RJM8L151K8Q6Y

数据手册 RJM8L151xxx 系列 内置国密算法的低功耗安全 MCU 特性         操作条件 — 工作电压范围：1.8V ~ 5.0V — 工作温度范围：-40℃ ~ 85℃ 低功耗特性（6 种模式） — Deep sleep（5nA） — Halt（0.5uA） — Active Halt（0.7uA） — Low Power Wait（75uA@32KHz） — Low Popwer run（80uA@32KHz） — wait（0.75mA@16MHz） — 正常工作功耗： Group3 > Group4 > Group5； 2、 组间优先级可配置，组内优先级无法配置。 3、 若配置组间优先级，则整组的优先级同时改变。 V1.9 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 7. 电气参数 7.1 测试条件 除非特别说明，所有电压的均参照 VSS。 7.1.1 最小和最大数值 除非特别说明，在生产线上通过对 100%的产品在环境温度 TA=25°C 和 TA=TAmax 下执行 的测试(TAmax 与选定的温度范围匹配)，所有最小和最大值将在最坏的环境温度、供电电压和 时钟频率条件下得到保证。 在每个表格下方的注解中说明为通过综合评估、设计模拟和/或工艺特性得到的数据，不会 在生产线上进行测试；在综合评估的基础上，最小和最大数值是通过样本测试后，取其平均值 再加减三倍的标准分布(平均±3Σ)得到。 7.1.2 典型数值 除非特别说明，典型数据是基于 TA=25°C 和 VDD=3.3V(1.8V≤ VDD ≤ 5.0V 电压范围)。 这些数据仅用于设计指导而未经测试。 7.1.3 典型曲线图 除非另有规定，所有典型曲线只作为设计指导而未经测试。 7.2 最大额定参数 表 7.1：电压特性、表 7.2：电流特性和表 7.3：热特性中列出的绝对最大额定值以上的应力 可能对设备造成永久性损坏。这些只是压力等级，不建议在这些条件下对设备进行功能操作。 长时间暴露在最大额定值条件下可能会影响设备的可靠性。 表 7.1 电压特性 符号 指标 最小 最大 单位 VDD-VSS 外部供电（包括 ADC 参考电压引脚） -0.3 5.0 V VIN 引脚输入电压容忍值 -0.3 5.0 V 静电放电电压（HBM） ±3000 - V 静电放电电压（MM） ±200 - V VESD V1.9 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 表 7.2 电流特性 符号 指标 最大 单位 IVDD VDD 电源线总电流（source） 50 mA IVSS VSS 地线总电流（sink） 50 mA IIO 芯片单个引脚输出电流 4 mA 表 7.3 热特性 符号 指标 TSTG 保存温度范围 TJ 最大结温 值 单位 -45 ~150 ℃ 125 7.3 操作条件 表 7.4 通用操作条件 符号 参数 条件 1.8V≤ VDD ≤ 5.0V 最小 最大 单位 0 16 Mhz 1.8 5.0 V fSYSCLK 系统时钟频率 VDD 标准操作电压 TA 温度范围 1.8V≤ VDD ≤ 5.0V -40 85 ℃ TJ 结温范围 -40℃≤ TA ≤85℃ -40 125 ℃ - 7.4 ADC 特性参数 表 7.5 ADC 电气特性 符号 参数 条件 最小 典型值 最大 单位 供电及参考电压 VDD 模块供电 1.8 5.0 V VREFPE 外部正参考电压 1.5 5.0 V VREFNE 外部负参考电压 0 0.5 CLOAD 数字输出负载电容 TA 环境温度 -40 25 0.1 pF 105 ℃ VREF+ V 模拟输入 VAIN 转换电压范围 CADC 内部采样和保持电容 RAIN 外部输入电阻 RADC 采样切换电阻 V1.9 单通道操作 VREF2.6 pF 2000 0V ≤ VAIN≤ VREF+ 300 Ω Ω www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 ADC 时间参数 Fmclk 转换时钟频率 32 MHz Fsamp 采样速率 2 MHz Tmclk 转换时钟周期 Tsamp 采样和保持时间 Tconv 转换时间 Tsp 单个采样和转换时间 16 Tmclk Ton ADC 上电时间 5 Tmclk Teoc 转换结束时间 Tcal 校准时间 31.25 ns 3.5 10.5 12.5 Tmclk Tmclk 1 Tmclk 4096 Tmclk 12 bits ADC 直流精度 RES 分辨率 校准后的测量 ED 微分线性误差 校准后的测量，使用直 ±1 LSB EI 积分线性误差 方图方法得到 ±2 LSB EO 偏移误差 校准后的测量，利用最 ±1.5 LSB EG 增益误差 佳拟合曲线得到 ±1.5 LSB ET 未经调整总误差 校准后的测量 ±2 LSB ADC 动态参数 SNDR 信噪失真比 校准后的测量，100K Hz 65 dB THD 总谐波失真 正弦波输入，低于满量 -75 dB SFDR 无杂散动态范围 程 0 至 1db，2MSps 80 dB 注：以下 ADC 参数由综合评估以及设计保证，不在生产测试。 7.5 上电特性 表 7.6 上电特性参数 符号 参数 条件 tr 上升时间 0< VI≤300mV @t = t1 twait 等待时间 VI 输入电压 V1.9 VI on pin VDD @t = t1 最小 典型 最大 单位 0 - 500 ms 12 - - us 0 - 300 mV www.runjetic.com V1.9 RJM8L151 数据手册 www.runjetic.com 8. 芯片封装信息 8.1 封装形式：QFN32（0404-0.9） 8.2 封装形式：LQFP48（0707-1.4） V1.9 RJM8L151 数据手册 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 8.3 封装形式：TSSOP20L 8.4 Die（裸片） 引脚示意图以及坐标尺寸 图 8-1 Die （裸片）引脚示意图 V1.9 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 表 8-1 Die（裸片）引脚坐标 NO. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 V1.9 引脚名称 X32KOUT X32KIN VSS P00/JTAG_TDO P01/JTAG_TCK/IIC0_SCL_S P02/JTAG_TMS/IIC0_SDA_S P03/JTAG_TDI/UART0_TX TEST P04/UART0_RX P05/7816_CLK_S P06 P07/7816_RST_S RST VSS VSS VDD VDD P10/UART2_RX P11/UART2_TX P12/SPI2_CLK P13/SPI2_MISO P14/SPI2_MOSI P15/SPI2_CS P16 P17/IIC0_SCL_M P40/IIC0_SDA_M P41 P42 P43 P20/SPI0_CLK P21/SPI0_MISO P22/SPI0_MOSI P23/SPI0_CS P24/SPI1_CLK P25/SPI1_MISO P26/SPI1_MOSI P27/SPI1_CS P44/7816_SIO P45/UART1_RX X 坐标 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 74.11 460.39 535.39 610.39 685.39 760.39 835.39 910.39 985.39 1060.39 1135.39 1210.39 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 1883.6 Y 坐标 1470.12 1395.12 1320.12 1245.12 1170.12 1095.12 1020.12 945.12 575.12 510.12 445.12 380.12 315.12 250.12 185.12 120.12 55.12 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 67.595 107.775 182.775 257.775 332.775 407.775 482.775 557.775 632.775 707.775 782.775 857.775 www.runjetic.com NO. 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 V1.9 引脚名称 P46/UART1_TX P47 P30/IIC1_SCL P31/IIC1_SDA P32/UART3_RX P33/UART3_TX P34/SPI3_CL P35/SPI3_MISO P36/SPI3_MOSI P37/SPI3_CS X32MIN X32MOUT PAD_VPP RJM8L151 数据手册 X 坐标 1831.75 1756.75 1681.75 1606.75 1531.75 1456.75 1381.75 1306.75 1231.75 1156.75 1083.75 996.75 921.75 Y 坐标 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 1502.875 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 9. 订货信息 器件型号 Flash SRAM 封装形式 耐温 RJM8L151F4P6R 16KB 2KB TSSOP20L(6.5*4.4mm) -40℃ ~ 85℃ RJM8L151F6P6R 32KB 4KB TSSOP20L(6.5*4.4mm) -40℃ ~ 85℃ RJM8L151K6Q6R 32KB 4KB QFN32(4*4mm) -40℃ ~ 85℃ RJM8L151K8Q6R 64KB 8KB QFN32(4*4mm) -40℃ ~ 85℃ RJM8L151C6T6R 32KB 4KB LQFP48(7*7mm) -40℃ ~ 85℃ RJM8L151C8T6R 64KB 8KB LQFP48(7*7mm) -40℃ ~ 85℃ V1.9 www.runjetic.com RJM8L151 数据手册 附录一：简称及缩略语 缩写 全称 B Byte,字节 COS Chip Operating System,(智能卡)片上操作系统 CPU Central Processing Unit,中央处理器 CRC Cyclic Redundancy Check,循环冗余校验 DES Data Encryption Standard,数据加密标准 ESD Electro-Static discharge，静电放电 FD Frequency Detector，频率检测器 FPS FLASH Page Size，FLASH 页面大小 ISO7816 International Standard ISO/IEC7816 module，ISO/IEC7816 国际标准 MAC 接口 Memory Access Control，内存访问控制模块 NMROM Normal Mode Read Only Memory ，正常模式只读存储器 NVM Non-Volatile Memory，非易失性存储器 OTP One Time Programmable，一次可编程存储器 PI Product Information，生产信息 POR Power On/Off Reset, 上/下电复位 RNG Random Number Generator，随机数发生器 SFR Special Function Register，特殊功能寄存器 SIM Subscriber Identity Module，用户识别模块 SN Chip Serial Number，芯片序列号（唯一标识符） TDES Triple Data Encryption Standard，三重 DES UI User Information，用户信息 VD Voltage Detector，电压检测器 VR Voltage Regulator，电压调整器 WDT Watch Dog Timer, 看门狗计数器 WUT Wake-Up Timer,唤醒定时器 V1.9