TIP127C

晶体管 TRANSISTOR TIP127C 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 硅外延 高电流容量 RoHS产品 与 TIP122 互补 -8A -100V 65W 用途 APPLICATIONS 高频功率变换 一般功率放大电路 Epitaxial silicon High current capability RoHS product Complementary to TIP122 High frequency power transform Commonly power amplifier circuit 封装形式 Package TO-220SD 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage（ IE=0） 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage（IC=0） 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit VCBO -100 V VCEO -100 V VEBO -7 V IC -8 A PC 65 W Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 结到环境的热阻 Thermal Resistance Junction Ambient 符号 Symbol 最小值 (min) Rth(j-a) - 1 最大值 (max) 单位 Unit 125 ℃/W Ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=-100uA,IE=0 -100 - - V V(BR)CEO IC=-10mA,IB=0 -100 - - V V(BR)EBO IE=-1mA,IC=0 -7 - - V ICBO VCB=-100V, IE=0 -0.1 mA ICEO VCE=-100V, IE=0 - - -2 mA IEBO VEB=-5V, IC=0 - - -2 mA Hfe(1) VCE =-3V, IC=-0.5A 1000 - 5000 Hfe(2) VCE =-3V, IC=-3A 1000 VCE(sat) IC=-3A, IB=-12mA - - -1.5 V VCE(sat) VCE=-3V,IC=-3A - - -3 V 典型特性曲线 Electrical Characteristics 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO PC-TC = atu 2 Ver-1.0 印记 Marking: 飞虹 LOGO FEIHONG LOGO 产品型号 PART.NO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 产品代码 PRODUCT CODE 档位 GRANDING CODE 3 Ver-1.0 外形尺寸： Package Dimension： TO-220SD DIM MILLIMETERS A 9.88±0.30 A1 A2 7.4±0.30 4.94±0.20 A3 10.16±0.30 B 8.4±0.30 B1 7.54±0.30 B2 5.00±0.25 B3 0.95±0.25 B4 0.45±0.20 B5 0.45±0.20 C 1.25±0.25 C1 4.38±0.25 C2 0.45±0.20 D ø3.80±0.25 D1 ø1.15±0.25 D2 ø1.44±0.25 E 2.75±0.25 F 3.67±0.25 G 9.50±0.25 H 11.12±0.25 I 0.81±0.20 J 1.25±0.25 K 2.54±0.25 L 26.00±0.50 L1 12.70±0.30 M 30°±5° N 5°±2° P 2.43±0.30 Q 1.25±0.20 R 9°±3° S 1.0±0.25 T 5°±2° U 5°±2° DIA ø1.20±0.15 深 0.05～0.45 9D （Units：mm） 4 Ver-1.0