SM7015

SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 SM7015  拓扑结构支持：低成本 BUCK、 BUCK-BOOST 等方案 概述 SM7015 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成高压 启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解决方 案。  采用 730V 单芯片集成工艺  85Vac~265Vac 宽电压输入  待机功耗小于 120mW@220Vac  集成高压启动电路  集成高压功率开关  60KHz 固定开关频率 1 EN  内置抖频技术，提升 EMC 性能 2 HVDD  电流模式 PWM 控制方式  内置过温、过流、过压、欠压 芯片应用于 BUCK 系统方案，支持 12V/18V 输出电压，很方便的应用 于小家电产品领域。并提供了过温、过流、过压、欠压等完善的保护功 能，保证了系统的可靠性。 管脚图 GND 8 SM7015 特点 3 NC GND 7 GND 6 4 DRAIN GND 5 SOP8 等保护功能  内置软启动  内置智能软驱动技术（提高 EMC 性能）  输出功率表 85Vac~265Vac 180Vac~265Vac 12V 100mA 150 mA 18V 100mA 150 mA 输入电压 最大电流 封装形式：SOP8 注：芯片 5、6、7、8 脚为芯片散热脚，PCB Layout 过程中注意增加散热措施。 12V 典型示意电路图 GND  电磁炉、电饭煲、电压力锅等 GND 6 GND 5 4 DRAIN 3 NC 1 EN 2 HVDD SM7015 + + + 应用领域 GND 7 GND 8 L + N +12V 小家电产品电源 18V 典型示意电路图 +18V T1 GND 5 GND 6 GND 7 + 4 DRAIN 3 NC SM7015 1 EN + 2 HVDD N GND 8 L Vin + +5V Vout GND + GND + 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -1- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 管脚说明 名称 管脚序列 管脚说明 EN 1 EN 和 HVDD 短接：系统输出 12V HVDD 2 EN 悬空，单独接 HVDD：系统输出 18V NC 3 悬空脚 DRAIN 4 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动脚 GND 5,6,7,8 芯片地，同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 订购型号 封装形式 SM7015 SOP8 订购信息 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 包装方式 管装 编带 100000 只/箱 4000 只/盘 卷盘尺寸 13 寸 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -2- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 极限参数 极限参数(TA= 25℃) 符号 说明 范围 单位 VDS(max) 芯片 DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V VDS(ST) 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 -0.3~730 V HVDD 芯片电源电压 -0.3~20 V Ivdd 嵌位电流 10 mA TJ 工作结温范围 -55~150 ℃ TSTG 存储温度 -50~150 ℃ VESD HBM 人体放电模式 ＞2 KV 注：表贴产品焊接最高峰值温度不能超过 260℃，温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定。 热阻参数 符号 说明 范围 单位 RthJA 热阻(1) 45 ℃/W 注：芯片要焊接在有 200mm2 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。 电气工作参数 (除非特殊说明，下列条件均为 TA=25℃ 符号 说明 条件 BVDS 漏源击穿电压 IDSS 范围 单位 最小 典型 最大 VDD=14V; ID=250uA 730 - - V DRAIN 端关断态漏电流 - - - 0.1 mA RDS(on) 源漏端导通电阻 ID=0.2A - 27 - Ohm HVDDON HVDD 开启电压 - - 11.5 - V HVDDOFF HVDD 关闭电压 - - 8 - V HVDDHYS HVDD 迟滞阈值电压 - - 3.5 - V IDD2 HVDD 工作电流 HVDD=11V - 0.5 - mA IDDCH 芯片充电电流 VDS=100V; HVDD=5V - -500 - uA FOSC 芯片振荡频率 - - 60 - KHz △Fosc 抖频范围 - - 4 - % TOVT 过温保护温度 - - 150 - ℃ 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -3- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 功能表述 D1 GND L1 N GND 6 GND 5 4 DRAIN 3 NC C2 EN C1 HVDD + 2 SM7015 + 1 RV1 GND 7 D4 GND 8 L L2 + R1 C4 C3 + D2 +12V R2  D3 电路图说明 上图为典型的 BUCK-BOOST 电路，其中 C1、C2、L1 组成 π 型滤波，有益于改善 EMI 特性，R1 电阻为浪涌 抑制元件，D1、D2 为整流二极管，构成半波整流电路。 输出部分 L2 为储能电感，D3 为 HVDD 供电二极管，D4 为续流二极管，在芯片关断期间提供输出电流通路： VOUT  VHVDD  VF _ D3  VF _ D4  VHVDD  HVDD 电压 当开关电源启动后，C2 电容上的电压会通过芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 HVDD 电容 C3 充电，当 C3 电容电压达到 11.5V，内部高压启动 MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 当 C3 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动。这就是 欠压保护。 HVDD HVDDON HVDDOFF 欠压保护 t VOUT t 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -4- SM7015 AC/DC PWM 功率开关  QWOGISV1.4 控制部分 DRAIN ID PWM control HVDD Ifb 采样电流 检测电路 - 0.23V IS + IFB R1 R2 GND 通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分，其中一部分为 IS，这部分电流为芯片采样电流。IS 与 ID 成比例关系： ID = GID • IS 通过上图可知： ( I S  I FB )  R2  0.23V ，由此可以得到： IS = 以上公式合并，可得到： ID = GID • ( 0.23 V -I R2 FB 0.23 V -I ) R2 FB 从上式可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于(0.23V / R2) 时，芯片会关闭 PWM，同时芯片会自动进入突发模式。 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -5- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 PCB layout 注意事项 QWOGISV1.4 铺铜 阻焊层 SOP8 封装芯片 简要说明： SOP8  初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短，以便更容易通过 EMC 测试。  高压信号与低压信号分开走线，避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。  在芯片的 3 脚位置处放置阻焊层，避免残留焊锡干扰系统正常工作。  IC 的 5、6、7、8 脚 GND 需要铺铜处理，铺铜面积建议大于 8*8mm，以降低芯片的温度。 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -6- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 典型应用方案  SM7015 12V/150mA BUCK-BOOST 方案 原理图： D1 R1 GND L GND 5 GND 6 GND 7 L1 4 DRAIN 3 NC EN 1 E1 N SM7015 + 2 HVDD RV1 + GND 8 D4 E2 + E3 R3 D2 +12V R2 D3 BOM 清单： 位号 参数 位号 参数 RV1(安规元件) 7D471 D4 BYV26C R1 22R/2W E1 2.2uf/400V R2 10R/1206 E2 4.7uf/50V R3 11K/0805 E3 220uF/25V D1、D2 IN4007 L1 560uH D3 UF4007 U1 SM7015 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -7- SM7015 AC/DC PWM 功率开关 QWOGISV1.4 封装形式 SOP8 Symbol Min(mm) Max(mm) A 1.25 1.95 A1 - 0.25 A2 1.25 1.75 b 0.25 0.7 c 0.1 0.35 D 4.6 5.3 e 1.27(BSC) E 5.7 6.4 E1 3.7 4.2 L 0.2 1.5 θ 0° 10° 电子邮件: market@chinaasic.com 网址: www.chinaasic.com 注：说明书更新版本请以公司网站公布为准 Tel: 0755-26991392 Fax: 0755-26991336 地址: 深圳市南山区高新技术产业园南区高新南一道 015 号国微研发大楼三层 -8-