GHXS050A170S-D3

Preliminary Data Sheet   GHXS050A170S‐D3      1700V SiC SBD Parallel VRRM = 1700V IDAV = 50A @TC= 1250C Power Module   Features  • SiC Schottky Diode  ‐ Zero reverse recovery  ‐ Zero forward recovery  ‐ Temperature Independent switching behavior  ‐ Positive temperature coefficient on VF    • Low stray inductance  • High junction temperature operation     Applications  • Supplies for DC power equipment  • Rectifier for induction heating  • Welding equipment  • High temperature and  rectifiers    Benefits  Parallel  • Outstanding performance at high frequency  operation  • Low  losses and Low EMI noises  • Very rugged and easy mount  • Direct mounting to heatsink (isolated package)  • Low junction to case thermal resistance  • Easy paralleling due to positive TC of VF  • RoHS Compliant   Absolute Maximum Ratings (Tj=25oC unless otherwise specified) Parameters  Symbol  Conditions  Maximum Reverse Voltage  VRRM    Average Forward Current (per SBD)  IDAV  Specifications  0 Tj = 25  C  0 Tj = 150  C  Non‐repetitive Forward Surge Current  IFSM  Tj  Storage Temperature  Page 1 of 5    TSTG        V  150  A  50  A  0 200  A  T=10 s, TC = 25  C  800  t=8.3 ms, TC = 150  C  0 Operating Junction Temperature  Units  1700      Rev. 0.2                     A  ‐55 ~ 175  0 C  ‐55 ~ 150  0 C  01/03/2020  Preliminary Data Sheet   GHXS050A170S‐D3      Electrical Characteristics (Tj=25oC unless otherwise specified) Parameters  Symbol  Conditions  Min  Maximum peak repetitive reverse  voltage  Maximum Reverse Leakage Current  VRRM    IRM  VR = 1700V, Tj = 25 0C  0 VR = 1700V, Tj = 150  C  Diode Forward Voltage  0 VF  IF =  50A, Tj = 25  C   0 IF =  50A, Tj = 150  C  Total Capacitive Charge  0 QC  Switching Time  tC   Total Capacitance  C  VR=1700 V, IF