H7211-33M5R

H7211 高纹波抑制比、低噪声、超快响应 CMOS LDO  描述  特性 H7211 是以 CMOS 工艺制造的高纹波 抑制比，低噪音，超快响应低压差线性稳压器。 ◆低压差：150mV@ IOUT =150mA ◆低静态电流：30uA（TYP.） ◆高纹波抑制比：75dB@1KHz ◆超快瞬态响应的线性和负载调整性能 ◆输入电压范围：2.0V～6.0V ◆输出电压范围：1.0V～5.0V ◆高输出精度：±2％（TYP.） IN H7211 性能优化，能为电池供电系统提供 超低噪声和极低静态电流。H7211 关断模式下， 功耗小于 0.1μA，快速开启时间小于 50μs。 H7211 只需配置低 ESR 值的陶瓷电容， 适用于大功率应用中，尤其在手持无线设备及 射频产品中，能有效减少产品所需的电路板空 间。 ◆低输出噪声：50uVrms (10Hz~100kHz) ◆提供电流限制保护和短路保护 ◆TTL逻辑控制关断输入 手机 掌上电脑，笔记本电脑 便携式消费类设备 电池供电设备 无线电控制设备 SI ◆ ◆ ◆ ◆ ◆ PR O  应用  功能框图 1/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211  订购信息 H7211-①②③④ 编号 符号 说明 ①② Integer ③ M5 D Package: DFN1×1-4 ④ R RoHS / Pb Free Output Voltage e.g:1.2V=①：1；②：2 Package:SOT23-5  引脚排列图  引脚配置 PR O IN SOT23-5(Top view)DFN1x1-4(Top view) 引脚编号 引脚名称 功能描述 4 VIN 电压输入端 2 2 VSS 接地引脚 3 3 CE 使能端 4 —— NC 空 5 1 VOUT 电压输出端 SOT23-5 SI 1 DFN1×1-4  典型应用电路 H7211 2/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211  绝对最大额定值⑴ (除非另有说明， Ta=25℃) 参数 符号 极限值 单位 ⑵ VIN -0.3~ 7 V ⑵ VOUT -0.3~VIN+0.3 V IOUT 600 mA 400 mW 400 mW -40~85 ℃ 输入脚电压 输出脚电压 输出脚电流 SOT23-5 允许最大功率 DFN1x1-4 PD ⑶ 工作环境温度 IN Ta ⑷ Tj -40~125 ℃ 存储温度 Tstg -40~125 ℃ 焊接条件 Tsolder 260℃，10s HBM 4 kV MM 200 V ESD 说明： ⑴ PR O 工作结温 ⑸ 超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它超出本技术规范操作章节中 所示规格的条件下，推断器件能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。 所有电压值都是参考地得出的。 ⑶ H7211 在 0 ° C 至 85°C 工作环境温度范围内能保证满足性能规格。超出-40° C 至 85 ° C 的工作环境温度范围时需由设计及其相关参数进 SI ⑵ 行统计过程控制才可保证。 ⑷ H7211为了防止因过载电流发热而引起的对产品的破坏，内置了过温保护电路。当结点温度上升到125°C (典型值) 时，过温保护电路开 始工作，并停止稳压器的工作。如果长期工作在最高结温会使产品寿命缩短。 ⑸ 有关ESD测试的更详细信息，请参考JESD22 JEDEC。  推荐工作条件 参数 最小值 输入电压范围 典型值 最大值 单位 2 6 工作结温 0 125 V ℃ 工作环境温度 0 85 ℃ 3/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211  电气特性参数 （除非另有说明，VIN=VOUT+1V, CIN=COUT=1μF，T a=25℃） 符号 VOUT(E) (7) 参数 测试条件 输出电压 IOUT=1mA 最小值 典型值 (8) VOUT (6) (8) VOUT 静态电流 IOUT=0 ISTBY 待机电流 IOUT 输出电流 CE = VSS － 单位 (8) VOUT V *1.02 *0.98 Iss 最大值 30 60 μA 0.1 μA 300 mA IOUT =150mA VOUT≥2.8V 150 mV 负载调整度 VIN= VOUT +1V, 1mA≤IOUT≤100mA 10 mV 线性调整度 IOUT =10mA VOUT +1V≤VIN≤6V 0.01 输出电压温度特性 IOUT =10mA -40≤T≤+85 100 ppm IShort 短路电流 VOUT =VSS 100 mA VIN 输入电压 － PR O ΔVOUT IN 压差 (9) VDO 2.0 PSRR SI 纹波抑制比， f = 217Hz 纹波抑制比, f = 1kHz IOUT = 50mA 纹波抑制比, f = 10kHz VCE“H” CE 端“高”电平 VCE“L” CE 端“低”电平 RDISCHRG 输出电容放电电阻 6.0 %/V V 80 dB 75 dB 70 dB 1.5 VIN=5V, VOUT=3.0V, VCE=VSS 0.2 80 VIN V 0.3 V Ω 说明： (6) 典型值是在 25 ° C 的数值，并且代表最有可能的规范。 (7) VOUT(E) : 有效输出电压(即当IOUT保持一定数值，VIN = (VOUT +1.0V)时的输出电压)。 (8) VOUT：规定的输出电压。 (9) VDO : VIN1 –VOUT (E)’。 VIN1 ：逐渐减小输入电压，当输出电压降为 VOUT (E) 的98%时的输入电压 VOUT (E)’= VOUT (E)*98% 4/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211  压差值 输出电压 VDO(mV)@ IOUT=150mA Typ. Max. 1.2 380 600 1.5 270 600 1.8 230 600 2.5 180 400 2.8 160 220 3.0 155 220 3.3 150 220 SI PR O  典型工作特性曲线 IN VOUT(V) 5/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211 SI PR O IN  典型工作特性曲线  COUT 放电分路功能 H7211 内置了使输出电容 COUT 放电的放电分路。根据以下步骤使输出电容放电后，VOUT 端子就变为 V 电位。 (1) 将 CE 端子置为低电位。 (2) 关闭输出晶体管。 (3) 打开放电分路。 (4) 使输出电容 COUT 对 80Ω放电电阻 RDISCHRG（VOUT=3.0V @ VIN=5.0V 时的典型值）放电。 V 电位的值由以下公式求得： −t V Vout ( E) × e τ ,or t τln V      Vout ( E)  ( V：放电后输出电压；VOUT(E)：放电前输出电压； t：放电时间；τ: RC时间常数， R DISCHRG×COUT。） 6/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211  封装信息 SI PR O IN SOT23-5 封装: 7/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo. H7211 SI PR O IN DFN1×1-4 封装: 8/8 V1.5 Shanghai SiproinMicroelectronicsCo.