PT6303SESOH-AC

PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 概述 特点 PT6303S 是一款专为保护 3 串锂离子/聚合物电池的电 池保护芯片，可降低因电池过充，过放和/或过流条件而导 致的电池损坏或寿命缩短的风险。  内置高精度电压检测电路：  过充电检测电压： VCOV = 4.2V to 4.375V；25mV/step 精度：±25mV 小型的 SOP-8 封装和最少的外部元件需求使芯片易于 整合至空间有限的电池包里。  过充电滞后电压： VCOVR = VCOV - VΔCOV (0~300mV, 100mV/step) 精度：±25mV ±25mV 的过充电检测电压精度保证电池安全的全容量  过放电检测电压： 充电。±10mV 的电流检测电压精度保证放电过流准确触 VCUV=2.3V to 2.9V；0.2V/step 发。 精度：±50mV  过放电滞后电压： PT6303S 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微 不足道的电流。 VCUVR = VCUV + VΔCUV (0.3V~0.9V, 0.2V/step) 精度：±80mV  内置三段放电过电流检测电路： 应用  电动工具  吸尘器等家用设备  移动电源等储能设备  过电流 1 检测电压： VPDOC1= 50mV / 75mV / 100mV / 150mV 精度：±10mV  过电流 2 检测电压： VPDOC2= 2* VPDOC1 精度：±20mV  负载短路检测电压： VPSC=4* VPDOC1 精度：±50mV  低消耗电流：  工作状态时：< 20μA  休眠状态时：< 3μA  封装：SOP-8 华润矽威科技(上海)有限公司 PT6303S_DS_Rev CH1.0 WWW.CRPOWTECH.COM 第1页 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 典型应用电路 原厂技术支持！　　联系人：徐小姐　　　联系电话：１８５６５８２０８８０ 1N4148 300R VCC PCK+ CDR 2.2uF 2K B3 PT6303S (SOP-8) 47~220nF 2K B2 DDR LM 47~220nF 2K VSS B1 47~220nF 1K 47nF 1K 1K SD103 MD MC 1.2M 10M PCK图 1. PT6303S 典型应用电路 订购信息 封装 SOP-8 温度范围 -40℃~85℃ 订购型号 包装打印 PT6303SESOH-YY Tape and Reel 4000 units 产品打印 PT6303S YY xxxxxX Note1: YY 对应表 1 中的参数选项 Note2: xxxxxX Assembly Factory Code Lot Number Part Number Overcharge Detection Voltage [VCOV] Overcharge Release Hysteresis [△VCOV] Over-discharge Detection Voltage [VCUV] Over-discharge Release Hysteresis [△VCUV] Pack Discharge Over Current L1 Detect Voltage [VPDOC1] PT6303SESOHAA 4.225 V 200mV 2.70 V 0.3 V 100 mV Output Delay Excess Current L2 [TPDOC2] Discharge OverTemp. Threshold [tDOT] Charge OverTemp. Threshold [tCOT] 100mS 70° C 50° C 表.1 可订购料号的参数选项 Note3: 其他参数选项的产品型号需求请联系销售。 华润矽威科技(上海)有限公司 PT6303S_DS_Rev CH1.0 WWW.CRPOWTECH.COM 第2页 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 管脚定义图 VCC 1 8 CDR PT6303S B3 2 B2 3 7 DDR 6 LM B1 4 5 VSS SOP-8 图 2. 管脚定义图 管脚描述 原厂技术支持！　　联系人：徐小姐　　　联系电话：１８５６５８２０８８０ 引脚号码 引脚名称 1 VCC 2 B3 第三节电芯正极输入端 3 B2 第三节电芯负极输入端，第二节电芯正极输入端 4 B1 第二节电芯负极输入端，第一节电芯正极输入端 5 VSS 6 LM 7 DDR 放电 MOSFET 驱动输出引脚 8 CDR 充电 MOSFET 驱动输出引脚 华润矽威科技(上海)有限公司 PT6303S_DS_Rev CH1.0 引脚功能描述 芯片供电引脚 第一节电芯负极输入端 电流检测电压输入、负载检测和充电器检测引脚 WWW.CRPOWTECH.COM 第3页 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 极限参数(注 1) (无特别说明，Ta=25°C) SYMBOL ITEM VCC VCC pin voltage VLM Min. Value Typ. Max. UNIT VSS-0.3 VSS+25 V LM pin voltage VSS – 0.3 VCC + 0.3 V VCDR CDR pin voltage VCC - 25 VCC + 0.3 V VDDR DDR pin voltage VSS - 0.3 VCC + 0.3 V VB1-3 B1, B2, B3 pin voltage VSS-0.3 VCC+0.3 V -5 VCC-VSS V VCEL2, VCEL3 PD TSTG VB2-VB1 , VB3-VB2 voltage Power dissipation Storage temperature 0.15 -55 W 125 ℃ 注 1：最大极限值是指超出该工作范围 推荐工作范围 SYMBOL VCC VCEL1-3 TOPT PARAMETER Min. VALUE Typ. Max. UNIT Supply Voltage 3.2 15 V Cell1, Cell2, Cell3 input voltage 2.0 4.5 V Operating temperature -40 85 ℃ 华润矽威科技(上海)有限公司 PT6303S_DS_Rev CH1.0 WWW.CRPOWTECH.COM 第4页 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 电气参数 (无特别说明，Ta=25°C，VCELL=3.6V) 符号 参数 条件 最小 典型 最大 单 位 15 V 4.2 V VCC 工作电压 VCC-GND 3.2 VPOR 启动电压 VCC上升沿 3.4 关断迟滞电压 VCC下降沿，VPOR-DW= VPOR-△VPOR 0.2 V IDD 工作电流 无保护事件，CDR悬空 15 µA ISTBY 待机电流 过放，无充电器 2.5 µA 0 µA △VPOR IB(n),n=1,3 B1, B2, B3 引脚流入电流 3.8 电池电压检测参数 TSCN VCOV VCOVR 电池电压检测周期 电芯过充电压阈值(NOTE2)： 4.2~4.375可选，25mV/step 电芯过充恢复电压： VCOVR =VCOV-VΔCOV， VΔCOV: 0~300mV，100mV/step 检测电池电压上升，无保护事件 触发COV事件后检测电池电压下降 0.35 0.5 0.65 S VCOV -25 VCOV VCOV +25 mV VCOVR 25 VCOVR VCOVR +25 mV TCOV 电芯过充延迟 任何电芯电压满足VCELL> VCOV 2*TSCN TCOVR 电芯过充恢复延迟 所有电芯电压满足VCELL< VCOVR 2*TSCN VCUV VCUVR 电芯过放电压阈值： 2.3V~2.9V selectable，0.2V/step 电芯过放恢复电压： VCUVR = VCUV+ VΔCUV， VΔCUV: 0.3V~0.9V TCUV 电芯过放延迟 TCUVR 电芯过放恢复延迟 检测电池电压下降，无保护事件 VCUV -50 VCUV VCUV +50 mV 触发CUV事件后检测电池电压上升 VCUVR -80 VCUVR VCUVR +80 mV 任 何 电 芯 电 压 满 足 VCELL< VCUV ( TCUV= TCOV) 所 有 电 芯 电 压 满 足 VCELL> VCUVR ( TCUVR= TCOVR) 2*TSCN 2*TSCN 电流检测参数 VPDOC1 过流1检测阈值： 50mV，75mV，100mV，150mV可选 TPDOC1 过流1触发延迟 VPDOC2 TPDOC2 VPSC TPSC 过流2检测阈值： VPDOC2=2* VPDOC1 过流2触发延迟： 100mS，200mS，300mS，400mS可选 短路检测阈值： VPSC=4* VPDOC1 检测LM引脚电压上升 检测LM引脚电压上升 检测LM引脚电压上升 VPDOC1 -10 VPDOC1 VPDOC1 +10 mV 0.7 1.0 1.3 S VPDOC2 -20 0.7 *TPDOC2 VPSC -50 200 短路触发延迟 VPDOC2 TPDOC2 VPSC 250 VPDOC2 +20 1.3 *TPDOC2 VPSC +50 300 mV mS mV μS 驱动参数 充电MOSFET打开 6 μA 充电MOSFET关闭 0 μA 放电MOSFET打开 VCC 放电MOSFET关闭 VSS ICDR 充电MOSFET驱动电流 VDDR 放电MOSFET驱动电流 IDDRH 放电MOSFET驱动电流能力 VDDR=VCC-3V 3 mA IDDRL 放电MOSFET吸收电流能力 VDDR=VSS+ 3V 5 mA 负载检测参数 华润矽威科技(上海)有限公司 PT6303S_DS_Rev CH1.0 WWW.CRPOWTECH.COM 第5页 PT6303S 3 串锂离子/锂聚合物电池保护芯片 ILM VLMTH LM引脚吸收电流能力 VLM=5V 负载开路检测阈值 简化模块图 70 μA 0.75 V 原厂技术支持！　　联系人：徐小姐　　　联系电话：１８５６５８２０８８０ VCC B3 OV Detection Cell Selection Control UV B2 UV Detection B1 PDOC1 detection LM OV PDOC2 detection CFET Driver Control PDOC1 PDOC2 Delay-Time Control PSC LD-Open/ CHGIN Control CDR Load or Charger monitoring PSC detection Charge/Dis-Charge Control DFET Driver DDR VSS 图 3. 内部模块简化图 功能描述 1. 上电过程 PT6303S 周期性检测电芯电压，一旦任何一节电池电 当 电 源 接 入 ， VCC 上 升 ， 当 VCC