5 1 W 3 1 W 8 RTX05 (0805) 1 W 4 1 W 2 1 W 4 1 W 3 Ir=ඥP⁄R Ir:額定電流(A) P:額定功率(W) R:R value(Ω) RTX06 (1206) 1 W 2 1W 1W RTX25 (2512) 2W 3W Io=ඥ5P⁄R Io:過負載電流(A) P:額定功率(W) R:R value(Ω) T.C.R (ppm/℃ ) 溫度係數 D(±0.5%) F(±1%)、G(±2%)、J(±5%) ±75 100mΩ≦R≦360mΩ 100mΩ≦R≦360mΩ ±75 100mΩ ≦R≦360mΩ 100mΩ≦R≦360mΩ ±75 100mΩ≦R≦360mΩ 100mΩ≦R≦360mΩ ±200 ------ 20 mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ ≦R＜ 100mΩ 50mΩ ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R＜1000mΩ 100mΩ≦R＜ 1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R＜1000mΩ 100mΩ≦R＜1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R＜1000mΩ 100mΩ≦R＜1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ ≦R＜100mΩ 50mΩ ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ ≦R＜100mΩ 50mΩ ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±200 ------ 20mΩ≦R＜50mΩ ±200 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±200 ------ 25mΩ≦R＜50mΩ ±50 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±200 ------ 25mΩ≦R＜50mΩ ±50 50mΩ≦R＜100mΩ 50mΩ≦R＜100mΩ ±75 100mΩ≦R≦1000mΩ 100mΩ≦R≦1000mΩ ±50 50mΩ≦R≦100mΩ 50mΩ≦R≦100mΩ 使用溫度範圍 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 阻值範圍 -55℃ ~ +155℃ 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 3 3.1 功率衰減曲線: 使用溫度範圍：-55℃～155℃ 功率需求請依下圖曲線修定之。 70 100 負載功率比(%) 80 60 40 155 20 0 -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環境溫度(℃) 4 尺寸: Unit:mm Type 額定 功率 RTX03 1/10,1/5,1/3 (0603) RTX05 1/8,1/4 1/2 (0805) 1/8 1/4 1/2 RTX06 1/3,1/4,1/2,1 (1206) 1/3,1/4 1/2 1 Dimension H L1 L2 0.45±0.10 0.25±0.15 0.30±0.15 0.60±0.10 0.35±0.20 0.40±0.20 0.55±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 0.60±0.10 0.60±0.20 0.65±0.20 50~ 1000 mΩ 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 25~99 mΩ 0.60±0.10 0.70±0.20 0.70±0.20 0.55±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 0.70±0.10 0.70±0.20 0.70±0.20 100~360 mΩ 1,2 3 W 1.60±0.10 0.80±0.10 20~49 mΩ 2.00±0.10 1.25±0.10 50~999 mΩ 20~ 49 mΩ 3.05±0.10 1.55±0.10 1,2 RTX25 (2512) L Range 100~1000 mΩ 6.30±0.20 3.20±0.20 50~100 mΩ 5 電阻層材料： 備 註 型別 阻值範圍 材料 RTX03 100mΩ ≦ R ≦ 360mΩ CuNi RTX05 20mΩ ≦ R ＜ 1000mΩ CuNi RTX06 20mΩ ≦ R ≦ 1000mΩ CuNi RTX25 25mΩ ≦ R ≦ 1000mΩ CuNi 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 4 6 信賴性試驗項目: 6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Item 項目 Conditions 條件 Specifications規格 Resistors 參考3.規格表 （ R2－ R1） TCR（ppm/℃）＝ R1（ T2－ T1） ×106 Temperature R1:室溫下量測之阻值(Ω) Coefficient of R2:-+125℃下量測之阻值(Ω) Resistance T1:室溫之溫度(℃) 溫度係數 T2:+125℃之溫度(℃)。 依據 JIS-C5201-1 4.8 Short Time 施加5倍的額定功率5秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變化率。 ±1.0% Overload (額定電流值請參考 3.規格表) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 短時間過負荷 依據 JIS-C5201-1 4.13 將晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC一分鐘後測量電 ≧109Ω 極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。 依據 JIS-C5201-1 4.6 Insulation Resistance 絕緣電阻試驗 絕緣材質 A 測試點 印刷保護層面 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 備 註 B 測試點 電阻背面 晶片電阻 壓力彈簧 將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加VAC (參考下列) RTX05,06,25用500VAC－分鐘 依據 JIS-C5201-1 4.7 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 無短路或燒毀現象。 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 5 6.2 機械性能試驗(Mechanical Performance Test) Item 項目 Conditions 條件 Specifications規格 Resistors 使用測試探針在本體中央向下施加10N｛1.02kgf｝的負載持續10 ±1.0% sec.。 Core 外觀無損傷，側導無裂痕 Body Strength RTX05,06,25試探針R0.5 本體強度 RTX03：試探針 R0.2 依據 JIS-C5201-1 4.15 Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜置48 hrs.以上，±1.0% 再量測阻值變化率。 Solvent 外觀無損傷，無G2保護層及錫層 耐溶劑性試驗 依據 JIS-C5201-1 4.29 被Leaching現象。 前處理： 導體吃錫面積應大於95%。 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕度100%及氣 壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的老化測試，取出後靜置 Solderability 於室溫下2小時。 焊錫性 測試方法： 將電阻浸於235±3℃之爐中2±0.5秒後取出置於顯微鏡下觀察焊 錫面積。 依據 JIS-C5201-1 4.17 ◎測試項目一(焊錫爐測試): 測試項目一: 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜置60分鐘以上，再 (1).阻值變化率： ±1.0% 量測阻值變化率。 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 ◎測試項目二(焊鍚爐測試): 浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。置於顯微鏡下 測試項目二: (1).導體吃錫面積應大於95%。 Resistance to 觀察焊錫面積。 Soldering Heat (2).在電極邊緣處不應見到下層的 抗焊錫熱 物質(例如白基板)。 ◎測試項目三(電烙鐵試驗): 加熱溫度:350±10℃ 測試項目三: 烙鐵加熱時間:3+1/-0 sec. 取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜置60鐘以上，再量測阻值變 (1).阻值變化率： ±1.0% 化率。 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 依據 JIS-C5201-1 4.18 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 Item 項目 Conditions 條件 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 6 Specifications規格 Resistors 前處理: 測試項目一: 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕度100%及氣 (1).阻值變化率： ±1.0% 壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的老化測試，取出後靜置 (2).外觀無損傷、無側導脫落。 於室溫下2小時。 ◎測試項目一(固著性測試): 將晶片電阻焊於固著性測試板中，置於端電極測試機上，以半徑 測試項目二: R0.5 之測試探針朝施力方向施加20N力量，並保持10 sec，於負 (1).阻值變化率： ±1.0% 荷下量測阻值變化率。 (2).外觀無損傷、無側導脫落及本 體斷裂發生。 依據JIS-C5201-1 4.32 Joint Strength of Solder 焊錫粘合強度 ◎測試項目二(彎折性測試): 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上，在測試板 中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率。 下壓深度(D):2512, 1206, 0805,D=3mm, 0603 D=5mm Vibration 耐振性試驗 備 註 依據JIS-C5201-1 4.33 將晶片電阻焊於測試板上施加一振動波 震動頻率:10Hz ~ 55Hz ~ 10Hz/分 振幅:1.5mm 測試時間:6hrs(X.Y.Z3個方向各2hrs) 依據 JIS-C5201-1 4.22 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 ±1.0% 外觀無損傷 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 7 6.3 環境試驗(Environmental Test) Item 項目 Conditions 條件 Specifications規格 Resistors 置於155±5℃之烤箱中1000+48/-0 hrs，取出靜置1hr以上再量測 ±1.0% 阻值變化率。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 依據 JIS-C5201-1 4.25 將晶片電阻置入冷熱沖擊試驗箱中，條件如下表，共計循環300 ±1.0% 次後取出，靜置60分鐘再量測阻值變化率。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 測試條件 Thermal Shock 最低溫度 -55±3℃ 冷熱沖擊 最高溫度 150±2℃ 溫度保留時間 15 分鐘 依據 MIL-STD 202 Method 107 置於溫度85±5℃相對濕度85±5%恆溫恆濕槽中，並施加10%額定 ±1.0% Loading Life 電流，90分鐘ON，30分鐘OFF，共1,000hrs取出靜置60分鐘以上 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 in Moisture 再量測阻值變化率。 耐濕負荷 依據 JIS-C5201-1 4.24 置於70±2℃之烤箱中施加額定電流，90分鐘ON，30分鐘OFF， ±2.0% Load Life 共1,000 hrs.取出靜置60分鐘以上再量測阻值變化率。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 負荷壽命 依據 JIS-C5201-1 4.25 將晶片電阻放置-65℃恆溫箱中60分鐘，施加額定電流45分鐘，停 ±1.0% Low Temperature 止施壓15分鐘取出後靜置24 hrs.再量測阻值變化率。 外觀無損傷，無短路及燒毀現象。 Operation 低溫操作 依據MIL-R-55342D 4.7.4 ◎測試項目(冷熱衝擊測試): Whisker長度在50μm之內。 將晶片電阻置放於冷熱衝擊試驗箱內，並依下列條件做測試，試驗 後置於室溫下2小時。 測試條件 最低儲存溫度 -55+0/-10℃ 最高儲存溫度 85+10/-0℃ Whisker試驗 溫度保留時間 10分 溫度循環次數 1,500 ◎檢查 將放大鏡的倍數調至40或大於40的倍數下做視察和測試，如果此 方法難做出判斷，我們可以改用掃描電子顯微鏡(SEM)，且將倍 數調至1000或大於1000倍數下做視察和測試。 依據JEDEC Standard NO.22A121 class2. Resistance to Dry Heat 耐熱性試驗 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 8 7 鍍層厚度: 7.1 鎳層厚度:≧2μｍ 7.2 純錫:≧3μｍ 7.3 電鍍純錫為霧錫 8 電感值 8.1 低電感特性小於5nH(線路頻率在1MHz以下) 9 阻值測試包裝標準量測位置: Unit : mm 背面電極量測 DIM A B RTX03 1.14±0.05 0.46±0.05 RTX05 1.80±0.05 0.35±0.05 RTX06 2.90±0.05 0.35±0.05 RTX25 5.90±0.05 1.60±0.05 TYPE 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 9 10 技術資料(此為建議值，請客戶使用時依實際應用作調整) 10.1 建議焊錫條件： 表面黏著的零組件將在溫度245 °C/3秒下測試其焊錫性。 以下為典型的焊接例子可提供可 靠的焊接且不會造成任何損傷。 10.1.1 Lead Free IR Reflow Soldering Profile 備註:零件最高耐溫260 +5/-0 ℃,10秒。 10.1.2 Lead Free Double-Wave Soldering Profile 10.1.3 烙鐵焊錫方法:350±10℃ 3秒之內。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 10 10.2 建議Land Pattern Design(For Reflow Soldering)： 當元件被焊接時，焊接後的電阻值根據焊接區域的大小和焊接量的不同而稍有變化。設計電 路時，有必要考慮其電阻值降低或增加的影響。 Unit:mm DIM A B C RTX03 0.8 2.1 0.9 RTX05 1.2 3.0 1.3 RTX06 2.2 4.2 1.6 RTX25 3.8 8.0 3.5 TYPE 10.3 使用環境注意事項: 此規格產品為一般電子用途，RALEC將不為任何使用在特殊環境下，使用此規格產品 導致之損害、費用或損失負責，如有其他應用需與RALEC進行確認是否適用。 若客戶端有意於特殊環境或狀態下使用本公司產品(包括但不限於如下所示)，則需針對下列 或其他運用環境各別承認產品特性及信賴性。 (a) 運用於高溫高濕之環境。 (b) 於接觸海風或運用於其他腐蝕性氣體之環境:Cl2、H2S、NH3、SO2及NO2。 (c) 於非驗證過液體中使用，包括水、油、化學品及有機溶劑。 (d) 使用非驗證過之樹脂或其他塗層材料來封合或塗層本公司產品。 (e) 於焊錫後之清洗，需使用水溶性清潔劑清洗殘留於產品助焊劑，縱然使用免洗助焊劑仍 建議清洗。 10.4 暫態過載注意事項: 本產品可能對於暫態過載而導致產品之功能喪失，請注意您的製造過程和保存，避免發生高 於產品規格之暫態電流施加在產品上。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 11 10.5 作業及處理注意事項: (a) 作業時需確保電阻邊緣及保護層免於機械應力破壞。 (b) 印刷電路板（PCB）分開或固定在支撐體上時應小心操作，因為印刷電路板（PCB）安 裝的彎曲會對電阻器造成機械應力。 (c) 電阻需於規格中額定功率範圍內使用，尤其當功率超出額定值時，將會負載在電阻上， 有可能因溫度上升造成機器損害。 (d) 若電阻將可能接受大量負載(脈衝波)衝擊時，必須於使用前設置作業環境。 (e) 使用該產品時請在貴司實裝狀態下評估及確認，充分考慮故障安全設計，確保系統上的 安全性。 10.6 CuNi 合金材質之產品特性: 因電阻層為 CuNi 合金的材質特性，會產生較大的熱電動勢(Thermal EMF) ，有可能對客 戶產生功能上影響，客戶應用時須特別留意，或洽原廠討論. 11 儲存及搬運條件: 11.1 在儲存環境25±5℃、60±15%之條件下可儲存二年。 11.2 存儲時請避開如下惡劣環境，以免影響產品性能及焊錫連接性：海風、Cl2、H2S、NH3、 SO2及NO2等腐蝕性氣體的場所，陽光直射、結露場所。 11.3 產品搬運、存儲時請保證箱體的正確朝向，嚴禁摔落、擠壓箱體，否則可能造成產品電極或 本體受損。 12 電子信息產品標示外箱上以下列標籤進行標示:(外銷中國大陸) 電子信息產品污染控制標誌 包裝回收標誌 13 附件: 13.1 文件修訂記錄表 備 註 (QA-QR-027) 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 RTX 系列低阻值金屬膜晶片電阻器規格標準書 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-075 2020/07/10 12 Legal disclaimer RALEC 及其經銷商與代理商(以下統稱”RALEC”)不因任何產品相關資訊(包括但不限於產品規 格、資料、圖片和圖表)中包含的任何錯誤、不正確或不完整，而承擔任何責任。RALEC 可能 隨時對產品相關資訊進行更改、修訂或改善，恕不另行通知。 RALEC 對於其產品使用於特殊目的之適用性或其任何產品的持續生產不為任何承諾、保證及/ 或擔保。在法律准許的最大程度内，RALEC 不承擔任何下述之責任：(i)因應用或使用任何 RALEC 產品而產生之任何及所有責任，(ii)任何及所有責任，包括但不限於因 RALEC 產品所造成或與 RALEC 產品相關的利潤損失或是直接損害、間接損害、特別損害、懲罰性損害、衍生性損害或 附帶性損害，及(iii)任何及所有默示保證，包括產品適用於特殊用途、非侵權、及適銷性。 RALEC 將此產品定義為一般電子用途，不適用於任何車用電子、醫療救生或維生設備，亦不適 用於當 RALEC 產品故障時，可能造成人員傷亡之任何應用上。 RALEC 所提供的任何及所有 的關於產品應用上的技術建議，均為無償提供，RALEC 對於採用該等技術建議及可獲取的結果， 不承擔任何義務及責任，採用該等建議之所有風險，概由買方承擔。買方將 RALEC 產品使用於 與其他材料或原料結合、或實施於其任何製程中之組合，所產生的所有風險及責任，概由買方 承擔，不論 RALEC 對於產品的使用給予任何口頭或書面的技術説明、建議或其他。 此處所提供之資訊僅為說明產品規格，產品未變更時，RALEC 保有修改此內容不另行通知之所 有權利，任何產品變更將會以 ECN 公布。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60