物料型号:BUK962R6-40E
器件简介:
- 这是一个使用TrenchMOS技术的逻辑电平N沟道MOSFET,封装在SOT404中。
- 该产品已根据AEC Q101标准设计和认证,适用于高性能汽车应用。
引脚分配:
- 引脚1:G(栅极)
- 引脚2:D(漏极)
- 引脚3:S(源极)
- 引脚mb:D(安装基座;连接到漏极)
参数特性:
- 漏源电压(Vos):最大40V
- 漏极电流(l):最大100A
- 总功耗(Ptot):最大263W
- 漏源导通电阻(RpSon):最小2.35mΩ,典型值2.8mΩ
- 栅漏电荷(QGD):29.1nC
功能详解:
- 该器件符合AEC Q101标准,具有重复雪崩额定值,适用于热要求高的环境,由于175°C的额定值。
- 真正的逻辑电平栅极,175°C时Vgst(th)评级大于0.5V。
应用信息:
- 12V汽车系统
- 电机、灯具和电磁线圈控制
- 启停微混合动力应用
- 传动控制
- 超高性能功率开关
封装信息:
- 封装类型:D2PAK(SOT404)
- 封装描述:塑料单端表面安装封装(D2PAK);3引脚(一个引脚被剪)
订购信息:
- 类型编号:BUK962R6-40E
- 封装:D2PAK
标记代码:
- 类型编号:BUK962R6-40E
- 标记代码:BUK962R6-40E
限制值:
- 漏源电压(Vps):最大40V
- 栅漏电压(VDGR):最大40V
- 栅源电压(VGs):-10V至10V
热特性:
- 从结到安装基座的热阻(Rth(j-mb)):最小0.57K/W
- 从结到环境的热阻(Rth(j-a)):最小50K/W
特性:
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS):最小40V
- 栅源阈值电压(VGs(th)):1.4V至2.45V
- 漏极漏电流(loss):最大1A
- 栅极漏电流(IGss):2nA至100nA
- 漏源导通电阻(RDson):最小2.35mΩ,典型值2.8mΩ
封装外形:
- 提供了D2PAK(SOT404)的封装外形图和尺寸。
法律信息:
- 文档状态、定义、免责声明、出口控制、商标等法律信息。