CBM92AD68-80-105-125
产品详参
产品特性
产品优势
低功耗: 700 mW@125 MSPS
电源供电:1.8 V
输出电平:1.8 V CMOS 或 LVDS
信噪比(SNR)=77dBFS
动态范围(SFDR)。
差分输入在最高 300MHz 的输入频率下仍有
很好的信噪比(SNR)。
(Fin=70MHz/Fs=125MSPS)
片内扰动选项可改善模拟输入信号的无杂散
采用 1.8 V 单电源供电,数字输出驱动器则采
无杂散动态范围(SFDR)=85dBc
用独立电源供电,支持 1.8 V CMOS 或 LVDS
(Fin=70MHz/ Fs=125MSPS)
输出
中频采样率达到 300 MHz
内置 1 至 8 整数输入时钟分频器
例如:多种数据编码形式(偏移二进制、二进
小信号输入噪声:−153dBm/Hz (200Ω输入
制补码或格雷码)
、时钟 DCS 使能、节电模式、
阻抗/Fin=70MHz/Fs=125MSPS)
测试模式以及多种基准电压。
可编程内部基准电压源
差分模拟输入范围最大可达 2V 峰峰值
差分模拟输入带宽:650MHz
内置时钟占空比稳定器
95 dB 通道隔离/串扰
串行端口(SPI)控制
用户可配置的内置测试(BIST)功能
节能的掉电模式
标准串行接口(SPI)可配置产品的各种功能,
与 AD9258/AD9268 引脚兼容,16 位产品可
轻松转换至 14 位产品。
产品描述
CBM92AD68 是双通道、16 位、125 MSPS 模数
转换器(ADC),支持需要高性能、低成本、小尺寸
的多功能通信应用。这款双通道的 ADC 内核采用
产品应用
多级差分流水线架构,每个 ADC 均集成高带宽的
雷达系统
差分采样保持电路,支持用户可选的各种输入范围。
分集无线电系统
芯片内部集成了基准电压源,便于简化外部设计。
多模式数字接收机 (3G)
占空比稳定器可用来补偿 ADC 时钟占空比的变化,
GSM
/
EDGE
/
W-CDMA
/
LTE
/
使转换器保持出色的性能。ADC 输出数据可以直接
CDMA2000 / WiMAX / TD-SCDMA
送至两个外部 16 位输出端口,支持 1.8 V CMOS
I/O 解调系统
和 LVDS 两种模式。灵活的掉电选项可明显降低功
智能天线系统
耗。三线式 SPI 兼容型串行接口可配置产品的各种
通用软件无线电
功能。CBM92AD68 采用 64 引脚 QFN 封装,额
宽带数据应用
定温度范围为−40°C 至+85°C 工业温度范围。
超声设备
1
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功能框图
2
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技术规格
ADC 直流规格
除非另有说明,AVDD=1.8V、DRVDD=1.8V、采样速率=125MSPS、VIN=−1.0dBFS 差分输入、1.0V
内部基准电压、DCS 使能。
表 1.
参数
温度
最小值
典型值
最大值
单位
分辨率
全
16
无失码
全
保证
失调误差
全
±0.2
±0.7
% FSR
全
±0.8
±2.5
% FSR
位
精度
增益误差
1
微分非线性(DNL)
全
-1.2
25℃
1
积分非线性(INL)
+1.4
±0.7
LSB
全
±6.0
25℃
LSB
±3.5
LSB
LSB
匹配特性
失调误差
全
±0.2
±0.5
% FSR
增益误差
全
±0.3
±1.3
% FSR
输出电压误差(1V 模式)
全
±5
负载导致电压误差(1.0mA)
全
5
mV
25℃
2.34
LSB rms
全
2
V p-p
全
8
pF
输入共模电压
全
0.9
V
基准电压输入阻抗
全
7
kΩ
内部基准电压
输入端参考噪声
VREF=1.0V
±12
mV
模拟输入
输入范围,VREF = 1.0 V
输入电容
2
电源
电源电压
AVDD
全
1.7
1.8
1.9
V
DRVDD
全
1.7
1.8
1.9
V
电源电流
IAVDD1
全
351
mA
1
全
52
mA
1
全
98
mA
IDRVDD (1.8 V CMOS)
IDRVDD (1.8 V LVDS)
3
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功耗
直流输入
全
正弦波输入 1(1.8 V CMOS)
全
725
700
740
mW
正弦波输入 1(1.8 V LVDS)
全
809
mW
待机功耗 3
全
49
mW
掉电功耗
全
0.5
2.7
mW
mW
1 测量条件为:低输入频率、满量程正弦波、每个输出位的负载约为 5pF。
2 输入电容指一个差分输入引脚与 AGND 之间的有效电容。
3 待机功耗的测量条件为:直流输入、CLK 引脚无动作(设为 AVDD 或 AGND)。
ADC 交流规格
除非另有说明,AVDD = 1.8 V、DRVDD = 1.8 V、采样速率=125MSPS、VIN = −1.0 dBFS 差分输入、
1.0 V 内部基准电压、DCS 使能。
表 2.
参数
温度
最小值
典型值
最大值
单位
信噪比(SNR)
fIN = 30 MHz
25℃
77.9
dBFs
fIN = 70 MHz
25℃
77.0
dBFs
Full
74.7
fIN = 140 MHz
25℃
75.6
dBFs
fIN = 200 MHz
25℃
73.1
dBFs
fIN = 30 MHz
25℃
77.7
dBFs
fIN = 70 MHz
25℃
76.3
dBFs
fIN = 140 MHz
25℃
73.8
dBFs
fIN = 200 MHz
25℃
72.5
dBFs
信纳比(SINAD)
有效位数(ENOB)
fIN = 30 MHz
25℃
12.6
位
fIN = 70 MHz
25℃
12.4
位
4
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产品详参
fIN = 140 MHz
25℃
12.0
位
fIN = 200 MHz
25℃
11.8
位
fIN = 30 MHz
25℃
-86.5
dBc
fIN = 70 MHz
25℃
-85.2
dBc
最差二次/三次谐波
Full
80.0
fIN = 140 MHz
25℃
-80.1
dBc
fIN = 200 MHz
25℃
-78.9
dBc
fIN = 30 MHz
25℃
86.5
dBc
fIN = 70 MHz
25℃
85.2
dBc
80.1
dBc
无杂散动态范围(SFDR)
Full
80.0
fIN = 140 MHz
25℃
fIN = 200 MHz
25℃
78.9
fIN = 30 MHz
25℃
92
fIN = 70 MHz
25℃
88
dBFS
fIN = 140 MHz
25℃
96
dBFS
fIN = 200 MHz
25℃
97
dBFS
fIN = 30 MHz
25℃
104
dBFS
fIN = 70 MHz
25℃
103
dBFS
dBc
无杂散动态范围(SFDR)
Dither 关闭(AIN@-23dBFS)
dBFS
无杂散动态范围(SFDR)
Dither 开启(AIN@-23dBFS)
5
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产品详参
fIN = 140 MHz
25℃
105
dBFS
fIN = 200 MHz
25℃
102
dBFS
串扰(Crosstalk)
25℃
-95
dBc
模拟输入带宽
25℃
650
MHz
串扰测量条件:一个通道输入-1dBFS 100MHz 信号,另一通道无信号
数字规格
除非另有说明,AVDD = 1.8 V、DRVDD = 1.8 V、采样速率=125MSPS、VIN = −1.0dBFS 差分输入、
1.0 V 内部基准电压、DCS 使能。
表 3.
参数
温度
最小值
典型值
最大值
单位
差分时钟输入(CLK+、CLK-)
逻辑兼容
全
CMOS/LVDS/LVPECL
内部共模偏置
全
0.9
差分输入电压
全
0.3
3.6
V p-p
输入电压范围
全
AGND
AVDD
V
输入共模范围
全
0.9
1.3
V
高电平输入电流
全
-100
+100
μA
低电平输入电流
全
-120
+120
μA
输入电容
全
输入电阻
全
V
6.5
8
10
pF
12
kΩ
同步输入
逻辑兼容
全
CMOS
内部偏置
全
0.9
输入电压范围
全
AGND
AVDD
V
高电平输入电压
全
1.2
AVDD
V
低电平输入电压
全
AGND
0.6
V
高电平输入电流
全
-100
+100
μA
低电平输入电流
全
-120
+120
μA
输入电容
全
输入电阻
全
12
高电平输入电压
全
低电平输入电压
全
V
2
16
pF
20
kΩ
1.2
2.1
V
0
0.6
V
逻辑输入(CSB)1
6
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产品详参
高电平输入电流
全
-10
10
μA
低电平输入电流
全
10
100
μA
输入电阻
全
20
kΩ
输入电容
全
2
pF
逻辑输入(SCLK/DFS)2
高电平输入电压
全
1.2
2.1
V
低电平输入电压
全
0
0.6
V
高电平输入电流(VIN=1.8V)
全
-10
-100
μA
低电平输入电流
全
-10
10
μA
输入电阻
全
20
kΩ
全
2
pF
输入电容
逻辑输入(SDIO/DCS)
1
高电平输入电压
全
1.2
2.1
V
低电平输入电压
全
0
0.6
V
高电平输入电流
全
-10
10
μA
低电平输入电流
全
10
100
μA
输入电阻
全
20
kΩ
全
5
pF
输入电容
2
逻辑输入(OEB/PDWN)
高电平输入电压
全
1.2
2.1
V
低电平输入电压
全
0
0.6
V
高电平输入电流(VIN=1.8V)
全
-10
-100
μA
低电平输入电流
全
-10
10
μA
输入电阻
全
25
kΩ
输入电容
全
5
pF
数字输出
CMOS 模式(DRVDD=1.8V)
高电平输出电压
IOH=50μA
全
1.79
V
IOH=0.5mA
全
1.75
V
低电平输出电压
IOL=1.6mA
全
0.2
V
IOL=50μA
全
0.05
V
LVDS 模式(DRVDD=1.8V)
差分输出电压(VOD),ANSI 模式
全
280
330
380
mV
输出偏移电压(VOS),ANSI 模式
全
1.15
1.25
1.35
V
差分输出电压(VOD),小摆幅模式
全
160
200
230
mV
输出偏移电压(VOS),,小摆幅模式
全
1.15
1.25
1.35
V
1 上拉。
2 下拉。
7
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开关规格
除非另有说明,AVDD = 1.8 V、DRVDD = 1.8 V、采样速率=125MSPS、VIN = −1.0dBFS 差分输入、
1.0 V 内部基准电压、DCS 使能。
表 4.
参数
温度
最小值
典型值
最大值
单位
时钟输入参数
时钟输入速率
转换速率
全
625
MHz
1
DCS 使能
全
20
125
MSPS
DCS 禁用
全
10
125
MSPS
时钟周期-分频模式(tCLK)
8
ns
时钟脉宽高电平(tCH)
一分频模式,DCS 使能
全
2.5
4.3
5.7
ns
一分频模式,DCS 禁用
全
3.7
4.2
4.3
ns
二分频至八分频模式
0.85
ns
孔径延时(tA)
全
1.0
ns
孔径不确定(抖动,tJ)
全
0.07
ps rms
全
2.9
数据输出参数
CMOS 模式
数据传播延时(tPD)
2
3.7
4.4
3.3
ns
DCO 传播延时(tDCO)
全
ns
DCO 至数据偏斜(tSKEW)
全
-0.63
数据传播延时(tPD)
全
2.9
DCO 传播延时(tDCO)2
全
DCO 至数据偏斜(tSKEW)
全
CMOS 模式流水线延时
全
13
周期
LVDS 模式流水线延时
全
13/13.5
周期
唤醒时间 3
全
500
μs
超范围恢复时间
全
2
周期
-0.45
0
ns
LVDS 模式
ns
4.1
-0.3
ns
+0.4
+0.7
ns
1 转换速率指分频之后的时钟速率。
2 通过 SPI 向寄存器 0x17 的低 4 位配置相应值可以增加额外的 DCO 延迟时间。
3 唤醒时间指从掉电模式返回正常工作模式所需的时间。
时序规格
8
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产品详参
表 5.
参数
条件
限值
tSSYNC
SYNC 至 CLK+建立时间的上升沿
0.33 ns,典型值
tHSYNC
SYNC 至 CLK+保持时间的上升沿
0.42 ns,典型值
tDS
数据与 SCLK 上升沿之间的建立时间
2.2 ns,最小值
tDH
数据与 SCLK 上升沿之间的保持时间
2.2 ns,最小值
tCLK
SCLK 周期
40.3 ns,最小值
tS
CSB 与 SCLK 之间的建立时间
2.2 ns,最小值
tH
CSB 与 SCLK 之间的保持时间
2.2 ns,最小值
tHIGH
SCLK 高电平脉冲宽度
10.2 ns,最小值
tLOW
SCLK 低电平脉冲宽度
10.2 ns,最小值
tEN_SDIO
相对于 SCLK 下降沿,SDIO 引脚从输入状态切换到输出状态所需的时间
10.2 ns,最小值
tDIS_SDIO
相对于 SCLK 上升沿,SDIO 引脚从输出状态切换到输入状态所需的时间
10.2 ns,最小值
同步时序要求
SPI 时序要求
注:表 5 数据暂为仿真结果。
时序图
图 2 CMOS 默认输出模式数据输出时序
图 3 LVDS 模式数据输出时序
9
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产品详参
图 4 SYNC 输入时序要求
引脚配置与功能描述
标注:封装底部的裸露热焊盘为器件提供模拟地。该焊盘必须与地相连,才能正常工作。
图 5.
并行 CMOS 引脚配置(顶视图)
表 6.引脚功能描述(并行 CMOS 模式)
引脚编号
引脚名称
类型
描述
10,19,28,37
DRVDD
电源
数字输出驱动器电源(标称值 1.8 V)
49,50,53,54,59, 60,63,64
AVDD
电源
模拟电源(标称值 1.8 V)
0
AGND,
地
封装底部的裸露热焊盘为器件提供模拟地。该焊盘必须与地相连。
ADC 电源
裸露焊盘
ADC 模拟
51
VIN+A
输入
通道 A 的差分模拟输入引脚(+)
52
VIN-A
输入
通道 A 的差分模拟输入引脚(−)
62
VIN+B
输入
通道 B 的差分模拟输入引脚(+)
61
VIN-B
输入
通道 B 的差分模拟输入引脚(−)
55
VREF
输入/输出
基准电压输入/输出
10
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56
SENSE
输入
基准电压模式选择
58
RBIAS
输入/输出
外部基准偏置电阻
57
VCM
输出
模拟输入的共模电平偏置输出
1
CLK+
输入
ADC 时钟输入(+)
2
CLK-
输入
ADC 时钟输入(−)
SYNC
输入
数字同步引脚,仅用于从机模式
25
D0A (LSB)
输出
通道 A CMOS 输出数据
26
D1A
输出
通道 A CMOS 输出数据
27
D2A
输出
通道 A CMOS 输出数据
29
D3A
输出
通道 A CMOS 输出数据
30
D4A
输出
通道 A CMOS 输出数据
31
D5A
输出
通道 A CMOS 输出数据
32
D6A
输出
通道 A CMOS 输出数据
33
D7A
输出
通道 A CMOS 输出数据
34
D8A
输出
通道 A CMOS 输出数据
35
D9A
输出
通道 A CMOS 输出数据
36
D10A
输出
通道 A CMOS 输出数据
38
D11A
输出
通道 A CMOS 输出数据
39
D12A
输出
通道 A CMOS 输出数据
40
D13A
输出
通道 A CMOS 输出数据
41
D14A
输出
通道 A CMOS 输出数据
42
D15A (MSB)
输出
通道 A CMOS 输出数据
43
ORA
输出
通道 A 超量程输出
4
D0B (LSB)
输出
通道 B CMOS 输出数据
5
D1B
输出
通道 B CMOS 输出数据
6
D2B
输出
通道 B CMOS 输出数据
7
D3B
输出
通道 B CMOS 输出数据
8
D4B
输出
通道 B CMOS 输出数据
9
D5B
输出
通道 B CMOS 输出数据
11
D6B
输出
通道 B CMOS 输出数据
12
D7B
输出
通道 B CMOS 输出数据
13
D8B
输出
通道 B CMOS 输出数据
14
D9B
输出
通道 B CMOS 输出数据
15
D10B
输出
通道 B CMOS 输出数据
16
D11B
输出
通道 B CMOS 输出数据
17
D12B
输出
通道 B CMOS 输出数据
18
D13B
输出
通道 B CMOS 输出数据
20
D14B
输出
通道 B CMOS 输出数据
21
D15B (MSB)
输出
通道 B CMOS 输出数据
数字输入
3
数字输出
11
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产品详参
22
ORB
输出
通道 B 超量程输出
24
DCOA
输出
通道 A 数据时钟输出
23
DCOB
输出
通道 B 数据时钟输出
45
SCLK/DFS
输入
在外部引脚模式下,SPI 串行时钟/数据格式选择引脚
44
SDIO/DCS
输入/输出
在外部引脚模式下,SPI 串行数据输入/输出/占空比稳定器引脚
46
CSB
输入
SPI 片选(低电平有效)
47
OEB
输入
在外部引脚模式下,输出使能输入(低电平有效)引脚
48
PDWN
输入
在外部引脚模式下,掉电输入引脚。在 SPI 模式下,可以配置为掉电或待机引脚
SPI 控制
ADC 配置
标注:封装底部的裸露热焊盘为器件提供模拟地。该焊盘必须与地相连,才能正常工作。
图 6. 交错并行 LVDS 引脚配置(顶视图)
表 7. 引脚功能描述(交错并行 LVDS 模式)
引脚编号
引脚名称
类型
描述
10,19,28,37
DRVDD
电源
数字输出驱动器电源(标称值 1.8 V)
49,50,53,54,59, 60,63,64
AVDD
电源
模拟电源(标称值 1.8 V)
0
AGND,
地
封装底部的裸露热焊盘为器件提供模拟地。该焊盘必须与地相连。
输入
通道 A 的差分模拟输入引脚(+)
ADC 电源
裸露焊盘
ADC 模拟
51
VIN+A
12
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产品详参
52
VIN-A
输入
通道 A 的差分模拟输入引脚(−)
62
VIN+B
输入
通道 B 的差分模拟输入引脚(+)
61
VIN-B
输入
通道 B 的差分模拟输入引脚(−)
55
VREF
输入/输出
基准电压输入/输出
56
SENSE
输入
基准电压模式选择
58
RBIAS
输入/输出
外部基准偏置电阻
57
VCM
输出
模拟输入的共模电平偏置输出
1
CLK+
输入
ADC 时钟输入(+)
2
CLK-
输入
ADC 时钟输入(−)
SYNC
输入
数字同步引脚,仅用于从机模式
5
D0+ (LSB)
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 0(+)
4
D0− (LSB)
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 0(-)
7
D1+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 1(+)
6
D1−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 1(-)
9
D2+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 2(+)
8
D2−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 2(-)
12
D3+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 3(+)
11
D3−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 3(-)
14
D4+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 4(+)
13
D4−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 4(-)
16
D5+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 5(+)
15
D5−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 5(-)
18
D6+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 6(+)
17
D6−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 6(-)
21
D7+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 7(+)
20
D7−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 7(-)
23
D8+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 8(+)
22
D8−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 8(-)
27
D9+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 9(+)
26
D9−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 9(-)
30
D10+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 10(+)
29
D10−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 10(-)
32
D11+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 11(+)
31
D11−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 11(-)
34
D12+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 12(+)
33
D12−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 12(-)
36
D13+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 13(+)
35
D13−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 13(-)
39
D14+
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 14(+)
数字输入
3
数字输出
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38
D14−
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 14(-)
41
D15+ (MSB)
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 15(+)
40
D15− (MSB)
输出
通道 A/通道 B LVDS 输出数据 15(-)
43
OR+
输出
通道 A/通道 B LVDS 超量程输出 16(+)
42
OR−
输出
通道 A/通道 B LVDS 超量程输出 16(-)
25
DCO+
输出
通道 A/通道 B LVDS 数据时钟输出
24
DCO−
输出
通道 A/通道 B LVDS 数据时钟输出
45
SCLK/DFS
输入
在外部引脚模式下,SPI 串行时钟/数据格式选择引脚
44
SDIO/DCS
输入/输出
在外部引脚模式下,SPI 串行数据输入/输出/占空比稳定器引脚
46
CSB
输入
SPI 片选(低电平有效)
47
OEB
输入
在外部引脚模式下,输出使能输入(低电平有效)引脚
48
PDWN
输入
在外部引脚模式下,掉电输入引脚。在 SPI 模式下,可以配置为掉电或待机引脚
SPI 控制
ADC 配置
典型性能
如无特别说明,测试条件为:AVDD=1.8V,DRVDD=1.8V,采样率 125MSPS,2Vp-p 差分输入,
VIN=-1dBFS,TA=25℃。
图 7 fin=30MHz 的单音 FFT
图 8 fin=70MHz 的单音 FFT
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图 9 fin=140MHz 的单音 FFT
图 10 fin=200MHz 的单音 FFT
图 11 SFDR、SNR 与输入频率的关系
图 12 SFDR、SNR 与输入信号幅度的关系(fin=70MHz,
Dither Off)
图 13 在 Dither 开启和关闭时,SFDR、SNR
与输入信号幅度的关系(fin=70MHz)
应用说明
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输入共模
ADC 模拟输入端无内部直流偏置,在交流耦合应用中用户需提供外部偏置。偏置电压可以来自芯片自身的
VCM 引脚,也可以自主设置,只要满足 VCM = 0.5 × AVDD(或 0.9 V)。通过 VCM 引脚提供模拟输入共
模电压(典型值为 0.5 × AVDD)时,必须和一个 0.1μF 的到地电容连接(图 13、图 14)
,该电容同时起到
稳定芯片内部电路和去耦的作用。如果是自主设置,也建议作同样处理。
差分输入配置
有两种输入配置:1.使用的输入配置是差分变压器耦合,如图 13 的示例。为实现模拟输入偏置,须将 VCM
电压连接到至变压器次级绕组的中心抽头处。2.使用的输入配置是差分双巴伦耦合,见图 14。在这种配置
中,输入交流耦合,共模电平通过一个 33Ω电阻提供给各输入。这些电阻补偿输入巴伦的损耗,向驱动器
提供 50Ω阻抗。表 8 列出了设置 RC 网络的建议值。
图 13 差分变压器耦合输入配置
图 14 差分双巴伦耦合输入配置
表 8. RC 网络示例
频率范围(MHz) 串联电阻 R1(Ω) 差分电容 C1(pF) 串联电阻 R2(Ω) 并联电容 C2(pF)
0 到 100
10~33
5
15
15
100 到 200
10
5
10
10
基准电压连接
CBM92AD68 基准电压的有多种配置模式(见表 10)。第一种模式:SENSE 引脚接地(图 15),此时 VREF
为 1.0 V(相当于 2.0Vp-p 满量程输入)。该条件下还可以通过 SPI 端口调整满量程值,如表 9 所示。第二种
模式:芯片与一个外部电阻分压器相连如图 16,此时 VREF=0.5*(1+R2/R1)。通过调节 R2 和 R1 的比值
可以改变 VREF,R2/R1 比值范围为 0.5~1。第三种模式:SENSE 引脚接 AVDD,见图 17。此时芯片本身
不产生有效的 VREF 电压,需要从外部接入。
无论使用以上何种模式,ADC 的电压输入范围始终是基准电压引脚(VREF)电压的两倍。
图 15 SENSE 引脚接地模式(VREF 内部配置模式)
图 16 外接电阻串模式(VREF 外部配置模式)
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图 17 SENSE 引脚接 AVDD 模式(VREF 需外
部接入)
表 9. VREF 寄存器配置
寄存器地址
寄存器名
Bit7
Bit6
Bit5~Bi
t0
默认值(16 进制)
00 禁用
0x18
VREF 选择
01=1.5V p-p
禁用
10=1.75Vp-p
0XC0
11=2V p-p(默认)
表 10. 基准电压配置总汇
相 应 的 差 分 范 围
所选模式
SENSE 电压
相应的 VREF(V)
外部基准电压
AVDD
N/A
2*外部基准电压
可编程基准电压
0.2 到 VREF
0.5*(1+R2/R1)
2*VREF
内部固定基准电压
AGND 到 0.2V
1.0
2.0
(Vp-p)
时钟输入
CMOS、LVDS、LVPECL 或正弦波信号均可作为 CBM92AD68 时钟输入信号。CLK+和 CLK−引脚有内部
偏置,无需外部偏置。图 18 和图 19 显示两种为 CBM92AD68 提供时钟信号的首选方案(时钟速率可达 625
MHz)。利用射频巴伦或射频变压器,可将低抖动时钟源的单端信号转换成差分信号。对于 625 MHz 的时
钟频率,采用射频巴伦配置;对于 10 MHz 至 200 MHz 的时钟频率,采用射频变压器配置。跨接在变压
器/巴伦次级上的背对背肖特基二极管可以将输入到 CBM92AD68 中的时钟信号限制为约差分 0.8V 峰峰值。
图 18 变压器配置的时钟输入
图 19 巴伦配置的时钟
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寄存器列表:
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注:寄存器 0x08 至 0x18 以及 0x30 寄存器是有备份的,当用户写入希望配置的值时只是写入到备份寄存
器中,并不影响芯片当前的正常工作。只有用户另外配置“传输寄存器”(即向 0xFF 写入 0x01)备份寄
存器的值才会真正写入到对应寄存器中。
封装外形尺寸
图 20 CBM92AD68 封装外形尺寸图 标注:以上尺寸单位为 mm
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