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S16B

S16B

  • 厂商:

    GENESICSEMICONDUCTOR

  • 封装:

    DO-203AA(DO-5)

  • 描述:

    DIODEGENPURP100V16ADO203AA

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S16B 数据手册
S16B thru S16JR Silicon Standard Recovery Diode VRRM = 100 V - 600 V IF =16 A Features • High Surge Capability • Types from 100 V to 600 V VRRM DO-4 Package • Not ESD Sensitive A Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. C A C Stud Stud (R) 3. Stud is base. Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed) S16B (R) S16D (R) S16G (R) S16J (R) Unit VRRM 100 200 400 600 V VRMS 70 140 280 420 V 600 V Parameter Symbol Repetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage DC blocking voltage VDC Conditions 100 200 400 Continuous forward current IF TC ≤ 140 °C 16 16 16 16 A Surge non-repetitive forward current, Half Sine Wave IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms 370 370 370 370 A Operating temperature Storage temperature Tj Tstg -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C °C Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Diode forward voltage Reverse current Symbol VF IR Conditions S16B (R) S16D (R) S16G (R) S16J (R) Unit IF = 16 A, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 175 °C 1.1 10 12 1.1 10 12 1.1 10 12 1.1 10 12 μA mA 2.50 2.50 2.50 2.50 °C/W V Thermal characteristics Thermal resistance, junction case Oct. 2018 RthJC http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/s16b.pdf 1 S16B thru S16JR Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/s16b.pdf 2 S16B thru S16JR Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 4 (DO-203AA) M J P D B G N C E F A A C A C Stud Stud (R) Inches Min Millimeters Max A Oct. 2018 Min Max 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/s16b.pdf 3 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: GeneSiC Semiconductor: S16B
S16B
1. 物料型号:型号为EL817,是一种光耦器件。 2. 器件简介:EL817是一种通用型晶体管输出光电耦合器,具有较高的输入电流驱动能力和高速响应特性。 3. 引脚分配:EL817共有6个引脚,分别为1脚阳极(Anode),2脚阴极(Cathode),3脚输出晶体管的集电极(Collector),4脚输出晶体管的发射极(Emitter),5脚输出晶体管的基极(Base),6脚Vcc。 4. 参数特性:主要参数包括正向电流IF=50mA,反向电压VR=5V,输出晶体管的低电平输出电流IOL=-2.5mA,高电平输出电流IOL=-400μA。 5. 功能详解:EL817通过光电效应实现电信号的隔离,输入端为发光二极管,输出端为晶体管,具有隔离电压高、响应速度快等优点。 6. 应用信息:广泛应用于开关电源、测量设备、通信设备等领域。 7. 封装信息:采用DIP-6封装形式。

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