SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
SM7033P
特点
宽电压 85Vac~265Vac 输入
恒压精度小于±3%
拓扑结构支持:
概述
SM7033P 是一款恒压控制芯片,内置 CS 电阻。全电压范围恒压精
度小于±3%,外围元件少,方案成本低。
SM7033P 具有自恢复的输出开短路等多重保护功能,,以提高系统
可靠性。
可使用贴片电感或棒形电感
管脚图
内置自恢复输出开短路保护功能
外围元件少
成本低
封装形式:SOP8
1
DRAIN
2
NC
3
FB
4
VDD
SM7033P
BUCK/FLYBACK/BUCK-BOOST
GND
8
GND
7
NC
6
NC
5
SOP8
典型输出功率表
应用领域
小家电应用
待机电源
MCU 或功能模组供电电源
输入电压范围:85Vac~265Vac
封装形式
输出电压
输出电流
SOP8
3.3V~18V
150mA
典型示意电路图
层
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SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
内部功能框图
VDD
DRAIN
FB
GND
管脚说明
管脚序号
名称
管脚说明
1
DRAIN
内置高压 MOS 管漏极
2,5,6
NC
悬空脚
3
FB
芯片反馈引脚
4
VDD
芯片电源
7,8
GND
芯片地
订购信息
订购型号
封装
SM7033P
SOP8
包装方式
管装
编带
100000 只/箱
4000 只/盘
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卷盘尺寸
13 寸
SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
极限参数
极限参数(TA= 25℃)
符号
说明
范围
单位
DRAIN
内部高压功率管漏极到源极峰值电压
-0.3 ~ 500
V
VDD
芯片电源
-0.3 ~ 7
V
VFB
FB 端口输入电压
-0.3 ~ 7
V
RθJA
PN 结到环境的热阻
130
℃/W
TJ
工作结温范围
-40 ~ 150
℃
TSTG
存储温度
-55 ~ 150
℃
VESD
HBM 人体放电模式
>2
KV
注:表贴产品焊接最高峰值温度不能超过 260℃,温度曲线依据 J-STD-020 标准、参考工厂实际和锡膏商建议由工厂自行设定。
电气工作参数
(除非特殊说明,下列条件均为 TA=25℃,VDD=6V)
符号
说明
条件
VDD
VDD 工作电压
IDD
范围
单位
最小
典型
最大
DRAIN=20V
--
6.0
--
V
芯片静态工作电流
VDD=6V FB=5V
--
400
--
uA
VFB_CV
FB 端口恒压阈值
--
--
2
--
V
FOSC
芯片工作频率
--
--
40
--
kHz
TLEB
消隐时间
--
--
300
--
nS
BV_DRAIN
DRAIN 端耐压
--
--
500
--
V
Rdson
内部集成 MOS 管导通电阻
--
--
80
--
Ohms
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SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
功能表述
SM7033P 是一款恒压控制芯片,内置 CS 电阻。全电压范围恒压精度小于±3%,外围元件少,方案成本低。
SM7033P 具有自恢复的输出开短路等多重保护功能,以提高系统可靠性。
内部稳压器
DRAIN 端口通过 JFET 对 VDD 电容充电,利用稳压器的稳压特性稳定 VDD 的电压。
恒压控制
芯片通过 FB 端口电压进行跳频控制, 即当系统输出电压升高时,芯片工作频率降低;当系统输出电压降
低时,芯片工作频率升高,从而稳定输出电压,得到高恒压精度。
V
R FBL
FB _ CV
R FBL R FBH
VOUT
其中, RFBL 是反馈网络的下分压电阻
RFBH 是反馈网络的上分压电阻
V OUT 是输出稳压点
VFB _ CV 是恒压阈值
前沿消隐电路
为了消除高压功率管在开启瞬间产生的尖峰造成的干扰,内置前沿消隐电路,避免芯片在功率管开启瞬间
产生误动作。
保护控制
SM7033P 芯片完善的各种保护功能提高了电源系统的可靠性,包括:逐周期峰值电流限制,输出短路保护,
输出开路保护等。
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SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
PCB layout 注意事项
阻焊层
网状铺铜
SOP8 封装芯片
简要说明:
SOP8
初级环路与次级环路的走线距离尽量粗而短,以便更容易通过 EMC 测试。
高压信号与低压信号分开走线,避免高压信号对低压反馈信号产生干扰。
芯片 VDD 及 FB 的地尽量靠近芯片的 GND。
IC 的 7、8 脚 GND 需要铺铜处理,铺铜面积建议大于 8*8mm,以降低芯片的温度。
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SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
典型应用方案
SM7033P 5V/100mA BUCK 系统
原理图:
SM7033P
BOM 清单:
位号
参数
位号
参数
FR1
10R/0.25W
D2
RS1M
RV1(安规元件)
7D471
C1
0.1uF/16V
DB1
MB6S
C2
100nF/25V
R1
1K/0805
E1
2.2uF/400V
R2
10K/0805
E2
100uF/10V
R3
18K/0805
L1
820uH/5845 封装
D1
ES1J
U1
SM7033P
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SM7033P 小功率恒压控制芯片 QWIOIGV1.3
封装形式
SOP8
Symbol
Min(mm)
Max(mm)
A
1.25
1.95
A1
-
0.25
A2
1.25
1.75
b
0.25
0.7
c
0.1
0.35
D
4.6
5.3
e
1.27(BSC)
E
5.7
6.4
E1
3.7
4.2
L
0.2
1.5
θ
0°
10°
-7-
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