G3S06504H

产品规格书 V2018.1.0 G3S06504H 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 产品特性 • • • • • 产品概览 正温度系数，易于并联使用 不受温度影响的开关特性 最高工作温度 175℃ 零反向恢复电流 零正向恢复电压 VRRM 650 V IF, Tc≤150℃ 4 A QC 11 nC 产品优点 • • • • 单极器件 极大降低开关损耗 并联器件中没有热崩溃 降低系统对散热片的依赖 应用领域 • 开关模式电源(SMPS)，功率因数校正(PFC) • 电机驱动，光伏逆变器，不间断电源， 风力发动机，列车牵引系统，电动汽车。 产品型号 封装形式 打标 G3S06504H TO-220F G3S06504H G3S06504H ©2018 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 - 版权所有 G3S06504H 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 额定值 参数 标识 反向重复峰值电压 反向浪涌峰值电压 反向直流电压 VRRM VRSM VDC 正向平均电流 IF 正向重复峰值电流 IFRM 正向不重复峰值电流 IFSM 耗散功率 PTOT 工作温度 Tj 贮藏温度 Tstg 测试条件 TC=25℃ TC=135℃ TC=150℃ TC=25℃, tp=10ms ， Half Sine Wave，D=0.3 TC=25℃, tp=10ms ， Half Sine Wave TC=25℃ TC=110℃ 单位 650 650 650 11 5 4 15 V A A 35 A 53.2 23 -55℃ to 175℃ W W -55℃ to 175℃ M3 Screw 6-32 Screw 安装扭矩 数值 1 8.8 ℃ ℃ Nm lbf-in 热特性 参数 标识 测试条件 数值 单位 典型值 结到管壳的热阻 G3S06504H Rth JC 7.83 ℃/W ©2018 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 - 版权所有 G3S06504H 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 电学特性，无特殊说明时结温 Tj=25℃ 参数 标识 正向压降 VF 反向电流 IR 测试条件 IF=4A, Tj=25℃ IF=4A, Tj=175℃ VR=650V, Tj=25℃ VR=650V, Tj=175℃ 数值 典型值 最大值 1.57 1.7 1.8 2.5 10 50 20 100 单位 V µA VR=400V, Tj=150℃ 总存储电荷 QC 11 - VR=0V, Tj=25℃, f=1MHZ 181 220 VR=200V, Tj=25℃, f=1MHZ VR=400V, Tj=25℃, f=1MHZ 22.5 20.5 25 21 VR Qc   0 C 总电容 C (V )dV nC pF 性能曲线图 1) 典型正向特性 IF=f(VF)，结温 Tj 为参数 G3S06504H 2)典型反向特性 IR=f(VR)，结温 Tj 为参数 ©2018 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 - 版权所有 G3S06504H 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 3) 不同负载下的电流（Current Derating） （10%，30%，50%，70%，DC） 4)典型电容-反向电压曲线 封装形式：TO-220F G3S06504H ©2018 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 - 版权所有 G3S06504H 650V/4A 碳化硅肖特基功率二极管 说明: ISO9001：2008 质量管理体系要求于 2009 年 3 月 1 日实施。ISO9000 族标准是国际标准化组织（ISO）于 1987 年颁布的在全世界 范围内通用的关于质量管理和质量保证方面的系列标准。ISO9001 质量体系认证是指第三方（认证机构）对企业的质量体系进行 审核、评定和注册活动，其目的在于通过审核、评定和事后监督来证明企业的质量体系符合 ISO9001 标准，对符合标准要求者授 予合格证书并予以注册的全部活动。泰科天润半导体科技（北京）有限公司的 ISO9001：2008 以及其他资质证书信息可以通过 公司官网查询：http://www.globalpowertech.cn/CompVisualize.asp 更多的产品信息和公司信息敬请登陆官网： http://www.globalpowertech.cn/ G3S06504H ©2018 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 - 版权所有