ME8325AD7G

ME8325 原边反馈恒压恒流控制器 ME8325 概述 特点 ME8325 是一款满足六级能效标准原边反馈准谐振 模 式 的 小 功 率 AC/DC 电 源 控 制 芯 片 。 内 部 集 成 了 ● 效率满足六级能效要求 ● 原边反馈(PSR)准谐振（QR）控制技术实现高效率， 650V,2A 的高压功率 MOS 管，最大功率 15W，用于充 无需光耦和ME431 电器，适配器和 LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精 ● ±5%恒压恒流精度 度和小于 100mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电 ● 待机功耗小于100mW 压补偿功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的 EMI ● 内置650V高压MOSFET功率管 性能，满足六级能效标准要求。 ● 最大功率15W 该芯片集成了诸多保护功能，包括：VDD 欠压保护 ● 恒压模式下内置线压降补偿(Cable drop compensation) (UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过流保护，所 ● 内置软启动 有管脚浮空保护，内置前沿消隐，VDD 电压钳位保护， ● 所有管脚浮空保护 过温保护，等等。 ● 输出过压保护 ● 逐周期电流限制 ● 内置前沿消隐(Leading edge blanking) ● VDD欠压保护(UVLO)，过压保护及钳位 ● 过温保护 应用场合 封装形式 ● 充电器 ● 7-pin DIP7 ● 适配器 ● LED照明 V07 www.microne.com.cn Page 1 of 10 ME8325 典型应用图 Vo+ D1 D2 Vo- AC IN C2 C1 EMI Filter D3 D4 ME8325 GND DRAIN R2 DRAIN COMP CS Cc VDD INV Rs R1 图.1 5V1A充电器系统应用图 选购指南 1. 产品型号说明 ME 8325 X X G 环保标识 封装形式: D7-DIP7 功能 产品品种 产品类别 公司标识 产品型号 V07 产品说明 ME8325AD7G 内置 650V 高压 MOSFET 功率管 ME8325BD7G 内置 650V 高压 MOSFET 功率管， 脚位不同 www.microne.com.cn Page 2 of 10 ME8325 芯片脚位图 ME8325AD7G ME8325BD7G 脚位功能说明 功能说明 PIN 脚位 符号名 1 VDD 芯片电源 2 INV 输出电压反馈输入端 3 COMP 4 CS 5,6 DRAIN 7 GND V07 变压器原边电流采样端外接电容，用于恒流电路 变压器原边电流采样端 高压MOSFET的漏极引脚，该引脚连接到变压器原边 芯片地 www.microne.com.cn Page 3 of 10 ME8325 芯片功能示意图 1 VDD Internal supply UVLO DRAIN DRAIN 5 6 OVP POR DEM INV 2 QR/PSR & logic Drop Comp Sample Soft gate drive LEB EA CV Controller (on/off) Constant current regulation 4 CS Vref 3 COMP GND 7 图.2 模块功能示意图 极限参数 参数 参数范围 单位 芯片电源电压 35 V 芯片VDD钳位电流 10 mA COMP, CS输入电压 -0.3 to 7 V INV输入电压 -0.7 to 7 V 储存温度范围 -65~+150 ℃ 工作温度范围 -40~+150 ℃ 焊接温度(焊锡) 260℃,10 秒 ESD 人体模型 2 KV ESD 机器模型 250 V 注释: 超出极限参数可能损毁器件。不建议器件工作在推荐条件以外的情况。长时间运行在绝对最大额定条件下可能 会影响器件的可靠性。 V07 www.microne.com.cn Page 4 of 10 ME8325 推荐工作条件 参数 最小值 典型值 最大值 单位 芯片电源电压VDD 10 - 30 V 环境工作温度 -40 - 85 ℃ 最大开关频率 - 120 - KHz 电气参数 (无特别说明，环境温度= 25℃，VDD输入电压=16V) 符号 参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 - 2 20 μA 芯片电源部分(VDD管脚) VDD=UVLO(ON)-1V ISTART 启动电流 IDD 工作电流 VINV=1V, CL=0.5nF VDD=20V - 1.0 1.5 mA UVLO(on) VDD欠压保护 VDD 电压下降 8.5 9.5 10.5 V UVLO(off) VDD启动电压 VDD 电压上升 14 15.5 16.5 V OVP VDD过压保护 31 33 35 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 33 35 37 V 测试 VDD 端电流 IVDD=7mA 反馈输入部分(INV管脚) VINV_EA_Ref 反馈参考电压 1.98 2.0 2.02 V Tmin_off 最小关断时间 - 2 - μS Tmax_off 最大关断时间 - 2.3 - mS Icable_max 最大线损补偿电流 - 45 - μA 电流检测部分 (CS管脚) LEB CS前沿消隐时间 - 500 - nS TD_OC 芯片关断延迟 - 100 - nS 490 500 510 mV 650 - - V - 4.5 5.6 Ω - 150 - °C 恒流控制部分 (COMP管脚) V_COMP _REF 内部COMP压 MOS功率管部分 BVdss MOS的漏源击穿电压 Vgs=0 Ron 导通电阻 VGS=10V, Id=1.0A TP 过热保护温度 V07 www.microne.com.cn Page 5 of 10 ME8325 典型温度特性曲线 V07 www.microne.com.cn Page 6 of 10 ME8325 应用信息 功能概述 ME8325 是一款原边反馈准谐振模式的 AC/DC 电源控制芯片，内部集成了 650V 的高压功率 MOS 管，用于充电 器，适配器和 LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于 100mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿 功能。采用准谐振控制，实现高效率和良好的 EMI 性能，满足六级能效标准要求。 启动 ME8325 的启动电流非常低，所以 VDD 端电容电压可以很快充至开启电压。启动电路中可以使用一个大阻值的电 阻，在满足启动要求的同时，减小工作时的损耗。 工作电流 ME8325 的工作电流低至 1mA(典型值)，所以 VDD 启动电容可以取更小值，同时可以提高系统转换效率。 原边准谐振控制 ME8325 采用原边反馈准谐振工作模式，大大降低系统成本，实现高效率和良好的 EMI 性能。芯片在恒压和恒流 工作时，采用谷底导通，减小开关损耗，最大限度利用占空比，极大的提高了系统效率，满足六级能效标准要求。 恒流控制 ME8325 具有精确的恒流/恒压控制能力，电池充电器应用中通常具有两种运作模式，恒压充电和恒流充电。当电 池电压过低时，充电器是恒流充电，这是对电池充电的最主要的方式，大部分的能量进入电池。当电池电压达到电池 饱和电压时，充电电流逐渐变小，充电器进入恒压模式。最后，充电电流继续减小直到达到 0。工作在恒流模式下： ICC (mA) = N 500(mV) * 2 Rcs(Ω) 其中：ICC 为系统输出端的输出电流。 RCS 为 CS 与 GND 之间的电阻。 N 为变压器初级和次级线圈的匝数比。 恒压控制 ME8325 的 INV 通过电阻 Ra 和 Rb 的分压检测辅助绕组反馈电压，INV 电压与参考电压间的差值通过误差放大 器放大来控制开关信号的频率。为了提高输出电压的精确度，变压器的漏感应尽可能的降低。输出电压可由下式得出： VOUT=2*(1+Ra/Rb)*（NS/NA）-ΔV V07 www.microne.com.cn Page 7 of 10 ME8325 其中：Ra 和 Rb 为顶端和低端反馈电阻值。 NS 和 NA 为变压器次级和辅助线圈的匝数。 ΔV 表示输出整流二极管的压降 电流检测和前沿消隐 ME8325 提供了逐周期电流限制，功率管电流由连接在 CS 脚上的取样电阻检测。在功率开关导通时，采样电阻 上会出现开启尖峰，为避免由开启尖峰所引起的误操作，在 CS 脚上设置有 500nS 的前沿消隐时间，因此 CS 脚的外 部无需 RC 滤波网络。 输出线压降补偿 常规芯片在恒压模式下，通过改变功率管导通时间来调节反馈电压，其不包括在电线上的压降。这样导致了由于 采用不同规格不同长度的电线，会产生不同的输出电压。ME8325 内建了线压降补偿电路，以此取得更好的负载调整 率。 ME8325 具有线损补偿功能，可补偿输出电压在电线上的压降。通过内置电流流入电阻分压器在 INV 脚位产生补 偿电压。随着转换器负载从空载增大至峰值功率点（恒压与恒流之间的切换点），将通过增大反馈引脚参考电压对输 出电缆上的压降进行补偿。控制器根据状态调节器的输出来决定输出负载以及相应补偿的程度。最大补偿比例可由下 式得出 其中，ΔV 是补偿电压，VOUT 是输出电压，Ra 和 Rb 为与 INV 脚相连的分压电阻。 控制保护 ME8325 集成了完善的保护功能，包括 VDD 欠压保护(UVLO)，VDD 过压保护，软启动，逐周期过流保护，所有 管脚浮空保护，VDD 电压钳位保护，过温保护等等。 V07 www.microne.com.cn Page 8 of 10 ME8325 封装信息 ● 封装类型: DIP7 参数 尺寸（mm） 尺寸（Inche） 最小值 最大值 最小值 最大值 A 3.6 4.0 0.1417 0.1575 A1 0.51 - 0.0200 - A2 3.00 3.40 0.1181 0.0945 A3 1.55 1.65 0.0610 0.0650 b 0.44 0.53 0.0173 0.0209 b1 0.43 0.48 0.0169 0.0189 b2 0.95 1.05 0.0374 0.0413 B1 1.52 (BSC.) 0.0598(BSC.) B2 1.97 2.07 0.0775 0.0815 c 0.25 0.31 0.0098 0.0122 c1 0.24 0.26 0.0094 0.0102 D 9.05 9.45 0.3563 0.3720 E1 6.15 6.55 0.2421 0.2579 e 2.54(BSC.) 0.1(BSC.) eA 7.62(BSC.) 0.3(BSC.) eB 7.62 9.3 0.3 0.3661 eC 0 0.84 0 0.0331 L 3.00 - 0.1181 - V07 www.microne.com.cn Page 9 of 10 ME8325  本资料内容，随产品的改进，可能会有未经预告之更改。  本资料所记载设计图等因第三者的工业所有权而引发之诸问题，本公司不承担其责任。 另外，应用电路示例为产品之代表性应用说明，非保证批量生产之设计。  本资料内容未经本公司许可，严禁以其他目的加以转载或复制等。  本资料所记载之产品，未经本公司书面许可，不得作为健康器械、医疗器械、防灾器械、 瓦斯关联器械、车辆器械、航空器械及车载器械等对人体产生影响的器械或装置部件使 用。  尽管本公司一向致力于提高质量与可靠性，但是半导体产品有可能按照某种概率发生故 障或错误工作。为防止因故障或错误动作而产生人身事故、火灾事故、社会性损害等， 请充分留心冗余设计、火势蔓延对策设计、防止错误动作设计等安全设计。 V07 www.microne.com.cn Page 10 of 10