IP3012A

IP3012 高精度内置 MOSFET 单节锂电池保护 IC 1 特性         单节锂离子/锂聚合物电池保护 IC 内置低导通电阻 MOSFET  Ron=50mΩ,(VDD=3.6V, ILOAD= 1A) 高精度电压检测保护  过充电压 VCU： 3.500~4.100V，step 50mV 4.100~4.575V，step 25mV 精度±50mV  过充恢复电压 VCL： 3.900~4.400V，step 50mV 3.400~3.900V，step 100mV 精度±100mV  过放电压 VDL： 2.200~2.900V，step 100mV 精度±100mV  过放恢复电压 VDR： 2.400~3.100V，step 100mV 精度±100mV 宽范围电流检测保护  放电过流保护 0.6A~5.2A 可调  充电电流保护： 1A~5.2A 可调 0V-电池充电允许 超低功耗：  工作模式：2.6µA  关断模式：1.1µA 多重保护、高可靠性 2 应用     单节可充式锂离子/锂聚合物电池设备 移动电源 平板电脑 穿戴式设备 3 简介 IP3012 系列 IC 是一款高精度的单节锂离子/锂 聚合物电池保护芯片，它内置功率 MOSFET，全集 成了高精度的过充电压、过放电压、过放电流、过 充电流检测保护电路。 IP3012 采用了精确的电压判断电路，让过充电 压的检测精度达到±50mV。 IP3012 系列 IC 拥有大范围的电压保护和过流 检测选择，拥有精细的档位步进，可根据用户要求 实现多样化定制。 IP3012 系列 IC 采用 SOT23-5 封装，加上极小 的外围，可以极限节约 PCB 的设计面积。 R1 1kΩ 3 P+ Battery  负载短路保护  IC 内置过温保护 超小型的 SOT23-5 封装 C1 0.1µF 2 1 NC VDD GND VS 5 IP3012 VM 4 P图 1 简化应用原理图 V1.01 www.injoinic.com 1 / 13 Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 4 引脚定义 1 2 3 NC VS 5 GND IP3012 VDD VM 4 SOT23-5 图2 IP3012 引脚图 引脚 V1.01 描述 序号 名称 1 VS 2 GND Ground，接电池的负极，在芯片内部与功率 MOSFET 连 接 3 VDD 电源，接电池正极 4 VM 充电器或负载的负极，在芯片内部与功率 MOSFET 连接 5 NC 推荐 Floating，也可接 VM www.injoinic.com 接 GND 或浮空 2 / 13 Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 产品型号列表 主要特性 型号 过充电压 过充恢复电压 过放电压 过放恢复电压 过流电流 过充电压精度 IP3012A 4.300V 4.10V 2.5 充电恢复 3A 50mV IP3012B 4.425V 4.20V 2.5 充电恢复 3A 50mV 最小包装：3k/卷 V1.01 www.injoinic.com 3 / 13 Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 5 极限参数 参数 符号 值 单位 VDD 输入电压 VDD -0.3 ~ 7 V VM 输入电压 Vm -3 ~ 6 V 结温范围 TJ -40 ~ 150 ℃ 存储温度范围 Tstg -60 ~ 150 ℃ 热阻（结温到环境） θJA 50 ℃/W 人体模型（HBM） ESD 2 KV *高于绝对最大额定值部分所列数值的应力有可能对器件造成永久性的损害，在任何绝对最大额定值条件下 暴露的时间过长都有可能影响器件的可靠性和使用寿命。 V1.01 www.injoinic.com 4 / 13 Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 6 电气特性 除特别说明，TA=25℃ 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 电压检测 过充电压 3.5V-4.1V, step 50mV 4.1V-4.575V, step 25mV VCU VCU-0.05 VCU VCU+0.05 V 过充恢复电压 3.9-4.4V, step 50mV 3.4-3.9V, step 100mV VCL VCL-0.1 VCL VCL+0.1 V 过放电压 2.2-2.9V, step 100mV VDL VDL-0.1 VDL VDL+0.1 V 过放恢复电压 2.4-3.1V, step 100mV VDR VDR-0.1 VDR VDR+0.1 V 充电检测电压 VCHA -0.12 -0.2 V 过充电压保护延迟时间 tCU 240 320 400 ms 过放电压保护延迟时间 tDL 40 80 120 ms 放电过流 IIOV 65% IIOV IIOV 135% IIOV A 充电过流 IIOC 65% IIOC IIOC 135% IIOV A 短路电流 ISC 5 8 10 A 放电过流保护延迟时间 tIOV 3 10 15 ms 充电过流保护延迟时间 tIOC 3 10 15 ms 短路保护延迟时间 tSC 50 200 600 µs 电流检测 功耗 正常工作电流 IOPE VDD=3.6V，VM=0V 2.6 5 µA 关断电流 IPDN VDD=2V，VM=VDD 1.1 1.4 µA 控制系统 VM 上拉电阻 RVMD 320 kΩ VM 下拉电阻 RVMS 30 kΩ MOSFET 导通电阻 V1.01 www.injoinic.com Ron VDD=3.6V，IVM=1A 5 / 13 50 55 mΩ Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 7 功能结构示意 VDD 过充 电压 分压 电路 过放 电压 基准源 短路 保护 温度 保护 过流 放电 逻辑控制 振荡器 VM 驱动 电路 过流 充电 基准源 VS VS 图 3 内部功能结构框图 V1.01 www.injoinic.com 6 / 13 Copyright © 2017, Injoinic Corp. IP3012 8 功能描述 充电过压 当电池电压 VDD>VCU，且 t>tCU 时，为充电过压状态。IP3012 会控制内部充电逻辑，关闭内部充电 MOS，使电池停止充电。当出现以下两种情况，充电过压状态将被释放： （1）、充电器依旧连接时，当电池电压 VDD