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版本号：B 生效日期：2019 年 08 月 07 日 VYJLZ049-SJ 版 本 号：SVEX-CBG201908 生效日期：2019-08-27 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD 片式超微型多层陶瓷电容器 产 品 规 格 书 Product Specification 地址：罗定市双东街道创业二路 1 号微容科技园 ADD：Viiyong Hi-Tech Park, No.1 Chuangye 2nd Road, Shuangdong Sub-disitrict, Luoding, Guangdong, P. R. China Postcode：527200 TEL：0766-3810639 FAX：0766-3810639 备注：产品规格书仅供设计选型参考用，不作为交货依据。 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 1．范围： 此规格书适用于下面列出的所有系列的片式超微型多层陶瓷电容器（英文缩写 MLCC）： 1.1 应用特性：通用 1.2 结构设计分类：超微 产品尺寸规格：01005、0201； 标称电容量范围：0.2pF~4.7μF 额定电压范围：4V~50V 1.3 介质特性组别：C0G、X7R、X5R、X5S、Y5V； 2．产品的命名规则： V 103 K 0201 X5R 250 N A * 微容通用 标称电容量 尺寸规格代码 温度系数或 额定电压 片式多层 代码 （EIA 规格） 特性代码 6R3=6.3V；100=10V 陶瓷电容 例： 0105(01005) C0G、X7R 160=16V ；250=25V 器 103=10nF 0201(0201) X5R、X5S 500=50V 474=470nF 微容控制代码 Y5V 标称电容量的允许偏差 A：±0.05pF B：±0.1pF C：±0.25 pF D：±0.5pF F：±1% G：±2% J：±5% K：±10% L：±15% M：±20% Z：+80/-20% N: ±30% X：±40% Y: +150/-20% L1 端电极类型 N：Cu/Ni/Sn 三 层结构； 产品厚度代码 具体厚度代码 见表 1 L2 W T L 图 1 产品外形示意图 表1 尺寸规格 MLCC 的尺寸规格 (单位: mm) 长度（L） 宽度（W） 厚度（T） 厚度代码 0.40±0.02 0.20±0.02 0.07～0.13 0.20±0.02 Z 0.60±0.03 0.30±0.03 0.1～0.2 0.30±0.03 A 0.60+0.05-0.03 0.30+0.05-0.03 0.1～0.2 0.3+0.05-0.03 J 0.60+0.1-0.03 0.30+0.1-0.03 0.1～0.2 0.3+0.1-0.03 X (EIA) 01005 0201 端头宽度 （L1、L2） 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 表2 产品的介质特性组别 介质特性组别 工作温度范围 NP0 -55℃～+125℃ 温度系数或温度特性 C0G：0±30ppm/℃ C0H：0±60ppm/℃ X7R -55℃～+125℃ ±15% X5R -55℃～+85℃ ±15% X5S -55℃～+85℃ ±22% Y5V -30℃～+85℃ +22%～-82% 表3 尺寸 额定电压 /UR 规格 50V 25V 16V 01005 10V 6.3V 4V 50V 25V 35V 16V 0201 10V 6.3V 4V 容量范围与厚度代码对照表 标称电容量范围 X5R — — 51pF ~10nF 51pF ~22nF 680pF ~100nF 15nF~100nF 100pF~1.8nF 100pF~100nF 100nF 220 nF 100nF 3.3nF~150nF 100 nF /180nF~220nF 330nF~1.0μF 3.3nF~120nF 100 nF /150nF~220nF C0G 0.2pF~100pF 0.2pF~100pF 0.2pF~100pF — — — 0.3pF~220 pF 0.3pF~1nF — — — — — — — — X7R — 51pF~1.0nF 51pF~1.0nF 51pF ~1.0nF — — 100pF~1.8nF 100pF~10nF — — — 1.0nF~10nF — — — — — — — — — — — — 470nF~2.2μF — — — — 470nF~680nF 680nF~2.2μF 330nF~2.2μF 15nF~220nF 100 nF /150nF~680nF/2.2μF 厚度代码 X5S — — — — — — — — — — — — — — 100nF 220nF Y5V — — — — — — 100pF~1.5nF 1.0nF~100nF 100nF — — 3.3nF~100nF 220nF~220nF 470nF~1.0μF 3.3nF~100nF 220nF~330nF 470nF~1.0μF 100nF 470nF~1.0μF 100nF X A 220nF~470nF 220nF~680nF J 680nF~4.7μF X 470nF~680nF 680nF~4.7μF J X 680nF~1.0μF/2.2μ F /4.7μF — — Z Z Z Z Z Z A A J X X A J X A J 注：1）X7R、X5R 、X5S 组别采用 E12 系列，Y5V 组别采用 E6 系列，C0G 组别采用 E24 系列，10pF 以 下规格允许使用整数标称值，如：1.0、2.0、3.0pF 等。 2）对于同尺寸、材质、容量的产品，额定电压可以由高往低覆盖。 包装类型：带式包装（标准载带圆盘包装），单盘最小包装数见表 4。 表 4 包装类型 产品尺寸规格 01005 0201 圆盘尺寸 7〃 7〃 7〃 7〃 13〃 载带种类 纸带 塑带 纸带 纸带 纸带 包装数(Kpcs) 20 40 10 15 50 厚度代码 Z Z A/J A/X/J A/X/J 第一次包装：每多盘物料装入包装盒。 第二次包装：将第一次包装好的包装盒装入纸质包装箱，箱内剩余空隙部位用轻质辅材填满。以上包 装形式亦可根据用户需要包装。 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 3. 技术规格和试验方法： 3.1 外观： 3.1.1 要求:瓷体和端电极无明显伤痕。 3.1.2 试验方法:在 10 倍显微镜下目测。 3.2 尺寸规格： 3.2.1 要求:产品的外形和尺寸应符合图 1 及表 1 的要求。 3.2.2 试验方法：使用精度不低于 0.01 mm 的量具测量。 3.3 工作环境： C0G/C0H(NP0)、X7R 温度: -55℃~+125℃；相对湿度: ≤95%（25℃） 大气压: 86KPa~106KPa X5R、X5S 温度: -55℃~+85℃；相对湿度: ≤95%（25℃） 大气压: 86KPa~106KPa Y5V 温度: -30℃~+85℃；相对湿度: ≤95%（25℃） 大气压: 86KPa~106KPa 3.4 产品的电性能指标和试验条件： 条款 1 2 项目 电容量 （C） 损耗角 正切值 （tgδ） 表 5 电性能指标和试验条件 指标 符合标称电容量及其允许偏差范围 C0G/C0H(NP0) ：C≥30pF，tgδ≤10×10-4； C25nF) 无击穿或飞弧 温度: 18～28℃； 相对湿度: ≤RH 80%； 测试频率： C0G： C≤1000pF，f=1MHz±10%； X7R、 X5R、 X5S、Y5V： f=1KHz±10% 测试电压: 1.0±0.2Vrms 温度: 18～28℃； 相对湿度: ≤RH 80%； 施加额定电压 60±5 秒 C0G/C0H(NP0): 3×UR X7R、X5R、X5S、Y5V: 2.5×UR t=1 分钟 充、放电电流不超过 50mA 注：2 类陶瓷电容器（X7R、X5R、X5S、Y5V）电容量测试说明 当测试电容器的初始电容量低于其允许偏差值时，需对测试样品进行150℃±10℃热处理60±5 分钟，然后在 室温条件下放置24±2 小时，即去老化后再测试其电容量。 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 3.5 产品的技术要求和试验方法： 表 6 中“试验方法”，未做具体说明时，为依据 GB/T 21041/21042 IDT IEC60384-21/22 进行。 条款 项目 1 电容量温度 系数或温度 特性 表 6 产品的技术要求和试验方法 技术要求 试验方法 NP0(C0G)：αc ≤ ±30ppm/℃ (125℃)； 预 先 干 燥 ： 16 ～ 24 小 时 -72≤αc≤+30ppm/℃ ( -55℃)； C0G/C0H(NP0)，在 25℃、-55℃、125℃ NP0(C0H)：αc ≤ ±60ppm/℃ (125℃)； 下测量电容量，符合相应的温度系数 -72≤αc≤+30ppm/℃ ( -55℃)； αc； (10pF 以下不测该项，由介质材料特性保 或 150℃、1 小时专门预处理后放置 24 小 证。) 时（X7R、X5R、X5S、Y5V），分别在 θ1、 X7R、X5R：∆C/C ≤ ±15% 25℃、θ2 下测量电容量，符合相应的电容 量变化特性。 X5S：∆C/C ≤ ±22% X5R、X5S：θ1=-55℃，θ2=85℃ X7R：θ1=-55℃，θ2=125℃ Y5V：θ1=-30℃，θ2=85℃ 测试电压： 封装 01005 介质特性 容量范围 测试电压 C0G/X7R 所有容量段 1.0±0.2Vrms C＞22nF 0.2±0.03Vrms X5R 22nF≥C≥4.7nF 0.5±0.1Vrms C＜4.7nF 1.0±0.2Vrms C0G 所有容量段 1.0±0.2Vrms X7R C＜10nF 10nF 1.0±0.2Vrms 82nF≤C≤1.0μF 0.5±0.1Vrms 100pF＜C＜82nF 且 Ur≤6.3V 0.5±0.1Vrms 100pF＜C＜82nF 且 Ur＞6.3V 1.0±0.2Vrms 所有容量段 1.0±0.2Vrms Y5V：-82%≤∆C/C≤+22% 0201 X5R X5S/Y5V 0.5±0.1Vrms 外观：无可见损伤，端面镀层的熔蚀（浸 析）应不超过有关棱边长度的 25% 2 耐焊接热 150℃、1 小时专门预处理（X7R、X5R、 X5S、Y5V）后放置 24±1 小时； 将测试电容在 110～140℃预热 30～60 秒， 容量变化： 浸入 260±5℃的锡槽中 10±1 秒，浸入深度 C0G/C0H(NP0)： 10mm ； 然 后 在 室 温 放 置 6 ～ 24 小 时 ∆C/C ≤ ±2.5% 或 ±0.25pF, 取较大者； [C0G/C0H(NP0)]或 24±2 小时（X7R、X5R、 X7R、 X5R、X5S、Y5V：∆C/C≤±15%。 X5S、Y5V）后进行外观检查与电性能测 试。 tgδ 和 Ri: 满足表 5 初始指标。 3 可焊性 上锡良好，端头润湿率大于 75%。 将测试电容浸入含松香的乙醇溶液 3-5 秒， 在 80～140℃预热 30～60 秒，浸入 235±5℃ 的熔融锡液 2.0±0.2 秒，浸入深度 10mm。 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 外观:无可见损伤 样品安装在试验基板上（图 a），如图 b 施 加垂直方向的力，以 1mm/sec 的速度弯曲 1mm，停留 5±1 秒，并测量电容量。 c b Ø4.5 40 t：0.8mm 图a 4 端电极的 结合强度 容量变化: C0G/C0H(NP0): ∆C/C ≤ ±5% 或 ±0.5pF,取较大者； X7R、X5R、X5S、Y5V:∆C/C ≤ ±12.5%； 100 50 速度：1.0mm/sec 20 压力 R230 弯曲度≥1 45 45 容 量 测 试 仪 (Unit：mm) 图 b 将产品焊在试验板上，施加推力 F，10±1 秒. 5 附着力 F 外观: 无可见损伤。 电容器 01005 6 振动 外观: 无可见损伤。 容量变化: C0G/C0H(NP0): ∆C/C≤±2.5% 或 ±0.25pF, 取较大者； X7R、X5R、X5S、Y5V:∆C/C≤±12.5%； tgδ 和 Ri: 满足表 5 初始指标。 外观: 无可见损伤。 容量变化: C0G/C0H(NP0): ∆C/C≤±2.5% 或 ±0.25pF，取较大者； X7R、X5R、X5S、Y5V:∆C/C≤±15% 7 温度快速变 化 tgδ 和 Ri:满足表 5 初始指标。 F=1N 试验基板 0201 F=2N 根据 IEC 68-2-6 试验 Fc。 样品安装在试验基板上，振幅 1.5mm，频 率范围 10～55Hz，简谐振动均匀变化，扫 频周期 1 分钟，三个方向各持续 2 小时， 总计 6 小时。 150℃、1 小时专门预处理（X7R、X5R、 X5S、Y5V）后放置 24 小时； 将电容器固定在夹具上， 电容器按照 1～4 的顺序共循环 10 次， 步骤 温度(℃) 时间 1 θA 30 min 2 25 2～5 min. 3 θB 30 min 4 25 2～5 min. C0G/C0H(NP0)、 X7R： θA =-55℃，θB =125℃； X5R、X5S：θA=-55℃，θB=85℃； Y5V：θA=-30℃，θB=85℃； 然 后 在 室 温 放 置 6 ～ 24 小 时 [C0G/C0H(NP0)]或 24±2 小时（X7R、X5R、 X5S、Y5V）后进行外观检查与电性能测 试。 广东微容电子科技有限公司 GUANGDONG VIIYONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. 外观: 无可见损伤。 8 稳态湿热 容量变化: C0G/C0H(NP0): ∆C/C≤±5% 或 ±0. 5pF，取较大者； X7R、X5R、X5S、Y5V:∆C/C≤±12.5% 损耗角正切 (tgδ): C0G/C0H(NP0): tgδ≤20×10-4(C≥30pF) 或 tgδ≤ 2×(90/C+7)×10-4(C