LP35112

LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 概述 特点 LP35112 是一款高性能高耐压副边同步整流控制芯 片，适用于隔离型的同步整流应用。LP35112 支持 原边主控芯片 DCM，QR 和 CCM 多种工作方式。            LP35112 采用专利的副边续流预估判定关断技术和 原边开通判定技术，可以有效的避免因激磁振荡引 起的驱动芯片误动作和在 CCM 工作条件下纯电压 判定的关断延迟造成的效率损失。 LP35112 采用特有的 VCC 供电技术， 可以保证在原 边控制系统恒流和恒压两种工作状态下，芯片都不 会欠电工作。 另外 LP35112 还集成了 VCC 欠压保护， 过压钳位， 以及驱动脚去干扰等技术。 LP35112 采用 SOT23-6 封装 隔离型的同步整流控制应用 兼容 DCM，QR，CCM 多种工作方式 控制芯片 200V 的高耐压 专利的原边开通判定和副边续流预估判定 外驱低阈值的 NMOS 特有的 VCC 供电技术 芯片 VCC 供电欠压保护 芯片 VCC 过压钳位 芯片启动前驱动脚防误导通 外围元器件少 SOT23-6 封装 应用    支持 5V-30V 输出电压的反激同步整流应用 充电器和适配器的同步整流 反激式控制器 典型应用 DRV GND VCC AC D LP35112 BE AE 图 1 LP35112 典型应用图 LP35112_CN_DS_Rev.0.96 www.chip-hope.com WUXI Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 定购信息 定购型号 封装 包装形式 LP35112 SOT23-6 打印 盘装 12XXXX 3，000 颗/盘 12：LP35112 XXXX：封装批号 管脚封装 DRV D 12XXXX VCC AE BE GND 图 2 管脚封装图 管脚描述 管脚号 管脚名称 1 DRV 同步整流 MOSFET 的驱动端，接其栅极。 2 VCC 芯片电源 3 GND 芯片地，内接同步整流管源极 4 BE 副边续流判定设定脚位 5 AE 原边开通判定设定脚位 6 D LP35112_CN_DS_Rev.0.96 描述 同步整流的漏极，芯片的供电脚位和电压判定脚位。 www.chip-hope.com WUXI Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 极限参数(注 1) 符号 参数范围 单位 -0.3~200 V 电源电压 -0.3~8 V AE，BE 判定设置端 -0.3~8 V PDMAX 功耗(注 2) 0.45 W θJA PN结到环境的热阻 240 ℃/W TJ 工作结温范围 -40 to 150 ℃ TSTG 储存温度范围 -55 to 150 ℃ 2 KV D VCC 参数 内部高压供电端到芯片地的峰值电压 ESD (注 3) 注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全 保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数 规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。 注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX, θJA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX TA)/ θJA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。 注 3：人体模型，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。 LP35112_CN_DS_Rev.0.96 www.chip-hope.com WUXI Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 电气参数(注 4, 5)（无特别说明情况下，VCC =5.0 V,TA =25℃） 符号 描述 说明 最小值 典型值 最大值 单位 VCC VCC 工作电压 D=40V，Other Floating 6.1 V VCC_ON VCC 启动电压 VCC 上升 4.2 V VCC_UVLO VCC 欠压保护阈值 VCC 下降 3.6 V IST VCC 启动电流 VCC= VCC-ON - 0.5V 50 uA Icc VCC 工作电流 VCC= VCC-ON + 0.5V 130 uA Vcc_clamp VCC 钳位电压 ICC=40mA 6.5 V Isup D 脚位供电能力 D=20V，VCC=0V 电源电压 8 9.5 11 mA 阈值电压设置 SR_ON 整流管开通电压阈值 0.2 V SR_OFF1 第一比较器关断阈值 -5 mV Tb1 第一比较器屏蔽时间 1.1 us Td1 第一比较器关断延迟 200 nS SR_OFF1 第二比较器关断阈值 -10 mV Tb1 第二比较器屏蔽时间 3.6 us Td2 第二比较器关断延迟 30 nS T_SRmin 整流管最小开通时间 1.1 us S_AE 原边判定电压积分阈值 RAE=100Kohm 25 us*V RAB 副边断续判定比例 RAE=RBE 87 % TRISE 驱动上升时间 CGATE=5nF 100 ns TFALL 驱动下降时间 CGATE=5nF 50 ns 慢速比较器 快速比较器 判定设置 驱动能力 注 4：典型参数值为 25˚C 下测得的参数标准。 注 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。 LP35112_CN_DS_Rev.0.96 www.chip-hope.com WUXI Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 内部结构框图 VCC D 电源产生模块 BG Vref BG VREF IREF -5mV OFF1 UVLO BG POK OFF2 AE Vref CMP1 -10mV CMP2 原边开通判定 ON LOGIC SR_ON Driver DRV 0.2V CMP D POK 钳位电路 OFF_EN BE GND 副边断续预估 图3 LP35112 内部框图 应用信息 LP35112 是一款高性能的副边同步整流芯片，适用 于隔离型的同步整流应用，兼容 DCM，CCM 和 QR 等工作方式，D 脚位高耐压。LP35112 采用专 利的原边开通判定和副边续流预估判定技术，可 以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误动作 和避免在 CCM 工作时因延时关断引起的效率损 失。LP35112 采用特有的 VCC 供电技术，可以保 证在原边控制系统恒流和恒压两种工作状态下， 芯片都不会欠压工作。 启动 当系统上电后，通过内置 MOS 的体二极管对输出 电容充电，输出电压上升。LP35112 通过 D 脚连 接输出电压。当输出电压上升时，经过芯片内部 供电电路，给 VCC 电容充电，当 VCC 的电压充 到开启阈值电压时，芯片内部控制电路开始工作， MOS 正常的导通和关断。MOS 正常的导通时，电 流不再从体二极管流过，而从 MOS 的沟道流过。 LP35112_CN_DS_Rev.0.96 www.chip-hope.com 芯片正常工作时，所需的工作电流仍然通过 D 脚， 给 VCC 供电。 同步整流管导通 反激 DCM 工作时，由于电感的激磁作用，当初级 芯片关断时，会产生振荡。为了防止误检测振荡 信号，导致同步整流管的异常开启， LP35112 采 用专利的原边开通判定技术。 当初级芯片导通时，通过变压器，次级输出地 gnd 与芯片地 GND 之间生成反激电压；当初级芯片关 断时，次级 LP35112 的漏极 D 与 GND 之间的电 压下降。LP35112 通过检测 AE 脚反激电压和漏极 电压，能准确的判断同步整流管的开启。 同步整流管关断 为了避免同步整流管导通时，因激磁振荡幅度较 大，导致误检测关断信号，使同步整流管异常的 WUXI Chip Hope Micro-electronics LTD Confidential– Customer Use Only LP35112 高性能副边同步整流驱动芯片 关断，LP35112 采用专利的副边续流预判定技术。 VCC 外加供电回路 通过内部电路处理 AE 脚检测到的反激电压以及 设定的整流管关断第一电压阈值和第二电压阈值， 能准确地判断同步整流管的关断。 C1、D1、D2 构成 VCC 外加供电回路。LP35112 的 VCC 是通过内部高压电路供电的；当 LP35112 做大功率输出（30W 以上，外驱的 MOS 较大）， 需要较大的供电电流，此时完全靠内部高压供电 电路供电会稍显不足，通过外加供电回路可以解 决此供电问题。通过外加供电电路，经过芯片内 部的供电电流减弱，有利于芯片温升且能提升效 率。 LP35112 的关断的另外一个充分条件就是当副边 的导通时间超过了副边续流预估判定的比例时间 时，同步整流管也关断。 AE 脚电阻设置 RAE=4×SAE C1 D1 RAE：AE 脚要设置的电阻，单位 KΩ SAE：根据 AE 电阻设定的伏秒面积，单位 uS*V 怎样设定 SAE D2 DRV GND VCC 要 求 输 入 电 压 85~265VAC 且 空 载 时 ， 测 试 LP35112 芯片 D 脚对芯片 GND 脚的工作波形，如 下图： D LP35112 BE AE 要求（1.2×U2×t2 ）