FR30DR02

厂商：
GENESICSEMICONDUCTOR
封装：
DO-203AB(DO-5)
描述：
DIODEGENPURPREV200V30ADO5

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FR30DR02 数据手册

FR30A02 thru FR30JR02 Silicon Fast Recovery Diode VRRM = 50 V - 600 V IF = 30 A Features • High Surge Capability • Types from 50 V to 600 V VRRM DO-5 Package • Not ESD Sensitive C A Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. A C Stud Stud (R) 3. Stud is base. Maximum ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed) Parameter Repetitive peak reverse voltage RMS reverse voltage DC blocking voltage Symbol Conditions FR30A(R)02 FR30B(R)02 FR30D(R)02 FR30G(R)02 FR30J(R)02 Unit VRRM 50 VRMS VDC 100 200 400 600 V 35 70 140 280 420 V 50 100 200 400 600 V Continuous forward current IF TC ≤ 100 °C 30 30 30 30 30 A Surge non-repetitive forward current, Half Sine Wave IF,SM TC = 25 °C, tp = 8.3 ms 300 300 300 300 300 A Operating temperature Storage temperature Tj Tstg -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C °C Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Diode forward voltage Reverse current Symbol Conditions VF IF = 30 A, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 25 °C VR = 50 V, Tj = 125 °C 1.0 25 10 1.0 25 10 1.0 25 10 1.0 25 10 1.0 25 10 μA mA IF=0.5 A, IR=1.0 A, IRR= 0.25 A 200 200 200 200 250 nS 0.46 0.46 0.46 0.46 0.46 °C/W IR FR30A(R)02 FR30B(R)02 FR30D(R)02 FR30G(R)02 FR30J(R)02 Unit V Recovery Time Maximum reverse recovery time TRR Thermal characteristics Thermal resistance, junction - case Oct. 2018 RthJC http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr30dr02.pdf 1 FR30A02 thru FR30JR02 Oct. 2018 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr30dr02.pdf 2 FR30A02 thru FR30JR02 Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. DO- 5 (DO-203AB) M J K P D B G N C F E A A C A C Stud Stud (R) Inches Min Millimeters Max Max 1/4 –28 UNF A Oct. 2018 Min B 0.669 0.687 17.19 17.44 C ----- 0.794 ----- 20.16 D ----- 1.020 ----- 25.91 E 0.422 0.453 10.72 11.50 F 0.115 0.200 2.93 5.08 G ----- 0.460 ----- 11.68 J ----- 0.280 ----- 7.00 K 0.236 ----- 6.00 ----- M ----- 0.589 ----- 14.96 N ----- 0.063 ----- 1.60 P 0.140 0.175 3.56 4.45 http://www.diodemodule.com/silicon_products/studs/fr30dr02.pdf 3 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: GeneSiC Semiconductor: FR30DR02

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FR30DR02

1. 物料型号：FR30A02至FR30JR02，这些是硅快速恢复二极管的型号，具有不同的反向峰值电压(VRRM)从50V至600V。

2. 器件简介：这些二极管具有高浪涌能力，不敏感于静电放电(ESD)，并且符合RoHS标准。它们采用DO-5封装。

3. 引脚分配：文档中提到了标准极性和反向极性(R)的引脚配置，其中Stud是阳极或阴极。

4. 参数特性：包括重复峰值反向电压(VRRM)、RMS反向电压(VRMS)、直流阻断电压(VDC)、连续正向电流(IF)、浪涌非重复正向电流(IF.SM)、工作温度(T)和存储温度(Tstg)。

5. 功能详解：提供了二极管正向电压(VF)、反向电流(I)、最大反向恢复时间(TRR)和热特性，包括结壳热阻(RthJC)。

6. 应用信息：文档中包含了正向特性图、正向浪涌电流图、正向降额曲线、反向特性图等图表，这些图表有助于理解二极管在不同条件下的性能。

7. 封装信息：提供了DO-5 (DO-203AB)封装的尺寸和端子配置。

8. 授权分销商信息：文档底部提供了Mouser Electronics作为授权分销商的信息，以及如何查看定价、库存、交货和生命周期信息的链接。

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