物料型号:PSBD1DF20V3H THRW PSBD1DF200V3H
器件简介:文档描述的是一种表面安装肖特基势垒整流器(Switching Diode),用于开关电源中。
引脚分配:文档中未明确提供引脚分配信息,但根据SOD123-FL封装的典型布局,可以推断出有两个引脚,一个阳极(Anode)和一个阴极(Cathode)。
参数特性:
- 最大重复峰值反向电压(VRRM):20V至200V
- 最大有效值电压(VRMS):14V至140V
- 最大直流阻断电压(Voc):与VRRM相同
- 最大平均正向整流电流在65°C(IF(AV)):3.0A
- 峰值正向浪涌电流8.3毫秒单半正弦波(IFSM):80A至70A
- 最大正向瞬态电压在1A(VF):0.55V至0.95V
- 最大直流反向电流在25°C(IR):0.5mA至5mA
- 典型结电容(C):250pF至160pF
- 典型热阻(RaJA):115°C/W
- 工作和存储温度范围(T.Tsg):-55°C至+150°C
功能详解:文档提供了正向电流降额曲线、典型反向特性、典型正向特性、典型结电容和最大非重复峰值正向浪涌电流等图表,用于展示器件在不同条件下的性能。
应用信息:适用于单相半波60Hz、阻性或感性负载的开关电源中,对于电容性负载,电流需降额20%。
封装信息:SOD123-FL封装,文档提供了封装的尺寸和推荐的安装焊盘尺寸。