SK306P

物料型号：FDN306P

器件简介：P-Channel Enhancement Mode MOSFET，具有超低导通电阻和高密度单元设计，适用于表面贴装封装。

引脚分配：文档中未明确提供引脚分配信息。

参数特性： - 漏源电压（VDs）：-16V - 栅源电压（Vas）：+8V - 连续漏电流（ID）：-3A

功能详解： - 阈值电压（VGS(th)）：在VGS=-0.45V至-1.5V之间 - 导通电阻（RDS(ON)）：在VGS=-4.5V时为160mΩ，在VGS=-2.5V时为240mΩ - 漏源二极管正向电压（VSD）：在VGS=0V，IS=-1.25A时为-1.8V

应用信息：适用于电源管理、便携设备和电池供电系统。

封装信息：SOT-23表面贴装封装。