FR16D02

FR16D02

  • 厂商:

    GENESICSEMICONDUCTOR

  • 封装:

    DO-203AA(DO-5)

  • 描述:

    DIODEGENPURP200V16ADO4

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FR16D02 数据手册
FR16B02 thru FR16JR02 Silicon Fast Recovery Diode VRRM = 100 V - 600 V IF = 16 A Features • High Surge Capability • Types from 100 V to 600 V VRRM DO-4 Package • Not ESD Sensitive A C Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. A C Stud Stud (R) 3. Stud is base. Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed) Parameter Repetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage DC blocking voltage FR16B(R)02 FR16D(R)02 FR16G(R)02 FR16J(R)02 Unit 100 200 400 600 V VRMS 70 140 280 420 V VDC 100 200 400 600 V Symbol Conditions VRRM Continuous forward current IF TC ≤ 100 °C 16 16 16 16 A Surge non-repetitive forward current, Half Sine Wave IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms 225 225 225 225 A Operating temperature Storage temperature Tj Tstg -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C °C Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Diode forward voltage Reverse current Symbol Conditions FR16B(R)02 FR16D(R)02 FR16G(R)02 FR16J(R)02 Unit VF IF = 16 A, Tj = 25 °C VR = 100 V, Tj = 25 °C VR = 100 V, Tj = 150 °C 0.9 25 6 0.9 25 6 0.9 25 6 0.9 25 6 μA mA IF=0.5 A, IR=1.0 A, IRR= 0.25 A 200 200 200 250 nS 1.5 1.5 1.5 1.5 °C/W IR V Recovery Time Maximum reverse recovery time TRR Thermal characteristics Thermal resistance, junction - case Oct. 2018 RthJC http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr16d02.pdf 1 FR16B02 thru FR16JR02 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr16d02.pdf 2 FR16B02 thru FR16JR02 Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 4 (DO-203AA) M J P D B G N C E F A A C A C Stud Stud (R) Inches Min Millimeters Max A Oct. 2018 Min Max 10-32 UNF B 0.424 0.437 10.77 11.10 C ----- 0.505 ----- 12.82 D ------ 0.800 ----- 20.30 E 0.453 0.492 11.50 12.50 F 0.114 0.140 2.90 3.50 G ----- 0.405 ----- 10.29 J ----- 0.216 ----- 5.50 M ----- φ0.302 ----- φ7.68 N 0.031 0.045 0.80 1.15 P 0.070 0.79 1.80 2.00 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr16d02.pdf 3 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: GeneSiC Semiconductor: FR16D02
FR16D02
物料型号:FR16B02至FR16JR02系列硅快速恢复二极管。

器件简介: - 这些二极管具有高浪涌能力,并且不敏感于静电放电。 - 它们提供从100V到600V的反向重复峰值电压(VRRM)。 - 封装类型为DO-4。

引脚分配: - 标准极性:焊盘是阴极。 - 反向极性(R):焊盘是阳极。

参数特性: - 反向重复峰值电压(VRRM):100V至600V。 - 有效值反向电压(VRMS):70V至420V。 - 直流阻断电压(VDC):100V至600V。 - 连续正向电流(IF):在Tos 100°C时为16A。 - 浪涌非重复正向电流(IF.SM):在T=25°C,t=8.3ms时为225A。 - 工作温度范围:-55至150°C。 - 存储温度范围:-55至150°C。

功能详解: - 正向电压(VF):在I=16A,T=25°C时为0.9V。 - 反向电流(IR):在VR=100V,T=25°C时为25A,而在VR=100V,T=150°C时为6mA。 - 最大反向恢复时间(TRR):在l=0.5A,IR=1.0A,IRR=0.25A时为200至250纳秒。

应用信息: - 这些二极管适用于需要高浪涌能力和快速恢复时间的应用。

封装信息: - 封装类型为DO-4(DO-203AA),并提供了详细的封装尺寸和端子配置。
FR16D02 价格&库存

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FR16D02
    •  国内价格
    • 1+127.99080
    • 250+51.07320
    • 500+49.36680
    • 1000+48.52440

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