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CMS1620B

CMS1620B

  • 厂商:

    CMSEMICON(中微)

  • 封装:

    -

  • 描述:

    CMS1620B

  • 数据手册
  • 价格&库存
CMS1620B 数据手册
Cmsemicon CMS1620B CMS1620B 用户手册 LED 驱动控制专用电路 V1.1 请注意以下有关CMS知识产权政策 *中微半导体公司已申请了专利,享有绝对的合法权益。与中微半导体公司MCU或其他产品有关的专利权并未 被同意授权使用,任何经由不当手段侵害中微半导体公司专利权的公司、组织或个人,中微半导体公司将采取 一切可能的法律行动,遏止侵权者不当的侵权行为,并追讨中微半导体公司因侵权行为所受的损失、或侵权者 所得的不法利益。 *中微半导体公司的名称和标识都是中微半导体公司的注册商标。 *中微半导体公司保留对规格书中产品在可靠性、功能和设计方面的改进作进一步说明的权利。然而中微半导 体公司对于规格内容的使用不负责任。文中提到的应用其目的仅仅是用来做说明,中微半导体公司不保证和不 表示这些应用没有更深入的修改就能适用,也不推荐它的产品使用在会由于故障或其它原因可能会对人身造成 危害的地方。中微半导体公司的产品不授权适用于救生、维生器件或系统中作为关键器件。中微半导体公司拥 有不事先通知而修改产品的权利,对于最新的信息,请参考我们的网站http://www.mcu.com.cn www.mcu.com.cn - 1 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 目录 1. 产品概述 ................................................................................................................................ 1 1.1 功能特性 ........................................................................................................................................................................ 1 1.2 特性说明 ........................................................................................................................................................................ 1 1.3 管脚分布 ........................................................................................................................................................................ 2 2. 指令说明 ................................................................................................................................ 3 3. 显示寄存器地址...................................................................................................................... 5 4. 显示 ....................................................................................................................................... 6 4.1 驱动共阴数码管 ............................................................................................................................................................. 6 4.2 驱动共阳极数码管.......................................................................................................................................................... 7 5. 键扫描和键扫数据寄存器 ....................................................................................................... 8 6. 按键 ....................................................................................................................................... 9 6.1 按键扫描 ........................................................................................................................................................................ 9 7. 串行数据传输格式 ................................................................................................................ 11 8. 应用时串行数据的传输 ......................................................................................................... 12 8.1 地址增加模式 ............................................................................................................................................................... 12 8.2 固定地址模式 ............................................................................................................................................................... 12 8.3 读按键时序 .................................................................................................................................................................. 13 8.4 采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图 .................................................................................................. 14 9. 应用电路 .............................................................................................................................. 16 10. 电气参数 .............................................................................................................................. 18 11. 封装 ..................................................................................................................................... 20 11.1 SOP20 ......................................................................................................................................................................... 20 12. 版本修订说明 ....................................................................................................................... 21 www.mcu.com.cn - 2 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 1. 产品概述 功能特性 1.1 CMS1620B 是一种带键盘扫描接口的 LED(发光二极管显示器)驱动控制专用电路,内部集成有 MCU 数 字接口、数据锁存器、LED 高压驱动、键盘扫描等电路。本产品性能优良,质量可靠。主要应用于 VCR、VCD、 DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。采用 SOP20 的封装形式。 特性说明 1.2 ⚫ 采用功率 CMOS 工艺 ⚫ 显示模式(6 段×7 位 ~ 9 段×4 位) ⚫ 按键(6×1Bit) ⚫ 辉度调节电路(8 级占空比可调) ⚫ 串行接口(CLK,STB,DIO) ⚫ 振荡方式:内置 RC 振荡(450KHz ± 5%) ⚫ 内置上电复位电路 ⚫ 封装形式:SOP20 www.mcu.com.cn - 1 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 管脚分布 1.3 GND 1 20 GRID1 DIO 2 19 GRID2 CLK 3 18 GND STB 4 17 GRID3 K2 5 16 GRID4 VDD 6 15 GRID5/SEG14 SEG1/KS1 7 14 GRID6/SEG13 SEG2/KS2 8 13 GRID7/SEG12 SEG3/KS3 9 12 KS6/SEG6 SEG4/KS4 10 11 KS5/SEG5 CMS1620B CMS1620B 引脚说明: 符号 管脚名称 管脚号 管脚说明 DIO 数据输出/输入 2 在时钟上升沿输入/输出串行数据,从低位开始 CLK 时钟输入 3 STB 片选输入 4 K2 SEG1/KS1~ SEG6/KS6 键扫数据输入 5 在上升沿读取串行数据,下降沿输出数据 在上升或下降沿初始化串行接口,随后等待接收指令。STB 为低后 的第一个字节作为指令,当处理指令时,当前其它处理被终止。当 STB 为高时,CLK 被忽略 输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存 输出(段) 7~12 段输出(也用作键扫描输出) ,P 管开漏输出 GRID1~GRID4 输出(位) 15~16 19~20 位输出,N 管开漏输出 SEG12/GRID7~ SEG14/GRID5 VDD 输出(段/位) 13~15 段/位复用输出,只能选段或位输出 逻辑电源 6 5V±10% GND 逻辑地 1,18 接系统地 注:DIO 口输出数据时为 N 管开漏输出,内置上拉电阻。DIO 在时钟的下降沿控制 N 管的动作,此时 读数是不稳定的,你可以参下图所示,在时钟的上升沿读数才是稳定的。 VCC 芯片内部电路 DIO CT GND www.mcu.com.cn - 2 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 2. 指令说明 指令用来设置显示模式和 LED 驱动器的状态。 在 STB 下降沿后由 DIO 输入的第一个字节作为一条指令。经过译码,取最高 B7、B6 两位以区别不同的 指令。 B7 B6 指令 0 0 显示模式设置 0 1 数据命令设置 1 0 显示控制命令设置 1 1 地址命令设置 如果在指令或数据传输时 STB 被置为高电平,串行通讯被初始化,并且正在传送的指令或数据无效(之 前传送的指令或数据保持有效) 。 1) 显示模式设置 MSB LSB B7 B6 0 0 0 0 0 0 0 0 B5 B4 B3 B2 无关项,填 0 B1 B0 显示模式 0 0 4位9段 0 1 5位8段 1 0 6位7段 1 1 7位6段 该指令用来设置选择段和位的个数(4~7 位,6~9 段) 。当指令执行时,显示被强制关闭。要送显示控制 命令开显示,原先显示的数据内容不会被改变,但当相同模式被设置时,则上述情况并不发生。 2) 数据命令设置 该指令用来设置数据写和读,B1 和 B0 位不允许设置 01 或 11。 MSB LSB B1 B0 功能 说明 1 0 0 1 0 数据读写模式 设置 写数据到显示寄存器 1 地址增加模式 设置 自动地址增加 测试模式设置 (内部使用) 普通模式 B7 B6 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 www.mcu.com.cn B5 B4 B3 B2 0 无关项,填 0 1 - 3 - 读键扫数据 固定地址 测试模式 V1.1 Cmsemicon 3) CMS1620B 显示控制命令设置 MSB LSB B4 B3 说明 B6 B2 B1 B0 1 0 0 0 0 设置脉冲宽度为 1/16 1 0 0 0 1 设置脉冲宽度为 2/16 1 0 0 1 0 设置脉冲宽度为 4/16 1 0 0 1 1 设置脉冲宽度为 10/16 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 设置脉冲宽度为 12/16 1 0 1 1 0 设置脉冲宽度为 13/16 1 0 1 1 1 设置脉冲宽度为 14/16 1 0 0 1 0 1 4) B5 功能 B7 无关项,填 0 消光数量设置 显示开关设置 设置脉冲宽度为 11/16 显示关 显示开 地址命令设置 MSB LSB B3 B2 B1 B0 显示地址 1 0 0 0 0 00H 1 1 0 0 0 1 01H 1 1 0 0 1 0 02H 1 1 0 0 1 1 03H 1 1 0 1 0 0 04H 1 1 0 1 0 1 05H 1 1 0 1 1 0 06H 1 1 0 1 1 1 07H 1 1 0 0 0 0 08H 1 1 0 0 0 1 09H 1 1 0 0 1 0 0AH 1 1 0 0 1 1 0BH 1 1 0 1 0 0 0CH 1 1 0 1 0 1 0DH B7 B6 1 B5 B4 无关项,填 0 该指令用来设置显示寄存器的地址。如果地址设为 0EH 或更高,数据被忽略,直到有效地址被设定。上 电时,地址默认设为 00H。 www.mcu.com.cn - 4 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 3. 显示寄存器地址 该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到 CMS1620B 的数据,地址从 00H-0DH 共 14 字节单元,分 别与芯片 SGE 和 GRID 管脚所接的 LED 灯对应,具体分配如下表所示。 写 LED 显示数据的时候,按照从显示地址从低位到高位,从数据字节的低位到高位操作。 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 B3 B4 xxHL(低 4 位) B0 B1 B2 SEG6 X X X B7 B0 xxHU(高 4 位) B5 B6 X X SEG12 SEG13 B3 B4 xxHL(低四位) B1 B2 SEG14 X X xxHU(高四位) B5 B6 B7 00HL 00HU 01HL 01HU GRID1 02HL 02HU 03HL 03HU GRID2 04HL 04HU 05HL 05HU GRID3 06HL 06HU 07HL 07HU GRID4 08HL 08HU 09HL 09HU GRID5 0AHL 0AHU 0BHL 0BHU GRID6 0CHL 0CHU 0DHL 0DHU GRID7 www.mcu.com.cn - 5 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 4. 显示 驱动共阴数码管 4.1 SEG1 SEG2 SEG1 SEG2 SEG3 b SEG3 GRID1 SEG4 d SEG5 f g e e SEG6 SEG6 a c SEG4 SEG5 DPY a f b GRID1 c d [LEDgn] SEG12 g SEG12 图 4-1:驱动共阴数码管 图 4-1 给出共阴数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0” ,那你需要在 GRID1 为低电平的时候让 SEG1,SEG2,SEG3,SEG4,SEG5,SEG6 为高电平,SEG12 为低电平。 查看显示地址表格,只需在 00H 地址单元里面写数据 3FH,01H 地址单元里面写 00H 就可以让数码管显 示“0” 。 SEG8 SEG7 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 0 0 1 1 1 1 1 1 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 www.mcu.com.cn - 6 - 00H V1.1 Cmsemicon CMS1620B 驱动共阳极数码管 4.2 GRID1 GRID2 GRID1 GRID3 GRID4 B GRID3 SEG1 D GRID5 f g E e GRID6 GRID6 a C GRID4 GRID5 DPY A GRID2 F b SEG1 c d [LEDgn] GRID7 G GRID7 图 4-2:驱动共阳极数码管连接示意图 图 4-2 给出共阳数码管的连接示意图,如果让该数码管显示“0”,那你需要在 GRID1,GRID2,GRID3, GRID4,GRID5,GRID6 为低电平的时候让 SEG1 为高电平,在 GRID7 为低电平的时候让 SEG1 为低电平。 要向地址单元 00H,02H,04H,06H,08H,0AH 里面分别写数据 01H,其余的地址单元全部写数据 00H。 SEG8 SEG6 SEG5 SEG4 SEG3 SEG2 SEG1 SEG0 0 0 0 0 0 0 0 1 00H 0 0 0 0 0 0 0 1 02H 0 0 0 0 0 0 0 1 04H 0 0 0 0 0 0 0 1 06H 0 0 0 0 0 0 0 1 08H 0 0 0 0 0 0 0 1 0AH 0CH 0 0 0 0 0 0 0 0 B7 B6 B5 B4 B3 B2 B1 B0 注:SEG1-11 为 P 管开漏输出,GRID1-7 为 N 管开漏输出,在使用时候,SEG1-11 只能接 LED 的阳极, GRID 只能接 LED 的阴极,不可反接。 www.mcu.com.cn - 7 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 5. 键扫描和键扫数据寄存器 KS6 KS5 KS4 KS3 KS2 KS1 该芯片最大支持的键扫矩阵为 6×1bit,如下所示。 K2 图 5-1:最大支持键扫矩阵示意图 键扫数据储存地址如下所示,先发读键命令后,开始读取按键数据 BYTE1~BYTE3 字节,读数据从低位 开始输出,其中 B0,B2,B3,B5,B6 和 B7 位为无效位,此时芯片输出为 0。芯片 K 和 KS 引脚对应的按键 按下时,相对应的字节内的 BIT 位为 1。 B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 X K2 X X K2 X X X 0 KS1 0 0 KS2 0 0 0 0 KS3 0 0 KS4 0 0 0 0 KS5 0 0 KS6 0 0 0 BYTE1 BYTE2 BYTE3 注: 1) CMS1620B 最多可以读 3 个字节,不允许多读。 2) 读数据字节只能按顺序从 BYTE1 ~ BYTE3 读取,不可跨字节读。例如:硬件上的 K2 与 KS6 对应 按键按下时,此时想要读到此按键数据,必须需要读到第 3 个字节的 B4 位,才可读出数据。 www.mcu.com.cn - 8 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 6. 按键 按键扫描 6.1 按照图 6-1 所示使用示波器观察 SEG1/KS1 和 SEG2/KS2 的输出波形,SEGN/KSN 输出的波形如图 6-2 所示。 1 VCC 接示波器探头1 接示波器探头2 R1 1K R1 1K 2 3 4 5 6 7 8 9 10 GND GRID1 DIO GRID2 CLK GND CMS1620B STB GRID3 K2 GRID4 VDD SEG14/GRID5 SEG1/KS1 SEG13/GRID6 SEG2/KS2 SEG12/GRID7 SEG3/KS3 SEG6/KS6 SEG4/KS4 SEG5/KS5 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 图 6-1:芯片内部扫描波形输出连接图 IC 在键盘扫描的时候 SEGN/KSN 的波形: SEG1/KS1 SEG2/KS2 SEG3/KS3 SEGn/KSn Tdisp=500us 图 6-2:芯片内部扫描波形图 Tdisp 和 IC 工作的振荡频率有关,振荡频率不完全一致。500μs 仅仅提供参考,以实际测量为准。 www.mcu.com.cn - 9 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B KS6 KS5 KS4 KS3 KS2 KS1 一般情况下使用图 6-3,可以满足按键设计的要求。 K2 图 6-3:键扫矩阵示意图 当 S1 被按下的时候,在第 1 个字节的 B1 读到“1”。如果多个按键被按下,将会读到多个“1”;当 S2, S3 被按下的时候,可以在第 1 个字节的 B4 和第 2 个字节胡 B1 读到“1” 。 www.mcu.com.cn - 10 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 7. 串行数据传输格式 读取和接收 1 个 BIT 都在时钟的上升沿操作。 CLK 1 2 3 4 5 6 7 8 DIO B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 STB 图 7-1:数据接收(写数据) CLK DIO 1 2 …… 8 B0 B1 …… B7 B0 B1 B2 B3 STB 送读按键命令 Twait 读取按键数据 图 7-2:数据读取(读数据) 注:读取数据时,从串行时钟 CLK 的第 8 个上升沿开始设置指令到 CLK 下降沿读数据之间需要一个等 待时间 Twait(最小 1μs)。 www.mcu.com.cn - 11 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 8. 应用时串行数据的传输 地址增加模式 8.1 使用地址自动加 1 模式,设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址。起始地址命令字发送完 毕,“STB”不需要置高紧跟着传数据,最多 14BYTE,数据传送完毕才将“STB”置高。 CLK DIO Command1 Command2 Command3 Data1 Data2 …… Data n Command4 STB - Command1:设置显示模式 - Command2:设置数据命令 - Command3:设置显示地址 - Data1~ n:传输显示数据至 Command3 地址和后面的地址内(最多 14bytes) - Command4:显示控制命令 固定地址模式 8.2 使用固定地址模式,设置地址其实际上是设置需要传送的 1BYTE 数据存放的地址。地址发送完毕, “STB” 不需要置高,紧跟着传 1BYTE 数据,数据传送完毕才将“STB”置高。然后重新设置第 2 个数据需要存放的 地址,最多 14BYTE 数据传送完毕, “STB”置高。 CLK DIO Command1 Command2 Command3 Data1 Command4 Data 2 …… Command5 STB - Command1:设置显示模式 - Command2:设置数据命令 - Command3:设置显示地址 1 - Data1:传输显示数据 1 至 Command3 地址内 - Command4:设置显示地址 2 - Data2:传输显示数据 2 至 Command4 地址内 - Command5:显示控制命令 www.mcu.com.cn - 12 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 读按键时序 8.3 CLK DIO Command1 Data1 Data2 Data3 STB Command1:设置显示模式 Data1~3:读取按键数据 www.mcu.com.cn - 13 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图 8.4 1) 采用自动地址加一的程序设计流程图: 开始 设置读键数据命令 (42H) 初始化 读1Byte内容 设置显示模式 (03H) No 将按键值存放在 MCU的寄存器中 设置写显存的数据命令, 采用地址自动加1 (40H) 读完3Byte吗? 设置起始地址 (0C0H) Yes 传送数据 有按键被按下吗? No Yes 按键处理程序 14Byte数据传送完毕了? No Yes 传显示控制命令设置最高亮 度(8FH) www.mcu.com.cn 结束 - 14 - V1.1 Cmsemicon 2) CMS1620B 采用固定地址的程序设计流程图: 开始 传显示控制命令设置最高亮度(8FH) 初始化 设置读键数据命令 (42H) 读1Byte内容 设置显示模式 (03H) No 将按键值存放在 MCU的寄存器中 设置写显存的数据命令, 采用固定地址 (44H) 读完3Byte吗? 设置起始地址 (0C0H) Yes 传送1Byte数据 有按键被按下吗? Yes 重新设置地址 (0C1H) 按键处理程序 传送1Byte数据 No ……传完所有 的数据 www.mcu.com.cn 结束 - 15 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 9. 应用电路 CMS1620B 驱动共阴数码屏硬件电路图如下所示。 LED1 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG12 LED2 a DPY b a SEG2 c f d e SEG1 SEG3 g SEG4 GRID1 e c f SEG6 LED4 SEG1 SEG2 SEG3 SEG4 SEG5 SEG6 SEG12 SEG3 SEG2 SEG1 S1 S2 a SEG2 a c f d e f g e SEG1 SEG2 g c SEG5 d [LEDgn] SEG6 SEG12 g SEG3 b GRID2 SEG4 SEG5 c d SEG6 [LEDgn] SEG12 g DPY b a SEG1 SEG2 c f g SEG3 b GRID4 d e f SEG6 SEG5 SEG4 S5 VCC e c 100μF SEG4 SEG5 d SEG6 [LEDgn] SEG12 g c a f d e e f b g GRID5 c d [LEDgn] g a DPY b a c f g b GRID6 d e e f c d [LEDgn] g S3 S6 CMS1620B NC GRID1 DIO DIO GRD2 CLK CLK GND STB STB GRID3 K2 GRID4 K2 C4 DPY b LED6 a K2 S4 SEG3 SEG4 e f GRID3 b a LED5 SEG1 DPY b a e SEG12 g b d SEG5 d [LEDgn] DPY c f b LED3 a C1 101 C5 VCC C2 104 101 SEG1 C3 SEG2 101 SEG3 SEG4 VDD SEG14/GRID5 SEG1/KS1 SEG13/GRID6 SEG2/KS2 SEG12/GRID7 SEG3/KS3 SEG6/KS6 SEG4/KS4 SEG5/KS5 GRID1 GRD2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 SEG12 SEG6 SEG5 注:滤波电容与芯片 VDD、GND 之间回路尽量短。 www.mcu.com.cn - 16 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B CMS1620B 驱动共阳数码屏硬件电路图如下所示。 LED1 GRID1 GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 LED2 a DPY b a GRID2 c f d e GRID1 e f GRID3 g GRID4 SEG1 c d [LEDgn] GRID2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 SEG3 SEG2 SEG1 S1 S2 a GRID6 GRID2 a c f d e f g e GRID1 GRID2 GRID3 e f b g SEG3 c d [LEDgn] GRID5 GRID6 GRID7 g GRID3 b SEG2 GRID4 GRID5 c d GRID6 [LEDgn] GRID7 g DPY b a GRID1 GRID2 c f g GRID3 b SEG4 d e f SEG6 SEG5 SEG4 S5 VCC e c 100μF GRID4 GRID5 d GRID6 [LEDgn] GRID7 g c a f d e e f b g SEG5 c d [LEDgn] g a DPY b a c f g b SEG12 d e e f c d [LEDgn] g S3 S6 CMS1620B NC GRID1 DIO DIO GRD2 CLK CLK GND STB STB GRID3 K2 GRID4 K2 C4 DPY b LED6 a K2 S4 GRID4 a LED5 GRID1 DPY b a e GRID7 LED4 GRID1 b d GRID5 g DPY c f b LED3 a C1 101 C5 VCC C2 104 101 SEG1 C3 SEG2 101 SEG3 SEG4 VDD SEG14/GRID5 SEG1/KS1 SEG13/GRID6 SEG2/KS2 SEG12/GRID7 SEG3/KS3 SEG6/KS6 SEG4/KS4 SEG5/KS5 GRID1 GRD2 GRID3 GRID4 GRID5 GRID6 GRID7 SEG6 SEG5 注: 1) 滤波电容与芯片 VDD、GND 之间回路尽量短。 2) VDD、GND 之间滤波电容在 PCB 板布线应尽量靠近 CMS1620B 芯片放置,加强滤波效果。 3) 连接在 DIO、CLK、STB 通讯口上下拉三个 100pF 电容可以降低对通讯口的干扰。 4) 因蓝光数码管的导通压降压约为 3V,因此 CMS1620B 供电应选用 5V。 www.mcu.com.cn - 17 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 10. 电气参数 极限参数(Ta = 25℃, Vss = 0V) 参数 符号 范围 单位 逻辑电源电压 VDD -0.5 ~ +7.0 V 逻辑输入电压 VI1 -0.5 ~ VDD+0.5 V LED SEG 驱动输出电流 I01 -100 mA LED GRID 驱动输出电流 I02 +200 mA 功率损耗 PD 400 mW 工作温度 Topt -40 ~ +80 ℃ 储存温度 Tstg -65 ~ +150 ℃ 电气特性(Ta = 25℃,VDD = 5V) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 高电平输出电流 Ioh1 60 mA 低电平输出电流 IOL 100 mA 低电平输出电流 Idout 25 mA 高电平输出电流容许量 Itolsg - - 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD - 低电平输入电压 VIL - - SEG 口下拉电阻 Rd 3.2 KΩ GRID 口上拉电阻 Ru1 2.6 KΩ SEG1~SEG6, SEG12~SEG14 GRID1~GRID7 通讯口上拉电阻 Ru2 12 KΩ CLK,DIO,STB 5 测试条件 V SEG1~SEG6, SEG12~SEG14, Vo = VDD -3V GRID1~GRID7, Vo=0.3V Dout, Vo = 0.3VDD SEG1~SEG6, SEG12~SEG14, Vo = VDD-3V CLK,DIO,STB V CLK,DIO,STB % 0.3 VDD 开关特性(Ta = 25℃,VDD = 4.5 ~ 5.5 V) 参数 传输延迟时间 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 tPLZ - - 300 ns tPZL - - 100 ns CLK → DOUT CL = 15pF, RL = 10KΩ tTZH 1 - - 2 μs SEG1 ~ SEG10 GRID1~GRID4 SEG12/GRID7 ~ SEG14/GRID5 上升时间 CL=300p F tTZH 2 - - 0.5 μs 下降时间 tTHZ - - 1.5 μs CL = 300pF,SEGn,GRIDn 最大输入时钟频率 Fmax - - 1 MHz 占空比 50% 输入电容 CI - - 15 pF - www.mcu.com.cn - 18 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 时序特性(Ta = 25℃,VDD = 4.5 ~ 5V) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 时钟脉冲宽度 PW CLK 500 - - ns - 选通脉冲宽度 PW STB 1 - - μs - 数据建立时间 tSETUP 100 - - ns - 数据保持时间 tHOLD 100 - - ns - CLK →STB 时间 tCLK-STB 1 - - μs CLK↑→STB↑ 等待时间 tWAIT 1 - - μs CLK↑→CLK↓ 时序波形图 PWSTB STB PWCLK PWCLK tSETUP tHOLD TCLK-STB CLK DIN tPLZ tPZL DOUT tTHZ Sn/Gn tTZH 90% 10% www.mcu.com.cn - 19 - V1.1 Cmsemicon CMS1620B 11. 封装 11.1 SOP20 Millimeter Symbol Min Nom Max A - - 2.65 A1 0.10 - 0.30 A2 2.25 2.30 2.35 A3 0.97 1.02 1.07 b 0.35 - 0.43 b1 0.34 0.37 0.40 c 0.25 - 0.29 c1 0.24 0.25 0.26 D 12.70 12.80 12.90 E 10.10 10.30 10.50 E1 7.40 7.50 7.60 e L 1.27BSC 0.70 - L1 θ www.mcu.com.cn 1.00 1.40REF 0 - - 20 - 8° V1.1 Cmsemicon CMS1620B 12. 版本修订说明 版本号 时间 修改内容 V1.0 2018 年 12 月 初始版本 V1.1 2020 年 4 月 更正封装图中的一些错误 www.mcu.com.cn - 21 - V1.1
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