1. 物料型号：KIA3415
2. 器件简介：KIA3415使用先进的沟槽技术，具有出色的RDS(on)、低栅极电荷，并且可以在低至1.8V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。符合ROHS和Sony 259规范，是绿色产品订购选项。
3. 引脚分配：
- 1. Gate（栅极）
- 2. Source（源极）
- 3. Drain（漏极）
4. 参数特性：
- 漏源电压(VDs)：-20V
- 栅源电压(VGs)：+8V
- 连续漏电流(ID)：-4.0A（25°C时）/ -3.5A（70°C时）
- 脉冲漏电流(IoM)：-30A
- 总功率耗散(Po)：1.4W（25°C时）/ 0.9W（70°C时）
- 结温范围(TJ.TSTG)：-55至150°C
5. 功能详解：包括电气特性表，展示了漏源击穿电压、栅极电流、阈值电压、导通状态漏电流、静态漏源导通电阻等参数。
6. 应用信息：适用于负载开关或PWM应用。
7. 封装信息：文档中未明确提供封装信息，但通常这类MOSFET会有特定的封装类型，如TO-220、TO-263等。
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