N 沟道增强型场效应晶体管
N-CHANNEL MOSFET
FHP75N75A
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
ID
VDSS
Rdson-typ( @Vgs=10V)
Qg-typ
产品特性 FEATURES
低栅极电荷
低 Crss (典型值 270pF)
开关速度快
100%经过雪崩测试
高抗 dv/dt 能力
RoHS 产品
平面工艺
75 A
75 V
9..5mΩ
95nC
用途 APPLICATIONS
同步整流
Low gate charge
Low Crss (typical 270pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
Plane process
Synchronous Rectification
封装形式 Package
G
D
等效电路
S
TO-220R
G
D
Equivalent Circuit
S
TO-220SD
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项目
Parameter
符号
Symbol
数值
Value
单位
Unit
FHP75N75A
最高漏极-源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流*
Drain Current -continuous *
最大脉冲漏极电流(注 1)
Drain Current – pulse(note 1)
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩能量(注 2)
Single Pulsed Avalanche Energy(note 2)
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current(note 1)
重复雪崩能量(注 1)
Repetitive Avalanche Current(note 1)
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)
Peak Diode Recovery dv/dt(note 3)
耗散功率
Power Dissipation
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes
VDS
75
V
ID(TC=25℃)
ID(TC=100℃)
75
52
A
A
IDM
300
A
VGS
±25
V
EAS
1080
mJ
IAR
24
A
EAR
50
mJ
dv/dt
5.0
V/ns
PD (TC=25℃)
-Derate above 25℃
94
0.63
W
W/℃
TJ,TSTG
-55~+175
℃
TL
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
1
Ver-1.0
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Tests conditions
最小
Min
典型
Typ
最大
Max
单位
Units
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
75
-
-
V
ID=250μA, referenced to 25℃
-
0.8
-
V/℃
VDS=75V,VGS=0V, TC=25℃
-
-
1
μA
VDS=60V, TC=125℃
-
100
μA
VDS=0V, VGS =±20V
-
-
±100
nA
1.0
1.5
3.0
V
关态特性 Off –Characteristics
漏-源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain
Current
栅极体漏电流
Gate-body leakage current
ΔBVDSS/Δ TJ
IDSS
IGSS(F/R)
-
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
RDS(ON)
VGS =10V , ID=40A
-
9.5
12
mΩ
VDS = 20V, ID=40A(note 4)
-
90
-
S
1.7
-
Ω
4700
-
370
-
270
-
60
-
ns
60
-
ns
170
-
ns
50
-
ns
95
-
nC
20
-
nC
30
-
nC
-
75
A
-
300
A
0.82
1.3
V
40
-
ns
55
-
nC
gfs
动态特性 Dynamic Characteristics
f=1.0MHz,
栅电阻
Rg
V
DS OPEN
Gate Resistance
输入电容
Ciss
Input capacitance
VDS=25V,
输出电容
Coss
VGS =0V,
Output capacitance
f=1.0MHz
反向传输电容
Crss
Reverse transfer capacitance
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间
td(on)
Turn-On delay time
VDS=38V,
上升时间
tr
ID=30A,
Turn-On rise time
RG=6Ω
延迟时间
td(off)
VGS =10V
Turn-Off delay time
(note 4,5)
下降时间
tf
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Qg
VDS =60V ,
Total Gate Charge
ID=30A ,
栅-源电荷
Qgs
V
GS =10V
Gate-Source charge
(note 4,5)
栅-漏电荷
Qgd
Gate-Drain charge
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
IS
-Source Diode Forward
Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed
ISM
Drain-Source Diode Forward
Current
正向压降
VSD
VGS=0V, IS=30A
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
trr
Reverse recovery time
VGS=0V, IS=30A ,dIF/dt=100A/μs
(note 4)
反向恢复电荷
Qrr
Reverse recovery charge
2
pF
Ver-1.0
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
符号
Symbol
最大值
Max
单位
Unit
Rth(j-c)
1.6
℃/W
Rth(j-A)
62.5
℃/W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2:L=1mH, IAS=28A, VDD=48V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃
3:ISD ≤75A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃
4:脉冲测试:脉冲宽度 ≤300μs,占空比≤2%
5:基本与工作温度无关
Notes:
1:Pulse width limited by maximum junction temperature
2:L=1mH, IAS=28A, VDD=48V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃
3:ISD ≤75A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃
4:Pulse Test:Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2%
5:Essentially independent of operating temperatur
3
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4
Ver-1.0
5
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6
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7
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印记 Marking:
飞虹LOGO
FEIHONG LOGO
生产批次代码
ASSEMMBLY
LOT CODE
产品代码
PRODUCT CODE
档位
GRANDING CODE
产品型号
PART.NO
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