FHT9014Y-ME

ᄰ፿ྯ૵਌ General Purpose Transistors FHT9014 General Purpose Transistors ᄰ፿ྯ૵਌ DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 SOT-23 Excellent hFE Linearity hFE 線性特性極好 hFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High 高 hFE：hFE=70～700 Low Noise低雜訊：NF=1dB (Typ.),10dB(Max.) Complementary to FHT9015 與 FHT9015 互補 PIN ASSIGNMENT 引腳說明 PIN NAME FUNCTION PIN NUMBER 引腳序號 管腳符號 功能 SOT-23 B 1 BASE E 2 EMITTER C 3 COLLECTOR MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大額定值 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 45 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 5.0 Vdc VEBO Collector Current—Continuous 集電極電流-連續 150 mAdc IC Base Current 基極電流 30 mAdc IB THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 CHARACTERISTIC 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 Pc 300 mW 150， Tj, ℃ Junction and Storage Temperature結溫和儲存溫度 -55 ~150 Tstg DEVICE MARKING 打標 FHT9014Y=1Y(120～240) hFE(1) FHT9014O=1O(70～140), FHT9014G=1G(200～400), FHT9014L=1L(350～700) ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度為 25℃) Symbol Test Condition Min Type Max Unit Characteristic 特性參數 符號 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 ICBO VCB=50V,IE=0 — — 0.1 µA IEBO VEB=5V,IC=0 — — 0.1 µA Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=1.0mA 45 — — V Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=100µA 50 — — V Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓 V(BR)EBO IE=100µA 5 — — V hFE VCE=6V,IC=2mA 70 — 700 — VCE(sat) IC=100mA,IB=5mA — — 0.6 V VBE VCE=5.0V,IC=10mA — — 0.82 V fT VCE=5.0V,IC=10mA 100 180 — MHz Cob VCB=10V,IE=0,f=1MHz — 4.0 7.0 pF DC Current Gain 直流電流增益 Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 Base-Emitter Voltage 基極-發射極電壓 Transition Frequency 特徵頻率 Collector Output Capacitance 輸出電容 1