ESP32PICOV302
技术规格书
版本 1.0
乐鑫信息科技
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1
产品概述
1 产品概述
1.1 特性
• AFH
MCU
®
• 内置 ESP32 芯片,Xtensa 双核 32 位 LX6 微处
• CVSD 和 SBC
理器,支持高达 240 MHz 的时钟频率
• 448 KB ROM
硬件
• SiP 接口:ADC、DAC、触摸传感器、
• 520 KB SRAM
SD/SDIO/MMC 主机控制器、SPI、SDIO/SPI 从
• 16 KB RTC SRAM
机控制器、EMAC、电机 PWM、LED PWM、
UART、I2 C、I2 S、红外遥控、GPIO、脉冲计数器、
WiFi
TWAI® (兼容 ISO 11898-1,即 CAN 规范 2.0)
• 802.11b/g/n
• 802.11n 数据速率高达 150 Mbps
• 40 MHz 晶振
• 支持 A-MPDU 和 A-MSDU 聚合
• 8 MB SPI flash
• 支持 0.4 µs 保护间隔
• 2 MB SPI PSRAM
• 工作信道中心频率范围:2412 ~ 2484 MHz
• 工作电压/供电电压:3.0 ~ 3.6 V
蓝牙 ®
• 蓝牙 V4.2 BR/EDR 和蓝牙 LE 标准
• 建议工作温度范围:–40 ~ 85 °C
• Class-1、class-2 和 class-3 发射器
• 封装尺寸:(7 × 7 × 1.11) mm
1.2 描述
ESP32-PICO-V3-02 是一款基于 ESP32 (ECO V3) 的系统级封装 (SiP) 产品,可提供完整的 Wi-Fi 和蓝牙 ® 功能,
集成 1 个 8 MB 串行外围设备接口 (SPI) flash 和 1 个 2 MB 串行外设接口 PSRAM。
ESP32-PICO-V3-02 的核心是 ESP32 (ECO V3) 芯片 *。ESP32 是集成 2.4 GHz Wi-Fi 和蓝牙双模的单芯片方案,
采用台积电 (TSMC) 超低功耗的 40 纳米工艺。ESP32-PICO-V3-02 SiP 已将晶振、flash、PSRAM、滤波电容、
RF 匹配链路等所有外围器件无缝集成进封装内,不再需要外围元器件即可工作。此时,SiP 的组装和测试都在
SiP 层面完成,因此 ESP32-PICO-V3-02 可以大大降低供应链的复杂程度并提升管控效率。
ESP32-PICO-V3-02 具备体积紧凑、性能强劲及功耗低等特点,适用于任何空间有限或电池供电的设备,比如
可穿戴设备、医疗设备、传感器及其他 IoT 设备。
相比其他 ESP32 系列芯片,ESP32-PICO-V3-02 增加了 GPIO20 管脚。另外,考虑到芯片的安全性能,flash 管
脚 DI、DO、/HOLD、/WP 和 PSRAM 管脚 SI/SIO0、SO/SIO1、SIO2、SIO3 均未引出。
说明:
• 更多有关 ESP32 的信息,请参考 《ESP32 技术规格书》。
• 更多有关 ESP32 ECO V3 的信息,请参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》。
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
1
产品概述
1.3 应用
• 通用低功耗 IoT 传感器 Hub
• 智慧楼宇
• 通用低功耗 IoT 数据记录器
• 工业自动化
• 摄像头视频流传输
• 智慧农业
• OTT 电视盒/机顶盒设备
• 音频设备
• 语音识别
• 健康/医疗/看护
• 图像识别
• Wi-Fi 玩具
• Mesh 网络
• 可穿戴电子产品
• 家庭自动化
• 零售 & 餐饮
• 智能家居控制板
• 智能 POS 应用
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
目录
目录
1
产品概述
3
1.1
特性
3
1.2
描述
3
1.3
应用
4
2
功能块图
9
3
管脚定义
10
3.1
管脚布局
10
3.2
管脚描述
10
3.3
与 ESP32-PICO-V3 和 ESP32-PICO-D4 兼容性
12
3.4
Strapping 管脚
13
4
电气特性
15
4.1
绝对最大额定值
15
4.2
建议工作条件
15
4.3
直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
15
4.4
功耗特性
16
4.5
Wi-Fi 射频
17
4.6
4.7
4.5.1
Wi-Fi 射频特性
17
4.5.2
发射器性能规格
17
4.5.3
接收器性能规格
18
蓝牙射频
19
4.6.1
接收器 - 基础数据率 (BR)
19
4.6.2
发射器 - 基础数据率 (BR)
19
4.6.3
接收器 - 增强数据率 (EDR)
20
4.6.4
发射器 - 增强数据率 (EDR)
21
低功耗蓝牙射频
21
4.7.1
接收器
21
4.7.2
发射器
22
5
原理图
23
6
外围设计原理图
24
7
封装信息
25
8
产品处理
28
8.1
存储条件
28
8.2
ESD
28
8.3
回流焊温度曲线
28
9
MAC 地址和 eFuse
29
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
目录
10 学习资源
30
10.1
必读资料
30
10.2
必备资源
30
修订历史
31
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6
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
表格
表格
1
管脚定义
10
2
ESP32-PICO-V3-02 与 ESP32-PICO-V3 和 ESP32-PICO-D4 管脚的用途差异
12
3
Strapping 管脚
13
4
绝对最大额定值
15
5
建议工作条件
15
6
直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
15
7
射频功耗
16
8
不同功耗模式下的功耗
17
9
Wi-Fi 射频特性
17
10
发射器性能规格
18
11
接收器性能规格
18
12
接收器特性 - 基础数据率 (BR)
19
13
发射器特性 - 基础数据率 (BR)
20
14
接收器特性 - 增强数据率 (EDR)
20
15
发射器特性 - 增强数据率 (EDR)
21
16
低功耗蓝牙接收器特性
21
17
低功耗蓝牙发射器特性
22
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7
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
插图
插图
1
ESP32-PICO-V3-02 功能块图
2
ESP32-PICO-V3-02 管脚布局(顶视图)
10
3
ESP32-PICO-V3-02 原理图
23
4
ESP32-PICO-V3-02 外围设计原理图
24
5
ESP32-PICO-V3-02 封装信息
25
6
ESP32-PICO-V3-02 封装图形
26
7
ESP32-PICO-V3-02 STENCIL
27
8
回流焊温度曲线
28
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9
8
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
2
功能块图
2 功能块图
RF Matching
Antenna
40 MHz
Crystal
3V3
EN
RF Matching
VDD_SDIO
CLK
/CS
SIO2
SIO3
SO/ SIO1
SI/ SIO0
GPIOs
CLK
/CS
DI
DO
/HOLD
/WP
VDD_SDIO
2 MB PSRAM
ESP32
ESP32-PICO-V3-02
8 MB SPI Flash
图 1: ESP32PICOV302 功能块图
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3
管脚定义
3 管脚定义
NC
NC
VDDA
NC
NC
VDDA
IO21
U0TXD/IO1
U0RXD/IO3
IO22
IO19
VDD3P3_CPU
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
3.1 管脚布局
VDDA
1
36
NC
LNA_IN
2
35
NC
VDDA3P3
3
34
IO5
VDDA3P3
4
33
SD1/IO8
SENSOR_VP/I36
5
32
SD0/IO7
SENSOR_CAPP/I37
6
31
CLK/IO6
49 GND
NC
MTMS/IO14
24
25
IO4
12
23
32K_XP/IO32
IO0
VDD_SDIO
22
26
IO2
11
21
VDET_2/I35
MTDO/IO15
IO20
20
27
MTCK/IO13
10
19
VDET_1/I34
VDD3P3_RTC
SD2/IO9
18
28
MTDI/IO12
9
17
EN
16
SD3/IO10
IO27
29
15
8
IO26
SENSOR_VN/I39
14
CMD/IO11
IO25
30
13
7
32K_XN/IO33
SENSOR_CAPN/I38
图 2: ESP32PICOV302 管脚布局(顶视图)
说明:
管脚布局图显示了 SiP 上管脚的大致位置。具体布局请参考图 5。
3.2 管脚描述
ESP32-PICO-V3-02 共有 48 个管脚,具体描述参见表 1。
表 1: 管脚定义
名称
序号
VDDA
1
P
LNA_IN
2
I/O
VDDA3P3
3
P
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类型
功能
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
射频输入输出
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
10
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
3
管脚定义
名称
序号
VDDA3P3
4
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
SENSOR_VP/I36
5
I
GPIO36, ADC1_CH0, RTC_GPIO0
SENSOR_CAPP/I37
6
I
GPIO37, ADC1_CH1, RTC_GPIO1
SENSOR_CAPN/I38 7
I
GPIO38, ADC1_CH2, RTC_GPIO2
SENSOR_VN/I39
I
GPIO39, ADC1_CH3, RTC_GPIO3
8
类型
功能
高电平:芯片使能;
EN
9
I
低电平:芯片关闭;
注意不能让 EN 管脚浮空。
VDET_1/I34
10
I
ADC1_CH6, RTC_GPIO4
VDET_2/I35
11
I
ADC1_CH7, RTC_GPIO5
32K_XP/IO32
12
I/O
32K_XN/IO33
13
I/O
IO25
14
I/O
GPIO25, DAC_1, ADC2_CH8, RTC_GPIO6, EMAC_RXD0
IO26
15
I/O
GPIO26, DAC_2, ADC2_CH9, RTC_GPIO7, EMAC_RXD1
IO27
16
I/O
GPIO27, ADC2_CH7, TOUCH7, RTC_GPIO17, EMAC_RX_DV
MTMS/IO14
17
I/O
MTDI/IO12
18
I/O
VDD3P3_RTC
19
P
MTCK/IO13
20
I/O
MTDO/IO15
21
I/O
IO2
22
I/O
IO0
23
I/O
IO4
24
I/O
NC
25
—
NC
VDD_SDIO
26
P
VDD3P3_RTC 电源输出,请见表格下方说明 1
IO20
27
I/O
GPIO20, 请见表格下方说明 3
SD2/IO9
28
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
SD3/IO10
29
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
CMD/IO11
30
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
CLK/IO6
31
I/O
请见表格下方说明 2、说明 3
SD0/IO7
32
I/O
GPIO7, SD_DATA0, HS1_DATA0, U2RTS, 请见表格下方说明 3
SD1/IO8
33
I/O
GPIO8, SD_DATA1, HS1_DATA1, U2CTS, 请见表格下方说明 3
IO5
34
I/O
GPIO5, VSPICS0, HS1_DATA6, EMAC_RX_CLK
NC
35
—
NC
NC
36
—
NC
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32K_XP (32.768 kHz crystal oscillator input),
ADC1_CH4,
TOUCH9, RTC_GPIO9
32K_XN (32.768 kHz crystal oscillator output), ADC1_CH5,
TOUCH8, RTC_GPIO8
ADC2_CH6,
TOUCH6,
RTC_GPIO16,
MTMS,
HSPICLK,
HS2_CLK, SD_CLK, EMAC_TXD2
ADC2_CH5, TOUCH5, RTC_GPIO15, MTDI, HSPIQ, HS2_DATA2,
SD_DATA2, EMAC_TXD3
RTC IO 电源输入 (3.0 V ~ 3.6 V)
ADC2_CH4, TOUCH4, RTC_GPIO14, MTCK, HSPID, HS2_DATA3,
SD_DATA3, EMAC_RX_ER
ADC2_CH3,
TOUCH3,
RTC_GPIO13,
MTDO,
HSPICS0,
HS2_CMD, SD_CMD, EMAC_RXD3
ADC2_CH2, TOUCH2, RTC_GPIO12, HSPIWP, HS2_DATA0,
SD_DATA0
ADC2_CH1,
TOUCH1,
RTC_GPIO11,
CLK_OUT1,
EMAC_TX_CLK
ADC2_CH0, TOUCH0, RTC_GPIO10, HSPIHD, HS2_DATA1,
SD_DATA1, EMAC_TX_ER
11
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
3
管脚定义
名称
序号
类型
功能
VDD3P3_CPU
37
P
IO19
38
I/O
GPIO19, VSPIQ, U0CTS, EMAC_TXD0
IO22
39
I/O
GPIO22, VSPIWP, U0RTS, EMAC_TXD1
U0RXD/IO3
40
I/O
GPIO3, U0RXD, CLK_OUT2
U0TXD/IO1
41
I/O
GPIO1, U0TXD, CLK_OUT3, EMAC_RXD2
IO21
42
I/O
GPIO21, VSPIHD, EMAC_TX_EN
VDDA
43
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
NC
44
—
NC
NC
45
—
NC
VDDA
46
P
模拟电源 (3.0 V ~ 3.6 V)
NC
47
—
NC
NC
48
—
NC
CPU IO 电源输入 (1.8 V ~ 3.6 V)
说明:
1. 内部 flash 和 PSRAM 连接至 VDD_SDIO,由 VDD3P3_RTC 通过约 6 Ω 电阻直接供电。因此,VDD_SDIO 相对
VDD3P3_RTC 会有一定电压降。
2. CMD/IO11 和 CLK/IO6 管脚用于连接内部 flash,SD2/IO9 和 SD3/IO10 管脚用于连接嵌入式 PSRAM,不建议用
作其他用途,具体请参考章节 5。
3. IO6/IO7/IO8/IO9/IO10/IO11/IO20 由 VDD_SDIO 供电,VDD_SDIO 电源关闭时则无法工作。
4. 外设管脚分配请参考《ESP32 技术规格书》。
3.3 与 ESP32PICOV3 和 ESP32PICOD4 兼容性
在有些情况下可以改动很少或者不用改动硬件设计来将采用 ESP32-PICO-V3 和 ESP32-PICO-D4 的硬件产品
升级为 ESP32-PICO-V3-02。在升级前,用户必须注意几点:
• ESP32-PICO-V3-02 与 ESP32-PICO-V3 和 ESP32-PICO-D4 的以下管脚用途不同:
表 2: ESP32PICOV302 与 ESP32PICOV3 和 ESP32PICOD4 管脚的用途差异
管脚编号
ESP32-PICO-V3-02(内
置
ESP32-PICO-V3(内置 flash, ESP32-PICO-D4(内置 flash,
flash 和 PSRAM)
无法外接 PSRAM)
可以外接 PSRAM)
25
空脚
空脚
GPIO16,用于连接内部 flash
27
GPIO20,可以使用
GPIO20,可以使用
GPIO17,用于连接内部 flash
SD2/IO9,可以使用
GPIO9,可以使用
SD3/IO10,可以使用
GPIO10,可以使用
28
29
SD2/IO9, 用 于 连 接 内 部
PSRAM,不可以外部使用
SD3/IO10, 用 于 连 接 内 部
PSRAM,不可以外部使用
32
SD0/IO7,可以使用
SD0/IO7,可以使用
SD0/IO7,用于连接内部 flash
33
SD1/IO8,可以使用
SD1/IO8,可以使用
SD1/IO8,用于连接内部 flash
35
空脚
空脚
GPIO18,可以使用
36
空脚
空脚
GPIO23,可以使用
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反馈文档意见
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
3
管脚定义
• 三款模组尺寸不同,ESP32-PICO-D4 和 ESP32-PICO-V3 的尺寸为 (7 × 7 × 0.94) mm,
ESP32-PICO-V3-02 的尺寸为 (7 × 7 × 1.11) mm。
• 出于安全考虑,flash 数据管脚 DI、DO、/HOLD、/WP 和 PSRAM 数据管脚 SI/SIO0、SO/SIO1、SIO2、
SIO3 未引出。
• ESP32-PICO-V3-02 和 ESP32-PICO-V3 无法外接 PSRAM。
• 如果 ESP32-PICO-D4 外接了 32.768 kHz 晶振,则需要参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》中的相关内容
更新 ESP32-PICO-V3-02 和 ESP32-PICO-V3 的硬件。
• 有关使用 ESP32 ECO V3 所需的软件更新和升级,请参考 《ESP32 ECO V3 使用指南》。
• 在更新硬件设计以兼容 ESP32-PICO-V3-02 后应进行电磁兼容性和 RF 性能测试。
• 要获取有关 ESP32-PICO-V3 的更多信息,请参考 《ESP32-PICO-V3 技术规格书》。
• 要获取有关 ESP32-PICO-D4 的更多信息,请参考 《ESP32-PICO-D4 技术规格书》。
3.4 Strapping 管脚
ESP32 共有 5 个 Strapping 管脚。Strapping 管脚与 SiP 管脚对应关系如下,可参考章节 5 电路原理图:
• MTDI = IO12
• GPIO0 = IO0
• GPIO2 = IO2
• MTDO = IO15
• GPIO5 = IO5
软件可以读取寄存器“GPIO_STRAPPING”中这 5 个管脚 strapping 的值。
在芯片的系统复位(上电复位、RTC 看门狗复位、欠压复位)放开的过程中,Strapping 管脚对电平采样并存储
到锁存器中,锁存为“0”或“1”
,并一直保持到芯片掉电或关闭。
每一个 Strapping 管脚都会连接内部上拉/下拉。如果一个 Strapping 管脚没有外部连接或者连接的外部线路处
于高阻抗状态,内部弱上拉/下拉将决定 Strapping 管脚输入电平的默认值。
为改变 Strapping 的值,用户可以应用外部下拉/上拉电阻,或者应用主机 MCU 的 GPIO 控制 ESP32 上电复位
放开时的 Strapping 管脚电平。
复位放开后,Strapping 管脚和普通管脚功能相同。
配置 Strapping 管脚的详细启动模式请参阅表 3 。
表 3: Strapping 管脚
管脚
MTDI
管脚
GPIO0
GPIO2
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内置 LDO (VDD_SDIO) 电压
3.3 V
0
系统启动模式
默认
SPI 启动模式
上拉
1
下拉
无关项
系统启动过程中,控制 U0TXD 打印
默认
下拉
13
反馈文档意见
1.8 V
1
下载启动模式
0
0
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
3
管脚定义
管脚
MTDO
默认
上拉
管脚
MTDO
GPIO5
默认
上拉
上拉
U0TXD 正常打印
U0TXD 上电不打印
1
0
SDIO 从机信号输入输出时序
下降沿采样 下降沿采样 上升沿采样 上升沿采样
下降沿输出 上升沿输出 下降沿输出 上升沿输出
0
0
1
1
0
1
0
1
说明:
• 固件可以通过配置一些寄存器比特位,在启动后改变“内置 LDO (VDD_SDIO) 电压”和“SDIO 从机信号输入输
出时序”的设定。
• SiP 集成的外部 SPI flash 和 PSRAM 工作电压为 3.3 V,因此在上电复位过程中需保持 Strapping 管脚 MTDI 为
低电平。
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14
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
4
电气特性
4 电气特性
4.1 绝对最大额定值
超出绝对最大额定值表可能导致器件永久性损坏。这只是强调的额定值,不涉及器件在这些或其它条件下超出
本技术规格指标的功能性操作。建议工作条件请参考表 5。
表 4: 绝对最大额定值
符号
参数
最小值
最大值
VDD33
Tstore
单位
供电电压
–0.3
3.6
V
存储温度
–40
85
°C
说明:
关于电源域请参考《ESP32 技术规格书》 附录中表 IO_MUX。
4.2 建议工作条件
表 5: 建议工作条件
符号
参数
最小值
典型值
最大值
VDD33
单位
供电电压
3.0
3.3
3.6
V
IV DD
外部电源的供电电流
0.5
—
—
A
T
工作温度
–40
—
85
°C
4.3 直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
表 6: 直流电气特性 (3.3 V, 25 °C)
符号
CIN
VIH
参数
管脚电容
高电平输入电压
最小值
典型值
—
2
0.75×VDD
1
最大值
—
1
单位
pF
—
VDD +0.3
V
1
V
VIL
低电平输入电压
–0.3
—
IIH
高电平输入电流
—
—
50
nA
IIL
低电平输入电流
—
—
50
nA
高电平输出电压
1
—
—
V
—
1
V
VOH
VOL
乐鑫信息科技
0.8×VDD
低电平输出电压
—
15
反馈文档意见
0.25×VDD
0.1×VDD
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
4
电气特性
符号
参数
高电平拉电流
1
(VDD = 3.3 V,
VOH >= 2.64 V,
IOH
管脚输出强度设为
最大值)
最小值
典型值
最大值
—
40
—
mA
—
40
—
mA
—
20
—
mA
—
28
—
mA
VDD3P3_CPU 电
源域 1,
2
VDD3P3_RTC 电
源域 1,
2
VDD_SDIO 电 源
域 1,
3
单位
低电平灌电流
(VDD1 = 3.3 V, VOL = 0.495 V,
IOL
管脚输出强度设为最大值)
RP U
上拉电阻
—
45
—
kΩ
RP D
下拉电阻
—
45
—
kΩ
VIL_nRST
CHIP_PU 关闭芯片的低电平输入电压
—
—
0.6
V
说明:
1. VDD 是 I/O 的供电电源。关于电源域请参考《ESP32 技术规格书》 附录中表 IO_MUX。
2. VDD3P3_CPU 和 VDD3P3_RTC 电源域管脚的单个管脚的拉电流随管脚数量增加而减小,从约 40 mA 减小到约
29 mA。
3. VDD_SDIO 电源域的管脚不包括连接 flash 和/或 PSRAM 的管脚。
4.4 功耗特性
ESP32 采用了先进的电源管理技术,可以在不同的功耗模式之间切换。关于不同功耗模式的描述,详
见《ESP32 技术规格书》中章节 RTC 和低功耗管理。
表 7: 射频功耗
工作模式
描述
TX
Active(射频工作)
RX
平均值 (mA)
峰值 (mA)
802.11b, 20 MHz, 1 Mbps, @19.5 dBm
240
385
802.11g, 20 MHz, 54 Mbps, @15 dBm
185
270
802.11b, 20 MHz, MCS7, @13 dBm
180
250
802.11n, 40 MHz, MCS7, @13 dBm
160
205
802.11b/g/n, 20 MHz
110
111
802.11n, 40 MHz
116
117
说明:
• 功耗数据是基于 3.3 V 电源、25 °C 环境温度,在 RF 接口处完成的测试结果。所有发射数据均基于 50% 的占空
比测得。
• 测量 RX 功耗数据时,外设处于关闭状态,CPU 处于 idle 状态。
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电气特性
表 8: 不同功耗模式下的功耗
工作模式
描述
CPU 处于工作状态
Modem-sleep
Light-sleep
Deep-sleep
关闭
功耗典型值
240 MHz
30 ~ 68 mA
160 MHz
27 ~ 44 mA
正常速度:80 MHz
20 ~ 31 mA
—
0.8 mA
ULP 协处理器处于工作状态
150 µA
超低功耗传感器监测模式
100 µA @1% duty
RTC 定时器 + RTC 存储器
10 µA
仅有 RTC 定时器处于工作状态
5 µA
CHIP_PU 脚拉低,芯片处于关闭状态
1 µA
说明:
• 测量 Modem-sleep 功耗数据时,CPU 处于工作状态,cache 处于 idle 状态。
• 在 Wi-Fi 开启的场景中,芯片会在 Active 和 Modem-sleep 模式之间切换,功耗也会在两种模式间变化。
• Modem-sleep 模式下,CPU 频率自动变化,频率取决于 CPU 负载和使用的外设。
• Deep-sleep 模式下,仅 ULP 协处理器处于工作状态时,可以操作 GPIO 及低功耗 I²C。
• 当系统处于超低功耗传感器监测模式时,ULP 协处理器或传感器周期性工作。ADC 以 1% 占空比工作,系统功
耗典型值为 100 µA。
4.5 WiFi 射频
4.5.1 WiFi 射频特性
表 9: WiFi 射频特性
参数
工作信道中心频率范围
描述
1
2412 ~ 2484 MHz
Wi-Fi 协议
IEEE 802.11b/g/n
11b: 1, 2, 5.5, 11 Mbps
数据速率
20 MHz
11g: 6, 9, 12, 18, 24, 36, 48, 54 Mbps
11n: MCS0-7, 72.2 Mbps (Max)
40 MHz
11n: MCS0-7, 150 Mbps (Max)
说明:
工作信道中心频率范围应符合国家或地区的规范标准。软件可以配置工作信道中心频率范围。
4.5.2 发射器性能规格
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电气特性
表 10: 发射器性能规格
参数
条件
输出功率 1
典型值
11b, 1 Mbps
19.5
11b, 11 Mbps
19.5
11g, 6 Mbps
18
11g, 54 Mbps
14
11n, HT20, MCS0
18
11n, HT20, MCS7
13
11n, HT40, MCS0
18
11n, HT40, MCS7
13
单位
dBm
说明:
根据产品或认证的要求,用户可以配置目标功率。
4.5.3 接收器性能规格
表 11: 接收器性能规格
乐鑫信息科技
参数
条件
典型值
单位
接收灵敏度
1 Mbps
–97
dBm
2 Mbps
–94
5.5 Mbps
–92
11 Mbps
–88
6 Mbps
–93
9 Mbps
–91
12 Mbps
–89
18 Mbps
–87
24 Mbps
–84
36 Mbps
–80
48 Mbps
–77
54 Mbps
–75
11n, HT20, MCS0
–92
11n, HT20, MCS1
–88
11n, HT20, MCS2
–86
11n, HT20, MCS3
–83
11n, HT20, MCS4
–80
11n, HT20, MCS5
–76
11n, HT20, MCS6
–74
11n, HT20, MCS7
–72
11n, HT40, MCS0
–89
11n, HT40, MCS1
–85
11n, HT40, MCS2
–83
11n, HT40, MCS3
–80
11n, HT40, MCS4
–76
11n, HT40, MCS5
–72
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电气特性
参数
条件
最大接收电平
邻道抑制
典型值
11n, HT40, MCS6
–71
11n, HT40, MCS7
–69
11b, 1 Mbps
5
11b, 11 Mbps
5
11g, 6 Mbps
0
11g, 54 Mbps
–8
11n, HT20, MCS0
0
11n, HT20, MCS7
–8
11n, HT40, MCS0
0
11n, HT40, MCS7
–8
11b, 11 Mbps
35
11g, 6 Mbps
27
11g, 54 Mbps
13
11n, HT20, MCS0
27
11n, HT20, MCS7
12
11n, HT40, MCS0
16
11n, HT40, MCS7
7
单位
dBm
dB
4.6 蓝牙射频
4.6.1 接收器 基础数据率 (BR)
表 12: 接收器特性 基础数据率 (BR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
灵敏度 @0.1% BER
—
–90
–89
–88
dBm
最大接收信号 @0.1% BER
—
0
—
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
+7
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
—
–6
dB
F = F0 –1 MHz
—
—
–6
dB
F = F0 + 2 MHz
—
—
–25
dB
F = F0 –2 MHz
—
—
–33
dB
F = F0 + 3 MHz
—
—
–25
dB
F = F0 –3 MHz
—
—
–45
dB
30 MHz ~ 2000 MHz
–10
—
—
dBm
2000 MHz ~ 2400 MHz
–27
—
—
dBm
2500 MHz ~ 3000 MHz
–27
—
—
dBm
3000 MHz ~ 12.5 GHz
–10
—
—
dBm
—
–36
—
—
dBm
邻道选择性抑制比 C/I
带外阻塞
互调
4.6.2 发射器 基础数据率 (BR)
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电气特性
表 13: 发射器特性 基础数据率 (BR)
参数
最小值
典型值
最大值
单位
射频发射功率(见表 13 下方说明) —
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
20 dB 带宽
—
—
0.9
—
MHz
F = F0 ± 2 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± > 3 MHz
—
–59
—
dBm
∆ f 1avg
—
—
—
155
kHz
∆ f 2max
—
127
—
—
kHz
∆ f 2avg /∆ f 1avg
—
—
0.92
—
—
ICFT
—
—
–7
—
kHz
漂移速率
—
—
0.7
—
kHz/50 µs
偏移 (DH1)
—
—
6
—
kHz
偏移 (DH5)
—
—
6
—
kHz
邻道发射功率
条件
说明:
从 0 到 7,共有 8 个功率级别,发射功率范围从–12 dBm 到 9 dBm。功率电平每增加 1 时,发射功率增加 3 dB。默认
情况下使用功率级别 4,相应的发射功率为 0 dBm。
4.6.3 接收器 增强数据率 (EDR)
表 14: 接收器特性 增强数据率 (EDR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
π/4 DQPSK
灵敏度 @0.01% BER
—
–90
–89
–88
dBm
最大接收信号 @0.01% BER
—
—
0
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
11
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
–7
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
–7
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–35
—
dB
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –3 MHz
—
–45
—
dB
邻道选择性抑制比 C/I
8DPSK
灵敏度 @0.01% BER
—
–84
–83
–82
dBm
最大接收信号 @0.01% BER
—
—
–5
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
18
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
2
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
2
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–25
—
dB
邻道抑制比 C/I
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电气特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –3 MHz
—
–38
—
dB
4.6.4 发射器 增强数据率 (EDR)
表 15: 发射器特性 增强数据率 (EDR)
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
射频发射功率(见表 13 下方说明)
—
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
π/4 DQPSK max w0
—
—
–0.72
—
kHz
π/4 DQPSK max wi
—
—
–6
—
kHz
π/4 DQPSK max |wi + w0|
—
—
–7.42
—
kHz
8DPSK max w0
—
—
0.7
—
kHz
8DPSK max wi
—
—
–9.6
—
kHz
8DPSK max |wi + w0|
—
—
–10
—
kHz
RMS DEVM
—
4.28
—
%
99% DEVM
—
100
—
%
Peak DEVM
—
13.3
—
%
RMS DEVM
—
5.8
—
%
99% DEVM
—
100
—
%
Peak DEVM
—
14
—
%
F = F0 ± 1 MHz
—
–46
—
dBm
F = F0 ± 2 MHz
—
–44
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–49
—
dBm
F = F0 +/–> 3 MHz
—
—
–53
dBm
—
—
100
—
π/4 DQPSK 调制精度
8 DPSK 调制精度
带内杂散发射
EDR 差分相位编码
%
4.7 低功耗蓝牙射频
4.7.1 接收器
表 16: 低功耗蓝牙接收器特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
单位
灵敏度 @30.8% PER
—
–94
–93
–92
dBm
最大接收信号 @30.8% PER
—
0
—
—
dBm
共信道抑制比 C/I
—
—
+10
—
dB
F = F0 + 1 MHz
—
–5
—
dB
F = F0 –1 MHz
—
–5
—
dB
F = F0 + 2 MHz
—
–25
—
dB
F = F0 –2 MHz
—
–35
—
dB
F = F0 + 3 MHz
—
–25
—
dB
邻道抑制比 C/I
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电气特性
参数
条件
最小值
典型值
最大值
—
–45
—
dB
30 MHz ~ 2000 MHz
–10
—
—
dBm
2000 MHz ~ 2400 MHz
–27
—
—
dBm
2500 MHz ~ 3000 MHz
–27
—
—
dBm
3000 MHz ~ 12.5 GHz
–10
—
—
dBm
—
–36
—
—
dBm
最小值
典型值
最大值
单位
F = F0 –3 MHz
带外阻塞
互调
单位
4.7.2 发射器
表 17: 低功耗蓝牙发射器特性
参数
条件
射频发射功率(见表 13 下方说明)
—
—
0
—
dBm
增益控制步长
—
—
3
—
dB
射频功率控制范围
—
–12
—
+9
dBm
F = F0 ± 2 MHz
—
–55
—
dBm
F = F0 ± 3 MHz
—
–57
—
dBm
F = F0 ± > 3 MHz
—
–59
—
dBm
∆ f 1avg
—
—
—
265
kHz
∆ f 2max
—
210
—
—
kHz
∆ f 2avg /∆ f 1avg
—
—
+0.92
—
—
ICFT
—
—
–10
—
kHz
漂移速率
—
—
0.7
—
kHz/50 µs
偏移
—
—
2
—
kHz
邻道发射功率
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5
SiP 内部元件的电路图。
5
4
3
2
原理图
乐鑫信息科技
5 原理图
1
1
C1
18pF
3
GND
D
C2
18pF
2
XIN
D
GND XOUT
U1
GND
GND
4
GND
VDDA1
GND
40MHz+/-10ppm
VDDA2
GND
C3
100pF
R1
GND
C6
10nF
GND
R14
49
C10
0.1uF
GND
1
2
3
4
SENSOR_VP/I36 5
SENSOR_CP/I37 6
SENSOR_CN/I38 7
SENSOR_VN/I39 8
9
EN
VDET_1/I34
10
VDET_2/I35
11
32K_XP/IO32
12
L4
1.8nH
C15
C14
1.2pF
1.5pF
GND
8
VDD_SDIO
CLK
/HOLD
FLASH
DI
DO
/WP
5
GPIO23
2
GPIO17
3
GPIO18
U2
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
GPIO23
GND
GPIO18
GPIO5
SD_DATA_1/IO8
SD_DATA_0/IO7
SD_CLK/IO6
SD_CMD/IO11
SD_DATA_3/IO10
SD_DATA_2/IO9
GPIO17
50
GPIO20
C18
0.1uF
GPIO20
GND
ESP32
R9
C19
0.1uF
NC
GND
GND
VDD_SDIO
VDD_SDIO
GPIO16
VDD3P3_RTC
32K_XN/IO33
GPIO25
GPIO26
GPIO27
MTMS/IO14
MTDI/IO12
7
GND
6
GPIO16
/CS
4
SD_CLK/IO6
B
VCC
U3
SD_CMD/IO11 1
VDD33_CPU
D1
NC
C4
0.1uF
GPIO23
GPIO18
GPIO5
SD_DATA_1
SD_DATA_0
SD_CLK
SD_CMD
SD_DATA_3
SD_DATA_2
GPIO17
VDD_SDIO
GPIO16
32K_XN
GPIO25
GPIO26
GPIO27
MTMS
MTDI
VDD3P3_RTC
MTCK
MTDO
GPIO2
GPIO0
GPIO4
GND
VDDA
LNA_IN
VDD3P3
VDD3P3
SENSOR_VP
SENSOR_CAPP
SENSOR_CAPN
SENSOR_VN
CHIP_PU
VDET_1
VDET_2
32K_XP
MTCK/IO13
MTDO/IO15
GPIO2
GPIO0
GPIO4
GND
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
GND
LNA_IN
23
反馈文档意见
GND
2.0nH
C12
0.1uF
510R
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
GND
GND
C
C11
0.1uF
R15
ESP32
GPIO21
U0TXD
U0RXD
GPIO22
GPIO19
3.3nF
GND
L5
C13
NC
C5
C9
0.1uF
VDD33
20K
CAP1
CAP2
VDDA
XTAL_P
XTAL_N
VDDA
GPIO21
U0TXD
U0RXD
GPIO22
GPIO19
VDD3P3_CPU
VDDA
Pin Mapping
51R
C20
1uF
VDD_SDIO
ESP32-PICO-V3-02
VDDA
LNA_IN
VDD3P3
VDD3P3
SENSOR_VP
SENSOR_CAPP
SENSOR_CAPN
SENSOR_VN
CHIP_PU
VDET_1
VDET_2
32K_XP
32K_XN
GPIO25
GPIO26
GPIO27
MTMS
MTDI
VDD3P3_RTC
MTCK
MTDO
GPIO2
GPIO0
GPIO4
GPIO16
VDD_SDIO
GPIO17
SD_DATA_2
SD_DATA_3
SD_CMD
SD_CLK
SD_DATA_0
SD_DATA_1
GPIO5
GPIO18
GPIO23
VDD3P3_CPU
GPIO19
GPIO22
U0RXD
U0TXD
GPIO21
VDDA
XTAL_N
XTAL_P
VDDA
CAP2
CAP1
GND
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
VDDA
LNA_IN
VDD3P3
VDD3P3
SENSOR_VP
SENSOR_CAPP
SENSOR_CAPN
SENSOR_VN
EN
VDET_1
VDET_2
32K_XP
32K_XN
IO25
IO26
IO27
MTMS
MTDI
VDD3P3_RTC
MTCK
MTDO
IO2
IO0
IO4
NC
VDD_SDIO
NC
SD_DATA_2
SD_DATA_3
SD_CMD
SD_CLK
SD_DATA_0
SD_DATA_1
IO5
NC
NC
VDD3P3_CPU
IO19
IO22
U0RXD
U0TXD
IO21
VDDA
NC
NC
VDDA
NC
NC
GND
IO20
C
B
R17
10K
U4
SD_DATA_2/IO9
GPIO17
GPIO18
1
2
3
4
CS#
VDD
SO/SIO1
SIO3
SIO2
SCLK
VSS
SI/SIO0
8
7
6
5
GPIO16
SD_DATA_3/IO10
GPIO23
NC: No Component
PSRAM
GND
A
A
图 3: ESP32PICOV302 原理图
Title
xxx
Size
A3
Date:
5
4
3
2
Document Number
Rev
Tuesday, May 12, 2020
1.0
Sheet
1
2
of
2
6
外围设计原理图
6 外围设计原理图
SiP 与外围器件(如电源、天线、复位按钮、JTAG 接口、UART 接口等)连接的应用电路图。
5
4
3
2
VDD33
J1
C1
C2
10uF
0.1uF
VDD33
GND
GND
49
GND
L1
LAN_IN
C3
C4
TBD
TBD
GND
I36
I37
I38
I39
EN
I34
I35
IO32
VDDA
LNA_IN
VDDA3P3
VDDA3P3
SENSOR_VP/I36
SENSOR_CAPP/I37
SENSOR_CAPN/I38
SENSOR_VN/I39
EN
VDET_1/I34
VDET_2/I35
32K_XP/IO32
C
VDD33
SW1
2
C5
2
IO33
IO25
IO26
IO27
IO14
IO12
R2
1
1
U1
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
IO5
IO8
IO7
IO20
ESP32-PICO-V3-02
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
R1
TBD
RESET BUTTON
NC
NC
IO5
SD1/IO8
SD0/IO7
CLK/IO6
CMD/IO11
SD3/IO10
SD2/IO9
IO20
VDD_SDIO
NC
32K_XN/IO33
IO25
IO26
IO27
MTMS/IO14
MTDI/IO12
VDD3P3_RTC
MTCK/IO13
MTDO/IO15
IO2
IO0
IO4
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
TBD
ANT
GND
EN
IO13
IO15
IO2
IO0
IO4
2
1
0R
J2
TBD
4
3
2
1
GND
VDD33
ANT1
UART
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
GND
1
2
3
4
U0TXD
U0RXD
IO22
IO19
NC
NC
VDDA
NC
NC
VDDA
IO21
U0TXD/IO1
U0RXD/IO3
IO22
IO19
VDD3P3_CPU
D
IO21
VDD33
J3
1
2
BOOT OPTION
GND
JTAG
B
Note: SD2/ IO9, SD3/ IO10, CLK/IO6 and CMD/IO11 are used for intergrated external flash or
PSRAM and they cannot be used for other functions. The operating voltage of intergrated
external flash and PSRAM is 3.3V. Therefore, the strapping pin MTDI/IO12 should hold bit "0"
during module power-on reset.
图 4: ESP32PICOV302 外围设计原理图
说明:
A
为确保芯片上电时的供电正常,EN 管脚处需要增加 RC 延迟电路。RC 通常建议为 R = 10 kΩ,C = 1 µF,但具体数值仍
需根据 SiP 电源的上电时序和芯片的上电复位时序进行调整。芯片的上电复位时序图可参考《ESP32 技术规格书》中
的电源管理章节。
5
乐鑫信息科技
4
3
24
反馈文档意见
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
2
7
封装信息
乐鑫信息科技
7 封装信息
2X
aaa C
L2
A
eee
D1
B
D
H
PIN #1
37
48
36
1
25
12
eee
C A B
ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
inch
MAX
0.048
0.012
0.280
0.280
0.199
0.199
----0.019
0.006
0.043
0.043
--0.012
48×L
Dimension in
MIN
NOM
0.040 0.044
0.009 0.010
0.272 0.276
0.272 0.276
0.191 0.195
0.191 0.195
--0.012
--0.012
0.013 0.016
0.000 0.003
0.037 0.040
0.037 0.040
--0.020
0.008 0.010
0.004
0.006
0.004
0.002
0.006
aaa C
24
2X
Top View
e
L3
13
48×b
bbb
ddd
Bottom View
CAVITY
ccc C
C A B
C
A
mm
MAX
1.210
0.300
7.100
7.100
5.050
5.050
----0.475
0.150
1.100
1.100
--0.300
c
A
c
D
E
D1
E1
H
H1
L
L1
L2
L3
e
b
aaa
bbb
ccc
ddd
eee
Dimension in
MIN
NOM
1.010 1.110
0.220 0.260
6.900 7.000
6.900 7.000
4.850 4.950
4.850 4.950
--0.300
--0.300
0.325 0.400
0.000 0.075
0.950 1.025
0.950 1.025
--0.500
0.200 0.250
0.100
0.150
0.100
0.050
0.150
SEATING PLANE
C
Side View
TECHNOLOGY SPECIFICATION[技术要求]
图 5: ESP32PICOV302 封装信息
长电科技
1.BAN TO USE THE LEVEL 1 ENVIRONMENT-RELATED SUBSTANCES OF JCET PRESCRIBING;
[禁止使用长电科技规定的一级环境管理物质;]
JCET
CHANGJIANG ELEC. TECH.
TITLE:
DESIGN
Jie Cheng 2020.04.14
CHECK
Hongye Fei 2020.04.14
DESIGN
APPROVE
Yan Chen 2020.04.14
PROJECTION
DRAWING NO.
PACKAGE OUTLINE DRAWING
[产品外形图]
PO-DA-770-0048-05-00
LGA-(7×7)-48
(P0.50 T1.21)
GGP3.508.3021WX
REV.
A00
SIGNATURE AREA
25
反馈文档意见
JCET
symbol
4×L1
E
E1
H1
PIN #1
CORNER
C A B
PROCESS
SIZE
PAGE
UNIT
DIMENSION AND TOLERANCES
SCALE
STAND.
A3
1 OF 1
MM
ASME Y14.5M
10:1
APPROVE
6.73
4.50
0.50
49
4.00
36
GND Via Ø0.25
C0.5
2.10
1
37
封装信息
48
7
R0.
0.25
05
25
12
24
0.68
13
0.50
2.10
4.00
4.50
6.73
Copper
0.78
0.35
Solder mask opening
Via
0.25
0.68
Details of recommended copper-defined pad.
Unit: mm
Tolerance: +/- 0.05 mm
Notes:
1. It is recommended to use copper-defined pad for Pin 1 to Pin 48 and
solder-mask-defined pad for Pin 49 (thermal pad).
2. This drawing is subject to change without notice.
图 6: ESP32PICOV302 封装图形
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26
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
7.71
7.00
6.05
3.90
2.40
1.80
封装信息
0.30
7
0.30
1.80
2.40
3.90
6.05
7.00
7.71
Notes:
1. It is recommended to use a stencil of 80 um
thickness.
2. This drawing is subject to change without
notice.
Copper
Paste mask opening
Recommended via drill size: 0.25 mm
Unit: mm
Tolerance: +/- 0.05 mm
图 7: ESP32PICOV302 STENCIL
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27
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
8
产品处理
8 产品处理
8.1 存储条件
密封在防潮袋 (MBB) 中的产品应储存在 < 40 °C/90%RH 的非冷凝大气环境中。
SiP 的潮湿敏感度等级为 MSL 3。
真空袋拆封后,在 25±5 °C、60%RH 下,必须在 168 小时内使用完毕,否则就需要烘烤后才能二次上线。
8.2 ESD
• 人体放电模式 (HBM):±2000 V
• 充电器件模式 (CDM):±500 V
(℃)
8.3 回流焊温度曲线
235 ~ 250 ℃
250
150 ~ 200 ℃
217
200
217 ℃ 60 ~ 90 s
60 ~ 120 s
–1 ~ –5 ℃/s
> 30 s
1 ~ 3 ℃/s
100
50
25
(s)
0
50
0
—
—
—
—
—
100
150
25 ~ 150 ℃
60 ~ 90 s
1 ~ 3 ℃/s
150 ~ 200 ℃
60 ~ 120 s
>217 ℃
60 ~ 90 s
235 ~ 250 ℃
~ 180 ℃
–1 ~ –5 ℃/s
(SAC305)
200
250
30 ~ 70 s
图 8: 回流焊温度曲线
说明:
建议 SiP 只过一次回流焊。
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28
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
9 MAC 地址和 eFuse
9 MAC 地址和 eFuse
芯片 eFuse 已烧写 48 位 mac_address,芯片工作在 station、AP、BLE 或 Ethernet 模式时,实际使用的 MAC
地址与 mac_address 的对应关系如下:
• Station 模式:mac_address
• AP 模式:mac_address + 1
• BLE 模式:mac_address + 2
• Ethernet 模式:mac_address + 3
1 Kbit 的 eFuse 中 256 bit 为系统专用 (MAC 地址和芯片设置),其余 768 bit 保留给用户程序, 包括 flash 加密和
芯片 ID。
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29
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
10 学习资源
学习资源
10
10.1
必读资料
访问以下链接可下载有关 ESP32 的文档资料。
• 《ESP32 技术规格书》
本文档为用户提供 ESP32 硬件技术规格简介,包括概述、管脚定义、功能描述、外设接口、电气特性等。
• 《ESP32 ECO V3 使用指南》
本文介绍 ESP32 ECO V3 较之前硅片的主要变化。
• 《ESP32 勘误表及解决办法》
本文收录了 ESP32 芯片的硬件问题并给出解决方法。
• 《ESP-IDF 编程指南》
ESP32 相关开发文档的汇总平台,包含硬件手册,软件 API 介绍等。
• 《ESP32 技术参考手册》
该手册提供了关于 ESP32 的具体信息,包括各个功能模块的内部架构、功能描述和寄存器配置等。
• ESP32 硬件资源
压缩包提供了 ESP32 模组和开发板的硬件原理图,PCB 布局图,制造规范和物料清单。
• 《ESP32 硬件设计指南》
该手册提供了 ESP32 系列产品的硬件信息,包括 ESP32 芯片,ESP32 模组以及开发板。
• 《ESP32 AT 指令集与使用示例》
该文档描述 ESP32 AT 指令集功能以及使用方法,并介绍几种常见的 AT 指令使用示例。其中 AT 指令包
括基础 AT 指令,Wi-Fi 功能 AT 指令,TCP/IP 相关 AT 指令等;使用示例包括单连接 TCP 客户端,UDP
传输,透传,多连接 TCP 服务器等。
• 乐鑫产品选型工具
10.2
必备资源
以下为有关 ESP32 的必备资源。
• ESP32 在线社区
工程师对工程师 (E2E) 的社区,用户可以在这里提出问题,分享知识,探索观点,并与其他工程师一起解
决问题。
• ESP32 GitHub
乐鑫在 GitHub 上有众多开源的开发项目。
• ESP32 工具
ESP32 flash 下载工具以及《ESP32 认证测试指南》。
• ESP-IDF
ESP32 所有版本 IDF。
• ESP32 资源合集
ESP32 相关的所有文档和工具资源。
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ESP32-PICO-V3-02 技术规格书 v1.0
修订历史
修订历史
日期
版本
发布说明
更新章节 1.1 中对 TWAI 的描述
2021-09-01
v1.0
更新表 5
更新表 9 下方的说明
在章节 1.1 中增加 TWAI®
更新 RC 延迟电路中的电容值为 1 µF
2021-02-09
V0.6
添加图 6 和图 7
删除章节 6:外围设计原理图中的 VDD33 放电电路图和复位电路图
更新图 8:回流焊温度曲线下方的说明
2020-08-04
乐鑫信息科技
V0.5
预发布。
31
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