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PDI-E912

PDI-E912

  • 厂商:

    LUNAOPTOELECTRONICS(Luna Optoelectronics)

  • 封装:

    TO-46-2透镜顶部金属罐

  • 描述:

    EMITTER IR 940NM 180MA TO-46

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
PDI-E912 数据手册
PHOTONIC DETECTORS INC. High-Power & Current GaAs Infrared Emitters Peak Wavelength, 940 nm,Type PDI-E912 PACKAGE DIMENSIONS inch (mm) .038 [0.97] GLASS LENS CAP (WELDED) CL HEADER .041 [1.04] 2X Ø.017 [0.43] 45° C L C L .100 [2.54] CATHODE CL ANODE & CASE .088 [2.24] .017 [0.43] Ø.185 [Ø4.70] Ø.210 [Ø5.33] 940 nm LED CHIP 2X 1.06 [27.0] .230 [5.84] .019 [0.48] SQUARE TO-46 HERMETIC CAN PACKAGE 40O HALF INTENSITY BEAM ANGLE CATHODE DESCRIPTION: The PDI-E912 infrared emitting APPLICATIONS diode uses dual cathode, high current liquid Photoelectric switches phase epitaxially grown GaAs. Optimized for high Reflective switches power, and high current at 940 nm. Packaged in a Medium emission angle Smoke detectors TO-46 can with a glass lens cap. ABSOLUTE MAXIMUM RATING (TA=25OC unless otherwise noted) TYPICAL RADIATION PATTERN 100 SYMBOL PARAMETER MIN MAX UNITS Pd IFP IFP VR To & Ts TS Power Dissipation Continuous Forward Current 360 180 3.0 3.0 +125 +260 Peak Forward Current (100µs pulse,10pps) Reverse voltage Storage & Operating Temperature Soldering Temperature* -65 mW mA A V o C o C *1/16 inch from case for 3 secs max RELATIVE POWER OUTPUT (%) FEATURES Dual cathode High current 80 60 40 20 0 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 BEAM ANGLE, θ (deg) ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS MIN TYP O λP D Dλ Rd tr tf Output Power Forward Voltage Reverse Current Peak Wavelength Spectral Halfwidth Dynamic Resistance Rise Time Fall Time IF = 100 mA IF = 100 mA V R = -3.0 V IF = 50 mA IF = 50 mA IF = 100 mA IF = 100 mA IF = 100 mA 925 MAX 5.0 1.35 1.75 10 955 940 50 0.6 1.1 1.5 TYPICAL POWER OUTPUT DEGRADATION CURVE V F IN VOLTS RELATIVE POWER OUTPUT POWER OUTPUT vs FORWARD CURRENT 1.0 UNITS mW V mA nm nm Ohm µS mS SPECTRAL OUTPUT V F IN VOLTS PO VF IR IF IN AMPS IF IN AMPS TEMPERATURE, ºC Information in this technical data sheet is believed to be correct and reliable. However, no responsibility is assumed for possible inaccuracies or omission. Specifications are subject to change without notice. Optical power and radiant intensity measured using uncapped dimpled TO-46 into integrating sphere.
PDI-E912
根据检索结果,PDF文档中的物料型号为“PDI-E912”,是一款高功率和电流的GaAs红外发射器,峰值波长为940纳米。

它具有以下特点:

- 双阴极 - 高电流 - 中等发射角度

封装尺寸为0.038英寸(0.97毫米),带有焊接的玻璃透镜盖,引脚为2X Ø.017英寸(0.43毫米),阴极和阳极的尺寸分别为0.100英寸(2.54毫米)和0.088英寸(2.24毫米)。

器件采用TO-46密封罐封装,具有40°的半强度光束角度。


应用领域包括光电开关、反射式开关和烟雾探测器等。


参数特性包括: - 功率耗散:最大360mW - 连续正向电流:最大180mA - 峰值正向电流:3.0A(100μs脉冲,10pps) - 反向电压:最大3.0V - 存储和工作温度范围:-65°C至+125°C - 焊接温度:最高+260°C

电光特性包括: - 输出功率:在100mA电流下,最小1.0mW - 正向电压:在100mA电流下,范围1.35V至1.75V - 峰值波长:在50mA电流下,范围925nm至940nm - 光谱半高宽:在50mA电流下,最大50nm - 动态电阻:在100mA电流下,最大0.6Ω - 上升时间:在100mA电流下,最大1.1μs - 下降时间:在100mA电流下,最大1.5ms

功率输出与正向电流的关系,以及典型功率输出退化曲线和光谱输出都以图表形式提供。


技术数据表中的信息被认为是正确可靠的,但可能存在不准确或遗漏,规格如有变更,恕不另行通知。

光学功率和辐射强度是使用未盖盖的凹点TO-46测量的。
PDI-E912 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“PDI-E912”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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