S8550LT1-2TY

广东风华芯电科技股份有限公司 S8550 GUANGDONG FENGHUA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路 10 号 PNP Transistor NO.10,2nd Nanxiang Road, Guangzhou Science Park,Guangzhou City,Guangdong Province,China. ■■ 主要用途：通用运用程序 、开关等。 Applications:.General purpose application,Switching application ■■ 特性 Features 特性参数 符号 额定值 单位 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT VCBO -40 V VCEO -25 V VEBO -6 V IC -500 mA PC 300 mW Tj 150 ℃ Tstg ﹣55~150 ℃ 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 发射极-基极电压 Emitter-Base Voltage 集电极电流 Collector Current 集电极耗散功率 Collector Power Dissipation 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature ■■引脚说明 Pin assignment PIN NAME 版本：A PIN NUMBER 引脚序号 FUNCTION 管脚符号 SOT-23 功能 B 1 BASE E 2 EMITTER C 3 COLLECTOR 第 1 页 共 3 页 广东风华芯电科技股份有限公司 S8550 GUANGDONG FENGHUA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路 10 号 PNP Transistor NO.10,2nd Nanxiang Road, Guangzhou Science Park,Guangzhou City,Guangdong Province,China. ■■电参数 Electrical Characteristics( TC = 25°C unless otherwise noted) 特性参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 CHARACTERISTIC SYMBOL TEST CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT hFE VCE= -1V，Ic= -5mA 45 170 hFE VCE= -1V，Ic= -50mA 85 160 hFE VCE= -1V，Ic= -500mA 30 80 ICBO VCB= -35V，IE=0 -0.1 μA IEBO VEB= -6V，Ic=0 -0.1 μA BVCBO Ic= -0.1mA，IE=0 -40 V BVCEO Ic= -1mA，IB=0 -25 V BVEBO IE= -0.1mA，Ic=0 -6 V VBE(on) VCE= -1V，Ic= -10mA 直流电流增益 DC Current Gain 直流电流增益 DC Current Gain 直流电流增益 DC Current Gain 集电极-基极截止电流 Collector Cut-off Current 发射极-基极截止电流 Emitter Cut-off Current 集电极-基极击穿电压 Collector-Base Breakdown Voltage 300 集电极-发射极击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 发射极-基极击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 基极-发射极电压 Base-Emitter Voltage 集电极-发射极饱和压降 Collector-Emitter Saturation VCE(sat) Voltage 基极-发射极饱和压降 Base-Emitter Saturation Voltage 电流增益-带宽乘积 Gain bandwidth product VBE(sat) fT 共基极输出电容 Common Base Output Capacitance 版本：A Cob Ic= -500mA， IB= -50mA Ic= -500mA， IB= -50mA Ic= -50mA，VCE= -10V VCB= -10V, f =1MHz IE=0, 100 -0.66 -1 V -0.28 -0.6 V -0.98 -1.2 V 200 MHz 15 PF 第 2 页 共 3 页 广东风华芯电科技股份有限公司 S8550 GUANGDONG FENGHUA SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路 10 号 PNP Transistor NO.10,2nd Nanxiang Road, Guangzhou Science Park,Guangzhou City,Guangdong Province,China. ■■ 打标、分档 DEVICE MARKING 打标 2TY Marking 分档 200~300 Value ■■尺寸图 DIMENSION 版本：A A 2.40±0.10 E 1.90 REF I 5° M 0-0.1 B 1.30±0.10 F 2.90±0.10 J 0.10+0.05 N 7° C 0.55±0.10 G 1.00±0.10 K 0.2 MIN O 7° D 0.40±0.05 H 0.40-0.05 L 0.08±0.02 第 3 页 共 3 页