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EG2134 芯片用户手册
三相独立半桥驱动芯片
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EG2134 芯片数据手册 V1.0
三相独立半桥驱动芯片
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V1.0
2017 年 10 月 18 日
EG2134 数据手册初稿
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三相独立半桥驱动芯片
目
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
录
特性 ..................................................................................................................................................................... 1
描述 ..................................................................................................................................................................... 1
应用领域 ............................................................................................................................................................. 1
引脚 ..................................................................................................................................................................... 2
4.1 引脚定义 ................................................................................................................................................... 2
4.2 引脚描述 ................................................................................................................................................... 3
结构框图 ............................................................................................................................................................. 4
典型应用电路 ..................................................................................................................................................... 5
电气特性 ............................................................................................................................................................. 5
7.1 极限参数 ................................................................................................................................................... 5
7.2 典型参数 ................................................................................................................................................... 6
7.3 开关时间特性及死区时间波形图 ........................................................................................................... 7
应用设计 ............................................................................................................................................................. 8
8.1 VCC 端电源电压 ........................................................................................................................................ 8
8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性 ................................................................................................... 8
封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 10
9.1 TSSOP20 封装尺寸 .................................................................................................................................. 10
9.2 QFN24 封装尺寸 ..................................................................................................................................... 11
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三相独立半桥驱动芯片
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1. 特性
◼
◼
◼
◼
◼
高端悬浮自举电源设计,耐压可达 300V
集成三路独立半桥驱动
适应 5V、3.3V 输入电压
最高频率支持 500KHZ
低端 VCC 电压范围 4.5V-20V
◼
◼
◼
◼
输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A
内建死区控制电路
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出
◼
◼
LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出
封装形式:TSSOP20/QFN24
2. 描述
EG2134 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处
理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2134 高端的工作电压可达 300V,低端 VCC 的电源电压范围宽 4.5V~20V。该芯片具有闭锁功能
防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处
于关闭状态,输出电流能力 IO +1.2A/-1.4A,采用 TSSOP20 和 QFN24 封装。
3. 应用领域
◼
三相直流无刷电机驱动器
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4. 引脚
4.1 引脚定义
1
HIN1
VB1
20
2
HIN2
HO1
19
3
HIN3
VS1
18
4
LIN1
VB2
17
5
LIN2
HO2
16
6
LIN3
VS2
15
7
VCC
VB3
14
8
GND
HO3
13
9
LO3
VS3
12
10
LO2
LO1
11
EG2134
图 4-1. EG2134 管脚定义
4
VCC
5
6
HO1
LIN3
19
VB1
3
20
NC
LIN2
21
HIN1
2
22
HIN2
LIN1
23
HIN3
1
24
VS1
18
VB2
17
HO2
16
VS2
15
NC
VB3
14
GND
HO3
13
NC
NC
LO3
LO2
LO1
VS3
EG2134
7
8
9
10
11
12
图 4-2. EG2134 管脚定义
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4.2 引脚描述
引脚序号
1,2,3
引脚名称
HIN1,HIN2,HIN3
I/O
描述
I
逻辑输入控制信号高电平有效,控制高端功率 MOS 管
的导通与截止
“0”是关闭功率 MOS 管
“1”是开启功率 MOS 管
逻辑输入控制信号低电平有效,控制低端功率 MOS 管
的导通与截止
“0”是关闭功率 MOS 管
“1”是开启功率 MOS 管
4,5,6
LIN1,LIN2,LIN3
I
7
VCC
Power
模拟电源
8
GND
-
模拟电源
9,10,11
LO,1LO2,LO3
O
输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止
12,15,18
VS1,VS2,VS3
O
高端悬浮地端
13,16,19
HO1,HO2,HO3
O
输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止
14,17,20
VB1,VB2,VB3
Power
引脚序号
引脚名称
I/O
描述
I
逻辑输入控制信号高电平有效,控制高端功率 MOS 管
的导通与截止
“0”是关闭功率 MOS 管
“1”是开启功率 MOS 管
逻辑输入控制信号低电平有效,控制低端功率 MOS 管
的导通与截止
“0”是关闭功率 MOS 管
“1”是开启功率 MOS 管
22,23,24
HIN1,HIN2,HIN3
高端悬浮电源
1,2,3
LIN1,LIN2,LIN3
I
4
VCC
Power
模拟电源
6
GND
-
模拟电源
9,10,11
LO,1LO2,LO3
O
输出控制低端 MOS 功率管的导通与截止
12,15,18
VS1,VS2,VS3
O
高端悬浮地端
13,16,19
HO1,HO2,HO3
O
输出控制高端 MOS 功率管的导通与截止
14,17,20
VB1,VB2,VB3
Power
5,7,8,21
NC
-
高端悬浮电源
空脚
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5. 结构框图
HIN1
LIN1
HIN2
LIN2
HIN3
LIN3
滤
波
滤
波
滤
波
滤
波
滤
波
滤
波
死区
控制
和闭
锁控
制
死区
控制
和闭
锁控
制
死区
控制
和闭
锁控
制
电
平
位
移
脉
冲
滤
波
VB1
驱
动
HO1
VS1
VCC
延
时
电
平
位
移
驱
动
脉
冲
滤
波
延
时
电
平
位
移
延
时
VB2
驱
动
HO2
VS2
驱
动
脉
冲
滤
波
LO1
LO2
VB3
驱
动
HO3
VS3
驱
动
LO3
GND
图 5-1. EG2134 内部电路图
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6. 典型应用电路
15V
FR107
HIN1,2,3
300V
1N4148
VB1,2,3
HIN1,2,3
HO1,2,3
LIN1,2,3
VS1,2,3
LIN1,2,3
C3
R4
EG2134
OUT
VCC
1N4148
C1
1uF
GND
LO1,2,3
R5
图 6-1. EG2134 典型应用电路图
7. 电气特性
7.1 极限参数
符号
参数名称
测试条件
最小
最大
单位
自举高端 VB 电源
VB1、VB2、VB3
-
-0.3
300
V
高端悬浮地端
VS1、VS2、VS3
-
VB-25
VB+0.3
V
高端输出
HO1、HO2、HO3
-
VS-0.3
VB+0.3
V
低端输出
LO1、LO2、LO3
-
-0.3
VCC+0.3
V
电源
VCC
-
-0.3
25
V
高通道逻辑信号
输入电平
HIN1、HIN2、HIN3
-
-0.3
VCC+0.3
V
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低通道逻辑信号
输入电平
LIN1、LIN2、LIN3
-
-0.3
VCC+0.3
V
环境温度
环境温度
-
-40
125
℃
储存温度
储存温度
-
-55
150
℃
焊接温度
焊接温度
T=10S
-
300
℃
注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。
7.2 典型参数
无另外说明,在 TA=25℃,Vcc=12V,负载电容 CL=1nF 条件下
参数名称
符号
测试条件
最小
典型
最大
单位
电源
VDD
-
4.5
12
20
V
静态电流
Icc
输入悬空,VCC=12V
-
1
5
uA
Vin(H)
所有输入控制信号
2.5
-
-
V
Vin(L)
所有输入控制信号
-0.3
0
1.0
V
输入逻辑信号高
电位
输入逻辑信号低
电位
输入逻辑信号高
电平的电流
输入逻辑信号低
电平的电流
Iin(H)
Vin=5V
-
-
15
uA
Iin(L)
Vin=0V
-15
-
-
uA
悬浮电源漏电流
ILK
VB1,2,3=VS1,2,3=300V
-
0.1
1
uA
VBS 静态电流
IQBS
VIN=0 或者 VIN=5V
-
0.1
10
uA
VBS 动态电流
IPBS
f=16KHZ
-
100
200
uA
Vcc 静态电流
IQcc
VIN=0 或者 VIN=5V
-
0.1
10
uA
Vcc 动态电流
IPcc
f=16KHZ
-
100
500
uA
VS 静态负压
VSN
-
-
-6
-
V
ILINH
VLIN=5V
-
20
40
uA
ILINL
VLIN=0V
-
-
1
uA
IHINH
VLIN=5V
-
20
40
uA
IHINL
VLIN=0V
-
-
1
uA
LIN 高电平输入
偏置电流
LIN 低电平输入
偏置电流
HIN 高电平输入
偏置电流
HIN 低电平输入
偏置电流
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输入下拉电阻
KΩ
RIN
-
240
高端输出电压
VOH
IO=100mA
-
0.7
1.0
A
低端输出电压
VOL
IO=100mA
-
0.3
0.45
A
IO 输出拉电流
IO+
-
+1.2
-
A
IO 输出灌电流
IO-
-
-1.4
-
A
IO 输出最大驱动能力
Vo=0V,VIN=VIH
PW≤10uS
Vo=12V,VIN=VIL
PW≤10uS
低端输出 LO、 LO 开关时间特性
开延时
Ton
见图 7-1
-
300
400
nS
关延时
Toff
见图 7-1
-
100
200
nS
上升时间
Tr
见图 7-1
-
25
200
nS
下降时间
Tf
见图 7-1
-
20
100
nS
高端输出 HO、HO 开关时间特性
开延时
Ton
见图 7-2
-
220
400
nS
关延时
Toff
见图 7-2
-
200
400
nS
上升时间
Tr
见图 7-2
-
25
200
nS
下降时间
Tf
见图 7-2
-
20
100
nS
DT
见图 7-3,
无负载电容 CL=0
50
100
300
nS
死区时间特性
死区时间
7.3 开关时间特性及死区时间波形图
50%
LIN
50%
50%
HIN
50%
Toff
Ton
Toff
Tf
Tr
90%
Ton
Tf
Tr
90%
90%
LO
90%
HO
10%
10%
图 7-1. 低端输出 LO 开关时间波形图
10%
10%
图 7-2. 高端输出 HO 开关时间波形图
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50%
50%
50%
50%
HIN
LIN
90%
HO
LO
10%
DT
90%
DT
10%
图 7-3. 死区时间波形图
8. 应用设计
8.1 VCC 端电源电压
针对不同的 MOS 管,
选择不同的驱动电压,高压开启 MOS 管推荐电源 VDD 工作电压典型值为 10V-15V;
低压开启 MOS 管推荐电源 VCC 工作电压 4.5V-10V。
8.2 输入逻辑信号要求和输出驱动器特性
EG2134 主要功能有逻辑信号输入处理、死区时间控制、电平转换功能、悬浮自举电源结构和上下桥
图腾柱式输出。逻辑信号输入端高电平阀值为 2.5V 以上,低电平阀值为 1.0V 以下,要求逻辑信号的输出
电流小,可以使 MCU 输出逻辑信号直接连接到 EG2134 的输入通道上。
高端上桥臂和低端下桥臂输出驱动器的最大灌入可达 1.2A 和最大输出电流可达 1.4A, 高端上桥臂通道
可以承受 300V 的电压,
输入逻辑信号与输出控制信号之间的传导延时小,低端输出开通传导延时为 300nS、
关断传导延时为 100nS,高端输出开通传导延时为 220nS、关断传导延时为 200nS。低端输出开通的上升时
间为 25nS、关断的下降时间为 20nS, 高端输出开通的上升时间为 25nS、关断的下降时间为 20nS。
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输入信号和输出信号逻辑功能图如图 8-2:
1
HIN
1
0
0
0
0
1
LIN
1
1
0
0
0
0
0
1
LO
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
HO
1
0
1
0
1
0
0
0
0
图 8-2. 输入信号和输出信号逻辑功能图
输入信号和输出信号逻辑真值表:
输入
输出
输入、输出逻辑
HIN
LIN
HO
LO
0
0
0
0
0
1
0
1
1
0
1
0
1
1
0
0
从真值表可知,当输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“0”时,驱动器控制输出 HO 为“1”上管打开,LO 为
“0”下管关断;当输入逻辑信号 HIN 为“0” 和 LIN 为“1”时,驱动器控制输出 HO 为“0”上管关断,LO 为“1”下
管打开;在输入逻辑信号 HIN 为“1”和 LIN 为“1”或者 HIN 为“0”和 LIN 为“0”时,驱动器控制输出 HO、LO 为
“0”将上、下功率管同时关断;内部逻辑处理器杜绝控制器输出上、下功率管同时导通,具有相互闭锁功能。
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9. 封装尺寸
9.1 TSSOP20 封装尺寸
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9.2
QFN24 封装尺寸
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