WD1SN256X808-400C-PJ

物料型号： - 128MB: WD1SN128X808 - 256MB: WD1SN256X808 - 512MB: WD1SN512X808 - 1GB: WD1SN01GX808 - 2GB: WD1SN02GS808 (Stacked)

器件简介： 这些是200-pin的无缓冲非ECC DDR SDRAM SODIMM内存模块，符合DDR-266, DDR-333, DDR-400的JEDEC标准，工作电压为2.5V，采用x8 DDR SDRAM设备在TSOPII-66无铅封装中构建，支持128MB, 256MB, 512MB, 1GB和2GB模块。

引脚分配： 文档提供了200-pin SODIMM的详细引脚分配表，包括每个引脚的符号和功能，如VREF、VSS、DQ数据引脚、DM数据掩码引脚、RAS#、CAS#等控制信号。

参数特性： - 支持的速率包括DDR266A、DDR266B、DDR333和DDR400。 - 延迟参数包括2-3-3、2.5-3-3和3-3-3。 - 刷新周期为8K，在64ms内完成。

功能详解： - 模块配置包括16Mx64、32Mx64、64Mx64、128Mx64和256Mx64。 - 器件配置为16Mx8、32Mx8、64Mx8、128Mx8和256Mx8，其中2GB模块使用8个堆叠组件。 - 所有输入/输出都与SSTL_2兼容，所有接触点都是镀金的，符合ROHS标准。

应用信息： 这些模块适用于需要DDR-266、DDR-333或DDR-400内存的系统，具有单排名和x8组织。

封装信息： 模块的物理尺寸遵循SODIMM标准，文档提供了详细的尺寸图和公差。