RTT20102JTE

RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 文件編號 版本日期 頁 次 IE-SP-007 2015/05/06 1/14 1 適用範圍: 1.1 本承認書適用於本公司所生產的無鉛、無鹵素之RTT系列厚膜晶片電阻器。 1.2 本公司之無鉛產品意指符合RoHS要求的端電極無鉛，而存在於電阻層玻璃材料中的 鉛是符合RoHS的鉛排外條款。 1.3 該產品是屬於通用型系列。 1.4 AEC-Q200的報告可依據客戶要求提供。 2 型別名稱: (例) RTT 02 型別 尺寸 厚膜晶片電阻器 01(0201) 02(0402) 03(0603) 05(0805) 06(1206) 12(1210) 18(1812) 20(2010) 25(2512) 100 電阻值 3-碼 EX. 10Ω=100 4.7Ω=4R7 JUMPER=000 4-碼 EX. 10.2Ω=10R2 10KΩ=1002 JUMPER=0000 IE 制訂 審查 QA 核准 J 會簽 Sales 會簽 容差 B =± 0.1% D=± 0.5% F=± 1% G=± 2% J=± 5% TH 包裝型式(請參閱 IE-SP-054) TH：2 mm Pitch Carrier Tape 10000 pcs . . . . . . BA：散裝(盒裝) 備註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. 60 Series No. RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 2/14 文件編號 版本日期 頁 次 3 規格表: 3.1 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω 額定 功率 RTT01 (0201) 1 W 20 25V RTT02 (0402) 1 W 16 50V 100V RTT03 (0603) 1 W 10 75V 150V RTT05 (0805) 1 W 8 150V 300V RTT06 (1206) 1 W 4 200V 400V RTT12 (1210) 1 W 2 200V 400V RTT18 (1812) 3 W 4 200V 400V RTT20 (2010) 3 W 4 200V 400V RTT25 (2512) 1W 200V 400V 型別 使用溫度範圍 備 註 最高 T.C.R 過負荷 (ppm/℃) 電壓 溫度係數 最高 額定 電壓 50V -200 +400 JUMPER (0Ω) 額定電流 阻值範圍 B(±0.1%) E-24、E-96 D(±0.5%) E-24、E-96 F(±1%) E-24、E-96 ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω G(±2%)、J(±5%) J F (±5%) (±1%) E-24 1Ω≦R＜10Ω ±200 47Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦10MΩ ±100 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ±100 ±200 ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦22MΩ 10Ω≦R≦22MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 10Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 3Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦27MΩ 10Ω≦R≦27MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω 1Ω≦R＜10Ω 100Ω≦R≦1MΩ 10Ω≦R≦10MΩ 10Ω≦R≦20MΩ 10Ω≦R≦20MΩ ------ ------ 1Ω≦R＜10Ω -55℃ ~ +155℃ 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 JUMPER (0Ω) 阻值 1Ω≦R＜10Ω J (±5%) F (±1%) 0.5A 0.5A 50mΩ MAX. 35mΩ MAX. 1A 1.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 1A 2A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 2.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 3.5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 4A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 5A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. 2A 7A 50mΩ MAX. 20mΩ MAX. (0201:-55℃ ~ +125℃) 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 3/14 文件編號 版本日期 頁 次 3.2 阻值範圍:＜1Ω 型別 額定功率 最高 額定電流 最高 過負荷電流 RTT02 (0402) 1/16W 1.58A 3.95A RTT03 (0603) 1/10W 3.16A 7.91A RTT05 (0805) 1/8W 3.53A 8.82A RTT06 (1206) 1/3W 5.77A 14.42A RTT12 (1210) 1/2W 7.07A 17.67A RTT18 (1812) 3/4W 8.66A 21.65A RTT20 (2010) 3/4W 8.66A 21.65A RTT25 (2512) 1W 10A 25A T.C.R ( ppm / ℃ ) 溫度係數 ±1500 ±1200 ±600 ±300 ±250 ±200 ±1500 ±1200 ±600 ±300 ±600 ±400 ±1500 ±1200 ±800 ±600 ±200 ±1500 ±1200 ±1000 ±600 ±200 ±1500 ±1000 ±700 ±400 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 ±1500 ±1200 ±900 ±500 ±200 使用溫度範圍 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 阻值範圍 F(±1%)、G(±2%)、J((±5%) E-24、E-96 25 mΩ≦R＜37 mΩ 37 mΩ≦R＜60 mΩ 60 mΩ≦R＜200 mΩ 200 mΩ≦R＜400 mΩ 400 mΩ≦R＜600 mΩ 600 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜37 mΩ 37 mΩ≦R＜60 mΩ 60 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜200 mΩ 200 mΩ≦R＜500 mΩ 500 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜33 mΩ 33 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ 10 mΩ≦R＜19 mΩ 19 mΩ≦R＜25 mΩ 25 mΩ≦R＜50 mΩ 50 mΩ≦R＜100 mΩ 100 mΩ≦R＜1000 mΩ -55℃ ~ +155℃ 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 4/14 文件編號 版本日期 頁 次 3.3 功率衰減曲線: 型別 使用 溫度 範圍 說明 功 率 衰 減 曲 線 圖 RTT01 (0201) 其它 －55℃ ~ ＋125℃ －55℃ ~ ＋155℃ 周圍溫度若超過70℃至125℃之間，功率可照下 周圍溫度若超過70℃至155℃之間，功率可照下 圖曲線予以修定之。 圖曲線予以修定之。 70 100 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 125 20 0 -55 20 40 70 100 60 80 100 120 140 160 環環環環(℃) 負 載 功 率 比 (%) 80 60 40 155 20 0 -55 20 40 60 80 100 120 140 160 環環環環(℃) 3.4 額定電壓或額定電流: 3.4.1 阻值範圍:≧1Ω 額定電壓:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電壓。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電壓時，則以最高額定電壓為其 額定電壓。 E = R×P E=額定電壓(V) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 3.4.2 阻值範圍: ＜1Ω 額定電流:對於額定功率之直流或交流(商用週率有效值rms.)電流。 可用下列公式求得，但求得之值若超過規格表內之最高電流時，則以最高額定電流為其 額定電流。 I = P/R 備 註 I =額定電流(A) P=額定功率(W) R=公稱阻值(Ω) 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 5/14 文件編號 版本日期 頁 次 厚膜晶片電阻器規格標準書 4 尺寸: 4.1 阻值範圍:≧1Ω & 0Ω Unit:mm Dimension Type L W H L1 L2 Size Code RTT01 0201 0.60±0.03 0.30±0.03 0.23±0.03 0.15±0.05 0.15±0.05 RTT02 0402 1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.05 0.20±0.10 0.25±0.10 RTT03 0603 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.30±0.15 0.30±0.15 RTT05 0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.15 RTT06 1206 3.05±0.10 1.55±0.10 0.50±0.10 0.45±0.20 0.35±0.15 RTT18 1812 4.40±0.20 3.15±0.20 .0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.01 RTT12 1210 3.05±0.10 2.55±0.10 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 RTT20 2010 5.00±0.20 2.50±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 RTT25 2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.55±0.10 0.60±0.20 0.60±0.20 4.2 阻值範圍: ＜1Ω Unit:mm Dimension Type 備 註 L W H L1 L2 Size Code RTT02 0402 1.00±0.10 0.50±0.05 0.30±0.10 0.25±0.10 0.20±0.15 RTT03 0603 1.60±0.10 0.80±0.10 0.45±0.10 0.25±0.15 0.35±0.15 RTT05 0805 2.00±0.10 1.25±0.10 0.50±0.10 0.35±0.20 0.35±0.20 RTT06 1206 3.05±0.10 1.55±0.10 0.50±0.10 0.45±0.20 0.55±0.25 RTT12 1210 3.05±0.10 2.55±0.10 0.55±0.10 0.50±0.20 0.50±0.20 RTT18 1812 4.40±0.20 3.15±0.20 .0.47±0.20 0.60±0.20 0.60±0.01 RTT20 2010 5.00±0.20 2.50±0.20 0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 RTT25 2512 6.30±0.20 3.20±0.20 0.60±0.10 0.65±0.20 0.65±0.20 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 厚膜晶片電阻器規格標準書 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 6/14 文件編號 版本日期 頁 次 5 結構圖: 5.1 阻值範圍:≧1Ω & 0 Ω 5 6 7 10 9 3 8 1 2 3 4 5 陶瓷基板 背面內部電極 正面內部電極 電阻層 1st 保護層 2 4 1 Ceramic substrate Bottom inner electrode Top inner electrode Resistive layer 1st Protective coating 2nd 保護層 字碼 側面內部電極 Ni 層電鍍 Sn 層電鍍 2nd Protective coating Marking Terminal inner electrode Ni plating Sn plating 2nd 正面內部電極 G2+MK層 側面內部電極 Ni層電鍍 Sn層電鍍 2nd Top inner electrode G2 layer+Marking Terminal inner electrode Ni plating Sn plating 6 7 8 9 10 5.2 阻值範圍:＜1Ω 1 2 3 4 5 6 備 註 陶瓷基板 1st 正面內部電極 電阻層 背面內部電極 1st保護層 2nd保護層 Ceramic substrate 1st Top inner electrode Resistive layer Bottom inner electrode 1st Protective coating 2nd Protective coating 7 8 9 10 11 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 7/14 文件編號 版本日期 頁 次 厚膜晶片電阻器規格標準書 6 信賴性試驗項目: 6.1 電氣性能試驗(Electrical Performance Test) Specifications規格 Item Conditions 項目 條件 Resistors Jumper （ R2－ R1） NA Temperature 參考3.規格表 Coefficient of TCR（ppm / ℃）＝ R1（ T2－ T1） ×106 Resistance R1:室溫下量測之阻值(Ω) 溫度係數 R2:-55℃或+125℃下量測之阻值(Ω) T1:室溫之溫度(℃) T2:-55℃或+125℃之溫度(℃)。 依據 JIS-C5201-1 4.8 Short Time 施加2.5倍的額定電壓5秒，靜置30分鐘以上再量測阻值變 1.阻值範圍:≧1Ω 參考3. Overload 化率。 0.1%、0.5%、1%:±(1.0%+0.05Ω) 規格表 短時間過負荷 (額定電壓值請參考 3.規格表) 2%、5%:±(2.0%+0.10Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω Jumper:施加最高過負荷電流: 型別 Jumper ±5% ±1% RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT18 RTT20 RTT25 (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) (2010) (2512) 1.25A 2.5A 1.25A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A 5A 5A 5A 12.5A 12.5A 17.5A 1%、 2%、5% :±(2.0%+0.001Ω) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 依據 JIS-C5201-1 4.13 Insulation 將晶片電阻置於治具上，在正負極施加100 VDC一分鐘後 ≧109Ω Resistance 測量電極與保護層及電極與基板(底材)之絕緣電阻值。 絕緣電阻試驗 依據 JIS-C5201-1 4.6 絕 緣 材 質 A 測 試 點 B 測 試 點 電 阻 背 面 壓 力 彈 簧 晶 片 電 阻 印 刷 保 護 層 面 Dielectric Withstand Voltage 絕緣耐電壓 將晶片電阻置於治具上，在正、負極施加VAC (參考下 無短路或燒毀現象。 列) RTT05、06、12、18、20、25 用500 VAC－分鐘 RTT01、02、03用300 VAC－分鐘 依據 JIS-C5201-1 4.7 Intermittent 置於恆溫箱中，施加2.5倍額定電壓，1秒ON，25秒OFF，1.阻值範圍:≧1Ω 參考3. Overload 計10000+400/-0次後取出靜置60分鐘後量測阻值變化量。 ±(5.0%+0.10Ω) 規格表 斷續過負荷 Jumper:施加最高過負荷電流 2.阻值範圍:＜1Ω 型別 ±(5.0%+0.001Ω) RTT01 RTT02 RTT03 RTT05 RTT06 RTT12 RTT18 RTT20 RTT25 (0201) (0402) (0603) (0805) (1206) (1210) (1812) (2010) (2512) 外觀無損傷，無短路或燒毀現象。 Jumper ±5% ±1% 1.25A 2.5A 1.25A 3.75A 2.5A 5A 5A 5A 6.25A 8.75A 5A 10A 5A 5A 5A 12.5A 12.5A 17.5A 依據 JIS-C5201-1 4.13 Noise Level 依據 JIS-C5201-1 4.12 測試方法。 雜音測驗 NA 阻值範圍 雜音(Noise) R ＜100Ω ≦ -10db (0.32 uV/V) 100Ω ≦R ＜1KΩ (3.2 uV/V) 10KΩ ≦R ＜100KΩ ≦ 15db (5.6 uV/V) 1MΩ ≦R 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 0db (1.0 uV/V) ≦ 10db 100KΩ ≦R ＜1MΩ 備 ≦ 1KΩ ≦R ＜10KΩ ≦ 20db (10 uV/V) ≦ 30db (32 uV/V) 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 IE-SP-007 2015/05/06 8/14 文件編號 版本日期 頁 次 厚膜晶片電阻器規格標準書 6.2 機械性能試驗(Mechanical Performance Test) Specifications規格 Resistors Jumper 參考3. 使用R0.5的測試探針在本體中央向下施加10N｛1.02 kgf｝1.阻值範圍:≧1Ω ±(1.0%+0.05Ω) 的負載持續10 sec.。 規格表 2.阻值範圍:＜1Ω 1.RTT02、RTT03測試探針R0.2 ±(1.0%+0.001Ω) 2.RTT05、06、12、18、20、25測試探針R0.5 外觀無損傷，側導無裂痕 依據 JIS-C5201-1 4.15 Terminal 測試項目一:將電阻焊在電路板上，在電阻背面施以5N的力 項目一: 外觀無損傷，無側導脫落及本體斷 Strength 量持續10 sec後，檢查側導體外觀。 裂發生。 端電極 (RTT01:3N) 項目二: RTT01≧3N 拉力測試 測試項目二:將電阻焊在電路板上，逐漸施加力量於電阻背 其它≧5N 面，測試端電極最大剝離強度。 依據 JIS-C5201-1 4.16 Resistance to 浸於20~25℃異丙醇溶劑中5±0.5分鐘後，取出靜置48 hr以上，再 1.阻值範圍:≧1Ω 參考3. Item 項目 Core Body Strength 本體強度 Solvent 耐溶劑性 試驗 Conditions 條件 量測阻值變化率。 規格表 型別 RTT01 其他 △R% ±(1.0%+0.05Ω) ±(0.5%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω ±(1.0%+0.001Ω) 依據 JIS-C5201-1 4.29 外觀無損傷，無G2保護層及錫層被Leaching現 象。 Solderability 前處理:將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、 導體吃錫面積應大於95%。 焊錫性 濕度100%及氣壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的 老化測試，取出後靜置於室溫下2小時。 測試方法：將電阻浸於235±5℃之爐中2秒後取出置於顯微 鏡下觀察焊錫面積。 依據 JIS-C5201-1 4.17 Resistance to ◎測試項目一(焊錫爐測試): 試驗項目一: 參考3. Soldering 浸於260+5/-0℃之錫爐中10 秒+1/-0，取出靜置60分鐘以 (1).阻值變化率 規格表 Heat 1.阻值範圍:≧1Ω 上，再量測阻值變化率。 抗焊錫熱 △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω ◎測試項目二(焊鍚爐測試): △R%=±(1.0%+0.001Ω) 浸於260+5/-0℃之錫爐中30+1/-0秒，取出後洗淨。置於顯 (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 微鏡下觀察焊錫面積。 試驗項目二: ◎測試項目三(電烙鐵試驗): (1).導體吃錫面積應大於95%。 加熱溫度:350±10℃ (2).在電極邊緣處不應見到下層的 烙鐵加熱時間:3+1/-0 sec. 物質(例如白基板)。 取電鉻鐵加熱於電極兩端後，取出靜置60鐘以上，再量測 阻值變化率。 試驗項目三: (1).阻值變化率 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω 依據 JIS-C5201-1 4.18 △R%=±(1.0%+0.001Ω) (2).電極外觀無異常，無側導脫落。 備 註 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 發行管制章 DATA Center. Series No. 60 RALEC 旺詮 Item 項目 厚膜晶片電阻器規格標準書 IE-SP-007 2015/05/06 9/14 文件編號 版本日期 頁 次 Specifications規格 Resistors Conditions 條件 Joint Strength 前處理: 試驗項目一: of Solder 將晶片電阻放置於PCT試驗機內，在溫度105℃、濕度100%及氣 (1).阻值變化率 焊錫粘合強度 壓1.22×105 pa的飽和條件下進行4小時的老化測試，取出後靜置 1.阻值範圍:≧1Ω 於室溫下2小時。 △R%=±(1.0%+0.05Ω) ◎測試項目一(固著性測試): 2.阻值範圍:＜1Ω 將晶片電阻焊於固著性測試板中，置於端電極測試機上，以半徑 △R%=±(1.0%+0.001Ω) R0.5 (0201:R0.1)之測試探針朝施力方向施加力量，並保持10 (2).外觀無損傷、無側導脫落。 sec，於負荷下量測阻值變化率。 力量: 1.RTT01=5N 試驗項目二: 2.RTT02=10N (1).阻值變化率 3.其它型別=20N Jumper 參考3. 規格表 1.阻值範圍:≧1Ω △R%=±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍:＜1Ω △R%=±(1.0%+0.001Ω) (2).外觀無損傷、無側導脫落及本 體斷裂發生。 依據JIS-C5201-1 4.32 ◎測試項目二(彎折性測試): 將晶片電阻焊於彎折性測試板中，置於彎折測試機上，在測試板 中央施力下壓，於負荷下量測阻值變化率。 下壓深度(D): RTT02、03、05=5mm RTT01、06、12=3mm RTT18、20、25=2mm Vibration 耐振性試驗 備 註 依據JIS-C5201-1 4.33 將晶片電阻焊於測試板上施加一振動波 震動頻率:10 Hz ~ 55 Hz ~ 10 Hz/分 振幅:1.5 mm 測試時間:6 hr (X.Y.Z3個方向各2 hr) 依據 JIS-C5201-1 4.22 非 發 行 管 制 文 件 自 行 注 意 版 本 更 新 非經允許，禁止自行影印文件 1.阻值範圍:≧1 Ω 0.1%、0.5%、1%:±(0.5%+0.05Ω) 2%、5%:±(1.0%+0.05Ω) 2.阻值範圍: