富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
支持三星 AFC 协议
支持 USB BC1.2 DCP
支持 USB Type -C 协议
支持 Apple 2.4A 充电规范
- 配置为 DFP（Source）
支持线损补偿功能
1 特性
固定档位：0/150mV/250mV/400mV
- 广播 3A 电流
支持 USB Power Delivery（PD3.0）以及
安全性
PPS 协议
-过压/欠压保护
- 集成完整 PD 分层通信协议
-CC1/CC2/DP/DM 过压保护
采用 SOP8 封装
- PDO 可配置：5V，9V，12V
- 输出功率高至 36W
- APDO 可配置：5V Prog，9V Prog
2 应用
支持 Quick Charge 2.0/3.0/3.0+协议
AC-DC 适配器
支持华为 FCP 协议
USB 充电设备
3 应用简图
XPD319 应用简图
Version 1.3
第 1 页共 9 页
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
4 概述
XPD319 是一款集成 USB Type-C、USB Power Delivery（PD3.0）以及 PPS、
QC3.0+/QC3.0/QC2.0 快充协议、华为 FCP 快充协议、三星 AFC 快充协议、BC1.2 DCP
以及苹果设备 2.4A 充电规范的多协议端口控制器，为 AC-DC 适配器、车载充电器等
设备提供高性价比的 USB Type-C 端口充电解决方案。
XPD319 内置的 Type-C 协议可以支持 Type-C 设备插入自动唤醒，智能识别插头的正
插与反插，并实现连接。XPD319 集成的 PD 协议支持双向标记编码（BMC），集成硬件
的物理层协议和协议引擎，无需软件参与编解码。
XPD319 最高支持 36W 输出功率，广播 PDO 电压可以配置为 5V/9V/12V，可以配置
5V Prog、9V Prog 两档 APDO 电压范围。
XPD319 通过一路可 Sink/Source 的电流源，连接到 AC-DC 或 DC-DC 的反馈引脚实现
动态调节电压的功能。
XPD319 有 VDD 欠压保护，VBUS 过压保护，DP/DM 和 CC1/CC2 过压保护。
XPD319 采用 SOP8 封装形式。
Version 1.3
第 2 页共 9 页
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
USB Type-C PD 多协议控制器
5 引脚定义
引脚序号
1
2
3
4
5
6
7
8
Version 1.3
名称
VBUS
GND
VDD
VFB
CC2
CC1
DP
DM
描述
VBUS 输出检测脚
电源地
芯片供电脚
电压调节端口（接到前端电源反馈点）
Type-C 口配置通路 CC2
Type-C 口配置通路 CC1
Type-C 口数据端口 DP
Type-C 口数据端口 DM
第 3 页共 9 页
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
6 订购信息
料号
PDO 和 APDO 配置
XPD319B18
PDO:5V/3A,9V/2A,12V/1.5A
XPD319A
PDO:5V/3A,9V/2.22A
XPD319B
PDO:5V/3A,9V/2.22A,12V/1.67A
XPD319BP18
XPD319BP
XPD319BP25
XPD319BP30
XPD319BP36
PDO:5V/3A,9V/2A,12V/1.5A
APDO1：3.6-5.9V/3A
APDO2：3.6-11V/1.6A
PDO:5V/3A,9V/2.22A,12V/1.67A
APDO1：3.6-5.9V/3A
APDO2：3.6-11V/1.8A
PDO:5V/3A,9V/2.77A,12V/2A
APDO1：3.6-5.9V/3A
APDO2：3.6-11V/2.25A
PDO:5V/3A,9V/3A,12V/2.5A
APDO1：3.6-5.9V/3A
APDO2：3.6-11V/2.75A
PDO:5V/3A,9V/3A,12V/3A
APDO1：3.6-5.9V/3A
APDO2：3.6-11V/3A
印字
包装
XPD319
XXXXX+XX
SOP8
4K/盘
印字说明：
第一行，XPD319：芯片型号；
第二行，XXXXX：Lot Number，XX：保留信息。
Version 1.3
第 4 页共 9 页
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
选型参考
QC3.0 FCP/SCP AFC VOOC PD3.0 PPS CC CV A+C SR
XPD319
XPD320
XPD618
XPD636
XPD720
XPD738
XPD737
XPD767
XPD818
XPD819
XPD820
XPD920
XPD938
XPD930
XPD977
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
Version 1.3
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
SR
XPD-LINK
MOS
在线
升级
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√
√ √
√ √
√ √
第 5 页共 9 页
√
√
√
√
√
√
√
√
√
Copyright©2021, 云矽半导体
√
√
√
√
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
7 规格参数
7.1 极限工作参数(1)
参数
最小值
最大值
单位
FBO,VDD
-0.3
6.5
V
CC1, CC2, DP, DM
-0.3
13
V
VBUS
-0.3
13
V
结温
-40
150
℃
存储温度
-65
150
℃
耐压（对 GND）
(1) 超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏。长期工作在极限额定值下可能会影响器件
的可靠性。
7.2 ESD 性能
符号
VESD
参数
值
单位
HBM
±2000
V
ESD 测试基于人体放电模型（HBM）。
7.3 推荐工作条件
参数
最小值
典型值
最大值
单位
引脚 FBO,CC1,CC2,DP,DM
0
5
V
引脚 VBUS
0
12
V
引脚 VDD
3
6
V
CVDD 输入电容
0.47
1
RVDD 限流电阻
0.33
0.47
1
kΩ
CC1，CC2(CRX)
330
680
1000
pF
RFB1
系统电压分压电阻
TA
工作环境温度
uF
kΩ
100
-40
85
℃
7.4 热阻值
符号
RθJA
Version 1.3
参数
结温和周围温度之间的热阻
(1)
第 6 页共 9 页
值
单位
40
℃/W
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
7.5 电气特性
如无特殊说明，下述参数均在该条件下取得：TJ= 25℃，VPWR=5V，RVDD=1K
参数
芯片供电相关（VDD）
VVDD
内部供电引脚电压
IVDD
典型静态工作电流
VDD(SHUNT)
VDD 嵌位电压
测试条件
最小
典型
3
最大
单位
5.5
VPWR=5V
IVDD=300uA
300
4.75
V
uA
V
VVDD 升高
VVDD 下降
VDD(ON)-VDD(OFF)
3.5
3
0.5
V
V
V
During transmission
50
1.15
Ω
V
mV
us
VDD 输入欠压检测 UVLO
VDD(ON)
VDD(OFF)
ΔVUVLO
VDD 开启电压
VDD 关断电压
UVLO 迟滞
Transmitter (CC1, CC2)
RTX
VTXHI
VTXLO
tUI
Output resistance
Transmit HIGH
Transmit LOW
Bit unit interval
Rise/fall time of
tBMC
BMC
Receiver (CC1, CC2)
VRXHI
VRXLO
Receive HIGH
Receive LOW
IRP_SRC
CC1/CC2Broadcasti
ng current
-75
75
3.3
Rload=5.1k,Cload=1nF
3A DFP mode, 0 ≤
≤ 2.5V
1.5A DFP mode, 0 ≤ V
≤
1.5V
300
600
ns
800
485
304
840
525
330
885
570
356
166
180
194
uA
0.25
0.325
0.4
V
1
1.25
1.5
s
mV
uA
HVDCP interface (DP, DM)
VDAT(REF)
TGLITCH(DP)HIGH
TGLITCH(DM)LOW
TGLITCH(V)CHANGE
TGLITCH(CONT)CHANGE
RDAT(LKG)
RDM(DWN)
RON(N1)
VTH(PD)
TDPD
ΔIT(UP)
Version 1.3
数据线检测电压
D+高电平扰动滤
波时间
D-低电平扰动滤
波时间
输出电压扰动滤
波时间
连续模式的扰动
滤波时间
D+漏泄电阻
D-下拉电阻
开关 N1 导通电
阻
受电设备连接检
测电压阈值
受电设备连接检
测滤波时间
电压升高时电流
1
RIREF=100KΩ
第 7 页共 9 页
ms
20
40
60
ms
100
150
200
us
300
14.25
500
19.53
800
24.5
KΩ
KΩ
100
Ω
0.25
0.325
0.4
V
120
160
200
ms
2
uA
Copyright©2021, 云矽半导体
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE MICROELECTRONICS GROUP CO., LTD.
USB Type-C PD 多协议控制器
XPD319(文件编号：S&CIC1980)
ΔIT(DO)
源阶跃步长
电压降低时电流
源阶跃步长
RIREF=100KΩ
2
uA
Apple 2.4A 充电模式
VDAT(2.7V)
RDAT(2.7V)
2.57
D+/D-数据线电压
D+/D-数据线输出
阻抗
2.7
2.84
V
12
KΩ
2.7
V
FCP 充电模式
VTX-VOH
VTX-VOL
VRX-VIH
VRX-VIL
Trise
Tfall
D- FCP TX Valid
High
D- FCP TX Valid Low
D- FCP RX Valid
High
D- FCP RX Valid
High
FCP Pulse Rise Time
FCP Pulse Fall Time
0.3
10% - 90%
90% - 10%
V
1.2
V
0.9
V
2.5
2.5
us
us
8 应用和 Layout 注意事项
1) CC1 和 CC2 电容建议值为 680pF；
2) Rvdd 电阻需要承受最大 1/8W 的功率；
3) 功率电流回路尽量避开芯片；
Version 1.3
第 8 页共 9 页
Copyright©2021, 云矽半导体
富满 电子集团股份有限公司
富满微电子集团股份有限公司
FINE MADE
MAD MICROELECTRONICS
ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
XPD319(文件编号：S&CIC1980
S&CIC1980)
USB Type-C PD 多协议
多协议控制器
9 封装信息
Version 1.3
第 9 页共 9 页
Copyright©20
Copyright©2021, 云矽半导体
