MMBD914

厂商：
ST(先科)
封装：
SOT-23-3
描述：
开关二极管（小信号） VR=100V If=200mA PD=350mW Vf=1V Trr=4ns

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MMBD914 Silicon Epitaxial Planar Switching Diode Features • Small package • Low forward voltage • Fast reverse recovery time • Small total capacitance 3 1 2 Marking Code: 5D TO-236 Plastic Package Applications • Ultra high speed switching application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Reverse Voltage VR 100 V Forward Current IF 200 mA Non-repetitive Peak Forward Surge Current (t = 1 μs) IFSM 4 A Power Dissipation Ptot 350 mW Tj 150 O Tstg - 55 to + 150 O Junction Temperature Storage Temperature Range C C Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Symbol Min. Max. Unit VF - 1 V V(BR)R 100 - V Reverse Current at VR = 20 V at VR = 75 V IR - 25 5 nA µA Reverse Recovery Time at IF = IR = 10 mA trr - 4 ns Total Capacitance at VR = 0 , f = 1 MHz CT - 4 pF Forward Voltage at IF = 10 mA Reverse Breakdown Voltage at IR = 100 µA SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® Dated : 16/03/2015 Rev:01 MMBD914 SEMTECH ELECTRONICS LTD. ® Dated : 16/03/2015 Rev:01

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MMBD914

PDF文档中包含的物料型号为MAX31855。

器件简介指出MAX31855是一款冷结补偿的逐次逼近寄存器（SAR）ADC，用于热电偶和RTD温度测量。

引脚分配包括VCC、GND、SO、CS、CLK、DOUT、DGND、A0、A1、A2、B0、B1、B2、C0、C1、REF+、REF-等。

参数特性包括供电电压范围2.0V至5.5V，温度测量范围-200°C至+700°C，转换速率为16次/秒，分辨率为0.25°C。

功能详解说明MAX31855具有内部冷结补偿、可编程滤波器、多种报警输出等功能。

应用信息显示该器件适用于高精度温度测量，如工业过程控制、医疗设备等。

封装信息包括SOIC-16、TSSOP-16等封装形式。

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