ULN2001D

达林顿驱动电路系列 ULN2001 ULN2001 三路达林顿晶体管阵列 描述 引脚排列 ULN2001是单片集成高耐压、大电流达林顿管阵 列，电路内部包含三个独立的达林顿管驱动单路。 电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、 步进电机等电感性负载。单个达林顿管集电极可 输出 500mA 电流。将达林顿管并联可实现更高的 输出电流能力。该电路可广泛应用于继电器驱动、 照明驱动、显示屏驱动(LED)、步进电机驱动和逻 辑缓冲器。 ULN2001的每一路达林顿管串联一个 2.7K 的基 极电阻，在 5V 的工作电压下可直接与 TTL/CMOS 电路连接，可直接处理原先需要标准逻辑缓冲器 来处理的数据。 特点 1、500mA 集电极输出电流(单路)； 2、耐高压(50V)； 3、输入兼容 TTL/CMOS 逻辑信号； 4、广泛应用于继电器驱动； 典型应用 1、 继电器驱动； 2、 指示灯驱动； 3、 显示屏驱动。 深圳市兰科半导体科技有限公司 订购信息 型号 ULN2001 封装类型 SOP8 Pb-Free 温度范围 -40℃ ~ +85℃ Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室 1 达林顿驱动电路系列 ULN2001 电路原理图(单路) 钳位二极管公共端(COM) 输出(C) 输入(B) 公共端(E) 单路驱动电路原理图 逻辑图 5 6 7 8 E4 引脚定义 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚功能描述 3 通道输入管脚 2 通道输入管脚 1 通道输入管脚 接地 钳位二极管公共端 1 通道输出管脚 2 通道输出管脚 3 通道输出管脚 引脚名称 3B 2B 1B E COM 1C 2C 3C 深圳市兰科半导体科技有限公司 Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室 2 达林顿驱动电路系列 ULN2001 绝对最大额定值 (TA=25℃, 除另有规定外) 参数 集电极-发射极电压( 7~ 10脚) COM 端电压（6 脚） 输入电压（1~4 脚） 集电极峰值电流 输出钳位二极管正向峰值电流 总发射极最大峰值电流 最高工作结温(2) 焊接温度 储存温度范围 符号 VCE VCOM VI ICP IOK IET TJ (1) (2) 功耗 Tstg 值 -0.5~50 50 -0.5~30 500 500 -1.5 150 260 -60 ~ +150 单位 V V V mA/ch mA A ℃ ℃,10s ℃ PD -- W 注：1、最大功耗可按照下述关系计算 PD  T j  TA  /  JA 2、Tj(max)为 150℃，TA 表示电路工作的环境温度； 3、在玻璃环氧树脂 PCB 板上（30×30×1.6mm 铜 50%） 。 推荐工作条件 (TA=25℃, 除另有规定外) 参数 集电极-发射极电压 符号 VCE 输出电流 IOUT 控制信号输入电压 输入电压 (输出开启) 输入电压（输出关断） 钳位二极管反向电压 钳位二极管正向峰值电流 工作温度范围 VIN 功耗 VIN(ON) VIN(OFF) VR IF TA PD 条件 TPW=25ms TA=85℃ TJ=120℃ Duty=10% 最小值 0 0 最大值 50 233 Duty=50% 0 70 0 24 V 2.8 24 V 0 -40 0.7 50 350 +85 V V mA ℃ -- -- W Iout=400mA hFE=800 TA= 85℃ 单位 V mA/ch 注：在玻璃环氧树脂 PCB 板上（30×30×1.6mm 铜 50%） 。 深圳市兰科半导体科技有限公司 Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室   3 达林顿驱动电路系列 ULN2001 电参数特性表 (TA=25℃, 除另有规定外) 参数 测试图 VI(ON) 导通状态输入电压 图4 VCE(SAT) 集电极-发射极饱和压降 图5 VF 钳位二极管正向压降 ICEX 集电极关断漏电流 图8 图1 图2 II 输入电流 图4 IR CIN tPLH tPHL 钳位二极管反向电流 输入电容 传输延迟 低-高 传输延迟 高-低 图7 图9 图9 测试条件 IC=200mA VCE=2V IC=250mA IC=300mA VI=2.4V IC=30mA VI=2.4V IC=60mA VI=2.4V IC=120mA VI=2.4V IC=240mA VI=2.4V IC=350mA IF=350mA VCE=50V II=0 VCE=50V TA=85℃ VI=0V VIN=12V VIN=6V IC=60mA VIN=4.5V VIN=2.4V VR=50V VL=12V RL=45Ω VL=12V RL=45Ω 最小 典型 1.9 2.0 2.1 0.78 0.82 0.9 1.1 1.25 1.4 4 1.7 1.1 0.35 15 0.15 0.15 最大 2.4 2.7 3 单位 V V 1.6 50 100 V μA mA 100 1 1 μA pF μs μs 参数测试原理图 图1 ICEX测试电路 图2 ICEX测试电路 图3 II (off)测试电路 图 4 II 测试电路 图5 HFE,VCE(sat)测试电路 图7 IR测试电路 深圳市兰科半导体科技有限公司 Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室   4 达林顿驱动电路系列 ULN2001 图8 VR测试电路 图6 VI (on)测试电路 图 9 传输延时波形图 备注：图 9 中电容负载为示波器探头寄生电容 深圳市兰科半导体科技有限公司 Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室   5 达林顿驱动电路系列 ULN2001 8 深圳市兰科半导体科技有限公司 Rev 1.2 深圳市南山区桃源街道西丽云谷二期８栋２０８室   6