1. 物料型号:文档中提到了两种型号,PXV1220S和PBV1632S,分别对应0805和1206尺寸。
2. 器件简介:这些芯片衰减器用于简化GaAs高频放大器的温度漂移补偿,具有出色的高频特性,并且符合RoHS标准(除中国RoHS外)。
3. 引脚分配:文档中没有提供具体的引脚分配图,但通常这类表面贴装组件会有明确的引脚定义。
4. 参数特性:
- 衰减值:PXV1220S提供1至10dB的衰减,而PBV1632S提供1至10dB和16dB的衰减。
- 衰减容差:±0.5dB(在25°C,无负载条件下)。
- 阻抗:500欧姆。
- 电压驻波比(VSWR):最大1.3。
- 衰减的温度系数:例如,6dB衰减的温度系数从N1到N8为1~3dB,N10为0.0119dB/dB°C等。
5. 功能详解:文档中提到了这些衰减器在直流至3GHz的频率范围内工作,额定功率分别为63mW和100mW,并在-40°C至+100°C的温度范围内操作。
6. 应用信息:这些衰减器适用于基站等应用。
7. 封装信息:PXV1220S的封装尺寸为0.70 x 0.65 x 0.65mm,PBV1632S的尺寸为3.2 x 1.0 x 0.4mm。封装方式包括每袋100个、每卷200个、每卷1000个等。