TIP122D

晶体管 TRANSISTOR TIP122D 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 产品特性 FEATURES 硅外延 高电流容量 RoHS产品 与 TIP127 互补 8A 100V 65W 用途 APPLICATIONS 高频功率变换 一般功率放大电路 Epitaxial silicon High current capability RoHS product Complementary to TIP127 High frequency power transform Commonly power amplifier circuit 封装形式 Package TO-220SD 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 集电极—基极直流电压 Collector- Base Voltage（ IE=0） 集电极—发射极直流电压 Collector- Emitter Voltage（IB=0） 发射极—基极直流电压 Emitter-Base Voltage（IC=0） 最大集电极直流电流 Collector Current（DC） 最大集电极耗散功率 Total Dissipation (TO-92) 最高结温 Junction Temperature 贮存温度 Storage Temperature 符号 Symbol 数值 Value 单位 Unit VCBO 100 V VCEO 100 V VEBO 7 V IC 8 A PC 65 W Tj 150 ℃ Tstg -55~+150 ℃ 符号 Symbol 最小值 (min) 最大值 (max) 单位 Unit Rth(j-a) - 125 ℃/W 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 结到环境的热阻 Thermal Resistance Junction Ambient 1 Ver-1.0 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 最小值 (min) 典型值 (typ) 最大值 (max) 单位 Unit IC=100uA,IE=0 100 200 - V V(BR)CEO IC=10mA,IB=0 100 - - V V(BR)EBO IE=1mA,IC=0 7 - - V ICBO VCB=100V, IE=0 0.1 mA ICEO VCE=100V, IE=0 - - 2 mA IEBO VEB=5V, IC=0 - - 2 mA Hfe(1) VCE =3V, IC=0.5A 1000 - 5000 Hfe(2) VCE =3V, IC=3A 1000 VCE(sat) IC=3A, IB=12mA - - 1.5 V VCE(sat) IC=5A, IB=20mA - - 3 V 典型特性曲线 Electrical Characteristics 项目 Parameter 测试条件 Tests conditions V(BR)CBO u 2 Ver-1.0 印记 Marking: 飞虹 LOGO FEIHONG LOGO 生产批次代码 ASSEMMBLY LOT CODE 产品代码 PRODUCT CODE 档位 GRANDING CODE 产品型号 PART.NO 3 Ver-1.0 4 Ver-1.0