L9110S

L9110S L9110S 马达驱动器系列 L9110S是为控制和驱动玩具马达设计的双通道推挽 式功率放大专用集成电路器件，将分立电路集成在 单片IC之中，使外围器件成本降低，整机可靠性提高。 该芯片输入端兼容TTL/CMOS电平，具有良好的抗干 扰性；该电路具备较大的电流驱动能力，每通道能 通过0.8～1.0A的持续电流，峰值电流能力可达2.5A； 该电路具有过温保护功能，内置的钳位二极管能释 放感性负载的反向冲击电流。 描述 特性 OA 1 VCC 2 VCC 3 OB 4 ● 玩具车的马达驱动 典型应用 L9110S ● 低静态工作电流 ● 宽电源电压范围：2.5V-12V ● 每通道连续电流输出能力 （1.0A：VCC=8V DIP8 封装； 0.8A：VCC=8V SOP8 封装） ● 较低的饱和压降 ● 具有过温保护功能 ● 输出具有正转、反转和高阻三种状态 ● TTL/CMOS输出电平兼容，可直接连CPU ● 输出内置钳位二极管，适用于感性负载 ● 控制和驱动集成于单片IC之中 ● 适用于三节到六节干电池供电系统 ● 具备管脚高压保护功能 ● 抗静电能力:4000V（HBM） ● 工作温度范围：-20℃～+80℃ 8 GND 7 IB 6 IA 5 GND 订购信息 产品型号 L9110S L9110S 封装 SOP8 DIP8 工作温度 -20℃～+80℃ -20℃～+ 80℃ REV 1.0 2016-08-09 1 引脚定义 引脚编号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚名称 OA VCC VCC OB GND IA IB GND 输入/输出 O O I I - 引脚功能描述 A 路输出管脚 电源电压 电源电压 B 路输出管脚 接地 A 路输入管脚 B 路输入管脚 接地 内部逻辑框图 VCC(3) VCC(2) IA(6) OA(1) 控制 驱动 电路 IB(7) OB(4) + M GND(5、8) L9110S 输入输出端内部电路图 VCC IA/IB VCC 1.7K 4.2K 5.2K 10K OA OB 7.8K GND GND 输入端电路图 输出端电路图 REV 1.0 2016-08-09 2 逻辑真值表 IA H L L H IB L H L H OA H L Z（高阻） Z（高阻） OB L H Z (高阻) Z (高阻) 输入IA 输入IB 输出OA 输出OB 正转(反转） 反转（正转） 高阻 高阻 REV 1.0 2016-08-09 3 绝对最大额定值 (TA=25℃，除另有规定外) 参 数 符 电源电压 输出电流峰值 输入高电平 输入低电平  JA  JA 封装热阻抗(1) 号 VCC IMax VHIN VLIN SOP8 DIP8 TJ 最高工作结温 焊接温度 Tstg 储存温度范围 注：（1） 、最大功耗可按照下述关系计算 范 围 典 型 6.0 5.0 0.5 - 最 小 2.5 2.5 -65 单位 最 大 12 2.5 10 0.7 160 100 150 260 150 V A V V ℃/W ℃/W ℃ ℃,10S ℃ PD  (TJ  TA ) /  JA TJ 表示电路工作的结温温度，TA 表示电路工作的环境温度。封装热阻的计算方法按照 JESD 51-7。 推荐工作条件 (TA=25℃，除另有规定外) 参 数 符号 VCC 电源电压 持续输出电流 (1) 工作温度范围 (2) 功耗 条 件 IOUT VCC=8.0V,SOP8 封装 VCC=8.0V,DIP8 封装 PD SOP8 DIP8 TA 最 小 3.0 -20 - 范 围 典 型 - 最 大 9.0 0.8 1.0 80 625 1250 单位 V A A ℃ mW mW 注：(1)、TA 表示电路工作的环境温度； (2)、电路功耗的计算方法为： PD=IOUT×VO(sat)+(IVCC-IOUT) ×VCC+VIA×IIA+VIB×IIB 其中 IOUT 表示电路输出电流，也即驱动马达的电流；VO(sat)表示电路的输出饱和压降；IVCC 表示流 入电源端 VCC 的电流；VCC 表示电源端 VCC 的电压；VIA、VIB 分别表示输入端 IA、IB 的输入电压；IIA、 IIB 分别表示输入端 IA、IB 的输入电流。 上式中电路功耗 PD 大部分由 IOUT×VO(sat)决定，其中电路的输出饱和压降 VO(sat)与输出电流 IOUT 的关 系参考典型参数曲线图 6。假设电机内阻为 RM，则在图 6 中可作出一条直线 VO(sat)= VCC - IOUT×RM，通 过该直线与图 6 中曲线的交点即可得出 VO(sat)、IOUT。结合实际应用情况及功耗要求，确定电机内阻 RM， 进而可选择合适的电机。 为了使电路安全正常工作，必须确保电路功耗在允许的范围之内。 REV 1.0 2016-08-09 4 电特性参数表 （如无特别说明,VCC=5V, TA=25℃） IDD IIN 测试图 1 参 数 静态电流 输入电流 2 VO(sat) 输出饱和压降 3 IOUT 持续输出电流 3 (1) IMax 输出电流峰值 Tsd 过温保护点 Tsdh 3 最小值 - 典型值 0.1 最大值 2.0 单位 uA (2) - 1.00 1.15 V SOP8,VCC=8V - - 0.8 VCC=10V - 测试条件 VIA=H,VOA=H IOUT=500mA IOUT=200mA DIP8,VCC=8V 过温保护迟滞 VCC=6V VCC=6V - - 700 0.75 900 uA 0.85 - V A 1.0 - 2.5 150 30 注：(1)、该输出饱和压降为低边与高边饱和压降之和，即测试图 3 中电压表 V1 与 V2 测量值之和； (2)、调节测试图 3 中的可调电阻 R，根据电流表读数获得规定的输出电流。 A A ℃ ℃ 测试电路图 测试图 1 （静态电流 IDD） 测试图 2 （输入电流 IIN） 测试图 3 （输出饱和压降 VO(sat)=V1+V2） REV 1.0 2016-08-09 5 典型参数特性曲线 高边饱和压降VSAT(V1) VS 输出电流IO VCC=5V VCC=9V 高边饱和压降VSAT(V1)(V) VCC=9V 输出电流IO(mA） 输出电流IO(mA） 图 5 低边饱和压降—输出电流 图 4 高边饱和压降—输出电流 高边低边饱和压降之和VSAT(V1+V2) VS 输出电流IO VCC=3V 输出电流IO(mA） VS 负载电阻RO（Ω） VCC=9V VCC=5V VCC=5V VCC=9V 输出电流IO(mA） 高边低边饱和压降之和VSAT(V1+V2)(V) VCC=5V VCC=3V 低边饱和压降VSAT(V2)(V) VCC=3V 低边饱和压降VSAT(V2) VS 输出电流IO VCC=3V 输出电流IO(mA） 负载电阻RO（Ω） 图 7 输出电流—负载电阻 图 6 高边低边饱和压降之和—输出电流 典型应用电路图 IA IA IB IB GND 6 7 GND 8 4 L9110S OB VC C VC 2 C0.1u OA F 1 3 VCC M + MCU GND 5 REV 1.0 2016-08-09 6 封装形式 SOP8：  SYMBOL A MIN -- A1 0.08 A3 0.55 A2 b b1 MILLIMETER NOM MAX 0.18 0.28 -- 1.20 1.40 1.60 0.39 -- 0.48 0.65 0.41 0.43 0.19 0.20 0.21 6.00 6.20 0.21 D 4.70 4.90 3.70 3.90 E E1 e 0.75 0.38 c c1 1.77 5.80 -- 0.26 5.10 4.10 1.27BSC L 0.50 0.65 0.80 θ 0 -- 8° L1 1.05BSC REV 1.0 2016-08-09 7 DIP8： A3 B B e B1 b A2 A A1 L c eA eB eC D b b1 E1 SYMBOL BASE METAL MIN c1 c WITH PLATING SECTION B-B MILLIMETER NOM MAX _ _ A 3.60 A2 3.10 3.30 3.50 0.44 _ 0.53 A1 A3 b b1 B1 0.51 1.50 0.43 c 0.25 D 9.05 c1 E1 e eA 0.24 6.15 eB 7.62 L 3.00 eC 0 3.80 4.00 1.60 1.70 0.46 0.48 1.52BSC _ 0.31 9.25 9.45 0.25 0.26 6.35 6.55 2.54BSC 7.62BSC _ 9.50 _ 0.94 _ _ REV 1.0 2016-08-09 8