BFG540/X

BFG540 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 1. 简述： 本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低 漏电流、金材质引出结构，具有较高的可靠性； 主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和 光纤传输中的中继放大器等产品； 集电极-发射极击穿电压：BVCEO=12V，最大集电极电流：IC=120mA,集电 极耗散功率：PC=400mW，特征频率：fT=9GHz； 采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 表面贴塑封， BFG540 与 BFG540/X 的封装形式相同，引脚的定义不同。 2. 封装形式和引脚定义： 型号(Model) BFG540 BFG540/X 封装形式(Package) SOT143B SOT143B 本体激光标示(Marking) WMG WMM 引脚(Pin)1 collector collector 引脚(Pin)2 base emitter 引脚(Pin)3 emitter base 引脚(Pin)4 emitter emitter 3. 极限参数（Tamb=25℃）： 参数名称 集电极-基极击穿电压 集电极-发射极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极电流 耗散功率 最高结温 储存温度 www.slkormicro.com 符号 额定值 单位 BVCBO BVCEO BVEBO IC PT TJ 20 15 2.5 120 400 150 V V V mA mW ℃ Tstg -65～+150 ℃ 1 BFG540 4. 电参数及规格（Tamb=25℃）： 参数名称 集电极截止电流 直流电流放大系数 符号 ICBO hFE 特征频率 fT 反馈电容 集电极电容 发射极电容 Cre CC Ce ∣S21∣2 插入功率增益 噪声系数 NF 最大单边功率增益 GUM* 第三阶截取点 ITO 输出电压 VO 输出功率在 1dB 的增 益压缩 PL1 二阶互调失真 d2 * GUM  10 log S 21 2 1  S11 2 1  S 22 2 www.slkormicro.com 测试条件 最小值 VCB=6V,IE=0 VCE=8V,IC=40mA 60 IC=40mA VCE=8V, f=1MHz, Tamb=25℃ IC=iC=0,VCB=8V,f=1MHz IE=ie=0,VCB=8V,f=1MHz IC=iC=0,VEB=0.5V,f=1MHz IC=40mA,VCE=8V,f=900MHz, 15 Tamb=25℃ VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz, Tamb=25℃ VCE=8V,IC=40mA,f=900MHz, Tamb=25℃ VCE=8V,IC=10mA,f=2GHz, Tamb=25℃ IC=40mA,VCE=8V,f=900MHz, Tamb=25℃ IC=40mA,VCE=8V,f=2GHz ， Tamb=25℃ IC=40mA,VCE=8V,RL=50Ω,fp =900MHz,fq=902MHz,Tamb= 25℃ VO=275mV,IC=40mA,VCE=8 V,zs=zL=75Ω,fp=795.25MHz, fq=803.25MHz,fr=803.25MHz ,Tamb=25℃dim=-60dB IC=40mA,VCE=8V,RL=50Ω,f= 900MHz, Tamb=25℃ VO=275mV,IC=40mA,VCE=8 V,fp=250MHz,fq=560MHz, Tamb=25℃ dB 2 典型值 120 最大值 0.05 250 单位 μA 9 - GHz 0.5 0.9 2.0 - pF pF pF 16 - dB 1.3 1.8 dB 1.9 2.4 dB 2.1 - dB 18 - dB 11 - dB 34 - dBm 500 - mV 21 - dBm -50 - dB BFG540 5.典型特征曲线 TYPICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃,unless otherwise specified) Ptot REVERSE TRANSFER CAPACITANCE VS. COLLECTOR Cre(pF) TO BASE VOLTAGE TOTAL POWER DISSIPATION . AMBIENT TEMPERATTURE VS (mW) 1.2 800 1.0 600 VCE