SC91F736M28U

SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 目录 目录.......................................................................................................................................... 1 1 总体描述................................................................................................................................ 5 2 主要特色 ............................................................................................................................... 5 3 管脚定义 ............................................................................................................................... 6 3.1 管脚配置 ................................................................................................................................................................... 6 3.2 管脚定义 ................................................................................................................................................................... 7 4 内部方框图 .......................................................................................................................... 10 5 FLASH ROM 和 SRAM 结构 ............................................................................................... 11 5.1 FLASH ROM .......................................................................................................................................................... 11 5.2 CODE OPTION 区域（用户烧写设置） ............................................................................................................. 12 5.3 SRAM ...................................................................................................................................................................... 12 6 特殊功能寄存器(SFR) ......................................................................................................... 15 6.1 SFR 映像 ................................................................................................................................................................ 15 6.2 SFR 说明 ................................................................................................................................................................ 15 7 电源、复位和时钟 ............................................................................................................... 17 7.1 电源电路 ................................................................................................................................................................. 17 7.2 上电复位过程 ......................................................................................................................................................... 17 7.3 复位方式 ................................................................................................................................................................. 18 7.3.1 外部 RST 复位 ............................................................................................................................................ 18 7.3.2 低电压复位 LVR.......................................................................................................................................... 18 7.3.3 上电复位 POR ............................................................................................................................................. 19 7.3.4 看门狗复位 WDT ........................................................................................................................................ 19 7.3.5 复位初始状态 .............................................................................................................................................. 20 7.4 高频系统时钟电路 ................................................................................................................................................. 21 7.5 低频时钟定时器 ..................................................................................................................................................... 21 7.6 省电模式 STOP...................................................................................................................................................... 23 8 中央处理单元 CPU 及指令系统 ........................................................................................... 23 SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 8.1 CPU ......................................................................................................................................................................... 23 8.2 寻址方式 ................................................................................................................................................................. 23 8.2.1 立即寻址 ...................................................................................................................................................... 23 8.2.2 直接寻址 ...................................................................................................................................................... 23 8.2.3 间接寻址 ...................................................................................................................................................... 23 8.2.4 寄存器寻址 .................................................................................................................................................. 23 8.2.5 相对寻址 ...................................................................................................................................................... 24 8.2.6 变址寻址 ...................................................................................................................................................... 24 8.2.7 位寻址 .......................................................................................................................................................... 24 8.3 指令系统.................................................................................................................................................................. 24 9 INTERRUPT 中断 ............................................................................................................... 26 9.1 中断源、向量.......................................................................................................................................................... 26 9.2 中断结构图.............................................................................................................................................................. 28 9.3 中断优先级.............................................................................................................................................................. 29 9.4 中断处理流程.......................................................................................................................................................... 29 9.5 中断相关 SFR 寄存器 ............................................................................................................................................ 29 10 定时器 TIMER0 、TIMER1 ............................................................................................... 31 10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器 ........................................................................................................................... 31 10.2 T0 工作模式.......................................................................................................................................................... 33 10.3 T1 工作模式.......................................................................................................................................................... 35 11 PWM ................................................................................................................................. 36 11.1 PWM 结构框图 .................................................................................................................................................... 37 11.2 PWM 相关 SFR 寄存器 ....................................................................................................................................... 37 11.3 PWM 波形及用法................................................................................................................................................. 40 11.4 两路互补带死区 PWM 实现方法........................................................................................................................ 42 11.5 PWM 频率高精度步进调整实现方法 ................................................................................................................. 45 12 GP I/O ............................................................................................................................... 47 12.1 GPIO 结构图 ........................................................................................................................................................ 47 12.2 I/O 端口相关寄存器 ............................................................................................................................................. 49 Page 2 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 12.3 I/O 端口复用 ......................................................................................................................................................... 51 13 UART ................................................................................................................................ 52 13.1 UART 相关寄存器 ............................................................................................................................................... 52 13.2 UART 工作模式说明 ........................................................................................................................................... 53 14 软件 LCD 驱动 .................................................................................................................. 55 14.1 软件 LCD 驱动相关寄存器 ................................................................................................................................. 55 14.2 软件 LCD 驱动用法说明及注意事项 ................................................................................................................. 56 15 模数转换 ADC ................................................................................................................... 60 15.1 ADC 相关寄存器.................................................................................................................................................. 60 15.2 ADC 转换步骤...................................................................................................................................................... 62 15.3 ADC 测量 VDD 电压 ........................................................................................................................................... 62 16 IAP .................................................................................................................................... 63 16.1 IAP 操作相关寄存器............................................................................................................................................ 63 16.2 256B IAP 操作流程和范例程序 ......................................................................................................................... 64 16.3 8K 范围 IAP 应用说明......................................................................................................................................... 65 17 电气特性 ........................................................................................................................... 66 17.1 极限参数 ............................................................................................................................................................... 66 17.2 推荐工作条件 ....................................................................................................................................................... 66 17.3 直流电气特性 ....................................................................................................................................................... 66 17.4 交流电气特性 (VDD = 2.5V ~ 5.5V, TA = 25℃, 除非另有说明) ................................................................... 67 17.5 ADC 电气特性 (TA = 25℃, 除非另有说明)...................................................................................................... 67 18 应用电路 ........................................................................................................................... 68 19 订购信息 ........................................................................................................................... 69 20 封装信息 ........................................................................................................................... 70 Page 3 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 21 规格更改记录 .................................................................................................................... 71 Page 4 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1 总体描述 SC91F736 是一颗加强型超快速 1T 8051 工业级 Flash 微控制器，指令系统完全兼容传统 8051 产品系列。 SC91F736 内部集成很多资源，包括：8KB Flash ROM（内部 256Byte 可作为 EEPROM）、512B SRAM、26 个 GP I/O、除 P5 外的所有 IO 可作为软件 LCD 的 COM 或 SEG、2 个 16 位定时器、1 路独立波特率 UART、8 路 12 位高精度 ADC、6 路外部中断口（其中 1/2/3 是双沿中断）、2 路 8 位 PWM 可通过选择输出至 4 个不同的 IO、 内部 1%高精度 16/8/4/1M Hz 振荡器、内置 32K 振荡器、外部 32K 实时时钟定时器等资源。 为提高可靠性及简化客户电路，SC91F736 内部也集成有 4 级可选电压 LVR、2.4V 基准 ADC 参考电压、VDD 电压内部检测电路、WDT 等高可靠电源电路。SC91F736 具有非常优异的抗干扰性能和抗 EMI 能力，非常适合应 用于智能家电、智能家居和消费类产品如：空调、洗衣机、微波炉、电磁炉、油烟机、消毒柜、电饭煲、电压力 锅、面包机等智能家电、智能家居系统等应用领域。 2 主要特色  工作电压: 2.4V~5.5V     工作温度: 封装: 内核: 存储器:  系统时钟: -40 ~ 85℃ SOP28 超快速的 1T 8051 8KB Flash ROM（MOVC 禁止寻址 0000H~00FFH）, 其中包含 256B 可 IAP 512B SRAM 内建 16M Hz 振荡器  IC 工作的系统时钟,可通过编程器选择设定为 16/8/4/1MHz        频率误差: 跨越 (4.5~5.5V) 及 (-20℃~85℃)应用环境，不超过 ±1%  用户可通过修改 SFR 在工作过程中改变系统时钟频率 低电压复位（LVR）:  复位电压有 4 级可选：分别是: 3.65V、3.50V、2.75V、2.60V  缺省值为用户烧写 Code Option 所选值 Flash 烧写: 4 线串口烧写接口 中断（INT）:  TIMER0、TIMER1、INT0~5、ADC、PWM、UART、X32K 共 12 个中断源  INT0/4/5 仅为下降沿触发  INT1/2/3 可设为上升沿、下降沿、双沿中断  两级中断优先级可设 数字外围:  26 个 GP I/O，4 种模式可设，P1/2/5 有大灌电流能力  16 位 WDT，可选时钟分频比  2 个标准 80C51 16 位定时器 TIMER0 及 TIMER1  2 路共用周期、单独可调占空比的 8 位 PWM，可输出至不同 IO 口  1 路自带波特率发生器的 UART  1 路源于内部或外部 32K 振荡的 Base Timer，用于定时唤醒功能以节省耗电  LCD 功能，除 P5 外的所有 IO 可以输出 1/2VDD、1/3VDD、2/3VDD 电压，用作 LCD 的 COM 或 SEG 输出 模拟外围:  8 路 12 位 ADC 1) 内建基准的 2.4V 参考电压 2) ADC 的参考电压有 2 种选择，分别是 VDD 和 内部 2.4V 3) AIN0 内部可接到 1/3VDD，配合内部 2.4V 参考电压用于测量 VDD 电压 4) AIN1~AIN7 可由外部输入 省电模式:  STOP MODE， 可由 INT0~5、外部/内部 32K 振荡器、外部 RSTN 唤醒 STOP MODE Page 5 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 3 管脚定义 3.1 管脚配置 1 28 P00 / PWM0A VSS 2 27 P01 / PWM1A XTALI / P51 3 26 P02 XTALO / P50 4 25 P03 PWM1 / INT0 / P10 5 24 P04 ENB / RSTN / P11 6 23 P05 CLK / RXD / P12 7 22 P06 TXD / INT1 / P13 8 21 P07 DIO / PWM0 / INT2 / P14 9 20 P20 / T0 CEN / AIN7 / INT3 / P15 10 19 P21 / T1 AIN6 / INT4 / P16 11 18 P22 / GATE0 AIN5 / INT5 / P17 12 17 P23 / GATE1 AIN4 / P27 13 16 P24 / AIN1 AIN3 / P26 14 15 P25 / AIN2 SC91F736 VDD Page 6 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 3.2 管脚定义 管脚编号 管脚名称 管脚 功能说明 类型 1 VDD Power 电源 2 VSS Power 3 XTALI/P5.1 I/O 4 XTALO/P5.0 I/O 5 P1.0/INT0/PWM1 I/O 6 P1.1/RSTN/ENB I/O 7 P1.2/RXD/CLK I/O 8 P1.3/INT1/TXD I/O 9 P1.4/INT2/PWM0/ DIO I/O 10 P1.5/INT3/AIN7/CEN I/O 接地 1) P5.1 : GPIO P5.1 大灌电流口 2) XTALI 32K 振荡器的输入脚 1) P5.0 : GPIO P5.0 大灌电流口 2) XTALO : 32K 振荡器的输出脚 1) P1.0 : GPIO P1.0 大灌电流口 2) INT0: 外部中断输入 0 3) PWM1: PWM1 输出口之一 1) P1.1 : GPIO P1.1 大灌电流口 2) RSTN : 复位管脚 3) ENB : 烧录管脚 ENB 1) P1.2 : GPIO P1.2 大灌电流口 2) RXD : UART RXD 3) CLK : 烧录管脚 CLK 1) P1.3 : GPIO P1.3 大灌电流口 2) INT1: 外部中断输入 1 3) TXD : UART TXD 1) P1.4: GPIO P1.4 大灌电流口 2) INT2: 外部中断输入 2 3) PWM0: PWM0 输出口之一 4) DIO: 烧录管脚 DIO 1) P1.5 : GPIO P1.5 大灌电流口 2) INT3: 外部中断输入 3 3) AIN7: ADC 输入通道 7 4) CEN : 烧录管脚 CEN Page 7 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 11 P1.6/INT4/AIN6 I/O 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1) 2) 3) 12 P1.7/INT5/AIN5 I/O 1) 2) 3) 13 P2.7/ AIN4 I/O 1) 2) 14 P2.6/ AIN3 I/O 1) 2) 15 P2.5/ AIN2 I/O 1) 2) 16 P2.4/ AIN1 I/O 1) 2) 17 P2.3 /GATE1 I/O 1) 2) 18 P2.2 /GATE0 I/O 1) 2) 19 P2.1 /T1 I/O 1) 2) 20 P2.0 /T0 I/O 1) 2) 21 P0.7 I/O 1) 22 P0.6 I/O 1) 23 P0.5 I/O 1) 24 P0.4 I/O 1) 25 P0.3 I/O 1) 26 P0.2 I/O 1) P1.6 : GPIO P1.6 大灌电流口 INT4: 外部中断输入 4 AIN6 : ADC 输入通道 6 P1.7 : GPIO P1.7 大灌电流口 INT5: 外部中断输入 5 AIN5 : ADC 输入通道 5 P2.7 : GPIO P2.7 大灌电流口 AIN4 : ADC 输入通道 4 P2.6 : GPIO P2.6 大灌电流口 AIN3 : ADC 输入通道 3 P2.5 : GPIO P2.5 大灌电流口 AIN2 : ADC 输入通道 2 P2.4 : GPIO P2.4 大灌电流口 AIN1 : ADC 输入通道 1 P2.3 : GPIO P2.3 大灌电流口 GATE1 : Timer Gate1 P2.2 : GPIO P2.2 大灌电流口 GATE0 : Timer Gate0 P2.1 : GPIO P2.1 大灌电流口 T1 : Timer1 外部输入口 P2.0 : GPIO P2.0 大灌电流口 T0 : Timer0 外部输入口 P0.7 : GPIO P0.7 P0.6 : GPIO P0.6 P0.5 : GPIO P0.5 P0.4 : GPIO P0.4 P0.3 : GPIO P0.3 P0.2 : Page 8 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 27 P0.1/ PWM1A I/O 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1) 2) 28 P0.0/ PWM0A I/O 1) 2) GPIO P0.2 P0.1 : GPIO P0.1 PWM1A PWM1 输出口之一 P0.0 : GPIO P0.0 PWM0A PWM0 输出口之一 Page 9 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 4 内部方框图 LDO & Power Manager BandGap Voltage Reference LVD 512B RAM reset LVR Controller EEPROM WDT 32K IRC WAKECNT 32K X’ OSC Controller IRC Regulator IRC Voltage Reference 16MHz IRC Clock Controller clock ADC Controller 1T 8051 CORE 2.4V REG ADC 8KB Program ROM (Flash) UART + BaudRate Generator TIMER0 TIMER1 LCD Bias Voltage Generator PWM interrupt I/O Interrupt Controller IO PADS SC91F736 BLOCK DIAGRAM Page 10 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 5 FLASH ROM 和 SRAM 结构 SC91F736 的 Flash ROM 和 SRAM 结构如下： 1FFFh 00FFh 外部RAM EEPROM (通过MOVX/DPTR寻址） 1F00h 0000h RAM Flash ROM For Program （间接寻址） FFh 80h 7Fh 0000h 00h SFR （直接寻址） RAM （直接寻址或间接寻址） Flash ROM和SRAM结构图 5.1 FLASH ROM SC91F736 有 8KB 的 Flash ROM，ROM 地址为 0000H~1FFFH，其中地址为 1F00H~1FFFH 的 256Byte Flash 可以作为 EEPROM 使用（即支持用户在程式中擦写，详细操作请看 IAP 章节）。此 8KB Flash ROM 可反 复擦写 10 万次，可通过 SinOneChip 提供的专用 ICP 烧写器(量产脱机工具 Pro51/Pro52，在线开发工具 DPT51/DPT52)来进行编程及擦除。为程序保密，地址为 0000H~00FFH 地址的 256B 区间 MOVC 指令不可寻址。 SC91F736 的 8KB Flash ROM 能提供查空 BLANK、编程 PROGRAM、校验 VERIFY 的功能，但不提供读取 READ 的功能。特别提出，此 Flash 写入前无需执行擦除 ERASE。 SC91F736 的 Flash ROM 通过 Pin6（ENB）、Pin10（CEN）、Pin7（CLK）、Pin9（DIO）、VDD、VSS 来进行编程，具体连接关系如下： SOC Pro51/Pro52 MCU VDD ENB CEN CLK DIO GND 用户应用电路 Jumper ICP模式 Flash Writer编程连接示意图 Page 11 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 5.2 CODE OPTION 区域（用户烧写设置） SC91F736 内部有单独的一块 Flash 区域用于保存客户的上电初始值设置，此区域称为 Code Option 区域。 用户在烧写 IC 时将此部分代码写入 IC 内部，IC 在复位初始化时，就会将此设置调入 SFR 作为初始设置。 IFB Bit-7 Bit-6 Bit-5 IFB1 IFB2 IFB3 - - - IFB1 编号 4 符号 DISLVR 3~0 LVRS [3:0] IFB2 编号 3 符号 IAPS IFB3 编号 4 符号 ENWDT 2 Vrefs 0 IRCFS[1:0] Bit-4 DISLVR ENWDT Bit-3 Bit-2 Bit-1 Bit-0 LVRS[3:0] IAPS - Vrefs - IRCFS[1:0] 说明 LVR 开关 0：LVR 有效 1：LVR 无效 LVR 电压选择控制 1011： 3.65V 复位 1010： 3.50V 复位 0110： 2.75V 复位 0101： 2.60V 复位 此电压点的值为常温值，实际值随温度会发生一些变化(约±0.1V@40~85℃)，具体表现为温度越高 LVR 电压点会下降，温度越低 LVR 电 压点会抬高。 说明 IAP 空间范围选择 0：仅 1F00H~1FFFH 范围内可以 IAP 操作 1：8K 范围内可以 IAP 操作 说明 WDT 开关 0：WDT 无效 1：WDT 有效（但 IC 在执行 IAP 过程中 WDT 停止计数） ADC 参考电压选择 0：内部 VDD 1：内部精准的 2.4V IRC 频率选择控制 00： IRC 频率为 16MHz 01： IRC 频率为 8MHz 10： IRC 频率为 4MHz 11： IRC 频率为 1MHz 5.3 SRAM SC91F736 单片机内部集成了 512B 的 SRAM，分为内部 RAM 和外部 RAM。内部 RAM 的地址范围为 00H~FFH，其中高 128B（地址 80H~FFH）只能间接寻址，低 128B（地址 00H~7FH）可直接寻址也可间接寻 址。 特殊功能寄存器 SFR 的地址也是 80H~FFH。但 SFR 同内部高 128B SRAM 的区别是：SFR 寄存器是直接寻 址，而内部高 128B SRAM 只能是间接寻址。 外部 RAM 的地址为 00H~FFH，但需通过 MOVX 指令来寻址。 内部 256B SRAM： 内部低 128B SRAM 区可分为三部分：①工作寄存器组 0~3，地址 00H~1FH,程序状态字寄存器 PSW 中的 RS0、RS1 组合决定了当前使用的工作寄存器，使用工作寄存器组 0~3 可加快运算的速度；②位寻址区 20H~2FH， 此区域用户可以用作普通 RAM 也可用作按位寻址 RAM；按位寻址时，位的地址为 00H~7FH，（此地址按位编地 Page 12 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 址，不同于通用 SRAM 按字节编地址），程序中可由指令区分；③用户 RAM 和堆栈区，SC91F736 复位过后，8 位的堆栈指针指向堆栈区，用户一般会在初始化程序时设置初值，建议设置在 E0H~FFH 的单元区间。 FFH FFH 高128B RAM （只能间接寻址） 特殊功能寄存器SFR （直接寻址） 80H 80H 7FH 低128B RAM （可直接寻址；也可间接寻址） 00H 内部256B RAM结构图 内部低 128B RAM 结构如下： Page 13 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 7FH 用户RAM及堆栈RAM区 30H 2FH 位寻址RAM区 20H 1FH 工作寄存器组3 18H 17H 工作寄存器组2 10H 0FH 工作寄存器组1 7F 7E 7D 7C 7B 7A 79 78 2FH 77 76 75 74 73 72 71 70 2EH 6F 6E 6D 6C 6B 6A 69 68 2DH 67 66 65 64 63 62 61 60 2CH 5F 5E 5D 5C 5B 5A 59 58 2BH 57 56 55 54 53 52 51 50 2AH 4F 4E 4D 4C 4B 4A 49 48 29H 47 46 45 44 43 42 41 40 28H 3F 3E 3D 3C 3B 3A 39 38 27H 37 36 35 34 33 32 31 30 26H 2F 2E 2D 2C 2B 2A 29 28 25H 27 26 25 24 23 22 21 20 24H 1F 1E 1D 1C 1B 1A 19 18 23H 17 16 15 14 13 12 11 10 22H 0F 0E 0D 0C 0B 0A 09 08 21H 07 06 05 04 03 02 01 00 20H 08H 07H 工作寄存器组0 00H SRAM结构图 外部 256B SRAM： 外部 256B SRAM 支持传统的访问外部 RAM 方法。使用 MOVX A, @Ri 或 MOVX @Ri, A 来访问外部 256 字节 RAM；也可以用 MOVX A, @DPTR 或 MOVX @DPTR﹐A 来访问外部 256 字节 RAM。 Page 14 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 6 特殊功能寄存器(SFR) 6.1 SFR 映像 SC91F736 系列有一些特殊功能寄存器，我们称为 SFR。这些 SFR 寄存器的地址位于 80H~FFH，有些可以 位寻址，有些不能位寻址。能够进行位寻址操作的寄存器的地址末位数都是“0”或“8”，这些寄存器在需要改变单个 位的数值时非常方便。所有的 SFR 特殊功能寄存器都必须使用直接寻址方式寻址。 SC91F736 的特殊功能寄存器名称及地址如下表： 0/8 1/9 2/A 3/B 4/C 5/D 6/E 7/F F8h PWMCR PWMPRD PWMDTY1 PWMDTY0 PWMCFG - - - F0h B - - - - - RSTCFG - E8h - - IAPKEY IAPADH IAPADL IAPDAT IAPCTL IRCC E0h ACC - - - - - - - D8h P5 - P5CFG0 - - - - - D0h PSW - - - - - - - C8h - WDTCR X32CTL - - - - - C0h - - - - ADCCFG ADCCR ADCVH ADCVL B8h IP - - - - - - - B0h - - EXIE EXIP - - A8h IE - - - - - - LCDVOS A0h P2 P2CFG1 P2CFG0 P0LCDVO P1LCDVO P2LCDVO - - 98h SCON SBUF BAUDGL BAUDGH - - - - 90h P1 P1CFG1 P1CFG0 P1IT - - - - 88h TCON TMOD TL0 TL1 TH0 TH1 TMCON - 80h P0 SP DPL DPH P0CFG1 P0CFG0 - PCON 可位寻址 不可位寻址 说明： 1.SFR 寄存器中空的部分代表没有此寄存器 RAM，不建议用户使用。 2.SFR 中的 C3H、F7H、FEH、FFH 为系统配置使用的特殊功能寄存器，用户使用可能会导致系统异常，用 户在初始化系统时，不能对此 4 个寄存器进行清零或其它操作。 6.2 SFR 说明 特殊功能寄存器 SFR 的具体解释说明如下： 符号 地址 说明 7 6 5 4 P0.7 P0.6 P0.5 P0.4 3 2 1 0 上电初始值 P0.3 P0.2 P0.1 P0.0 11111111b P0 80H P0 口数据寄存器 SP 81H 堆栈指针 SP[7:0] 00000111b DPL 82H DPTR 数据指针低位 DPL[7:0] 00000000b DPH 83H DPTR 数据指针高位 DPH[7:0] P0CFG1 84H P0 口模式设定寄存器 1 P07M[1:0] P06M[1:0] P05M[1:0] P04M[1:0] P0CFG0 85H P0 口模式设定寄存器 0 P03M[1:0] P02M[1:0] P01M[1:0] P00M[1:0] PCON 87H 电源管理控制寄存器 - - - - - - STOP - xxxxxx0xb TCON 88H 定时器控制寄存器 TF1 TR1 TF0 TR0 - - - - 0000xxxxb GATE1 C/T1 M11 M01 GATE0 C/T0 M10 M00 00000000b 00000000b 10101010b 10101010b TMOD 89H 定时器工作模式寄存器 TL0 8AH 定时器 0 低 8 位 TL0[7:0] 00000000b TL1 8BH 定时器 1 低 8 位 TL1[7:0] 00000000b TH0 8CH 定时器 0 高 8 位 TH0[7:0] Page 15 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 00000000b V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU TH1 8DH 定时器 1 高 8 位 TMCON 8EH 定时器频率控制寄存器 P1 90H P1 口数据寄存器 P1CFG1 91H P1 口模式设定寄存器 P17M[1:0] P16M[1:0] P15M[1:0] P14M[1:0] 10101010b P1CFG0 92H P1 口模式设定寄存器 P13M[1:0] P12M[1:0] P11M[1:0] P10M[1:0] 10101010b P1IT 93H INT1/2/3 中断类型寄存器 - - INT3ES[1:0] INT2ES[1:0] INT1ES[1:0] SCON 98H 串口控制寄存器 SM0 - TH1[7:0] 00000000b - - - - - - T1FD T0FD xxxxxx00b P1.7 P1.6 P1.5 P1.4 P1.3 P1.2 P1.1 P1.0 11111111b SM2 REN TB8 RB8 TI RI xx000000b 0x000000b SBUF 99H 串口数据缓存寄存器 SBUF[7:0] 00000000b BAUDGL 9AH 波特率发生寄存器 L BAUDG[7:0] 00000000b BAUDGH 9BH 波特率发生寄存器 H P2 A0H P2 口数据寄存器 P2CFG1 A1H P2 口模式设定寄存器 P27M[1:0] P26M[1:0] P25M[1:0] P24M[1:0] 10101010b P2CFG0 A2H P2 口模式设定寄存器 P23M[1:0] P22M[1:0] P21M[1:0] P20M[1:0] 10101010b P0LCDVO A3H P0 LCD Bias 输出寄存器 P07VO P06VO P05VO P04VO P03VO P02VO P01VO P00VO 00000000b P1LCDVO A4H P1 LCD Bias 输出寄存器 P17VO P16VO P15VO P14VO P13VO P12VO P11VO P10VO 00000000b P2LCDVO A5H P2 LCD Bias 输出寄存器 P27VO P26VO P25VO P24VO P23VO P22VO P21VO P20VO 00000000b ET1 E32K ET0 - 00000000b - VOS xxxx00x0b EINT2 EINT1 EINT0 x0000000b x0000000b ENBAUDG - P2.7 P2.6 BAUDG[13:8] P2.5 P2.4 P2.3 0x000100b P2.2 P2.1 P2.0 11111111b IE A8H 中断控制寄存器 EA EADC EPWM EUART LCDVOS AFH LCD 电压输出控制寄存器 - - - - EXIE B4H 外部中断使能控制寄存器 - - EINT5 EINT4 EINT3 EXIP B5H 外部中断优先权设定寄存器 - - IPEX5 IPEX4 IPEX3 IPEX2 IPEX1 IPEX0 IP B8H 中断优先权控制寄存器 - IPADC IPPWM IPUART IPT1 IP32K- IPT0 - x0000000b ADCCFG C4H P1/2 口 ADC 配置寄存器 P15AIN7 P16AIN6 P17AIN5 P27AIN4 P26AIN3 P25AIN2- P24AIN1 VREFS 0000000nb ADCCR C5H ADC 控制寄存器 ADCEN ADCS LOWSP EOC/ - VOIRS[1:0] ADCIS[2:0] 0000x000b ADCIF ADCVH C6H ADC 结果寄存器, 储存转化后的结 ADCV[11:4] xxxxxxxxb 果 ADCV[11:4] ADCVL C7H ADC 结果寄存器, 储存转化后的结 ADCV[3:0] - - - - - 果 ADCV[3:0] WDTCR C9H WDT 控制寄存器 X32CTL CAH 低频定时器控制寄存器 PSW D0H 程序状态字寄存器 P5 D8H P5 口数据寄存器 P5CFG0 DAH P5 口模式设定寄存器 0 ACC E0H 累加器 IAPKEY EAH IAP 保护寄存器 IAPADH EBH IAP 地址高位寄存器 IAPADL ECH IAP 地址低 8 位寄存器 IAPDAT EDH IAP 数据寄存器 IAPCTL EEH IAP 控制寄存器 - IRCC EFH IRC 频率改变寄存器 - B F0H B 寄存器 RSTCFG F6H 复位设置寄存器 ENWDT - - CLRWDT - CLKS ENX32 ENCNT X32IF - CY AC F0 RS1 RS0 OV - P - - - - - - P5.1 P5.0 - - WDTCKS[1:0] X32IFS[2:0] P51M[1:0] P50M[1:0] - xxx11111b 11111111b IAPDAT[7:0] - - 11111111b PAYTIMES[1:0] CMD[1:0] IRCC[6:0] - DISRST DISLVR ENPWM PWMIF PWM1OS PWM0OS xxxx0000b xnnnnnnnb B[7:0] - xxxxxx11b xxxx1010b 00000000b IAPADR[12:8] IAPADR[7:0] - 000000x0b 00000000b IAPKEY[7:0] - nxx0xx00b 0000x000b ACC[7:0] - xxxxxxxxb 00000000b LVRS[3:0] xxnnnnnnb 设定门限电压及复位使能 PWMCR F8H PWM 控制寄存器 PWMPRD F9H PWM 周期设置寄存器 PWMPRD[7:0] 11111111b PWMDTY1 FAH PWM1 高电平设置寄存器 PWMDTY1[7:0] 00000000b PWMDTY0 FBH PWM0 高电平设置寄存器 PWMDTY0[7:0] PWMCFG FCH PWM 设置寄存器 - - INV1 INV0 DTY18 - ENPWM1O DTY08 ENPWM0O 00000000b 00000000b PWMCKS[2:0] xx00x000b 8051 CPU 内核常用特殊功能寄存器介绍： 1. 程序计数器 PC 程序计数器 PC 不属于 SFR 寄存器。PC 有 16 位，是用来控制指令执行顺序的寄存器。单片机上电或者复位 后，PC 值为 0000H,也即是说单片机程序从 0000H 地址开始执行程序。 Page 16 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 2. 累加器 ACC（E0H） 累加器 ACC 是 8051 内核单片机的最常用的寄存器之一，指令系统中采用 A 作为助记符。常用来存放参加计 算或者逻辑运算的操作数及结果。 3. B 寄存器(F0H) B 寄存器在乘除法运算中必须与累加器 A 配合使用。乘法指令 MUL A，B 把累加器 A 和寄存器 B 中的 8 位无 符号数相乘，所得的 16 位乘积的低位字节放在 A 中，高位字节放在 B 中。除法指令 DIV A，B 是用 A 除以 B，整 数商放在 A 中，余数放在 B 中。寄存器 B 还可以作为通用的暂存寄存器使用。 4. 堆栈指针 SP(81H) 堆栈指针是一个 8 位的专用寄存器，它指示出堆栈顶部在通用 RAM 中的位置。单片机复位后，SP 初始值为 07H，即堆栈会从 08H 开始向上增加。08H~1FH 为工作寄存器组 1~3。 5. PSW(D0h) 程序状态字寄存器 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 CY AC F0 RS1 RS0 OV P 符号 0 0 0 0 0 0 x 0 上电初始值 位编号 7 位符号 CY 6 AC 5 4~3 F0 RS1、RS0 2 0 OV P 说明 标志位 1：加法运算最高位有进位，或者减法运算最高位有借位时 0：加法运算最高位无进位，或者减法运算最高位无借位时 进位辅助标志位（可在 BCD 码加减法运算时方便调整） 1：加法运算时在 bit3 位有进位，或减法运算在 bit3 位有借位时 0：无借位、进位 用户标志位 工作寄存器组选择位: RS1 RS0 当前使用的工作寄存器组 0~3 0 0 组 0 （00H~07H） 0 1 组 1 （08H~0FH） 1 0 组 2 （10H~17H） 1 1 组 3 （18H~1FH） 溢出标志位 奇偶标志位。此标志位为累加器 ACC 中 1 的个数的奇偶值。 1：ACC 中 1 的个数为奇数 0：ACC 中 1 的个数为偶数（包括 0 个） 保留位 保留位 6. 数据指针 DPTR （82H、83H） 数据指针 DPTR 是一个 16 位的专用寄存器，由低 8 位 DPL（82H）和高 8 位 DPH（83H）组成。DPTR 是 以传统 8051 内核单片机中唯一可以直接进行 16 位操作的寄存器，也可以分别对 DPL 和 DPH 按 Byte 进行操作。 1 7 电源、复位和时钟 7.1 电源电路 SC91F736 电源核心包括了 BG、LDO、POR、LVD/LVR 等电路，可实现在 2.4~5.5V 范围内可靠工作。此 外，IC 内建了一个经过调校的精准 2.4V 电压, 可用作 ADC 内部参考电压。用户可在 ADC 章节查找具体设置内容。 7.2 上电复位过程 SC91F736 上电后, 在客户端软件执行前, 会经过以下的过程：  复位阶段  调入信息阶段  正常操作阶段 复位阶段 是指 SC91F736 会一直处于复位的情况, 直到供应给 SC91F736 的电压高过某一电压, 内部才开始有效的 Page 17 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU Clock。复位阶段的时间长短和外部电源的上升速度有关，外部电源一定要高过用户编程 IC 时选定的 LVR 电压后， 复位阶段才会完成。 调入信息阶段 在 SC91F736 内部有一个预热计数器。在复位阶段期间，此预热计数器一直被清为 0，直到电压过了最高的 LVR 门坎后，该预热计数器开始计数。当内部的预热计数器计数到一定数目后, 每隔一定数量个 IRC clock 就会从 Flash ROM 中的 IFB（包含 Code Option）读出一个 byte 数据存放到内部系统寄存器中。直到预热完成后，该复 位信号才会结束。 正常操作阶段 结束调入信息阶段后, SC91F736 开始从 Flash 中读取指令代码即进入正常操作阶段。这时的 LVR 电压值是 用户写入 Code Option 的设置值。 7.3 复位方式 SC91F736 有 4 种复位方式：①外部 RST 复位②低电压复位 LVR③上电复位 POR④看门狗 WDT 复位。 7.3.1 外部 RST 复位 外部 RST 复位就是从外部 RST 给 SC91F736 一定宽度的复位脉冲信号，来实现 SC91F736 的复位。 RSTN/P1.1 管脚在上电时作为复位管脚使用，用户可以在复位结束后通过软件来将其修改为 P1.1 使用。修改 方法参考下面 LVR 部分关于 RSTCFG（F6H）的使用说明。 7.3.2 低电压复位 LVR SC91F736 内建了一个低电压复位电路。而复位的门限电压有 4 种选择, 缺省值 Default 是用户写入的 Option 值, 共有 4 种电压选择 3.65V、3.50V、2.75V、2.60V。 RSTCFG (F6h)复位设置寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 DISRST DISLVR LVRS[3:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 x x 0 n n n n n 上电初始值 位编号 7,6 5 位符号 保留位 DISRST 4 DISLVR 3~0 LVRS [3:0] 说明 保留位 IO/RST 复位切换控制 0 ：P1.1 当复位脚使用 1 ：P1.1 当正常的 I/O 管脚使用 LVR 使能设置 0：LVR 正常使用 1：LVR 无效 LVR 电压选择控制 1011： 3.65V 复位 1010： 3.50V 复位 0110： 2.75V 复位 0101： 2.60V 复位 其它值：保留 Page 18 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU SC91F736 的复位部分电路结构图如下： RSTN pin De-Bounce 3.65V 3.50V LVD 2.75V 2.60V De-Bounce (~2uS) RESET Code option SFR POR (Power-Up Reset) WatchDogTimer Overflow SC91F736复位电路图 7.3.3 上电复位 POR SC91F736 内部有上电复位电路，当电源电压 VDD 上升到复位电压点时，系统自动复位。 7.3.4 看门狗复位 WDT SC91F736 有一个 16 位的 WDT，其时钟源为内部的 16MHz 振荡器。其系统结构如下图所示： Fosc Fosc / 64 Fosc / 16 Fosc / 8 Fosc / 2 16-bit Counter Overflow Reset WDTCR[1:0] (WDTCKS[1:0]) WDTCR[7] (ENWDT) ClearUp WDTCR[4] (CLRWDT) WDT系统结构图 WDTCR (C9h) 看门狗控制寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 ENWDT 符号 读/写 读/写 0 x x 上电初始值 位编号 7 位符号 ENWDT 4 CLRWDT 4 CLRWDT 读/写 0 3 x 2 x 1 0 WDTCKS[1:0] 读/写 0 0 说明 WDT 开关（此位由系统将用户 Code Option 所设的值调入） 1: WDT 开始工作 0: WDT 关闭 WDT 清“0”位（写 1 有效） 1 ：WDT 计数器从 0 开始计数 Page 19 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip 1,0 WDTCKS [1:0] 6,5,3,2 保留位 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 此位由系统硬件自动置 0 看门狗时钟选择（表中按照 16Mhz 系统频率给出 WDT 的参考时间，如 使用其他时钟的用户，请同比例计算） WDTCKS.1 WDTCKS.0 WDT 时钟频率 WDT 溢出时间 (@16Mhz) 0 0 Fosc/64 262.144ms 0 1 Fosc/16 65.536ms 1 0 Fosc/8 32.768ms 1 1 Fosc/2 8.192ms 保留位 7.3.5 复位初始状态 当 SC91F736 处于复位状态时，多数寄存器会回到其初始状态。看门狗 WDT 处于关闭的状态，PORT 口寄 存器为 FFh。程序计数器 PC 初始值为 0000h,堆栈指针 SP 初始值为 07h。“热启动”的 Reset（如 WDT、LVR、 软件复位等）不会影响到 SRAM，SRAM 值始终是复位前的值。SRAM 内容的丢失会发生在电源电压低到 RAM 无法保存为止。 SFR 寄存器的上电复位初始值如下表： SFR 名称 ACC B PSW SP DPL DPH PCON IE IP P0 P1 P2 P5 P0CFG0 P0CFG1 P1CFG0 P1CFG1 P2CFG0 P2CFG1 P5CFG0 TCON TMOD TH0 TL0 TH1 TL1 TMCON EXIE 初始值 00000000b 00000000b 000000x0b 00000111b 00000000b 00000000b xxxxxx0xb 00000000b x0000000b 11111111b 11111111b 11111111b xxxxxx11b 10101010b 10101010b 10101010b 10101010b 10101010b 10101010b xxxx1010b 0000xxxxb 00000000b 00000000b 00000000b 00000000b 00000000b xxxxxx00b x0000000b SFR 名称 EXIP P1IT SCON SBUF BAUDGL BAUDGH P0LCDVO P1LCDVO P2LCDVO LCDVOS ADCCFG ADCCR ADCVH ADCVL WDTCR X32CTL IAPKEY IAPADH IAPADL IAPDAT IAPCTL IRCC RSTCFG PWMCR PWMPRD PWMDTY1 PWMDTY0 PWMCFG Page 20 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 初始值 x0000000b xx000000b 0x000000b 00000000b 00000000b 0x000100b 00000000b 00000000b 00000000b xxxx00x0b 00000000b 0000x000b xxxxxxxxb xxxxxxxxb nxx0xx00b 0000x000b 00000000b xxx11111b 11111111b 11111111b xxxx0000b xnnnnnnnb xxnnnnnnb 00000000b 11111111b 00000000b 00000000b xx00x000b V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 7.4 高频系统时钟电路 SC91F736 内建了一个振荡频率可调的高精度 IRC 作为系统时钟， 出厂时被精确地调校至 16MHz@5V/25℃, 用户可以通过编程器的 Code Option 将系统时钟设置为 16/8/4/1MHz 使用。调校过程是过滤掉制程上的偏差对精 度所造成的影响。此 IRC 受工作的环境温度和工作电压影响会有一定的漂移，对于压漂（4.5V~5.5V）以及(-20℃ ~85℃)的温漂一般状况会在 ±1% 以内。 SC91F736 有一个特殊的功能：用户可修改 SFR 的值实现 IRC 频率在一定范围的调整（大约±10%）。 IRCC (EFH) 系统时钟改变寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 IRCC[6:0] 符号 读/写 读/写 n n n n n n n 上电初始值 位编号 6~0 位符号 IRCC[6:0] 说明 IRC 频率改变寄存器 IRCC[6:0]在上电后的值 IRCC[s]确保 IRC 可准确工作在 16/4MHz(根据 用户 Code Option 的选择)，此数值的初始值每颗 IC 都可能会有差异。 用户可通过修改此寄存器的值实现 IRC 工作频率的改变。 初始值为 IRCC[s]，此时 IC 工作在 16/8/4MHz，IRCC[6:0]每改变 1 则 IRC 频率改变约 62.5kHz。 IRCC[6:0]和 IRC 输出频率的关系如下： IRCC[6:0]值 IRC 实际输出频率（16M 为例） IRCC[s]-n (16000-n*62.5)kHz ... .... IRCC[s]-2 16000-125=15875kHz IRCC[s]-1 16000-62.5=15937.5kHz IRCC[s] 16000kHz IRCC[s]+1 16000+62.5=16062.5kHz IRCC[s]+2 16000+125=16125kHz ... ... IRCC[s]+n (16000+n*62.5)kHz 7 保留位 说明： 1．IC 每次上电后 IRCC[6:0]的值都是 IRC 工作在最接近 16/8/4MHz 的 IRCC[s]；用户可借助 EEPROM 在每次上电后修正 IRCC 的值以让 IRC 工作在用户需要的频率； 2．为保证 IC 工作可靠，IRC 最高工作频率尽量勿超过 16MHz 的 10% 即 17.6M Hz； 3．IRCC[6:0]的值如果超过范围，则 IRC 只会选择这 7 个 Bit 的值运 行，比如 IRCC[6:0]如果赋值 80h 则效果等同于 00h； 4．请用户确认 IRC 频率的改变不会影响其它功能； 保留位 7.5 低频时钟定时器 SC91F736 内建一个低频定时器电路 Base Timer，可选择外接 32.768KHz 晶振的振荡电路或者内置 32K RC 振荡电路作为时钟源。该振荡器直接连接一个 16-bit 的 Base Timer, 可以把 CPU 从 STOP mode 唤醒, 并且 产生中断。用外接 32K 晶振作为时钟源，可实现用户在 STOP mode 下运行实时时钟、即可以非常省电地进行 计时。用内部 32K RC 振荡器可实现 CPU 定时从 STOP 唤醒，实现省电。不管选择哪一个时钟源，此振荡器都 不会参与系统时钟运行。 Page 21 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU P5.0/P5.1 外接 32K 振荡器作为 BaseTimer 使用的接法电路如下： C1（10~12P） XTALI/P5.1 32.768K Crystal XTALO/P5.0 C2（10~12P) 32K Base Timer 内外部振荡选择关系图如下： 外部32K晶振 振荡源 选择开关 Basetimer Counter X32KIF 内部32K IRC CLKS ENCNT 32K Base Timer 结构图 X32CTL (CAh) 低频定时器控制寄存器（读/写） 7 6 5 4 位编号 CLKS ENX32 ENCNT X32IF 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 上电初始值 位编号 7 位符号 CLKS 6 ENX32 5 ENCNT 4 X32IF 2~0 X32IFS[2:0] 3 x 2 1 0 0 X32IFS[2:0] 读/写 0 0 说明 低频时钟定时器时钟源选择 0：时钟源为 32K IRC，P50 和 P51 作为正常的 IO 口使用 1：时钟源为外接的 32K 晶振，P50 和 P51 设为高阻输入 32K OSC 启动控制 0：所选择的 32KHz 振荡器关闭 1：所选择的 32KHz 振荡器起振 注意: 当设定 ENX32 为 1 后, 32KHz 的 Crystal Oscillator 可能需要耗费 10ms~25ms 的时间才能真正启动。 而当设定 ENX32 为 0 时, 内部的 Base Timer 会被清为 0。 所以， 第一次的 Base Timer 中断或许会慢一 点, 但是只要 ENX32 固定在 1 的情况下, 第二次以后的中断就会非常准 确。 32K Base Timer 计数器使能 0：计数器不计数 1：计数器开始计数 32K Base Timer 中断申请标志 当 CPU 接受 Base Timer 的中断后, 此标志位会被硬件自动清除。 用户也可以用软件清除. 低频时钟中断频率选择（32K Interrupt Frequency Selection） Page 22 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 000：每 15.625ms 产生一个中断 001：每 31.25ms 产生一个中断 010：每 62.5ms 产生一个中断 011：每 125ms 产生一个中断 100：每 0.25 s 产生一个 中断 101：每 0.5 s 产生一个 中断 110：每 1.0 s 产生一个 中断 111：每 2.0 s 产生一个 中断 说明：使用内部 32K 振荡器，中断时间一般会有±20%以内的偏差。 保留位 3 保留位 注意事项： 1. 要改变 X32IFS[2:0] 前, 必须把 IE[2] 及 X32CTL[6] (ENX32) 设定成 0, 否则可能发生宕机的情况。 7.6 省电模式 STOP SC91F736 提供了一个特殊功能寄存器 PCON。只要对该寄存器 PCON.1 写入 1, 内部的高频系统时钟就会停 止, 进到 STOP 模式 , 达到省电功能。在 STOP 模式下， 用户可以通过外部中断 INT0~INT5 把 SC91F736 唤醒， 也可以通过外部复位将 STOP 唤醒。 PCON (87h) 电源控制寄存器（只写、*不可读 *） 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 STOP 符号 读/写 只写 x x x x x x 0 x 上电初始值 位编号 1 位符号 STOP 说明 STOP 模式控制 0： 正常操作模式 1： 节能模式，内部高频晶振停止工作 8 中央处理单元 CPU 及指令系统 8.1 CPU SC91F736 所用的 CPU 是一个 超快速的 1T 标准 8051 内核，其指令完全兼容传统 8051 内核单片机。 8.2 寻址方式 SC91F736 的 1T 8051 CPU 指令的寻址方式有：①立即寻址②直接寻址③间接寻址④寄存器寻址⑤相对寻址 ⑥变址寻址⑦位寻址 8.2.1 立即寻址 立即寻址也称为立即数，它是在指令操作数中直接给出参加运算的操作数，指令举例如下： MOV A， #50H （这条指令是将立即数 50H 送到累加器 A 中） 8.2.2 直接寻址 在直接寻址方式中，指令操作数域给出的是参加运算操作数的地址。直接寻址方式只能用来表示特殊功能寄 存器、内部数据寄存器和位地址空间。其中特殊功能寄存器和位地址空间只能用直接寻址方式访问。举例如下： ANL 50H，#91H （表示 50H 单元中的数与立即数 91H 相“与”，结果存放在 50H 单元中。其中 50H 为直 接地址，表示内部数据寄存器 RAM 中的一个单元。） 8.2.3 间接寻址 间接寻址采用 R0 或 R1 前添加“@”符号来表示。假设 R1 中的数据是 40H,内部数据存储器 40H 单元的数据为 55H,则指令为 MOV A, @R1 （ 把数据 55H 传送至累加器 A）。 8.2.4 寄存器寻址 Page 23 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 寄存器寻址时对选定的工作寄存器 R7~R0、累加器 A、通用寄存器 B、地址寄存器和进位 C 中的数进行操 作。其中寄存器 R7~R0 由指令码的低 3 位表示，ACC、B、DPTR 及进位位 C 隐含在指令码中。因此，寄存器寻 址也包含一种隐含寻址方式。寄存器工作区的选择由程序状态字寄存器 PSW 中的 RS1、RS0 来决定。指令操作 数指定的寄存器均指当前工作区的寄存器。 INC R0 是指（R0）+1→R0 8.2.5 相对寻址 相对寻址是将程序计数器 PC 中的当前值与指令第二字节给出的数相加，其结果作为转移指令的转移地址。 转移地址也成为转移目的地址，PC 中的当前值成为基地址，指令第二字节给出的数成为偏移量。由于目的地址是 相对于 PC 中的基地址而言，所以这种寻址方式成为相对寻址。偏移量为带符号的数，所能表示的范围为+127~128.这种寻址方式主要用于转移指令。 JC $+50H 表示若进位位 C 为 0，则程序计数器 PC 中的内容不改变，即不转移。若进位位 C 为 1，则以 PC 中的当前 值及基地址，加上偏移量 50H 后所得到的结果作为该转移指令的目的地址。 8.2.6 变址寻址 在变址寻址方式中，指令操作数制定一个存放变址基址的变址寄存器。变址寻址时，偏移量与变址基值相加， 其结果作为操作数的地址。变址寄存器有程序计数器 PC 和地址寄存器 DPTR。 MOVC A, @A+DPTR 表示累加器 A 为偏移量寄存器，其内容与地址寄存器 DPTR 中的内容相加，其结果作为操作数的地址，取出 该单元中的数送入累加器 A 中。 8.2.7 位寻址 位寻址是指对一些可进行位操作的内部数据存储器 RAM 和特殊功能寄存器进行位操作时的寻址方式。在进行 位操作时，借助于进位位 C 作为位操作累加器，指令操作数直接给出该位的地址，然后根据操作码的性质对该位 进行位操作。位地址与字节直接寻址中的字节地址编码方式完全一样，主要由操作指令的性质加以区分，使用时 应特别注意。 MOV C， 20H (将地址为 20H 的位操作寄存器值送入进位位 C 中。) 8.3 指令系统 1T 8051 指令系统 助记符 功能说明 字节 周期 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 1 2 1 1 1 1 2 1 1 1 1 2 2 2 1 2 2 2 1 2 2 2 1 2 3 3 1 2 3 3 1 2 6 算术操作指令 ADD A, Rn ADD A, direct ADD A, @Ri ADD A, #data ADDC A, Rn ADDC A, direct ADDC A, @Ri ADDC A, #data SUBB A, Rn SUBB A, direct SUBB A, @Ri SUBB A, #data INC A INC Rn INC direct INC @Ri DEC A DEC Rn DEC direct DEC @Ri INC DPTR MUL AB DIV AB 寄存器内容加到累加器 A 直接地址单元中的数据加到累加器 A 间接 RAM 中的数据加到累加器 A 立即数加到累加器 A 寄存器带进位加到累加器 直接地址单元的内容带进位加到累加器 间接 RAM 内容带进位加到累加器 立即数带进位加到累加器 累加器带借位减寄存器内容 累加器带借位减直接地址单元的内容 累加器带借位减间接 RAM 中的内容 累加器带借位减立即数 累加器加 1 寄存器加 1 直接地址单元加 1 间接 RAM 单元加 1 累加器减 1 寄存器减 1 直接地址单元减 1 间接 RAM 单元减 1 地址寄存器 DPTR 加 1 A 乘以 B A 除以 B Page 24 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip DA A SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 累加器十进制调整 1 3 1 2 1 2 2 3 1 2 1 2 2 3 1 2 1 2 2 3 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 2 3 3 1 2 2 2 3 3 1 2 2 2 3 3 1 1 1 1 1 1 1 1 2 1 2 1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 1 3 1 3 1 3 2 2 2 2 2 3 3 3 5 5 5 1 2 1 2 1 2 2 2 2 1 2 2 2 1 3 2 2 2 逻辑操作指令 ANL A, Rn ANL A, direct ANL A, @Ri ANL A, #data ANL direct, A ANL direct, #data ORL A, Rn ORL A, direct ORL A, @Ri ORL A, #data ORL direct, A ORL direct, #data XRL A, Rn XRL A, direct XRL A, @Ri XRL A, #data XRL direct, A XRL direct, #data CLR A CPL A RL A RLC A RR A RRC A SWAP A CLR C CLR bit SETB C SETB bit CPL C CPL bit ANL C, bit ANL C,/bit ORL C,bit ORL C,/bit MOV C, bit MOV bit, C JC rel JNC rel JB bit, rel JNB bit, rel JBC bit, rel MOV MOV MOV MOV MOV MOV MOV MOV MOV A, Rn A, direct A, @Ri A, #data Rn, A Rn, direct Rn, #data direct, A direct, Rn 累加器与寄存器相“与” 累加器与直接地址单元相“与” 累加器与间接 RAM 单元相“与” 累加器与立即数相“与” 直接地址单元与累加器相“与” 直接地址单元与立即数相“与” 累加器与寄存器相“或” 累加器与直接地址单元相“或” 累加器与间接 RAM 单元相“或” 累加器与立即数相“或” 直接地址单元与累加器相“或” 直接地址单元与立即数相“或” 累加器与寄存器相“异或” 累加器与直接地址单元相“异或” 累加器与间接地址单元相“异或” 累加器与立即数相“异或” 直接地址单元与累加器相“异或” 直接地址单元与立即数相“异或” 累加器清“0” 累加器求反 累加器循环左移 累加器带进位位循环左移 累加器循环右移 累加器带进位位循环右移 累加器内高低半字节交换 布尔变量操作指令 清 0 进位位 清 0 直接地址位 进位位置 1 直接地址位置 1 进位位求反 直接地址位求反 进位位和直接地址为相“与” 进位位和直接地址位的反码相“与” 进位位和直接地址位相“或” 进位位和直接地址位反码相“或” 直接地址位送入进位位 进位位送入直接地址位 进位位为 1 则转移 进位位为 0 则转移 直接地址位为 1 则转移 直接地址位为 0 则转移 直接地址位为 1 则转移，该位清 0 数据传送类指令 寄存器内容送入累加器 直接地址单元中的数据送入累加器 间接 RAM 中的数据送入累加器 立即数送入累加器 累加器内容送入寄存器 直接地址单元中的数据送入寄存器 立即数送入寄存器 累加器内容送入直接地址单元 寄存器内容送入直接地址单元 Page 25 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 3 直接地址单元中的数据送入另一个直接地址单元 2 间接 RAM 中的数据送入直接地址单元 3 立即数送入直接地址单元 1 累加器内容送间接 RAM 单元 2 直接地址单元数据送入间接 RAM 单元 2 立即数送入间接 RAM 单元 3 16 位立即数送入 DPTR 1 以 DPTR 为基地址变址寻址单元中的数据送入累加器 1 以 PC 为基地址变址寻址单元中的数据送入累加器 1 逻辑上在外部的片内扩展 RAM（8 位地址），送入累加器 1 累加器送入逻辑上在外部的片内扩展 RAM（8 位地址） 1 逻辑上在外部的片内扩展 RAM（16 位地址），送入累加器 1 累加器送入逻辑上在外部的片内扩展 RAM（16 位地址） 2 直接地址单元中的数据压入堆栈 2 栈底数据弹出送入直接地址单元 1 寄存器与累加器交换 2 直接地址单元与累加器交换 1 间接 RAM 与累加器交换 1 间接 RAM 的低半字节与累加器交换 控制转移类指令 ACALL address11 2 绝对（短）调用子程序 LCALL address16 3 长调用子程序 RET 1 子程序返回 RETI 1 中断返回 AJMP address11 2 绝对（短）转移 LJMP address16 3 长转移 SJMP rel 2 相对转移 JMP @A+DPTR 1 相对于 DPTR 的间接转移 JZ rel 2 累加器为 0 转移 JNZ rel 2 累加器非 0 转移 CJNE A, direct, rel 3 累加器与直接地址单元比较，不相等则转移 CJNE A, #data, rel 3 累加器与立即数比较，不相等则转移 CJNE Rn, #data, rel 3 寄存器与立即数比较，不相等则转移 CJNE @Ri, #data, rel 3 间接 RAM 单元与立即数比较，不相等则转移 DJNZ Rn, rel 2 寄存器减 1，非 0 转移 DJNZ direct, rel 3 直接地址单元减 1，非 0 转移 NOP 1 空操作 SC91F736 的 MOVC 指令禁止寻址 0000~00FFH 地址，具体使用说明请参考《赛元 MCU 应用注意事项》 MOV direct1,direct2 MOV direct, @Ri MOV direct, #data MOV @Ri, A MOV @Ri, direct MOV @Ri, #data MOV DPTR,#data16 MOVC A,@A+DPTR MOVC A,@A+PC MOVX A，@Ri MOVX @Ri，A MOVX A,@DPTR MOVX @DPTR，A PUSH direct POP direct XCH A, Rn XCH A, direct XCH A, @Ri XCHD A, @Ri 3 3 3 2 3 2 3 5 4 3 4 2 3 3 2 2 3 3 3 4 4 4 4 3 4 3 5 4 4 5 4 4 5 4 5 1 9 INTERRUPT 中断 SC91F736 单片机提供了 12 个中断源： Timer0、Timer1、PWM、ADC、UART、X32K、INT0、INT1、 INT2、INT3、INT4、INT5。这 12 个中断源分为 2 个中断优先级，并可以单独分别设置为高优先级或者低优先级。 每个中断分别有独立的优先级设置位、中断标志、中断向量和使能位，总的使能位 EA 可以实现所有中断的打开 或者关闭。 9.1 中断源、向量 SC91F736 的中断源、中断向量、及相关控制位列表如下： 中断源 Timer0 X32K Timer1 中断发生 中断标志 时间 Timer0 溢 TCON[5] (TF0) 出 低频 32K X32CTL[4] (X32IF) 定时器溢出 Timer1 溢 TCON[7] 中断使能 中断优先权 中断向量 查询优先级 控制 控制 IE[1] IP[1] 000BH 1(高) (ET0) IE[2] (E32K) IE[3] 中断号 （C51） 标志清除 方式 能否唤醒 STOP 1 H/W Auto 不能 IP[2] 0013H 2 2 H/W Auto 能 IP[3] 001BH 3 3 H/W Auto 不能 Page 26 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip UART PWM ADC INT0 INT1 INT2 INT3 INT4 INT5 (TF1) 出 接收或发送 SCON[1:0] (TI/RI) 完成 PWMCR[7] PWM 溢出 (PWMIF) ADC 转换 ADCCR[4] (EOC/ADCIF) 完成 下降沿 隐藏式 下降沿 上升沿 隐藏式 双沿 下降沿 上升沿 隐藏式 双沿 下降沿 上升沿 隐藏式 双沿 下降沿 隐藏式 下降沿 隐藏式 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU (ET1) IE[5] (EPWM) IE[6] (EADC) EXIE[0] IP[6] 0033H 6 6 EXIP[0] 003BH 7 7 必须用户 清除 必须用户 清除 必须用户 清除 H/W Auto EXIE[1] EXIP[1] 0043H 8 8 H/W Auto 能 EXIE[2] EXIP[2] 004BH 9 9 H/W Auto 能 EXIE[3] EXIP[3] 0053H 10 10 H/W Auto 能 EXIE[4] EXIE[5] EXIP[4] EXIP[5] 005BH 0063H 11 12(低) 11 12 H/W Auto H/W Auto 能 能 IE[4] IP[4] 0023H 4 4 IP[5] 002BH 5 5 不能 不能 不能 能 在 EA=1 及各中断使能控制为 1 的情况下，各中断发生情况如下： 定时器中断：Timer0 和 Timer1 溢出时会产生中断并将中断标志 TF0 和 TF1 置为“1”，当单片机执行该定时器 中断时，中断标志 TF0 和 TF1 会被硬件自动清“0”。 PWM 中断：当 PWM 计数器溢出时(也就是说: 计数器数到超过 PWMPRD 时), PWMIF 位(PWM Interrupt Flag) 会被硬件自动置“1”，PWM 中断产生。在 PWM 中断发生后, 硬件并不会自动清除 PWMIF 位, 此 bit 必须由使用者 的软件负责清除。 X32K 中断：32K Base Timer 在用户设置对应的溢出时间后发生溢出并将中断标志 X32IF 置为“1”，当单片机 执行该 32K 中断时，中断标志 X32IF 会被硬件自动清“0”。 ADC 中断：ADC 中断的发生时间为 ADC 转换完成时，其中断标志就是 ADC 转换结束标志 EOC/ADCIF （ADCCR.4）。当使用者设定 ADCS 开始转换后, EOC 会被硬件自动清除为 “0” ; 当转换完成后, EOC 会被硬件 自动置为 “1” 。使用者在 ADC 中断发生之后，进入中断服务程序时，必须用软件去清除它。 外部中断 INTx(x=0~5)：外部中断 INT0~5 有单独的中断向量，当外部中断口有中断条件发生时，外部中断就 发生了。这 6 个外部中断标志是系统隐藏式的，不需要用户做处理，硬件会自动清除。其中 INT0/4/5 的外部中断 仅下降沿触发，无需用户设置；INT1/2/3 初始值为下降沿的外部中断，如果用户需要双沿或者上升沿中断，可通 过设置 SFR （P1IT）来实现。用户可通过 EXIP 寄存器来设置每个中断的优先级级别。外部中断 INT0~5 还可以 唤醒单片机的 STOP。 Page 27 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 9.2 中断结构图 SC91F736 的中断结构如下图所示： IE[7] (EA) Timer-0 IE[1] (ET0) Interrupt to 0Bh Interrupt to 13h Interrupt to 1Bh Interrupt to 23h Interrupt to 2Bh Interrupt to 33h Interrupt to 3Bh Interrupt to 43h Interrupt to 4Bh Interrupt to 53h Interrupt to 5Bh Interrupt to 63h TCON[5] (TF0) IE[7] (EA) X32K IE[2] (E32K) X32CTL[4](X32IF) IE[7] (EA) Timer-1 IE[3] (ET1) TCON[7] (TF1) IE[7] (EA) UART IE[4] (EUART) SCON[1:0] (TI/RI) IE[7] (EA) PWM IE[5] (EPWMI) PWMCR[6] (PWMIF) IE[7] (EA) ADC IE[6] (EADC) ADCCR[6] (EOC) IE[7] (EA) Int-0 EXIE[0] (EX0I) 隐藏式FLAG (INT0IF) IE[7] (EA) Int-1 EXIE[1] (EX1I) 隐藏式FLAG (INT1IF) IE[7] (EA) Int-2 EXIE[2] (EX2I) 隐藏式FLAG (INT2IF) IE[7] (EA) Int-3 EXIE[3] (EX3I) 隐藏式FLAG (INT3IF) IE[7] (EA) Int-4 EXIE[4] (EX4I) 隐藏式FLAG (INT4IF) IE[7] (EA) Int-5 EXIE[5] (EX5I) 隐藏式FLAG (INT5IF) SC91F736中断结构和向量 Page 28 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 9.3 中断优先级 SC91F736 单片机的中断具有两个中断优先级，这些中断源的请求可编程为高优先级中断或者低优先级中断， 即可实现两级中断服务程序的嵌套。一个正在执行的低优先级中断能被高优先级中断请求所中断，但不能被另一 个同一优先级的中断请求所中断，一直执行到结束，遇到返回指令 RETI，返回主程序后再执行一条指令才能响应 新的中断请求。 也就是说 ① 低优先级中断可被高优先级中断请求所中断，反之不能； ② 任何一种中断，在响应过程中，不能被同一优先级的中断请求所中断。 中断查询顺序：SC91F736 单片机的同一优先级中断，如果同时来几个中断，则中断响应的优先顺序同 C51 中的中断查询号相同，即查询号小的会优先响应，查询号大的会慢响应。 9.4 中断处理流程 当一个中断产生并且被 CPU 响应，则主程序运行被中断，将执行下述操作 1， 当前正在执行的指令执行完； 2， PC 值被压入堆栈，保护现场； 3， 中断向量地址载入程序计数器 PC； 4， 执行相应的中断服务程序； 5， 中断服务程序结束并 RETI； 6， 将 PC 值退栈，并返回执行中断前的程序。 在此过程中，系统不会立即执行其它同一优先级的中断，但会保留所发生的中断请求，在当前中断处理结束 后，转去执行新的中断请求。 9.5 中断相关 SFR 寄存器 IE (A8h) 中断使能寄存器（读/写） 7 6 位编号 EA EADC 符号 读/写 读/写 读/写 0 0 上电初始值 位编号 7 位符号 EA 6 EADC 5 EPWM 4 EUART 3 ET1 2 E32K 1 ET0 0 保留位 5 4 3 2 1 0 EPWM 读/写 0 EUART 读/写 0 ET1 读/写 0 E32K 读/写 0 ET0 读/写 0 x 说明 中断使能的总控制 0: 关闭所有的中断 1: 打开所有的中断 ADC 中断使能控制 0：关闭 ADC 中断 1：允许 ADC 转换完成时产生中断 PWM 中断使能控制 0：关闭 PWM 中断 1：允许 PWM 计数溢出（数到 PWMPRD）时产生中断 UART 中断使能控制 0：关闭 UART 中断 1：允许 UART 中断 Timer1 中断使能控制 0：关闭 TIMER1 中断 1：允许 TIMER1 中断 外部低频 32K 计数器中断使能控制 0：关闭低频 32K 计数器中断 1：打开低频 32K 计数器中断 Timer0 中断使能控制 0：关闭 TIMER0 中断 1：允许 TIMER0 中断 保留位 Page 29 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip IP (B8h) 中断优先权寄存器(读/写) 7 6 5 位编号 IPADC IPPWM 符号 读/写 读/写 读/写 x 0 0 上电初始值 位编号 6 位符号 IPADC 5 IPPWM 4 IPUART 3 IPT1 2 IP32K 1 IPT0 7,0 保留位 位符号 EINTx (x=0~5) 7,6 保留位 位符号 IPEXn (n=0~5) 7,6 保留位 4 3 2 1 0 IPUART 读/写 0 IPT1 读/写 0 IP32K 读/写 0 IPT0 读/写 0 x 说明 4 3 2 1 0 EINT4 读/写 0 EINT3 读/写 0 EINT2 读/写 0 EINT1 读/写 0 EINT0 读/写 0 说明 外部中断使能控制 0： 关闭外部中断 INTx(x=0~5) 的中断 1： 允许外部中断 INTx(x=0~5) 发生中断 保留位 EXIP (B5h) 外部中断优先权寄存器(读/写) 7 6 5 位编号 IPEX5 符号 读/写 读/写 x x 0 上电初始值 位编号 5~0 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU ADC 中断优先权选择 0：ADC 中断优先权为低 1：ADC 中断优先权为高 PWM 中断优先权选择 0：PWM 中断优先权为低 1：PWM 中断优先权为高 UART 中断优先权选择 0：UART 中断优先权为低 1：UART 中断优先权为高 Timer1 中断优先权选择 0：Timer1 中断优先权为低 1：Timer1 中断优先权为高 32K 计数器中断优先权选择 0：32K 计数器中断优先权为低 1：32K 计数器中断优先权为高 Timer0 中断优先权选择 0：Timer0 中断优先权为低 1：Timer0 中断优先权为高 保留位 EXIE (B4h) 外部中断使能寄存器(读/写) 7 6 5 位编号 EINT5 符号 读/写 读/写 x x 0 上电初始值 位编号 5~0 SC91F736 4 3 2 1 0 IPEX4 读/写 0 IPEX3 读/写 0 IPEX2 读/写 0 IPEX1 读/写 0 IPEX0 读/写 0 说明 外部中断优先权选择 0 : 外部中断 INTn(n=0~5) 的中断优先级是 “低” 1: 外部中断 INTn(n=0~5) 的中断优先级是 “高” 保留位 Page 30 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU P1IT (93h) INT1/2/3 外部中断类型寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 INT3ES[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 x x 0 0 上电初始值 位编号 5~0 位符号 INTnES[1:0] 7~6 保留位 3 2 1 INT2ES[1:0] 读/写 读/写 0 0 0 INT1ES[1:0] 读/写 读/写 0 0 说明 INTn(n=1、2、3) Edge Selction ,外部中断类型选择 00：下降沿中断 01：无中断 10：双沿中断 11：上升沿中断 保留位 10 定时器 TIMER0 、TIMER1 SC91F736 单片机内部有两个 16 位定时器/计数器分别称为 T0 和 T1，它们具有计数方式和定时方式两种工 作模式。特殊功能寄存器 TMOD 中有一个控制位 C/Tx 来选择 T0 和 T1 是定时器还是计数器。它们本质上都是一 个加法计数器，只是计数的来源不同。定时器的来源为系统时钟或者其分频时钟，但计数器的来源为外部管脚的 输入脉冲。GATEx 和 TRx 是 T0 和 T1 在定时器/计数器模式计数的开关控制，只有在 GATEx=0 且 TRx=1 的时 候，T0 和 T1 才会被打开计数。 计数器模式下，P2.0/T0 和 P2.1/T1 管脚上的每一个脉冲，T0 和 T1 的计数值分别增加 1。 定时器模式下，可通过特殊功能寄存器 TMCON 来选择 T0 和 T1 的计数来源是 Fosc/12 或 Fosc/4。 定时器/计数器 T0 有 4 种工作模式，定时器/计数器 T1 有 3 种工作模式（模式三不存在）： ①模式 0：13 位定时器/计数器模式 ②模式 1：16 位定时器/计数器模式 ③模式 2: 8 位自动重载模式 ④模式 3：两个 8 位定时器/计数器模式。 在上述模式中，T0 和 T1 的模式 0、1、2 都相同，模式 3 不同。 10.1 T0 和 T1 相关特殊功能寄存器 符号 TCON 地址 88H 说明 定时器控制寄存器 TMOD 89H 定时器工作模式寄存器 TL0 TL1 TH0 TH1 TMCON 8AH 8BH 8CH 8DH 8EH 定时器 0 低 8 位 定时器 1 低 8 位 定时器 0 高 8 位 定时器 1 高 8 位 定时器频率控制寄存器 各寄存器的解释说明如下： TCON (88h) 定时器控制寄存器 7 6 位编号 TF1 TR1 符号 读/写 读/写 读/写 0 0 上电初始值 位编号 7 6 5 4 3 2 1 TF1 TR1 TF0 TR0 GATE GATE C/T1 M11 M01 C/T0 M10 1 0 - - - - - - 0 - Reset 值 0000xxxxb M00 00000000b 00000000b 00000000b 00000000b 00000000b T1FD T0FD xxxxxx00b 5 4 3 2 1 0 TF0 读/写 0 TR0 读/写 0 x x x x 位符号 说明 Page 31 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip 7 TF1 6 TR1 5 TF0 4 TR0 3~0 保留位 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU T1 溢出中断请求标志。T1 产生溢出，发生中断时，硬件将 TF1 置为 “1”，申请中断，CPU 响应时，硬件清“0”。 定时器 T1 的运行控制位。此位由软件置 1 和清 0。当 GATE1 TMOD[7]=0,TR1=1 时，允许 T1 开始计数。TR1=0 时禁止 T1 计数。 T0 溢出中断请求标志。T0 产生溢出，发生中断时，硬件将 TF0 置为 “1”，申请中断，CPU 响应时，硬件清“0”。 定 时 器 T0 的 运 行 控 制 位 。 此 位 由 软 件 置 位 和 清 0 。 当 GATE0 TMOD[3]=0,TR0=1 时，允许 T0 开始计数。TR0=0 时禁止 T0 计数。 保留位 TMOD (89h) 定时器工作模式寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 GATE1 C/T1 M11 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 上电初始值 T1 位编号 7 6 位符号 GATE1 C/T1 5,4 M11,M01 3 2 GATE0 C/T0 1,0 M10,M00 4 3 2 1 0 M01 读/写 0 GATE0 读/写 0 C/T0 读/写 0 M10 读/写 0 M00 读/写 0 T0 说明 TMOD[7]控制定时器 1，置 0 且 TR1 置 1 时才打开 T1 TMOD[6]控制定时器 1 0：定时器，T1 计数来源于 Fosc 分频 1：计数器，T1 计数来源于外部管脚 T1/P2.1 定时器/计数器 1 模式选择 00 ： 13 位定时器/计数器，TL1 高 3 位无效 01 ： 16 位定时器/计数器，TL1 和 TH1 全 10 ： 8 位自动重载定时器，溢出时将 TH1 存放的值自动重装入 TL1 11 ： 定时器/计数器 1 无效（停止计数） TMOD[3]控制定时器 0，置 0 且 TR0 置 1 时才打开 T0 TMOD[2]控制定时器 0 0：定时器，T0 计数来源于 Fosc 分频 1：计数器，T0 计数来源于外部管脚 T0/P2.0 定时器/计数器 0 模式选择 00 ： 13 位定时器/计数器，TL0 高 3 位无效 01 ： 16 位定时器/计数器，TL0 和 TH0 全 10 ： 8 位自动重载定时器，溢出时将 TH0 存放的值自动重装入 TL0 11 ： 定时器 0 此时作为双 8 位定时器/计数器。TL0 作为一个 8 位定时器 /计数器，通过标准定时器 0 的控制位控制；TH0 仅作为一个 8 位定时器， 由定时器 1 的控制位控制。 TMOD 寄存器中 TMOD[0]~TMOD[3]是设置 T0 的工作模式；TMOD[4]~TMOD[7]是设置 T1 的工作模式。 定时器和计数器 Tx 功能由特殊功能寄存器 TMOD 的控制位 C/Tx 来选择，M0x 和 M1x 都是用来选择 Tx 的工 作模式。GATEx 和 TRx 作为 T0 和 T1 的开关控制，只有在 GATEx=0 且 TRx=1 是 T0 和 T1 才打开。 TMCON (8Eh) 定时器频率控制寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 符号 读/写 x x x 上电初始值 位编号 1 位符号 T1FD 4 3 2 1 0 x x x T1FD 读/写 0 T0FD 读/写 0 说明 T1 输入频率选择控制 Page 32 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 0 T0FD 7~2 保留位 IE (A8h) 中断使能寄存器（读/写） 7 6 位编号 EA EADC 符号 读/写 读/写 读/写 0 0 上电初始值 位编号 3 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 0：T1 频率源自于 Fosc/12 1：T1 频率源自于 Fosc/4 T0 输入频率选择控制 0：T0 频率源自于 Fosc/12 1：T0 频率源自于 Fosc/4 保留位 5 4 3 2 1 0 ESIF 读/写 0 EPWM 读/写 0 ET1 读/写 0 E32K 读/写 0 ET0 读/写 0 x 3 2 1 0 IPT1 读/写 0 E32K 读/写 0 IPT0 读/写 0 x 位符号 ET1 说明 Timer1 中断使能控制 0： 关闭 TIMER1 中断 1： 允许 TIMER1 中断 ET0 1 Timer0 中断使能控制 0： 关闭 TIMER0 中断 1： 允许 TIMER0 中断 IP (B8h) 中断优先级寄存器（读/写） 7 6 5 4 位编号 IPADC IPSIF EPWM 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 x 0 0 0 上电初始值 位编号 3 位符号 IPT1 1 IPT0 说明 Timer1 中断优先权 0：设定 Timer 1 的中断优先权是 “低” 1：设定 Timer 1 的中断优先权是 “高” Timer0 中断优先权 0：设定 Timer 0 的中断优先权是 “低” 1：设定 Timer 0 的中断优先权是 “高” 10.2 T0 工作模式 通过对寄存器 TMOD 中的 M10、M00（TMOD[1]、TMOD[0]）的设置，定时器/计数器 0 可实现 4 种不同的 工作模式 。 工作模式 0: 13 位计数器/定时器。 TH0 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位（TH0.7~TH0.0）, TL0 存放低 5 位（TL0.4~TL0.0）。TL0 的 高三位（TL0.7~TL0.5）是不确定值，读取时应被忽略掉。当 13 位定时器/计数器递增溢出时，系统会将定时器溢 出标志 TF0 置 1。如果定时器 0 中断被允许，将会产生一个中断。 C/T0 位选择计数器/定时器的时钟输入源。如果 C/T0=1，定时器 0 输入脚 T0（P2.0）的电平从高到低的变 化，会使定时器 0 数据寄存器加 1。如果 C/T0=0，选择系统时钟的分频为定时器 0 的时钟源。 当 GATE0=0，TR0 置 1 打开定时器 T0。TR0 置 1 并不强行复位定时器，意味着如果 TR0 置 1，定时器寄存 器将从上次 TR0 清 0 时的值开始计数。所以，在允许定时器之前，应该设定定时器寄存器的初始值。 当作为定时器应用时，可配置 T0FD 来选择时钟源的分频比例。 Page 33 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip /12 /4 Fosc T0FD=0 T0FD=1 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU TMOD.2=0 (C/T0) T0=P2.0 (TF0) TL0 5 bit TH0 8 bit TMOD.2=1 (C/T0) (GATE0) TMOD.3 TCON.5 T0中断请求 (TR0) TCON.4 定时器/计数器工作模式0: 13位定时器/计数器 工作模式 1:16 位计数器/定时器 除了使用 16 位（TL0 的 8 位数据全部有效）计数器/定时器之外，模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和 配置计数器/定时器方式也相同。 Fosc /12 /4 T0FD=0 T0FD=1 TMOD.2=0 (C/T0) T0=P2.0 (TF0) TL0 8 bit TH0 8 bit TMOD.2=1 (C/T0) (GATE0) TMOD.3 TCON.5 T0中断请求 (TR0) TCON.4 定时器/计数器工作模式1: 16位定时器/计数器 工作模式 2: 8 位自动重载计数器/定时器 在工作模式 2 中, 定时器 0 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL0 存放计数值，TH0 存放重载值。当在 TL0 中的计数器溢出至 0x00 时，定时器溢出标志 TF0 被置 1，寄存器 TH0 的值被重载入寄存器 TL0 中。如果定时 器中断使能，当 TF0 置 1 时将产生一个中断，但在 TH0 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之 前，TL0 必须初始化为所需要的值。 除了自动重载功能外，工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同模式 0 和 1 是相同的。 当作为定时器应用时，可配置寄存器 TMCON.0(T0FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 Fosc 分频的比例。 Page 34 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip Fosc /12 /4 T0FD=0 T0FD=1 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU TMOD.2=0 (C/T0) T0=P2.0 (TF0) TL0 8 bit TCON.5 T0中断请求 TMOD.2=1 (C/T0) Set (TR0) TCON.4 (GATE0) TMOD.3 TH0 8 bit 定时器/计数器工作模式2: 自动重载的8位定时器/计数器 工作模式 3：两个 8 位计数器/定时器（仅限于定时器 0） 在工作模式 3 中，定时器 0 用作两个独立的 8 位计数器/定时器，分别由 TL0 和 TH0 控制。TL0 通过定时器 0 的控制位（在 TCON 中）和状态位（在 TMOD 中）：TR0、C/T0、GATE0、TF0 控制。定时器 0 可通过 T0 的 TMOD.2(C/T0)来选择是定时器模式还是计数器模式。 TH0 通过定时器 1 的控制 TCON 来设置相关的控制，但 TH0 仅被限定为定时器模式，无法通过 TMOD.1(T1FD)来设定为计数器模式。TH0 由定时器控制位 TR1 的控制使能，需设定 TR1=1。当发生溢出及产 生中断时，TF1 会置 1，并按 T1 发生中断来进行相应的处理。 在 T0 被设为工作模式 3 时，TH0 定时器占用了 T1 的中断资源及 TCON 中寄存器，T1 的 16 位计数器会停 止计数，相当于“TR1=0”。当采用 TH0 定时器工作时，需设置 TR1=1。 10.3 T1 工作模式 通过对寄存器 TMOD 中的 M11、M01（TMOD[5]、TMOD[4]）的设置，定时器/计数器 1 可实现 3 种不同的 工作模式 。 工作模式 0: 13 位计数器/定时器。 TH1 寄存器存放 13 位计数器/定时器的高 8 位（TH1.7~TH1.0）；TL1 存放低 5 位（TL1.4~TL1.0）。TL1 的 高三位（TL1.7~TL1.5）是不确定值，读取时应被忽略掉。当 13 位定时器计数器递增溢出时，系统会将定时器溢 出标志 TF1 置 1。如果定时器 1 中断被允许，将会产生一个中断。C/T1 位选择计数器/定时器的时钟源。 如果 C/T1=1，定时器 1 输入脚 T1（P2.1）的电平从高到低的变化，会使定时器 1 数据寄存器加 1。如果 C/T1=0，选择系统时钟的分频为定时器 1 的时钟源。 当 GATE1=0， TR1 置 1 打开定时器。TR1 置 1 并不强行复位定时器，意味着如果 TR1 置 1，定时器寄存器 将从上次 TR1 清 0 时的值开始计数。所以，在允许定时器之前，应该设定定时器寄存器的初始值。 当作为定时器应用时，可配置 T1FD 来选择时钟源的分频比例。 Fosc /12 /4 T1FD=0 T1FD=1 TMOD.6=0 (C/T1) T1=P2.1 (TF1) TL1 5 bit TH1 8 bit TMOD.6=1 (C/T1) (GATE1) TMOD.7 TCON.7 T1中断请求 (TR1) TCON.6 定时器/计数器工作模式0: 13位定时器/计数器 Page 35 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 工作模式 1:16 位计数器/定时器 除了使用 16 位（TL1 的 8 位数据全部有效）计数器/定时器之外，模式 1 和模式 0 的运行方式相同。打开和 配置计数器/定时器方式也相同。 /12 TFD=0 /4 T1FD=1 Fosc TMOD.6=0 (C/T1) T1=P2.1 (TF1) TL1 8 bit TH1 8 bit TCON.7 TMOD.6=1 (C/T1) (GATE1) TMOD.7 T1中断请求 (TR1) TCON.6 定时器/计数器工作模式1: 16位定时器/计数器 工作模式 2: 8 位自动重载计数器/计数器 在工作模式 2 中, 定时器 1 是 8 位自动重载计数器/定时器。TL1 存放计数值，TH1 存放重载值。当在 TL1 中的计数器溢出至 0x00 时，定时器溢出标志 TF1 被置 1，寄存器 TH1 的值被重载入寄存器 TL1 中。如果定时 器中断使能，当 TF1 置 1 时将产生一个中断，但在 TH1 中的重载值不会改变。在允许定时器正确计数开始之 前，TL1 必须初始化为所需要的值。 除了自动重载功能外，工作模式 2 中的计数器/定时器的使能和配置方式同方式 0 和 1 是相同的。 当作为定时器应用时，可配置寄存器 TMCON.4(T1FD)来选择定时器时钟源被系统时钟 Fosc 分频的比例。 /12 /4 Fosc T1FD=0 T1FD=1 TMOD.6=0 (C/T1) T1=P2.1 TL1 8 bit TCON.7 T1中断请求 TMOD.6=1 (C/T1) Set (GATE1) TMOD.7 (TR1) TCON.6 TH1 8 bit 定时器/计数器工作模式2: 自动重载的8位定时器/计数器 11 PWM SC91F736 提供了一个独立的计数器, 它可以支持两路的 PWM 输出：PWM0 及 PWM1。 SC91F736 的 PWM 具有的功能为： ① 8 位 PWM 精度 ② PWM0/PWM1 周期相同，但占空比可单独设置 ③ 输出可设置正反向 ④ 提供 1 个 PWM 溢出的中断 ⑤ PWM0 可以切换输出至两个不同的 IO 口 SC91F736 的 PWM 可支持周期及占空比的调整，寄存器 PWMCR 控制 PWM0 和 PWM1 相关设置， PWMCFG 设置 PWM 计数器计数时钟源及输出电平，PWMPRD 设置两个 PWM 共同的周期，PWMDTY0 和 Page 36 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU PWMDTY1 分别控制 PWM0 和 PWM1 的占空比。 11.1 PWM 结构框图 P1.4 P0.0 PWM0 P1.0 PWM1 P0.1 PWM0OS PWM1OS ENPWM0O ENPWM1O PWMDTY0 INV0 PWMDTY1 重装 INV1 重装 缓存器 缓存器 DTY08 DTY18 Q R 比较器 比较器 R S Fosc S /1 /2 . . . CKS Q 计数器 /256 PWMIF 比较器 ENPWM 共用周期模块 缓存器 重装 PWMPRD SC91F736 PWM结构框图 11.2 PWM 相关 SFR 寄存器 PWMCR (F8h)PWM 控制寄存器 （读/写） 7 6 5 位编号 ENPWM PWMIF PWM1O 符号 4 3 2 1 0 PWM0O DTY18 ENPWM1 DTY08 ENPWM0 Page 37 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 读/写 上电初始值 读/写 0 读/写 0 位编号 7 位符号 ENPWM 6 PWMIF 5 PWM1OS 4 PWM0OS 3 DTY18 2 ENPWM1O 1 DTY08 0 ENPWM0O 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU S 读/写 0 S 读/写 0 读/写 0 O 读/写 0 读/写 0 O 读/写 0 说明 PWM 模块开关控制(Enable PWM) 1： 允许 Clock 进到 PWM 单元, 开始 PWM 的工作 0：关闭 PWM 单元的工作， 主要是为了省电 PWM 中断请求标志位(PWM Interrupt Flag) 当 PWM 计数器溢出时(也就是说: 数到超过 PWMPRD 时)， 此位会被 硬件自动设定成 1。如果此时 IE[5] (EPWM) 也是被设定成 1, PWM 的 中断产生 。在 PWM 中断发生后, 硬件并不会自动清除此位, 此位必 须由使用者的软件负责清除。 PWM1 输出脚选择 0：PWM1 输出至 P1.0 1：PWM1 输出至 P0.1 PWM0 输出脚选择 0：PWM0 输出至 P1.4 1：PWM0 输出至 P0.0 强制 PWM1 固定输出高（Force PWM1 as HIGH) 1：强制把 PWM1 的输出固定为 1 0：PWM1 的输出由 PWM 计数器以及 PWMDTY1 来决定 PWM1 功能开关 1：PWM1 输出到 IO 0：PWM1 不输出到 IO，P1.0/P0.1 为 GPIO 强制 PWM0 固定输出高（Force PWM0 as HIGH) 1：强制把 PWM0 的输出固定为 1 0：PWM0 的输出由 PWM 计数器以及 PWMDTY0 来决定 PWM0 功能开关 1：PWM0 输出到 IO 0：PWM0 不输出到 IO，P1.4/P0.0 为 GPIO SFR PWMPRD[7:0] 是两路 PWM 共享的周期设置控制器。 每当 PWM 计数器数到 PWMPRD[7:0]预先设置 的值时, 下一个 PWM CLK 到来时该计数器会跳数到 00h, 也就是说 PWM1 及 PWM0 的周期都是 (PWMPRD[7:0] + 1 )*PWM 时钟。 PWMPRD (F9h) PWM 周期设置寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 PWMPRD[7:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 1 1 1 1 1 1 1 上电初始值 位编号 7~0 位符号 PWMPRD[7:0] 说明 PWM0 和 PWM1 共用的周期设置； 此数值代表 PWM0 和 PWM1 输出波形的 (周期 – 1); 也就是说 PWM 输 出的周期值为（PWMPRD[7:0] + 1 ）* PWM 时钟； PWM 计数器的计数时间可由 PWMCFG[2:0] 所控制, 分别可以选择不同个数的系统时钟去计数一个单位(prescalar selector)，即选择 PWM 计数器时钟源被系统时钟 Fosc 分频的分频比。PWM1 和 PWM0 还可以被 PWMCFG[5:4]中的 INV1 和 INV0 来选择，PWM 输出是否反向。 PWMCFG (FCh) PWM 设置寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 4 Page 38 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 3 2 1 0 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 符号 读/写 上电初始值 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU - - INV1 INV0 - x x 读/写 0 读/写 0 x 位编号 5 位符号 INV1 4 INV0 2~0 CKS 7/6/3 保留位 CKS[2:0] 位符号 PWMDTY1[7:0] 位符号 PWMDTY0[7:0] IE (A8h) 中断使能寄存器（读/写） 7 6 位编号 EA EADC 符号 读/写 读/写 读/写 0 0 上电初始值 位编号 5 位符号 EPWM 2 1 0 读/写 0 读/写 0 读/写 0 说明 PWM1 占空比长度设置； PWM1 的高电平宽度 是 (PWMDTY1[7:0])个 PWM 时钟 PWMDTY0 (FBh) PWM0 高电平设置寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 位编号 PWMDTY0[7:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 0 上电初始值 位编号 7~0 0 说明 PWM1 输出反向控制(INVerse PWM1 Output) 0 ：PWM1 的输出不反向 1 ：PWM1 的输出反向 PWM0 输出反向控制(INVerse PWM0 Output) 0 ：PWM0 的输出不反向 1 ：PWM0 的输出反向 PWM 时钟源选择(PWM ClocK source Selector) 000：Fosc 001：Fosc/2 010：Fosc/4 011：Fosc/8 100：Fosc/32 101：Fosc/64 110：Fosc/128 111：Fosc/256 保留位 PWMDTY1 (FAh) PWM1 高电平设置寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 位编号 PWMDTY1[7:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 0 上电初始值 位编号 7~0 读/写 0 0 2 1 0 读/写 0 读/写 0 读/写 0 说明 PWM0 占空比长度设置； PWM10 的高电平宽度 是 (PWMDTY0[7:0])个 PWM 时钟 5 4 3 2 1 0 EPWM 读/写 0 EUART 读/写 0 ET1 读/写 0 E32K 读/写 0 ET0 读/写 0 x 说明 PWM 中断使能控制 Page 39 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 0：关闭 PWM 中断 1：允许 PWM 计数器溢出时产生中断 IP (B8h) 中断优先权寄存器(读/写) 7 6 位编号 IPADC 符号 读/写 读/写 x 0 上电初始值 位编号 5 位符号 IPPWM 5 4 3 2 1 0 IPPWM 读/写 0 IPUART 读/写 0 IPT1 读/写 0 IP32K 读/写 0 IPT0 读/写 0 x 说明 PWM 中断优先权选择 0：设定 PWM 的中断优先级是 “低” 1：设定 PWM 的中断优先级是 “高” 注意事项： 1. ENPWM 位能控制 PWM 模块是否工作。 2. ENPWMxO 位能选择 PWMx 口作为 GPIO 还是作为 PWMx 输出。 3. EPWM(IE.5)位能控制 PWM 是否被允许产生中断。 4. 如果 ENPWM 置 1，PWM 模块被打开，但 PWMxO=0,两个 PWM 输出被关闭并作为 GPIO 口。此时 PWM 模 块可以作为一个 8 位 Timer 使用，此时 EPWM(IE.5)被置 1，PWM 仍然会产生中断。 5. 两个 PWM 共用周期，溢出时产生 PWM 中断是同一中断向量。 11.3 PWM 波形及用法 各 SFR 参数改变对 PWM 波形影响如下所述： ①DTYX8 变化特性 DTYX8=1 DTYX8=0 DTYX8 PWMX输出 周期1 周期2 周期3 周期4 周期5 周期6 DTYX8改变图 当 PWMX 输出波形时，若 DTYx8(PWMCR.1/ PWMCR.3)改变，PWMX 波形会立即改变。如上图所示，在周 期 2 中使 DTYx8 置 1，PWMX 会立即响应，固定输出高；在周期 4 某处 DTYx8 清 0，PWMX 立即响应，取消固定 输出。 Page 40 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU ②占空比变化特性 初始值：PWMDTYX=n (PWMPRD=t) 执行指令： 指令1 n n 指令1：设置PWMDTYX=m 指令2：设置PWMDTYX=k 指令2 n m m m t+1 t+1 t+1 k k k PWM波形： PWM周期： t+1 t+1 t+1 t+1 t+1 t+1 占空比变化特性图 当 PWMx 输出波形时，若需改变占空比，可通过改变高电平设置寄存器(PWMDTYx)的值实现。但需要注意， 更改 PWMDTYx 的值，占空比不会立即改变，而是等待本周期结束，在下个周期发生改变。相关波形输出如上图 所示。 ③周期变化特性 初始值：PWMDTYX=h (PWMPRD=n) 执行指令： 指令1 h h h 指令1：设置PWMPRD=m 指令2：设置PWMPRD=k 指令2 h h h h h h k+1 k+1 k+1 PWM波形： PWM周期： n+1 n+1 n+1 m+1 m+1 m+1 周期变化特性图 当 PWMx 输出波形时，若需改变周期，可通过改变周期设置寄存器 PWMPRD 的值实现。同改变占空比一样， 更改 PWMPRD 的值，周期不会立即改变，而是等待本周期结束，在下个周期改变，参考上图所示。 Page 41 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU ④周期和占空比的关系 1 2 ... 3 周期 PWM时钟单元 周期=PWMPRD+1 Low PWMDTYX=00H High PWMDTYX=01H Low PWMDTYX=02H High Low High PWMDTYX=PWMPRD Low High PWMDTYX≥PWMPRD+1 周期与占空比关系图 周期和占空比的关系如上图所示。该结果的前提是 PWMx(x=0，1) 输出反向控制(INVx)初始为 0，若需得到 相反结果，可置 PWMCFG.5(INV1)和 PWMCFG.4(INV0)为 1。需要注意 INVx 的变化特性也与 DTYx8 相同，更 改则立即响应。 11.4 两路互补带死区 PWM 实现方法 大功率电机、变频器的末端都是由大功率管、IGBT（绝缘栅极型功率管）等元件组成的 H 桥。每个桥的上半 桥和下半桥是绝对不能同时导通的。但由于 IGBT 等功率器件都存在一定的结电容，会形成器件导通关断的延迟 现象，导致某个半桥元件在应该关断时没有关断，烧毁功率元件。 为了使 H 桥或半 H 桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通，需要在电平翻转时插入一个时间间隔， 这个时间间隔就是 PWM 输出时的死区。 SC91F736 可以通过两路独立的 PWM0 和 PWM1 输出互补带死区的 PWM 波形。 下面以输出两路频率为 200kHz，占空比约为 50%的互补 PWM 方波，并产生一个不小于 5nS 的死区为例说 明具体的实现方法（IC 工作频率 16MHz，VDD 为 5V，外围器件 M 的 VIH 为 0.7VDD,VIL 为 0.3VDD）。 Page 42 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU PWM1_IN PWM1 M PWM0_IN PWM0 SC91F736 R=100Ω C=330pF GND PWM0输出端增加RC延时电路 ①输出两路互补的，频率为 200kHz，占空比 1:2 的 PWM 方波： void PWMinit(void) { PWMCFG = 0x20; PWMPRD = 79; PWMDTY0 = 40; PWMDTY1 = 40; PWMCR = 0xB5; // PWM0 输出到 P0.0，PWM1 反向输出到 P0.1 //选择 PWM 时钟源为 fosc = 16MHz // PWM 周期 T=(79+1)*(1/16M)=5μs，200kHz // PWM0 的 Duty 设为 1:2 // PWM1 的 Duty 设为 1:2 // 打开 PWM 电源，使能 PWM0 和 PWM1 // PWM0 输出到 P0.0，PWM1 输出到 P0.1 } PWM0 周期T=5us PWM1 PWM0及PWM1输出波形图 ②修改 PWMDTY0 调节 PWM0 占空比，形成后死区延时 t1 PWMDTY0 = 39; // PWM0 的 Duty 设为 39:80 形成后死区延时 PWM 的时钟源为 16MHz，则每一个 Duty 可调节: Page 43 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1  62.5ns 16M PWMDTY0 由 40 变为 39，PWM0 输出高电平的时间减少了 62.5ns。 后死区 t1=62.5nS PWM0 周期T=5us PWM1 PWM0及PWM1输出波形图 ③在 PWM0 上加上 RC 电路，其中 R=100Ω，C=330pF 则有：   100  330 pF  33ns 上升沿延时： 5V   t up =   ln    5V  0.7  5V  = 33ns 1.2  39.6ns 下降沿延时：  5V  t down    ln    0.3  5V   33ns 1.2  39.6ns 此时后死区延时变为： t1  tdown  62.5ns  39.6ns  22.9ns Page 44 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip 前死区 tup =39.6nS SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 后死区 t1-tdown=22.9nS ton =0.7VDD PWM0 toff=0.3VDD 周期T=5us PWM0_IN PWM1 PWM1_IN PWM0及PWM1输出波形图 由此得到两路前死区延时约 39.6ns，后死区延时约 22.9ns 的互补 PWM 方波。 死区延时的取值 死区时间大，系统工作更加可靠，但是会引起输出波形失真并降低工作效率；死区时间小，则效率高，但是 会降低可靠性。一般功率器件的输入端死区延时都控制在几十 ns 或者根据管子特性作调整。 11.5 PWM 频率高精度步进调整实现方法 SC91F736 可以输出最高达 8MHz 的 PWM 频率，通常通过设置 PWMPRD 可实现 PWM 输出频率改变。但 PWM 频率较高时，通过改变 PWMPRD 无法实现较高精度 PWM 步进调整。也就是说：PWM 频率越高，则 PWMPRD 值越小，对 PWMPRD 加减 1 带来的 PWM 输出频率变化越大，PWM 输出的步进精度就会较差。 SC91F736 提供一种通过改变 IRC 频率来实现高速 PWM 频率高精度步进调整的方法，步进精度小于 0.4%。 用户可通过修改 IRCC 寄存器的值改变 IRC 和 PWM 的频率输出。请用户确认 IRC 频率的改变不会影响其它功能， 比如定时功能等。 IRCC (EFh) 系统时钟改变寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 2 1 0 位编号 IRCC[6:0] 符号 读/写 读/写 n n n n n n n 上电初始值 IRC 频率输出、PWM 频率输出 和 IRCC [6:0]的关系如下： IRCC[6:0]值 IRC 实际输出频率（16M 为例） PWMPRD 值 IRCC[s]-n (16000-n*62.5)kHz P ... .... P IRCC[s]-2 16000-125=15875kHz P IRCC[s]-1 16000-62.5=15937.5kHz P IRCC[s] 16000kHz P IRCC[s]+1 16000+62.5=16062.5kHz P IRCC[s]+2 16000+125=16125kHz P Page 45 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 PWM 频率 (16000-n*62.5)/(P+1)kHz .... 15875/(P+1)kHz 15937.5/(P+1)kHz 16000/(P+1)kHz 16062.5/(P+1)kHz 16125/(P+1)kHz V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU ... ... P IRCC[s]+n (16000+n*62.5)kHz P 注：IRC 出厂设定的 16MHz 和步进的 62.5kHz，每颗 IC 会略有偏差。 .... (16000+n*62.5) /(P+1)kHz 以常用的 1.7M/2.4M/3MHz 几个 PWM 中心频率为例，说明用户 PWM 参数选择、IRC 工作频率和 PWM 频率 输出的关系如下： 1.7MHz±5% 2.4MHz±5% 3MHz±5% 参数\PWM 频率 8 6 5 4 PWMPRD 最佳值 15.3MHz±5% 15MHz±5% 16.8MHz±5% 14.4MHz±5% IRC 工作频率范围 (14.54MHz ~ (14.25MHz ~ （最优） （次优） 16.07MHz) 15.75MHz) IRCC 偏移量 -24 ~ 1 -1 ~ 27 -38 ~ -14 -27 ~ -4 0~127 IRCC[6:0] 值 的 有 0~127 超界的 IC 请改变 0~127 0~127 效范围 PWMPRD=5 说明：在 PWM 中心频率为 1.7MHz 和 3MHz 的±5%范围内，都能找到最优的 PWMPRD 参数，确保 IC 可以 调到精准的频率输出；在 PWM 中心频率为 2.4MHz 的±5%范围内，PWMPRD 最优值为 6，非常少量的调整不到 最佳频率的 IC（如果 IRCC[6:0]修正后的值超过 127 仍然无法得到最佳的 PWM 输出频率值时），说明 IRCC[s]偏 大，可通过选择改变 PWMPRD=5，将 IRCC 值负向调整就一定可以实现 PWM 频率的精准输出。 下表以 PWMPRD=6 为例说明中心频率为 2.4MHz 的 PWM 频率步进输出频率和参数的关系，可以看出 PWM 频率在 2.4MHz 的±5%范围内可实现 0.9kHz 左右的步进改变，步进调整精度约为 0.9/24000=0.38%。 十进制 IRCC 偏移量 (IRCC[6:0]-RCC[s]) IRC 频率值（kHz） PWM 周期 （PWMPRD+1） PWM 频率输出(kHz) 0 1 … 11 12 13 14 15 … 25 26 16000 16062.5 … 16687.5 16750 16812.5 16875 16937 … 17562.5 17625 7 7 … 7 7 7 7 7 … 7 7 2285.71 2294.64 … 2383.93 2392.86 2401.79 2410.71 2419.64 … 2508.93 2517.86 用户可进行以 2.4MHz 为中心频率的 PWM 步进调整，具体做法步骤为： 1. 读取 IRCC[6:0]上电初始值 IRCC[s]； 2. 设置相关的 PWM 寄存器，特别提出 PWMPRD+1 的值选择 7 较合适（PWMPRD=6）； 3. 根据所需要的 PWM 频率，将对应的 IRCC[6:0]值（IRCC[s]+偏移量）写入 IRCC 寄存器并打开 PWM 即 可得到相应的 PWM 频率输出。 4. 如果对应的 IRCC[6:0]的值超过 0~127 的范围（只可能是大于 127，说明 IRCC[s]偏大），则请将 PWMPRD+1 的值调整到 6 后，再计算此时所需要的 IRCC 偏移量及对应的 IRCC[6:0]的值，通过将 IRRC[6:0]的值负向调整，此时一定可以得到用户希望的 PWM 频率输出（此时 IRC 频率降低较多，请特 别留意）。 用户如要得到非 2.4MHz 的其它频率也可用相同的方法通过先确定 PWMPRD，再改变 IRCC 偏移量实现。如 果要实现更高精度的调整，用户可以通过同时改变 PWMPRD 和 IRCC 两个参数来得到更高精度的 PWM 步进频 率，如有以上需求，请与赛元工程师联系。 Page 46 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 12 GP I/O SC91F736 提供了最多 26 个 GPIO 端口，此 26 个 IO 同其他功能复用, 其中 P1、P2 以及 P5 这 18 个 IO 口 的灌电流驱动能力约是其它 IO 口的 2 倍（可达 35mA 以上），可用来作为 LED 显示的 COM 驱动。SC91F736 的 I/O 口和标准 8051 的 I/O 口一样，是带强推挽输出的双向 IO 口，有四种 IO 模式可以选择：准双向 IO 模式、强推 挽输出模式、高阻输入、N 型开漏输出模式。所有 IO 上电的缺省模式为高阻输入模式。 准双向 IO 结构：也就是说, 当对一个 I/O 口写 “0” 时, 它有很强 (>15mA)的推低(Sink)能力, 并且使用者此时应 该把该 I/O 口视为输出”Output”, 但是如果对该 I/O 口写”1”后, 该 I/O 口会有短暂的强上拉(两个 clock 周期), 之后就 一直以弱上拉的状况保持该 I/O 口为高输出, 而此时允许使用者从外部输入信号, 盖过该弱上拉. 简单说, 写”0”代表 强的”Output”, 写”1”代表”Input”。 强推挽结构：若是有特别的强推挽输出需要, 使用者可以设定对应的寄存器 PxCFGn, 让 I/O 口输出很强的”1”, 而非 “允许被盖过的 1”, 且具有较强的电流驱动能力。 高阻输入结构：高阻态，仅作为输入口使用。 N 型开漏输出结构：IC 内部的上拉电阻断开，需要外接上拉电阻。 12.1 GPIO 结构图 1. 准双向模式（Quasi-Bi） 准双向口有 3 个上拉的 MOS 管以适应不同的需要，分别称为“弱（Weak）上拉”、“极弱（Very weak）上拉” 和“强（Strong）上拉”。 在 3 个上拉 MOS 管中，有 1 个上拉 MOS 管称为“弱上拉”，当口线寄存器为 1 且引脚本身也为 1 时打开。此 上拉提供基本驱动电流使准双向口输出为 1。如果 1 个引脚输出为 1 而由外部装置下拉到低时，弱上拉关闭而“极 弱上拉”维持开状态，为了把这个引脚强拉为低，外部装置必须有足够的灌电流能力使引脚上的电压降到门槛电压 以下。 第 2 个上拉 MOS 管称为“极弱上拉”，当口线锁存为 1 时打开。当引脚悬空时，这个极弱的上拉源产生很弱的 电流将引脚上拉为高电平。 第 3 个上拉 MOS 管称为“强上拉”，当口线锁存器由 0 跳变为 1 时，这个上拉用来加快准双向口由逻辑 0 到逻 辑 1 转换。当发生这种情况时，强上拉打开约 2 个机器周期以使引脚能迅速地上拉到高电平。 准双向模式的端口结构示意图如下： VDD VDD 强 2 Clocks Delay 极弱 P VDD 弱 P P PORT N Output register Input 准双向口结构 (Standard 8051 I/O) Page 47 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 2.强推挽输出模式 强推挽输出配置的下拉结构与开漏输出与准双向口的下拉结构相同，但当锁存器为 1 时能提供持续的强上拉， 即能够提供持续的大电流驱动（大于 15mA）的输出高。 强推挽输出模式的端口结构示意图如下： VDD P PORT N Output register Input 强推挽输出结构 (Strong Output) 3.高阻输入模式（Input only） 此种模式仅有输入，没有输出能力。高阻输入模式的端口结构示意图如下所示： PxyM[1:0]==10 (Pure Input) Input PAD 高阻输入结构 (Input only) 4.开漏输出模式（Open Drain） 此种模式没有输出高的能力。如果需要输出高，用户必须外接上拉电阻。此时外加引脚的电压不能超过 VDD+0.3V。开漏输出模式的端口结构示意图如下： Page 48 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU PxyM[1:0]==11 (N-type Open Drain) PAD N Output register Input 开漏输出结构 (Open drain) 12.2 I/O 端口相关寄存器 P0CFG1 (84h) P0 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P07M[1:0] P06M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 0 上电初始值 P0CFG0 (85h) P0 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P03M[1:0] P02M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 0 上电初始值 P1CFG1 (91h) P1 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P17M[1:0] P16M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 0 上电初始值 P1CFG0 (92h) P1 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P13M[1:0] P12M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 1 上电初始值 P2CFG1 (A1h) P2 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P27M[1:0] P26M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 0 上电初始值 P2CFG0 (A2h) P2 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 4 位编号 P23M[1:0] P22M[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 1 0 1 0 上电初始值 Page 49 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 3 2 P05M[1:0] 读/写 读/写 1 0 3 2 P01M[1:0] 读/写 读/写 1 0 3 2 P15M[1:0] 读/写 读/写 1 0 3 2 P11M[1:0] 读/写 读/写 1 0 3 2 P25M[1:0] 读/写 读/写 1 0 3 2 P21M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P04M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P00M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P14M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P10M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P24M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P20M[1:0] 读/写 读/写 1 0 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU P5CFG0 (DAh) P5 口模式配置寄存器(读/写) 7 6 5 位编号 符号 读/写 x x x 上电初始值 位编号 7~0 位符号 P0xM[1:0] （x=0~7） 7~0 P1xM[1:0] （x=0~7） 7~0 P2xM[1:0] （x=0~7） 1~0 P5xM[1:0] （x=0~1） P0 (80h) P0 口数据寄存器(读/写) 7 6 位编号 P0.7 P0.6 符号 读/写 读/写 读/写 1 1 上电初始值 P1 (90h) P1 口数据寄存器(读/写) 7 6 位编号 P1.7 P1.6 符号 读/写 读/写 读/写 1 1 上电初始值 P2 (A0h) P2 口数据寄存器(读/写) 7 6 位编号 P2.7 P2.6 符号 读/写 读/写 读/写 1 1 上电初始值 P5 (D8h) P5 口数据寄存器(读/写) 7 6 位编号 符号 4 x 3 2 P51M[1:0] 读/写 读/写 1 0 1 0 P50M[1:0] 读/写 读/写 1 0 说明 P0 口模式配置 00：P0x 的特性同标准 8051 MCU 的 I/O 口，即是准双向 IO 口 01：强制 P0x 口 有很强的输出高驱动能力 10：P0x 为高阻输入模式（上电初始值） 11：P0x 为 N 型开漏模式 P1 口模式配置 00：P1x 的特性同标准 8051 MCU 的 I/O 口，即是准双向 IO 口 01：强制 P1x 口 有很强的输出高驱动能力 10：P1x 为高阻输入模式（上电初始值） 11：P1x 为 N 型开漏模式 P2 口模式配置 00：P2x 的特性同标准 8051 MCU 的 I/O 口，即是准双向 IO 口 01：强制 P2x 口 有很强的输出高驱动能力 10：P2x 为高阻输入模式（上电初始值） 11：P2x 为 N 型开漏模式 P5 口模式配置 00：P5x 的特性同标准 8051 MCU 的 I/O 口，即是准双向 IO 口 01：强制 P5x 口 有很强的输出高驱动能力 10：P5x 为高阻输入模式（上电初始值） 11：P5x 为 N 型开漏模式 5 4 3 2 1 0 P0.5 读/写 1 P0.4 读/写 1 P0.3 读/写 1 P0.2 读/写 1 P0.1 读/写 1 P0.0 读/写 1 5 4 3 2 1 0 P1.5 读/写 1 P1.4 读/写 1 P1.3 读/写 1 P1.2 读/写 1 P1.1 读/写 1 P1.0 读/写 1 5 4 3 2 1 0 P2.5 读/写 1 P2.4 读/写 1 P2.3 读/写 1 P2.2 读/写 1 P2.1 读/写 1 P2.0 读/写 1 5 4 3 2 1 0 - - - - P5.1 P5.0 Page 50 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 读/写 上电初始值 位编号 7~0 7~0 7~0 1~0 x x 位符号 P0.x （x=0~7） P1.x （x=0~7） P2.x (x=0~7) P5.x (x=0,1) 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU x x x x 读/写 1 读/写 1 说明 P0 口锁存寄存器数据 P1 口锁存寄存器数据 P2 口锁存寄存器数据 P5 口锁存寄存器数据 12.3 I/O 端口复用 （略） Page 51 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 13 UART SC91F736 内置一个自带波特率发生器的硬件串口通讯 UART 电路，可方便用于同其它器件或者设备的连接， 例如 Wifi 模块电路或其它驱动芯片等。此 UART 具有标准 UART 的部分实用功能： ① 通讯模式为传统 UART 的模式 1 和模式 3； ② 自带波特率发生器，时钟源为 Fosc/4; ③ 发送和接收完成可产生中断； 13.1 UART 相关寄存器 SCON (98h) 串口控制寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 SM0 SM2 符号 读/写 读/写 读/写 0 x 0 上电初始值 位编号 7 位符号 SM0 5 SM2 4 REN 3 2 1 TB8 RB8 TI 0 RI 位符号 SBUF[7:0] 3 TB8 读/写 0 2 RB8 读/写 0 1 TI 读/写 0 0 RI 读/写 0 说明 串行通信模式控制位 0 0： 模式 1，10 位全双工异步通信，由 1 个起始位，8 个数据位和 1 个 停止位组成，通信波特率可变； 1： 模式 3，11 位全双工异步通信，由 1 个起始位，8 个数据位，一个 可编程的第 9 位和 1 个停止位组成，通信波特率可变； 串行通信模式控制位 1，此控制位只对模式 3 有效 0：每收到一个完整的数据帧就置位 RI 产生中断请求； 1：收到一个完整的数据帧时，只有当 RB8=1 时才会置位 RI 产生中断 请求； 接收允许控制位 0：不允许接收数据； 1：允许接收数据； 发送数据的第 9 位，只对模式 3 有效。 接收数据的第 9 位，只对模式 3 有效。 发送中断标志位 0：由软件清 0 1：由硬件置 1，发送停止位时执行 接收中断标志位 0：由软件清 0 1：由硬件置 1，接收停止位时执行 SBUF (99h) 串口数据缓存寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 上电初始值 位编号 7~0 4 REN 读/写 0 4 3 SBUF[7:0] 读/写 读/写 0 0 2 1 0 读/写 0 读/写 0 读/写 0 说明 串口数据缓存寄存器 SBUF 包含两个寄存器：一个发送移位寄存器和一个接收锁存器 写入 SBUF 的数据将送至发送移位寄存器，并启动发送流程； 读取 SBUF 时将返回接收锁存器中的内容。 BAUDGL (9Ah) 波特率发生寄存器 L（读/写） Page 52 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 位编号 符号 读/写 上电初始值 位编号 7~0 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 7 6 5 读/写 0 读/写 0 读/写 0 位符号 BAUDG[7:0] 位符号 ENBAUDG 5~0 BAUDG[13:8] 2 1 0 读/写 0 读/写 0 读/写 0 1 0 读/写 0 读/写 0 说明 波特率发生定时器低 8 位 BAUDGH (9Bh) 波特率发生寄存器 H（读/写） 7 6 5 位编号 ENBAUDG 符号 读/写 读/写 读/写 0 x 0 上电初始值 位编号 7 4 3 BAUDG[7:0] 读/写 读/写 0 0 4 读/写 0 3 2 BAUDG[13:8] 读/写 读/写 0 1 说明 波特率发生器控制位 0：波特率发生器关闭； 1：波特率发生器打开； 波特率发生定时器高 6 位 串口通信的波特率： 𝐵𝑎𝑢𝑑𝑅𝑎𝑡𝑒 = 𝑓𝑜𝑠𝑐/4 𝐵𝐴𝑈𝐷𝐺[13: 0] + 1 13.2 UART 工作模式说明 SC91F736 有两种工作模式：模式 1 和模式 3。模式 1 为 10 位可变波特率全双工异步通信，模式 3 为 11 位可 变波特率全双工异步通信。UART 工作模式列表及说明如下： SM0 SM2 工作模式 类型 帧长度 起始位 停止位 第9位 波特率 0 0 1 模式 1 异步 10 位 无 可设 1 0/1 0 1 0/1 模式 3 异步 11 位 可设 UART 工作模式 1：10 位通信，8 位数据，可变波特率，异步全双工。 模式 1 提供 10 位全双工异步通信，10 位由 1 个起始位（0），8 个数据位（bit0 为第一位），和一个停止位 （1）组成。在接收时，8 位数据位存储在寄存器 SBUF 中。 任何写入 SBUF 的数据都会启动发送，数据发送操作是从波特率发生器计数器的下一次跳变的系统时钟开始 的，因此与 Fosc/4 是同步的，与对 SBUF 的写操作不同步。发送时序图如下图所示： Page 53 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU Write to SBUF TxD Start D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Stop Shift CLK TI 模式1:发送时序图 只有 REN 置 1 时才允许接收。当 RXD 引脚检测到下降沿时，串行口开始接收串行数据。系统时钟一直对 RXD 的电平进行采样，直到确认 RXD 为可靠 0 并确认起始位有效后开始启动 8 位数据的接收，并装入 SBUF 中。如果 满足以下条件：RI=0 和接收的停止位=1 时，RI 被置 1，一次接收完成。否则接收的数据会丢失，硬件重新启动对 RXD 的电平检测，此时用户必须用软件清除 RI，才能再次接收。接收时序如下图： RxD Start D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Stop Bit Sample Shift CLK RI 模式1:接收时序图 UART 工作模式 3：11 位通信，9 位数据，可变波特率，异步全双工。 模式 3 提供 11 位全双工异步通信，11 位由 1 个起始位（0），9 个数据位（bit0 为第一位），和一个停止位 （1）组成。在接收时，8 位数据存储在寄存器 SBUF 中，第 9 位数据放入 RB8。在数据传送时，第 9 位数据 TB8 可以写为 0 或者 1，例如可写入 PSW 中的奇偶位 P，或者用作多机通信中的数据/地址标志位。 任何写入 SBUF 的数据都会启动发送，同时将 TB8 载入到发送移位寄存器的第 9 位中。数据发送操作是从波 特率发生器计数器的下一次跳变的系统时钟开始的，因此与 Fosc/4 是同步的，与对 SBUF 的写操作不同步。起始 位先从 TxD 引脚移出，最后是第 9 位数据，停止位在 TxD 引脚上移出开始发送时 TI 标志置 1。发送时序图如下图 所示： Page 54 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU Write to SBUF TxD Start D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D8 D7 Stop Shift CLK TI 模式3:发送时序图 只有 REN 置 1 时才允许接收。当 RXD 引脚检测到下降沿时，串行口开始接收串行数据。系统时钟一直对 RXD 的电平进行采样，直到确认 RXD 为可靠 0 并确认起始位有效后开始启动 9 位数据的接收，并装入 SBUF 和 RB8 中。如果满足以下条件：RI=0 和接收的停止位=1 时，RI 被置 1，一次接收完成。否则接收的数据会丢失，硬件重 新启动对 RXD 的电平检测，此时用户必须用软件清除 RI，才能再次接收。接收时序如下图： RxD Start D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D8 D7 Stop Bit Sample Shift CLK RI 模式3:接收时序图 14 软件 LCD 驱动 SC91F736 除 P5 外的所有 IO 可作为软件 LCD 的 COM 或者 SEG，每个 IO 除了正常 IO 功能外，还可有两 组输出电压可选择：1/3VDD、2/3VDD；1/2VDD。用户可根据使用情况，选择任意 IO 作为 LCD 驱动的 COM 或 者 SEG。 14.1 软件 LCD 驱动相关寄存器 LCD 驱动相关 SFR 寄存器说明： 符号 地址 说明 P0LCDVO P1LCDVO P2LCDVO LCDVOS A3H A4H A5H AFH 7 6 5 4 3 2 1 0 P0 口 LCD 电压输出 P07VO P06VO P05VO P04VO P03VO P02VO P01VO P00VO P1 口 LCD 电压输出 P17VO P16VO P15VO P14VO P13VO P12VO P11VO P10VO P2 口 LCD 电压输出 P27VO P26VO P25VO P24VO P23VO P22VO P21VO P20VO VOIRS[1:0] VOS LCD 电压输出值选择 P0LCDVO（A3H） P0 口 LCD 电压输出寄存器（读/写） 7 6 5 4 位编号 P07VO P06VO P05VO P04VO 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 上电初始值 Page 55 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 Reset 值 00000000 00000000 00000000 xxxx00x0 3 2 1 0 P03VO 读/写 0 P02VO 读/写 0 P01VO 读/写 0 P00VO 读/写 0 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU P1LCDVO（A4H） P1 口 LCD 电压输出寄存器（读/写） 7 6 5 4 位编号 P17VO P16VO P15VO P14VO 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 上电初始值 P2LCDVO（A5H） P2 口 LCD 电压输出寄存器（读/写） 7 6 5 4 位编号 P27VO P26VO P25VO P24VO 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 0 上电初始值 位编号 7~0 3 2 1 0 P13VO 读/写 0 P12VO 读/写 0 P11VO 读/写 0 P10VO 读/写 0 3 2 1 0 P23VO 读/写 0 P22VO 读/写 0 P21VO 读/写 0 P20VO 读/写 0 位符号 PxyVO (x=0~2, y=0~7) 说明 打开 Pxy 口 LCD 电压输出 0：关闭 Pxy 口的 LCD 电压输出功能 1：打开 Pxy 口的 LCD 电压输出功能 LCDVOS（AFH） LCD 电压输出值选择寄存器（读/写） 7 6 5 4 3 2 位编号 VOIRS[1:0] 符号 读/写 读/写 读/写 x x x x 0 0 上电初始值 位编号 3~2 位符号 VOIRS[1:0] 0 VOS 1 0 - VOS x 读/写 0 说明 LCD 电压输出口分压电阻选择（根据 LCD 屏大小选择适合的驱动） 00：关闭内部分压电阻（省电） 01：设定内部分压电阻约为 25K 10：设定内部分压电阻约为 50K 11：设定内部分压电阻约为 100K LCD 电压输出口输出电压选择 当 PxyVO=1 时，IO 的 LCD 功能打开，不同设置下的 IO 输出 LCD 电 压关系如下表： PxyM[10]=10, PxyM[10]=10, IO Pxy 的 LCD 电压输出 Px.y=0 Px.y=1 VOS=0 1/2VDD VOS=1 1/3VDD 2/3VDD 注：Px.y 为 Pxy 口的输出寄存器 Px 的 bit y 的值； 14.2 软件 LCD 驱动用法说明及注意事项 LCD 的 SEG/COM 的驱动信号为交流模拟信号，LCD 像素点的显示对比度取决于此显示点上的 COM 电压减 去 SEG 电压 Vcom-Vseg 的有效值，当此电压差大于 LCD 的饱和电压就能打开此点的显示，小于 LCD 的饱和电 压就能关闭此 LCD 点的显示。这需要每个 COM/SEG 在一个扫描周期内根据用户需要在选通和非选通电压之间切 换。SC91F736 工作在非选通电压（1/2VDD@1/2Bias；1/3VDD、2/3VDD@1/3Bias）时需将 IO 的状态设置为高 阻输入，工作在选通电压（VDD、VSS）时需将 IO 的状态设置为强推挽输出。 当 LCD 从选通电压切换为非选通电压时，需要先将 IO 的状态设置为高阻输入，1/3Bias 需要再设置 IO 的输 出值，最后配置 PXLCDVO 将 IO 设置为 LCD 输出； 当 LCD 从非选通电压切换为选通电压时，需要先配置 PxLCDVO 将 IO 设置为 GPIO 输出，要再设置 IO 的输 出值，最后将 IO 设置为强推挽输出。 1/2Bias LCD 应用 1/2Bias LCD 时 COM 的波形图： Page 56 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1 Frame 1 Frame VDD COM0 1/2 VDD VSS VDD COM1 1/2 VDD VSS VDD COM2 1/2 VDD VSS VDD COM3 1/2 VDD VSS 1/2Bias LCD COM0~COM3 一轮扫描的 COM&SEG 电平和显示关系： COM0 COM1 COM2 COM3 SEGn 点亮 VDD 1/2VDD 1/2VDD 1/2VDD VSS VSS 1/2VDD 1/2VDD 1/2VDD VDD 1/2VDD VDD 1/2VDD 1/2VDD VSS 1/2VDD VSS 1/2VDD 1/2VDD VDD 1/2VDD 1/2VDD VDD 1/2VDD VSS 1/2VDD 1/2VDD VSS 1/2VDD VDD 1/2VDD 1/2VDD 1/2VDD VDD VSS 1/2VDD 1/2VDD 1/2VDD VSS VDD SEGn 不亮 VDD VSS VDD VSS VDD VSS VDD VSS 以 1/2Bias 为例，用 P00 作为其中一个 COM 输出 3 级电压的设置步骤如下： ① 设置 LCDVOS=0x04；选择 1/2Bias 输出，设定内部最小的分压电阻 ② 输出 VDD：设置 P0LCDVO=0x00；再设置 P0=0x01；最后设置 P0CFG0=0x01； ③ 输出 1/2VDD：设置 P0CFG0=0x02；再设置 P0=0x01；最后设置 P0LCDVO=0x01； ④ 输出 VSS：设置 P0LCDVO=0x00；再设置 P0=0x00；最后设置 P0CFG0=0x01； 1/3Bias LCD 应用 1/3Bias LCD 选通和非选通电压： Page 57 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1/4 DUTY 1/3 BIAS SELECT UNSELECT VDD 2/3 VDD COM 1/3 VDD VSS SELECT UNSELECT VDD 2/3 VDD SEG 1/3 VDD VSS 1/3Bias LCD 应用中 COM 和 SEG 的波形图： Page 58 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 1 Frame 1 Frame VDD 2/3 VDD COM0 1/3 VDD VSS VDD 2/3 VDD COM1 1/3 VDD VSS VDD 2/3 VDD COM2 1/3 VDD VSS VDD 2/3 VDD COM3 1/3 VDD VSS VDD 2/3 VDD SEGn 1/3 VDD VSS 1/3Bias 直流电压电平选择关系表如下： 项目 直流分压电平 COM 前半扫描周期 SEG 后半扫描周期 COM 选通电平 非选通电平 选通电平 非选通电平 选通电平 Page 59 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 1/3Bias LCD VDD 2/3VDD 1/3VDD VSS VDD 1/3VDD VSS 2/3VDD VSS V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 非选通电平 选通电平 非选通电平 SEG 2/3VDD VDD 1/3VDD 以 1/3Bias 为例，P00 输出 4 级电压的设置步骤如下： ① 设置 LCDVOS=0x05；选择 1/3Bias 输出，设定内部最小的分压电阻 ② 输出 VDD：设置 P0LCDVO=0x00；再设置 P0=0x01；最后设置 P0CFG0=0x01； ③ 输出 1/3VDD：设置 P0CFG0=0x02；再设置 P0=0x00；最后设置 P0LCDVO=0x01； ④ 输出 VSS：设置 P0LCDVO=0x00；再设置 P0=0x00；最后设置 P0CFG0=0x01； ⑤ 输出 2/3VDD：设置 P0CFG0=0x02；再设置 P0=0x01；最后设置 P0LCDVO=0x01； 特别注意：IO 输出的 1/2VDD 和 1/3VDD、2/3VDD 都是 IC 内部 VDD 经过分压输出（分压电阻值为用户设 定 VOIRS），如果 IO 有复用其它功能，请确保 IO 其他功能不会将此电压拉偏。 赛元提供标准的软件 LCD 程序，用户可通过简单地配置即可实现 LCD 功能，如有需要可联络赛元微电子 工程师获取。 15 模数转换 ADC SC91F736 内建一个 12-bit 8 通道的高精度逐次逼近型 ADC ，此 ADC 和 IO 口的其它功能复用。 此 ADC 的基本功能为： ① 12 位分辨率； ② 10 位以上精度； ③ 内部一个通道 AIN0 可接内部 1/3VDD 分压，用来测量 VDD 电压； ④ 外部 7 个通道 AIN1~7 用于外部信号测量； ⑤ 内置 2.4V 参考电压； ⑥ 测量完成后产生中断； ADC 的参考电压可以有 2 种选择： ① 是 VDD 管脚（即直接是内部的 VDD）； ② 是内部 Regulator 输出的参考电压精准的 2.4V； 15.1 ADC 相关寄存器 ADCCFG (C4h) ADC 配置寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 P15AIN7 P16AIN6 P17AIN5 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 上电初始值 位编号 7~1 位符号 PyzAINx (x=1~7) 0 VREFS ADCCR (C5h) ADC 控制寄存器 7 6 位编号 ADCEN ADCS 符号 4 3 P27AIN4 读/写 0 P26AIN3 读/写 0 2 P25AIN2 读/写 0 1 P24AIN1 读/写 0 0 VREFS 读/写 n 说明 P2/P1 口 ADC 设置寄存器 0：设定 PyzAINx 为 IO 口 1：设定 PyzAINx 为 ADC 输入，并自动将上拉电阻移除。 参考电压选择(初始值从 Code Option 调入，用户可修改设置) 0：设定 ADC 的 VREF 为 VDD 1：设定 ADC 的 VREF 为 内部准确的 2.4V 5 4 3 LOWSP EOC/ ADCIF - Page 60 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 2 1 0 ADCIS[2:0] V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 读/写 上电初始值 读/写 0 读/写 0 位编号 7 位符号 ADCEN 6 ADCS 5 LOWSP 4 EOC /ADCIF 2~0 ADCIS[2:0] 3 保留位 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 读/写 0 读/写 0 读/写 0 x ADCVL (C7h) ADC 转换数值寄存器（低 4 位） （读/写） 7 6 5 4 位编号 ADCV[3:0] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 x x x x 上电初始值 位符号 ADCV[11:4] ADCV[3:0] 读/写 0 说明 启动 ADC 的电源 0：关闭 ADC 模块电源 1：开启 ADC 模块电源 ADC 开始触发控制（ADC Start） 对此 bit 写 “1”, 开始做一次 ADC 的转换，即该位只是 ADC 转换的触发 信号。此位只可写入 1 有效。 ADC 时钟频率选择（ADC Clocks Selector） 0：设定 ADC 所使用的 clock 频率为 2MHz 或 1MHz（当系统时钟频率 为 1MHz 时） 1：保留 ADC 转化需要 20 个 ADC CLOCK 完成 转换完成/ADC 中断请求标志(End Of Conversion / ADC Interrupt Flag) 0：转换尚未完成 1：ADC 转换完成。需用户软件清除 ADC 转换完成标志 EOC：当使用者设定 ADCS 开始转换后, 此位会被硬 件自动清除为 0； 当转换完成后, 此位会被硬件自动置为 1 ; ADC 中断请求标志 ADCIF： 此位同时也当作是 ADC 中断的中断请求标志，如果用户使能 ADC 中 断， 那么在 ADC 的 中断 发生后, 用户必须用软件清除此位。 ADC 输入通道选择(ADC Input Selector) 000：1/3 VDD, 可用于测量电源电压 001：选用 P2.4 当作 ADC 的输入 010：选用 P2.5 当作 ADC 的输入 011：选用 P2.6 当作 ADC 的输入 100：选用 P2.7 当作 ADC 的输入 101：选用 P1.7 当作 ADC 的输入 110：选用 P1.6 当作 ADC 的输入 111：选用 P1.5 当作 ADC 的输入 保留位 ADCVH (C6h)ADC 转换数值寄存器（高 8 位）(读/写) 7 6 5 4 3 位编号 ADCV[11:4] 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 读/写 x x x x x 上电初始值 位编号 7~0 7~4 读/写 0 3 x 2 1 0 读/写 x 读/写 x 读/写 x 2 x 1 x 0 x 说明 ADC 转换值的高 8 位数值 ADC 转换值的低 4 位数值 IE (A8h) 中断使能寄存器（读/写） Page 61 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 位编号 符号 读/写 上电初始值 位编号 6 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 7 6 5 4 3 2 1 0 EA 读/写 0 EADC 读/写 0 EPWM 读/写 0 EUART 读/写 0 ET1 读/写 0 E32K 读/写 0 ET0 读/写 0 x 位符号 EADC IP (B8h) 中断优先权寄存器(读/写) 7 6 位编号 IPADC 符号 读/写 读/写 x 0 上电初始值 位编号 6 位符号 IPADC 7 保留位 说明 ADC 中断使能控制 0： 不允许 EOC/ADCIF 产生中断 1： 允许 EOC/ADCIF 产生 中断 5 4 3 2 1 0 IPPWM 读/写 0 IPUART 读/写 0 IPT1 读/写 0 IP32K 读/写 0 IPT0 读/写 0 x 说明 ADC 中断优先权选择 0：设定 ADC 的中断优先级是 “低” 1：设定 ADC 的中断优先级是 “高” 保留位 15.2 ADC 转换步骤 用户实际进行 ADC 转换所需要的操作步骤如下： ① 设定 ADC 输入管脚；（设定 PyzAINx 对应的位为 ADC 输入，通常 ADC 管脚会预先固定）； ② 设定 ADC 参考电压 Vref，设定 ADC 转换所用的频率； ③ 开启 ADC 模块电源； ④ 选择 ADC 输入通道；(设置 ADCIS 位，选择 ADC 输入通道)； ⑤ 启动 ADCS，转换开始； ⑥ 等待 EOC/ADCIF=1，如果 ADC 中断使能，则 ADC 中断会产生，用户需要软件清 0 EOC/ADCIF 标志； ⑦ 从 ADCVH、ADCVL 获得 12 位数据，先高位后低位，一次转换完成； ⑧ 如不换输入通道，则重 5~7 的步骤，进行下一次转换； 注意事项： 1. 在设定 IE[6](EADC)前, 使用者最好用软件先清除 EOC/ADCIF, 并且在 ADC 中断服务程序执行完时, 也清 除该 EOC/ADCIF, 以避免不断的产生 ADC 中断。 15.3 ADC 测量 VDD 电压 SC91F736 除了测量外部电压信号外，也可通过内部 ADC 通道 AIN0 来测量 VDD 电压，可作为电源电压检测 电路或者低电压检测 LPD 使用。测试条件为：设置内部 2.4V 为 ADC 参考电压；ADC 输入通道选择 AIN0 通道 0； 配置 LCDVOS（AFH）=0X05，即打开 1/3VDD 分压电路。设置完成后按照正常 ADC 转换流程，通过 ADC 转换 结果值 ADCV 即可计算出准确的 VDD 电压。 如下图所示，VDD 的电压值 VDD=2.4*ADCV*3/4096，其中 ADCV 为 ADC 转换结果值。 Page 62 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 内部2.4V ADC 参考电压 12bit ADC 转换电路 VDD 1/3VDD 电压分压 ADCV 转换结果值 ADCIF AIN0 设置AFH寄存器 LCDVOS=0x05 VDD电压检测电路 16 IAP SC91F736 的 IAP 操作空间范围有两种模式可选： 1. 内部最高位地址的 256B Flash（地址 1F00H~1FFFH）可以进行 In Application Programming（IAP）操 作， 即作为 EEPROM 使用。 2. IC 整个 ROM 空间的 8KB 范围内都可进行 IAP 操作，主要用作远程程序更新使用。 IAP 操作空间选择作为 Code Option 在编程器写入 IC 时选择： IFB Bit-7 Bit-6 Bit-5 Bit-4 Bit-3 Bit-2 Bit-1 Bit-0 IFB2 - - - - IAPS - - - IAPS=0，仅提供 256B 的 IAP 功能； IAPS=1，可提供 8KB 范围的 IAP 功能； *重点提醒：8KB 范围的 IAP 有风险，需要软硬件配合以保证安全，请谨慎选择！ 16.1 IAP 操作相关寄存器 IAP 相关 SFR 寄存器说明： 符号 地址 说明 IAPKEY EAH IAP 保护寄存器 IAPADH EBH IAP 地址高位 IAPADL ECH IAP 地址低位 IAPDAT EDH IAP 写入/读出 资料 IAPCTL EEH IAP 命令 7 6 - - - - IAPKEY（EAH） IAP 保护寄存器（读/写） 7 6 5 位编号 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 0 0 0 上电初始值 位编号 7~0 位符号 IAPKEY[7:0] 5 - 4 3 2 1 0 IAPKEY[7:0] IAPADR[12:8] IAPADR[7:0] IAPDAT[7:0] PAYTIMES CMD[1:0] [1:0] 4 3 IAPKEY[7:0] 读/写 读/写 0 0 Reset 值 00000000b xxx11111b 11111111b 11111111b xxxx0000b 2 1 0 读/写 0 读/写 0 读/写 0 说明 打开 IAP 功能及 IAP 操作时限设置 写入一个非零值 n，则代表意思为：①打开 IAP 功能；②n 个系统时钟 后如果接收不到 IAP 写入命令，则 IAP 功能被重新关闭； IAPADH（EBH）IAP 写入地址高 5 位寄存器 Page 63 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 位编号 符号 读/写 上电初始值 位编号 4~0 7 6 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 5 - - - x x x 位符号 IAPADR[12:8] 位符号 IAPADR[7:0] IAPDAT（EDH）IAP 数据寄存器 7 6 位编号 符号 读/写 读/写 读/写 1 1 上电初始值 位编号 7~0 位符号 IAPDAT IAPCTL（EEH）IAP 控制寄存器 7 6 位编号 符号 读/写 x x 上电初始值 位编号 3~2 位符号 PAYTIMES[1:0] 1~0 CMD[1:0] 3 读/写 1 读/写 1 2 1 IAPADR[12:8] 读/写 读/写 1 1 0 读/写 1 说明 IAP 写入地址的高 5 位 IAPADL（ECH）IAP 写入地址低 8 位寄存器 7 6 5 位编号 符号 读/写 读/写 读/写 读/写 1 1 1 上电初始值 位编号 7~0 4 4 3 IAPADR[7:0] 读/写 读/写 1 1 2 1 0 读/写 1 读/写 1 读/写 1 2 1 0 读/写 1 读/写 1 读/写 1 2 1 0 说明 IAP 写入地址的低 8 位 5 读/写 1 4 3 IAPDAT[7:0] 读/写 读/写 1 1 说明 IAP 写入的数据 5 4 - - x x 3 PAYTIMES[1:0] 读/写 读/写 0 0 CMD[1:0] 读/写 读/写 0 0 说明 IAP 写入操作时，CPU Hold Time 时间长度设定 00：设定 CPU HOLD TIME 4mS@16/8/4/1MHz 01：设定 CPU HOLD TIME 2mS@16/8/4/1MHz 10：设定 CPU HOLD TIME 1mS@16/8/4/1MHz 11：保留 说明：CPU Hold 的是 PC 指针，其他功能模块继续工作；中断标志会被 保存，并在 Hold 结束后进入中断，但多次的中断只能保留最后一次。 选择建议：VDD 在 2.7V~5.5V，可选择 10 VDD 在 2.4V~5.5V，可选择 01 或者 00 IAP 写入操作命令 00 : 保留 01 : 保留 10 : 写入 11 : 保留 16.2 256B IAP 操作流程和范例程序 SC91F736 的 256B 范围 IAP 的 写入流程如下: Page 64 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU ① ② ③ 写入 IAPDAT[7:0]（准备好 IAP 写入的数据）； 写入 {IAPADR[12:8], IAPADR[7:0]}（准备好 IAP 操作的目标地址，IAPADR[12:8]固定为 1）； 写入 IAPKEY[7:0] 写入一个非 0 的值 n（打开 IAP 保护，且在 n 个系统时钟内没收到写入命令 IAP 会被 关闭）； ④ 写入 IAPCTL[3:0]（设定 CPU Hold 时间，写入 CMD[1:0]为 1、0，CPU Hold 并启动 IAP 写入）； ⑤ IAP 写入结束，CPU 继续后续操作； 注意事项： 1. 利用 MOVC 指令，用户可以读取此部分 IAP 写入的数据。 SC91F736 的 256B 范围 IAP 范例程序如下: #include ”intrins.h” unsigned char code *POINT=0x1F00; unsigned char DATA1,ADDR1; IAP 写操作 C 的 Demo 程序： IAPDAT=DATA1; IAPADH=0x1f; IAPADL=ADDR1; IAPKEY=0xf0; IAPCTL=0x0a; _nop_(); _nop_(); _nop_(); _nop_(); //送数据 DATA1 到 IAP 数据寄存器 //写入 IAP 目标地址高位 //写入 IAP 目标地址低位值 ADDR1 //此值可根据实际调整；需保证本条指令执行后到对 IAPCTL 赋值前， //时间间隔需小于 240（0xf0）个系统时钟，否则 IAP 功能关闭; // 开启中断时要特别注意 //执行 IAP 写入操作，1ms@16M/4M; //等待(至少需要 1 个_nop_()) IAP 读操作 C 的 Demo 程序： DATA1=*(POINT+ADDR1); //读取 ADDR1 的值到 DATA1 IAP 读操作汇编的 Demo 程序： MOV DPTR，#1F00H; MOV A, ADDR1; MOVC A, @A+DPTR; //DPTR 赋初值 //地址值送 A //读取 ADDR1 的值到 A 16.3 8K 范围 IAP 应用说明 8KB 范围内的操作有一定的风险，需要用户在软件中做相应的安全处理措施，如若操作不当可能会造成用户 程序被改写！除非用户必需此功能（比如用于远程程序更新等），不建议用户使用。 Page 65 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 17 电气特性 17.1 极限参数 符号 VDD/VSS Voltage ON any Pin TA 参数 直流供电电压 任一管脚输入/输出电压 最小值 -0.3 -0.3 最大值 5.5 VDD+0.3 UNIT V V 工作环境温度 -40 85 ℃ TSTG 储存温度 -55 125 ℃ 参数 工作电压 工作环境温度 最小值 2.4 -40 最大值 5.5 85 UNIT V 17.2 推荐工作条件 符号 VDD TA ℃ 17.3 直流电气特性 (VDD = 5V, TA = +25℃, 除非另有说明) 符号 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 Iop1 Iop2 Iop3 Iop4 Ipd1 工作电流 工作电流 工作电流 工作电流 待机电流 （Power Down 模式） - 8.0 5.3 3.6 2.4 0.1 10 7.0 5.0 3.5 1.0 mA mA mA mA μA IRC=16MHz IRC=8MHz IRC=4MHz IRC=1MHz 0.7VDD -0.5 2.0 -0.2 - VDD+0.5 0.3VDD VDD 1.5 13 24 23 43 60 V V V V mA mA mA mA μA VPin=0.4V VPin=0.8V VPin=0.4V VPin=0.8V Vpin=4.7V 12 mA Vpin=4.3V 5.5 mA Vpin=4.7V 电流 IO 口特性 VIH VIL VIH,RSTN VIL,RSTN IOL1 IOL2 IOL3 IOL4 IOH1 输入高电压 输入低电压 输入高电压, RSTN 脚 输入低电压, RSTN 脚 灌电流 P0 灌电流 P0 灌电流 P1/P2/P5 灌电流 P1/P2/P5 输出高的电流（准双向口 模式）P0/P1/P2/P5 IOH2 输出高的电流（强推挽模 式）P0/P1/P2/P5 IOH3 输出高的电流（强推挽模 式）P0/P1/P2/P5 做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V VDD24 内部基准 2.4V 电压输出 2.37 2.40 2.45 V TA=-40~85℃ 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件 8.0 3.4 10 5.0 mA mA IRC=16MHz IRC=4MHz (VDD = 3.3V, TA = +25℃, 除非另有说明) 符号 参数 Iop5 Iop6 工作电流 工作电流 电流 Page 66 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip Ipd2 待机电流 （Power Down 模式） IO 口特性 VIH VIL VIH,RSTN VIL,RSTN IOL5 IOL6 IOL7 IOL8 IOH4 输入高电压 输入低电压 输入高电压, RSTN 脚 输入低电压, RSTN 脚 灌电流 P0 灌电流 P0 灌电流 P1/P2/P5 灌电流 P1/P2/P5 输出高的电流（准双向口 模式）P0/P1/P2/P5 IOH5 输出高的电流（强推挽模 式）P0/P1/P2/P5 做为 ADC 参考电压的内部基准 2.4V VDD24 内部基准 2.4V 电压输出 SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU - 0.1 1 μA 0.7VDD -0.5 2.0 -0.2 - VDD+0.5 0.3VDD VDD 1.5 9 16 17 30 40 V V V V mA mA mA mA μA VPin=0.4V VPin=0.8V VPin=0.4V VPin=0.8V Vpin=3.0V 3.7 mA Vpin=3.0V 2.45 V TA=-40~85℃ 典型值 60 最大值 80 单位 μs 16 16.16 μs MHz 测试条件 IRC=16MHz VDD=5V 低电平有效 VDD=4.5~5.5V TA=-20~85 ℃ 2.37 2.40 17.4 交流电气特性 (VDD = 2.5V ~ 5.5V, TA = 25℃, 除非另有说明) 符号 Tosc 参数 振荡器起振时间 最小值 Treset FIRC 复位脉冲宽度 RC 振荡稳定性 18 15.84 17.5 ADC 电气特性 (TA = 25℃, 除非另有说明) 符号 VAD NR VAIN RAIN Rref ZAIN IADC1 参数 供电电压 精度 ADC 输入电压 ADC 输入电阻 Vref 输入阻抗 模拟电压源推荐阻抗 ADC 转换电流 1 IADC2 ADC 转换电流 2 DNL 最小值 2.4 典型值 5.0 12 0.55 5 0.75 单位 V bit V M K K mA 0.50 0.70 mA 微分非线性误差 ±2 LSB INL 积分非线性误差 ±3 LSB EAD 总绝对误差 ±3 LSB TADC ADC 转换时间 GND 1 最大值 5.5 VDD 13.5 20 Page 67 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 测试条件 GND≤VAIN≤VREF VIN=5V ADC 模块打开 VDD=5V ADC 模块打开 VDD=3.3V VDD=5V， VREF=5V VDD=5V， VREF=5V VDD=5V， VREF=5V tAD V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 18 应用电路 VDD ENB CEN CLK DIO 100uF 0.1uF U1 Crystal 32.768KHz GND SC91F736 BUZZER + C6 105 GND 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 47K 47K 47K U2 1 2 3 4 COM1 COM2 COM3 COM4 LCD-23PIN 5 6 7 8 9 10 11 GND P00/PWM0A P01/PWM1A P02 P03 P04 P05 P06 P07 P20/T0 P21/T1 P22/GATE0 P23/GATE1 P24/AIN1 P25/AIN2 5 6 7 8 9 10 11 烧录接口 VDD VSS P51/XTALI P50/XTALO P10/INT0/PWM1 P11/RSTN /ENB P12/RXD /CLK P13/INT1/TXD P14/INT2/PWM0/DIO P15/INT3/AIN7 /CEN P16/INT4/AIN6 P17/INT5/AIN5 P27/AIN4 P26/AIN3 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 1 2 3 4 5 ENB 6 CLK 7 8 DIO 9 CEN 10 11 12 13 14 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 1 2 3 4 5 6 47K 47K 47K 47K Page 68 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 19 订购信息 产品编号 SC91F736M28U 封装 SOP28 Page 69 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 包装 管装 V 1.2 http://www.socmcu.com SC91F736 SinOne Chip 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 20 封装信息 SOP28L(300mil)外形尺寸 单位：毫米 28 15 e1 HE E ~ ~ L 1 14 b Detail F e1 D Seating Plane LE A1 e s A A2 c D y See Detail F 最小 mm(毫米) 标准 最大 A 2.465 2.515 2.565 A1 0.100 0.150 0.200 A2 2.100 2.300 2.500 b 0.356 0.406 0.456 符号 C 0.254(BSC) D 17.750 17.950 18.150 E 7.374 7.450 7.574 HE 10.100 10.300 10.500 1.270(BSC) e L 0.764 0.864 0.964 LE 1.303 1.403 1.503  0 - 10 S 0.745(BSC) Page 70 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 V 1.2 http://www.socmcu.com SinOne Chip SC91F736 带 12 位 ADC 及 LCD 的 8KB 宽电压 Flash MCU 21 规格更改记录 版本 V1.2 V1.1 V1.0 记录 修正直流电气特性中 IO 口特性的部分电流值 增加中断部分的 X32K 中断发生情况说明 修正 SRAM 部分的描述错误 初版 Page 71 of 71 深圳市赛元微电子有限公司 日期 2016 年 12 月 2016 年 10 月 2016 年 4 月 V 1.2 http://www.socmcu.com